宜普電源轉(zhuǎn)換公司（EPC）新推100 V、2.2 mΩ的氮化鎵場效應(yīng)晶體管（EPC2071）,為設(shè)計(jì)工程師提供比硅MOSFET更小、更高效的器件，用于高性能、占板面積受限的應(yīng)用。 全球行業(yè)領(lǐng)先供應(yīng)商
2022-05-17 17:51:11
4007 
1、場效應(yīng)管可用于放大。由于場效應(yīng)管放大器的輸入阻抗很高，因此耦合電容可以容量較小，不必使用電解電容器。 2、場效應(yīng)管很高的輸入阻抗非常適合作阻抗變換,常用于多級放大器的輸入級阻抗變換。 3、場效應(yīng)管可以用作可變電阻、電子開關(guān)、恒流源
2023-09-20 15:26:064788 
Nexperia今天推出650V的功率器件GAN063-650WSA，宣布其進(jìn)入氮化鎵場效應(yīng)管（GaN）市場。
2019-11-22 15:16:322459 宜普電源轉(zhuǎn)換公司是增強(qiáng)型硅基氮化鎵（eGaN）功率場效應(yīng)晶體管和集成電路的全球領(lǐng)先供應(yīng)商，致力提高產(chǎn)品性能且降低可發(fā)貨的氮化鎵晶體管的成本，最新推出EPC2059 （6.8 m?、170 V）氮化鎵場效應(yīng)晶體管
2020-11-13 08:01:002013 二極管三極管與晶閘管場效應(yīng)管解析
2021-02-24 09:22:34
防止場效應(yīng)管(MOSFET)接電感負(fù)載時(shí)，在截止瞬間產(chǎn)生感應(yīng)電壓與電源電壓之和擊穿場效應(yīng)管(MOSFET)，一般功率場效應(yīng)管 (MOSFET)在漏極與源極之間內(nèi)接一個(gè)快速恢復(fù)二極管，如圖8所示
2011-12-19 16:52:35
的基本電路如圖4所示。由電流互感器CT檢測過電流，進(jìn)而切斷柵極信號,實(shí)現(xiàn)對功率場效應(yīng)管的保護(hù)。也可用電阻或霍爾元件替代CT。圖3、過壓保護(hù)電路圖4、過流保護(hù)電路另外功率場效應(yīng)管的柵極極易擊穿損壞，柵源
2018-01-31 10:01:49
功率場效應(yīng)管（VMOS）是單極型電壓控制器件。具有驅(qū)動功率小、工作速度高、無二次擊穿問題、安全工作區(qū)寬等顯著特點(diǎn)，還具有電流負(fù)溫度系數(shù)、良好的電流自動調(diào)節(jié)能力、良好的熱穩(wěn)定性和抗干擾能力等優(yōu)點(diǎn)。其
2018-01-29 11:04:58
場效應(yīng)管具有什么特點(diǎn)？場效應(yīng)管的工作原理是什么？
2021-09-29 07:19:20
GS=0時(shí)的漏源電流。2、UP — 夾斷電壓。是指結(jié)型或耗盡型絕緣柵場效應(yīng)管中，使漏源間剛截止時(shí)的柵極電壓。3、UT — 開啟電壓。是指增強(qiáng)型絕緣柵場效管中，使漏源間剛導(dǎo)通時(shí)的柵極電壓。4、gM
2013-03-27 16:19:17
一部分電路圖，在這里的Q1場效應(yīng)管用作PWM調(diào)制器或開關(guān)穩(wěn)壓控制器的功率開關(guān)管。 場效應(yīng)管除了以上三大作用之外還可以用作可變電阻，實(shí)現(xiàn)壓控電阻，另外，場效應(yīng)管應(yīng)用場合還有很多，例如高保真音響系統(tǒng)、防反接電路等。原作者：大年君愛好電子
2023-02-24 16:28:18
根部尺寸5毫米處進(jìn)行，以防止彎斷管腳和引起漏氣等。對于功率型場效應(yīng)管，要有良好的散熱條件。因?yàn)?b class="flag-6" style="color: red">功率型場效應(yīng)管在高負(fù)荷條件下運(yùn)用，必須設(shè)計(jì)足夠的散熱器，確保殼體溫度不超過額定值，使器件長期穩(wěn)定可靠地工作
