據(jù)報(bào)道，2019年內(nèi)存制造商試圖通過減緩產(chǎn)能擴(kuò)張的手段，來避免價(jià)格競爭并保持盈利能力。2019年，DRAM市場產(chǎn)量的總資本支出預(yù)計(jì)約為180億美元，同比減少10%。

美光宣布將資本支出削減至30億美元，產(chǎn)能增幅從20%下修到15%左右；SK海力士2019年的資本支出將減少至55億美元；三星宣布終止其平澤工廠的產(chǎn)能擴(kuò)張，三星半導(dǎo)體年產(chǎn)量增長率降至20％左右，創(chuàng)歷史新低。

這兩年，DRAM芯片和內(nèi)存條價(jià)格經(jīng)歷了一波瘋漲，如今已經(jīng)慢慢回歸理智，而在另一方面，NAND閃存產(chǎn)能一直很充裕，SSD固態(tài)硬盤的價(jià)格也是持續(xù)走低，性價(jià)比越來越高。

但是這對于內(nèi)存、閃存芯片廠商來說，并不是好消息，三星電子、SK海力士、美光三大巨頭就不約而同地要開始刻意控制產(chǎn)能了。

美光CEO Sanjay Mehrotra在近日的季度財(cái)務(wù)電話會議上表示，當(dāng)前DRAM內(nèi)存芯片市場查能過剩、庫存持續(xù)增加，導(dǎo)致價(jià)格下跌、拖累產(chǎn)業(yè)。

美光預(yù)計(jì)明年內(nèi)存芯片產(chǎn)能增幅為15％，低于此前預(yù)期的20％，NAND閃存芯片也只會增長35％，低于此前預(yù)計(jì)的35-40％。

為了解決供過于求的問題，美光計(jì)劃將明年全年的資本支出下調(diào)12.5億美元降至95億美元，以減少DRAM內(nèi)存、NAND閃存芯片產(chǎn)能。

不過產(chǎn)能調(diào)整需要時(shí)間，美光預(yù)計(jì)可能要明年下半年才會恢復(fù)供需平衡。

同時(shí)，三星、SK海力士也有類似的減產(chǎn)計(jì)劃，三星更是會增加晶圓代工市場份額，以彌補(bǔ)芯片降價(jià)帶來的損失。

市調(diào)機(jī)構(gòu)IC Insights預(yù)計(jì)，明年半導(dǎo)體行業(yè)的整體資本支出可能會比今年減少12％，其中三星、Intel、SK海力士、臺積電、美光三巨頭合計(jì)減少14％，其他減少約7％。