Onsemi NVB072N65S3 MOSFET：汽車應用的理想之選

在電子工程領域，MOSFET（金屬 - 氧化物 - 半導體場效應晶體管）是一種至關重要的電子元件，廣泛應用于各種電子設備中。今天，我們將深入探討 Onsemi 的 NVB072N65S3 MOSFET，這是一款專為汽車應用設計的高性能 N 溝道功率 MOSFET。

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產(chǎn)品概述

NVB072N65S3 屬于 Onsemi 的 SuperFET III 系列，這是全新的高壓超結（SJ）MOSFET 家族。該系列采用了電荷平衡技術，具有出色的低導通電阻和較低的柵極電荷性能。這種先進技術旨在最小化傳導損耗，提供卓越的開關性能，并能承受極高的 dv/dt 速率。因此，SuperFET III MOSFET Easy - drive 系列有助于管理 EMI 問題，使設計實現(xiàn)更加容易。

關鍵特性

高可靠性

• AEC - Q101 認證：這意味著該 MOSFET 經(jīng)過了嚴格的汽車級認證，能夠在汽車環(huán)境中可靠工作。
• 最高結溫 150°C：能夠承受較高的溫度，確保在高溫環(huán)境下依然穩(wěn)定運行。

電氣性能優(yōu)越

• 超低柵極電荷：典型值 (Q_{G}=82 nC)，有助于降低開關損耗，提高開關速度。
• 低有效輸出電容：典型值 (C_{OSS}(eff.) = 724 pF)，減少了開關過程中的能量損耗。
• 100% 雪崩測試：保證了器件在雪崩情況下的可靠性。

環(huán)保特性

該器件為無鉛產(chǎn)品，符合 RoHS 標準，滿足環(huán)保要求。

典型應用

• 汽車 PHEV - BEV DC - DC 轉換器：在電動汽車的直流 - 直流轉換中發(fā)揮重要作用，提高能量轉換效率。
• 汽車 PHEV - BEV 車載充電器：為電動汽車的充電系統(tǒng)提供高效的功率轉換。

絕對最大額定值

需要注意的是，超過最大額定值可能會損壞器件，影響其功能和可靠性。

熱特性

良好的熱特性有助于確保器件在工作過程中保持穩(wěn)定的溫度，提高其可靠性。

電氣特性

關斷特性

• 漏源擊穿電壓 (BV_{DSS})：在 (V{GS}=0 V)，(I{D}=1 mA)，(T{J}=25^{circ}C) 時為 650 V；在 (T{J}=150^{circ}C) 時為 700 V。
• 擊穿電壓溫度系數(shù) (Delta BVDSS / Delta TJ)：典型值為 0.60 V/°C。
• 零柵壓漏極電流 (I_{DSS})：在 (V{DS}=650 V)，(V{GS}=0 V) 時，典型值為 0.30 μA，最大值為 1 μA。

導通特性

• 柵源閾值電壓 (V_{GS(th)})：在 (V{GS}=V{DS})，(I_{D}=1.0 mA) 時，范圍為 2.5 - 4.5 V。
• 靜態(tài)漏源導通電阻 (R_{DS(on)})：在 (V{GS}=10 V)，(I{D}=22 A)，(T{J}=25^{circ}C) 時，典型值為 61 mΩ，最大值為 72 mΩ；在 (T{J}=100^{circ}C) 時，典型值為 107 mΩ。
• 正向跨導 (g_{FS})：在 (V{DS}=20 V)，(I{D}=44 A) 時，典型值為 29.7 S。

動態(tài)特性

• 輸入電容 (C_{iss})：在 (V{DS}=400 V)，(V{GS}=0 V)，(f = 1 MHz) 時為 3300 pF。
• 輸出電容 (C_{oss})：72.8 pF。
• 反向傳輸電容 (C_{rss})：14.6 pF。
• 有效輸出電容 (C_{oss}(eff.))：在 (V{DS}=0 V) 到 400 V，(V{GS}=0 V) 時為 724 pF。
• 與能量相關的輸出電容 (C_{oss}(er.))：在 (V{DS}=0 V) 到 400 V，(V{GS}=0 V) 時為 104 pF。
• 總柵極電荷 (Q_{g}(tot))：在 (V{DS}=400 V)，(V{GS}=10 V)，(I_{D}=44 A) 時，典型值為 82.0 nC。
• 柵源柵極電荷 (Q_{gs})：23.3 nC。
• 柵漏“米勒”電荷 (Q_{gd})：34.0 nC。
• 柵極電阻 (R_{G})：在 (f = 1 MHz) 時，典型值為 0.685 Ω。

開關特性

• 開啟延遲時間 (t_{d(on)})：在 (V{DD}=400 V)，(I{D}=44 A)，(V{Gs}=10 V)，(R{G}=4.7) 時為 26.3 ns。
• 開啟上升時間 (t_{r})：50 ns。
• 關斷延遲時間 (t_{d(of)})：65.9 ns。
• 下降時間 (t_{f})：32 ns。

漏源二極管特性

• 最大連續(xù)漏源二極管正向電流 (I_{S})：最大值為 44 A。
• 最大脈沖漏源二極管正向電流 (I_{SM})：最大值為 110 A。
• 漏源二極管正向電壓 (V_{SD})：在 (V{GS}=0 V)，(I{SD}=22 A) 時，最大值為 1.2 V。
• 反向恢復時間 (t_{rr})：在 (V{GS}=0 V)，(I{SD}=44 A)，(dI_{F}/dt = 100 A/μs) 時，典型值為 576 ns。
• 反向恢復電荷 (Q_{rr})：典型值為 14.3 μC。

典型特性曲線

文檔中提供了一系列典型特性曲線，包括飽和特性、傳輸特性、導通電阻變化、正向二極管特性、電容與漏源電壓關系、柵極電荷與柵源電壓關系、歸一化漏源擊穿電壓與結溫關系、歸一化導通電阻與結溫關系、正向偏置安全工作區(qū)、最大連續(xù)漏極電流與外殼溫度關系、(E_{oss}) 與漏源電壓關系、歸一化功率耗散與外殼溫度關系、峰值電流能力、導通電阻與柵源電壓關系、歸一化柵極閾值電壓與溫度關系以及歸一化最大瞬態(tài)熱阻抗等。這些曲線有助于工程師更好地了解器件在不同條件下的性能，從而進行合理的設計。

封裝與訂購信息

NVB072N65S3 采用 D2PAK - 3 封裝，包裝方式為帶盤包裝，盤尺寸為 330 mm，帶寬度為 24 mm，每盤數(shù)量為 800 個。

總結

Onsemi 的 NVB072N65S3 MOSFET 憑借其出色的性能和高可靠性，成為汽車 PHEV - BEV DC - DC 轉換器和車載充電器等應用的理想選擇。其先進的技術和豐富的特性為電子工程師提供了更多的設計靈活性和可靠性保障。在實際應用中，工程師可以根據(jù)具體需求，結合器件的電氣特性和典型特性曲線，進行合理的設計和優(yōu)化。你在使用類似 MOSFET 時遇到過哪些問題呢？歡迎在評論區(qū)分享你的經(jīng)驗。