2012-07-28 14:13:50
場效應(yīng)管(FET)是一種具有pn結(jié)的正向受控作用的有源器件，它是利用電場效應(yīng)來控制輸出電流的大小，其輸入端pn一般工作于反偏狀態(tài)或絕緣狀態(tài)，輸入電阻很高，柵極處于絕緣狀態(tài)的場效應(yīng)管，輸入阻抗很大
2019-07-29 06:01:16
場效應(yīng)管的作用 1、場效應(yīng)管可應(yīng)用于放大。由于場效應(yīng)管放大器的輸入阻抗很高，因此耦合電容可以容量較小，不必使用電解電容器。 2、場效應(yīng)管很高的輸入阻抗非常適合作阻抗變換。常用于多級放大器的輸入級作
2019-05-29 06:18:14
場效應(yīng)管的作用1、場效應(yīng)管可應(yīng)用于放大。由于場效應(yīng)管放大器的輸入阻抗很高，因此耦合電容可以容量較小，不必使用電解電容器。2、場效應(yīng)管很高的輸入阻抗非常適合作阻抗變換。常用于多級放大器的輸入級作阻抗變換。3、場效應(yīng)管可以用作可變電阻。4、場效應(yīng)管可以方便地用作恒流源。5、場效應(yīng)管可以用作電子開關(guān)。
2009-04-25 15:43:23
場效應(yīng)管的作用 1、場效應(yīng)管可應(yīng)用于放大。由于場效應(yīng)管放大器的輸入阻抗很高，因此耦合電容可以容量較小，不必使用電解電容器。 2、場效應(yīng)管很高的輸入阻抗非常適合作阻抗變換。常用于多級放大器的輸入級
2021-05-13 06:55:31
場效應(yīng)管si2301（p溝道）柵極D1接單片機(jī)引腳，電源接源極（s），輸出端漏極（d）接一個(gè)DCDC然后接負(fù)載。問題是，單片機(jī)引腳低電平時(shí)，輸出端(d)確實(shí)為高電壓，但是單片機(jī)引腳高電平時(shí)。輸出端為0.69v，并沒有完全關(guān)斷。這是場效應(yīng)管的原因還是電路的設(shè)計(jì)問題？怎么讓場效應(yīng)管完全關(guān)斷呢？
2017-12-09 18:46:35
的是MOS場效應(yīng)管，簡稱MOS管（即金屬-氧化物-半導(dǎo)體場效應(yīng)管MOSFET）；此外還有PMOS、NMOS和VMOS功率場效應(yīng)管，以及最近剛問世的πMOS場效應(yīng)管、VMOS功率模塊等?！ “礈系腊雽?dǎo)體
2009-04-25 15:38:10
。2、UP — 夾斷電壓。是指結(jié)型或耗盡型絕緣柵場效應(yīng)管中，使漏源間剛截止時(shí)的柵極電壓。3、UT — 開啟電壓。是指增強(qiáng)型絕緣柵場效管中，使漏源間剛導(dǎo)通時(shí)的柵極電壓。4、gM — 跨導(dǎo)。是表示柵源電壓
2009-04-25 15:43:12
這2圖是2個(gè)場效應(yīng)管的手冊，里面的功率看得有點(diǎn)亂，有沒有人能教下怎么看，謝謝
2019-03-10 21:09:56
的管腳排列（底視圖）見圖2?！ OS場效應(yīng)管比較“嬌氣”。這是由于它的輸入電阻很高，而柵-源極間電容又非常小，極易受外界電磁場或靜電的感應(yīng)而帶電，而少量電荷就可在極間電容上形成相當(dāng)高的電壓（U=Q
2009-04-25 15:43:42
，這是出于對關(guān)閉或導(dǎo)通器件所需電壓的考慮。當(dāng)場效應(yīng)管連接到總線及負(fù)載接地時(shí)，就要用高壓側(cè)開關(guān)。通常會在這個(gè)拓?fù)渲胁捎肞溝道場效應(yīng)管，這也是出于對電壓驅(qū)動的考慮。 2）電壓和電流的選擇。額定電壓
2020-07-10 14:51:42
`請問場效應(yīng)管的驅(qū)動電壓多少？`
2019-08-22 15:55:28
電流增大到一定電流時(shí)三極管導(dǎo)通，使場效應(yīng)管GS電壓下降來實(shí)現(xiàn)穩(wěn)流。 3也是最重要的一點(diǎn)也是我不理解的點(diǎn)，我對tl431的了解，tl431是三端可調(diào)穩(wěn)壓管，U0=(1+R2/R3)2.5V，由公式看出
2015-09-22 20:06:06
本文展示氮化鎵場效應(yīng)晶體管并配合LM5113半橋驅(qū)動器可容易地實(shí)現(xiàn)的功率及效率。
2021-04-13 06:01:46
框圖如圖2所示?！ ?b class="flag-6" style="color: red">第二代可穿戴設(shè)備背后的傳感器技術(shù) ADPD105/ADPD106/ADPD107功能框圖 ADPD107 用作完整收發(fā)器，驅(qū)動系統(tǒng)中的 LED 并測量光電二極管的返回信號。目標(biāo)
2018-09-21 11:46:21
數(shù)量，實(shí)現(xiàn)了高度集成的充電器設(shè)計(jì)。鈺泰半導(dǎo)體ETA80G25采用SSOP10封裝，內(nèi)置650V耐壓，850mΩ D-mode氮化鎵開關(guān)管。內(nèi)部開關(guān)管漏極連接大面積銅箔散熱，可實(shí)現(xiàn)良好的散熱并滿足絕緣耐壓要求
2021-11-28 11:16:55
FLIR第二代熱像儀ADK有哪些特點(diǎn)？FLIR第二代熱像儀ADK有哪些功能？
2021-07-11 07:27:39
晶體管的開關(guān)。 第二部分 N型場效應(yīng)管的主要用途 N型場效應(yīng)管在一些工業(yè)設(shè)備和電子裝置中廣泛被用來控制信號的開關(guān)和功率的傳遞，可應(yīng)用于功率的放大器，適用于數(shù)字電路以及機(jī)械設(shè)備的控制等等。 N型
2023-03-08 14:21:22
VMOS場效應(yīng)管（VMOSFET）簡稱VMOS管或功率場效應(yīng)管，其全稱為V型槽MOS場效應(yīng)管。它是繼MOSFET之后新發(fā)展起來的高效、功率開關(guān)器件。它不僅繼承了MOS場效應(yīng)管輸入阻抗高（≥108W
2021-05-13 06:33:26
對稱問題，所以非線性失真極小。因?yàn)?b class="flag-6" style="color: red">場效應(yīng)管是電壓控制器件，輸出級所需要的推動功率較小，所以推動級也很簡單，由一只結(jié)型場效應(yīng)管擔(dān)任?！ ?b class="flag-6" style="color: red">功率輸出端通過輸出變壓器耦臺輸出，音樂韻味和電子管功放相似?！ ?b class="flag-6" style="color: red">二
2019-06-21 04:03:47
VMOS場效應(yīng)管（VMOSFET）簡稱Vmos管或功率場效應(yīng)管，其全稱為V型槽MOS場效應(yīng)管。它是繼MOSFET之后新發(fā)展起來的高效、功率開關(guān)器件。它不僅繼承了MOS場效應(yīng)管輸入阻抗高（≥108W
2021-05-13 06:40:51
第二代導(dǎo)航衛(wèi)星系統(tǒng)與第一代導(dǎo)航衛(wèi)星系統(tǒng)在體制上的差別主要是：第二代用戶機(jī)可免發(fā)上行信號，不再依靠中心站電子高程圖處理或由用戶提供高程信息，而是直接接收衛(wèi)星單程測距信號自己定位，系統(tǒng)的用戶容量不受限制，并可提高用戶位置隱蔽性。
2019-08-14 07:06:41
度為1.1 eV，而氮化鎵的禁帶寬度為3.4 eV。由于寬禁帶材料具備高電場強(qiáng)度，耗盡區(qū)窄短，從而可以開發(fā)出載流子濃度非常高的器件結(jié)構(gòu)。例如，一個(gè)典型的650V橫向氮化鎵晶體管，可以支持超過800V
2023-06-15 15:53:16
行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)，成為落地量產(chǎn)設(shè)計(jì)的催化劑
氮化鎵芯片是提高整個(gè)系統(tǒng)性能的關(guān)鍵，是創(chuàng)造出接近“理想開關(guān)”的電路構(gòu)件，即一個(gè)能將最小能量的數(shù)字信號，轉(zhuǎn)化為無損功率傳輸?shù)碾娐窐?gòu)件。
納微半導(dǎo)體利用橫向650V
2023-06-15 14:17:56
，對了，這實(shí)際上是兩種不同的增強(qiáng)型場效應(yīng)管，第一個(gè)那個(gè)叫N溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)管，第二個(gè)那個(gè)叫P溝道增強(qiáng)型場效應(yīng)管，它們的的作用是剛好相反的。前面說過，場效應(yīng)管是用電控制的開關(guān)，那么我們就先講一下怎么使用它來
2021-05-25 06:00:00
。LMG3410和LMG3411系列產(chǎn)品的額定電壓為600 V，提供從低功率適配器到超過2 kW設(shè)計(jì)的各類解決方案。通過導(dǎo)通電阻選擇器件內(nèi)部氮化鎵場效應(yīng)晶體管（FET）的額定值為RDS(on) - 漏極-源極或導(dǎo)通電阻…
2022-11-10 06:36:09
本帖最后由 3T華鉆電子 于 2020-9-22 17:05 編輯
新潔能原廠 NCE65T360F 650V 11A TO-220F 超結(jié)場效應(yīng)管 ，原裝正品，優(yōu)勢價(jià)格。深圳市華鉆電子
2019-12-31 15:08:03
，氮化鎵器件可以在同一襯底上集成多個(gè)器件，使得單片式電源系統(tǒng)可以更直接、更高效和更具成本效益地在單芯片上進(jìn)行設(shè)計(jì)。集成功率級諸如EPC23102為設(shè)計(jì)人員提供了一個(gè)比基于分立器件方案的體積小35
2023-06-25 14:17:47
求分享USB3.1第二代應(yīng)用的ESD解決方案
2022-01-14 07:35:38
1、結(jié)型場效應(yīng)管分為N溝道和P溝道兩種類型。
為使N溝道場效應(yīng)管能夠正常工作，應(yīng)在其柵源之間加負(fù)向電壓，以保證耗盡層承受反向電壓；在漏源之間加正向電壓，以形成漏極電流。N溝道場效應(yīng)管在不加控制電壓
2024-01-30 11:38:27
由MOS場效應(yīng)管和普通電源變壓器構(gòu)成，TK8A50D場效應(yīng)管是目前家用電器的逆變器后級電路應(yīng)用得比較多的場效應(yīng)管型號之一。冰箱、空調(diào)、LED等是我們每天都會應(yīng)用到的電器，如果場效應(yīng)管的質(zhì)量不過關(guān)，無法進(jìn)行
2019-08-15 15:08:53
摘要新一代CoolMOS? 650V CFD2技術(shù)為具備高性能體二極管的高壓功率MOSFET樹立了行業(yè)新桿標(biāo)。該晶體管將650V的擊穿電壓、超低通態(tài)電阻、低容性損耗特性與改進(jìn)反向恢復(fù)過程中的體二極管
2018-12-03 13:43:55
1.4.1 結(jié)型場效應(yīng)管1.4.2 絕緣柵型場效應(yīng)管1.4.3 場效應(yīng)管的主要參數(shù)1.4.4 場效應(yīng)管與晶體管的比較場效應(yīng)半導(dǎo)體三極管是僅由一種載流子參與導(dǎo)電的半導(dǎo)
2008-07-16 12:52:16
0 VMOS場效應(yīng)管介紹及應(yīng)用
VMOS場效應(yīng)管（VMOSFET）簡稱VMOS管或功率場效應(yīng)管，其全稱為V型槽MOS場效應(yīng)管。它是繼MOSFET之后新發(fā)展起來的高效、功率開關(guān)器件。它不
2010-01-13 15:22:25146 近年來，MOS半導(dǎo)體技術(shù)不斷發(fā)展，使MOS功率型場效應(yīng)管的研制及生產(chǎn)取得成功。由于MOS功率型場效應(yīng)管具有截止頻率高、開關(guān)特性好、功耗小、增益高、激勵(lì)功率小，不存在二次熱
2010-05-28 09:01:47204 這里介紹用一只V-MOS功率場效應(yīng)管作調(diào)整管的穩(wěn)壓電源。直流輸出電壓可在1.25V~12V連續(xù)可調(diào)
2006-04-16 23:08:494715 場效應(yīng)管知識場效應(yīng)晶體管
1.什么叫場效應(yīng)管？
Fffect Transistor的縮寫,即為場效應(yīng)晶體管。一般的晶體管是由兩種極性的載流子,即多數(shù)載流子和反極性的少數(shù)載流子參與導(dǎo)
2008-01-15 10:26:4717463 
VMOS場效應(yīng)管 VMOS場效應(yīng)管（VMOSFET）簡稱VMOS管或功率場效應(yīng)管，其全稱為V型槽MOS場效應(yīng)管。它是繼MOSFET之后新發(fā)展起來的高效、功率開關(guān)器件。它不僅繼承了MOS場效應(yīng)
2009-04-25 15:47:442452 
功率場效應(yīng)管MOSFET,功率場控晶體管
功率場效應(yīng)管又叫功率場控晶體管。一．
2009-05-12 20:36:423328 
MOS場效應(yīng)管
表16-3 列出了一些小功率MOS 場效應(yīng)管的主要特性參數(shù)。
2009-08-22 15:54:231215 功率場效應(yīng)管的原理、特點(diǎn)及參數(shù)
功率場效應(yīng)管又叫功率場控晶體管。
一．功率場效應(yīng)管
2009-10-06 22:55:145400 
場效應(yīng)管的基礎(chǔ)知識2
一、場效應(yīng)管工作原理 場效應(yīng)晶體管（Field Effect Transistor縮寫(FET)）簡稱場效應(yīng)管。一般的晶體管是由兩種極
2009-11-09 15:40:321773 飛思卡爾第二代觸摸感應(yīng)控制器，具有更高的內(nèi)部智能
飛思卡爾不久前宣布推出第二代觸摸感應(yīng)控制器：MPR121。這是飛思卡爾繼MPR03x系列器件之后推出的第二代觸摸感
2010-01-06 10:43:311419 場效應(yīng)管（FET）,場效應(yīng)管（FET）是什么意思
場效應(yīng)管和雙極晶體管不同，僅以電子或空穴中的一種載子動作的晶體管。按照結(jié)構(gòu)、原理可以
2010-03-01 11:06:0548375 VMOS場效應(yīng)管,VMOS場效應(yīng)管是什么意思
VMOS場效應(yīng)管（VMOSFET）簡稱VMOS管或功率場效應(yīng)管，其全稱為V型槽MOS場效應(yīng)
2010-03-04 09:51:031797 什么是VMOS(垂直溝道絕緣柵型場效應(yīng)管)
為了適合大功率運(yùn)行，于70年代末研制出了具有垂直溝道的絕緣柵型場效應(yīng)管，即VMOS管。
VMOS管或功率
2010-03-05 15:42:385270 VMOS場效應(yīng)管,VMOS場效應(yīng)管是什么意思
VMOS場效應(yīng)管（VMOSFET）簡稱VMOS管或功率場效應(yīng)管，其全稱為V型槽MOS場效應(yīng)管。它是繼MOSFET之后新發(fā)展起
2010-03-05 15:44:533750 宜普電源轉(zhuǎn)換公司宣布推出第二代增強(qiáng)性能氮化鎵場效應(yīng)晶體管(eGaN FET)系列中的最新成員——EPC2012。EPC2012具有環(huán)保特性、無鉛、無鹵化物以及符合RoHS(有害物質(zhì)限制)條例。
2011-08-18 09:53:103868 驅(qū)動電路由緩沖器U、電阻R2 及1 對小功率場效應(yīng)對管Q1 、Q2 組成。當(dāng)控制信號為低電平時(shí),同向緩沖器U 輸出低電平,使得與+ 9 V 電源相聯(lián)的P 溝道場效應(yīng)管Q2 導(dǎo)通,與地相聯(lián)的N 溝道場效應(yīng)
2012-04-17 15:43:0420452 
彩顯電源管大功率場效應(yīng)管技術(shù)參數(shù)。
2016-03-15 10:13:1821 隨著寬帶的可用性（WBG）設(shè)備，很多電源設(shè)計(jì)人員已經(jīng)開始研究基于氮化鎵上硅場效應(yīng)管的優(yōu)點(diǎn)（GaN-on-Si）為各種新的設(shè)計(jì)和新應(yīng)用。
2017-06-01 09:04:3819 ROHM第三代碳化硅MOSFET特點(diǎn)（相比第二代）ROHM第三代設(shè)計(jì)應(yīng)用于650V和1200V產(chǎn)品之中，包括分立或模組封裝。本報(bào)告深入分析了650V和1200V第三代溝槽MOSFET，并利用光學(xué)顯微鏡和掃描電鏡研究復(fù)雜的碳化硅溝槽結(jié)構(gòu)。
2018-08-20 17:26:2910826 本文首先介紹了場效應(yīng)管是什么，然后解釋了場效應(yīng)管的工作原理。
2019-08-14 10:31:2710053 KW25N120E是電磁爐里較常用的一款大功率IGBT管，該管內(nèi)部采用N溝道場效應(yīng)管作為輸入級，具有很高的輸入電阻。
2020-03-14 11:00:2016308 值從SCTxN65G2的650V到SCTxN120G2的1200V，并延伸到1700V。 在電動汽車牽引電機(jī)或充電站等汽車應(yīng)用中，以及在太陽能發(fā)電機(jī)和電機(jī)驅(qū)動等工業(yè)應(yīng)用中，使用SiC MOSFET可使設(shè)計(jì)者獲得各種好處，包括： ●減小功率級的尺寸和重量 ●實(shí)現(xiàn)更高的功率密度 ●減小功率電路無源元件的尺
2020-11-26 16:33:521805 
2月23日消息，中興通訊呂錢浩展示了第二代屏下攝像技術(shù)的樣機(jī)。
2021-02-24 09:08:252659 中興通訊呂錢浩展示了第二代屏下攝像技術(shù)的樣機(jī)。
2021-02-24 11:41:082738 氮化鎵作為下一代半導(dǎo)體技術(shù)，其運(yùn)行速度比傳統(tǒng)硅功率芯片快 20 倍。納微半導(dǎo)體以其專有的GaNFast?氮化鎵功率集成芯片技術(shù)，集成了氮化鎵功率場效應(yīng)管（GaN Power［FET］）、驅(qū)動、控制和保護(hù)模塊在單個(gè)SMT表面貼裝工藝封裝中。
2022-03-29 13:45:132201 TPH3206PSB 650V，150m? 氮化鎵（GaN）場效應(yīng)晶體管是一個(gè)正常關(guān)閉的設(shè)備。它結(jié)合了最先進(jìn)的高科技電壓GaN HEMT和低壓硅MOSFET提供卓越可靠性和性能的技術(shù)。
2022-03-31 14:51:3310 TP65H035G4QS 650V，35MΩ氮化鎵（GaN）場效應(yīng)晶體管是一款使用Transphorm第四代平臺的常閉設(shè)備。它結(jié)合了最先進(jìn)的高壓GaN HEMT和低壓硅MOSFET提供卓越的可靠性和可靠性表演。
2022-03-31 15:05:5114 TP65H035BS 650V，35m? 氮化鎵（GaN）場效應(yīng)晶體管增強(qiáng)模式常關(guān)設(shè)備。TransphormGaN FET通過更低的柵極電荷提供更好的效率，更快的切換速度和更小的反向恢復(fù)充電，與傳統(tǒng)充電相比具有顯著優(yōu)勢硅（Si）器件。
2022-03-31 15:07:3813 Transphorm發(fā)布新的氮化鎵場效應(yīng)管可靠性指標(biāo) 日前，高可靠性、高性能氮化鎵（GaN）電源轉(zhuǎn)換產(chǎn)品的先驅(qū)和全球供應(yīng)商Transphorm， Inc. （Nasdaq： TGAN）發(fā)布了氮化鎵
2023-02-03 18:19:053013 指標(biāo)。為了提高電源的效率，80 PLUS鈦金級電源的設(shè)計(jì)人員正在尋找650 V GaN FET，實(shí)現(xiàn)更小、更快、更涼、更輕的系統(tǒng)，同時(shí)降低總體系統(tǒng)成本。
2023-02-08 09:17:051593 
場效應(yīng)管怎樣修（1）首先觀察待測場效應(yīng)管外觀，看待測場效應(yīng)管是否完好，如果存在燒焦或針腳斷裂等情況說明場效應(yīng)管已發(fā)生損壞，如圖1所示，本次待測的場效應(yīng)管外型完好沒有明顯的物理損壞。
2023-02-11 16:58:573128 場效應(yīng)管是一種電子元件，它可以控制電流或電壓，通過改變極化層的電場來控制電流或電壓。根據(jù)其結(jié)構(gòu)特點(diǎn)分為MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管）、JFET（金屬硅場效應(yīng)管）、IGBT（晶體管場效應(yīng)管）等。
2023-02-17 15:44:056247 Nexperia（安世半導(dǎo)體）的高功率氮化鎵場效應(yīng)晶體管，共將分為（上）（下）兩期，包含其工藝、性能優(yōu)勢、產(chǎn)品及封裝等
內(nèi)容。本期將先介紹 Nexperia（安世半導(dǎo)體）氮化鎵產(chǎn)品的成熟的工藝
2023-02-22 15:40:430 場效應(yīng)管MOSFET是mos管嗎？場效應(yīng)管mos管的區(qū)別？場效應(yīng)管和mos管有什么不一樣的地方？? MOSFET和場效應(yīng)管（FET）都屬于半導(dǎo)體器件中的一種，類似晶體管。MOSFET是MOS（金屬
2023-09-02 11:31:156348 材料領(lǐng)域中，第一代、第二代、第三代沒有“一代更比一代好”的說法。氮化鎵、碳化硅等材料在國外一般稱為寬禁帶半導(dǎo)體。 將氮化鎵、氮化鋁、氮化銦及其混晶材料制成氮化物半導(dǎo)體，或將氮化鎵、砷化鎵、磷化銦制成
2023-09-12 16:19:276881 
不同的應(yīng)用場景中表現(xiàn)出了不同的特性。本文將詳細(xì)介紹結(jié)型場效應(yīng)管和絕緣柵型場效應(yīng)管的區(qū)別。 首先，結(jié)型場效應(yīng)管（JFET）是一種三端器件，其基本結(jié)構(gòu)由一根n型或p型半導(dǎo)體材料的兩端之間夾有一層p型或n型材料組成。這個(gè)p-n結(jié)被
2023-09-18 18:20:515645 Nexperia(安世半導(dǎo)體)的高功率氮化鎵場效應(yīng)晶體管，共將分為(上)(下)兩期，包含其工藝、性能優(yōu)勢、產(chǎn)品及封裝等內(nèi)容。本期將先介紹 Nexperia(安世半導(dǎo)體)氮化鎵產(chǎn)品的成熟的工藝。
2023-09-25 08:19:001508 
驪微電子供應(yīng)SSF65R650S2場效應(yīng)管超致coolmos，更多SSF65R650S2場效應(yīng)管產(chǎn)品詳細(xì)參數(shù)、功能及相關(guān)資料請超致MOS供應(yīng)商驪微電子申請。>>
2022-04-25 11:24:490 替代原有場效應(yīng)管的替代品。本文將詳細(xì)比較分析2586場效應(yīng)管和3205場效應(yīng)管兩種常見型號的特性和性能，以確定3205能否替代2586。 一. 2586場效應(yīng)管的介紹 2586場效應(yīng)管是一種常見的N溝道MOS場效應(yīng)管型號，廣泛用于低功率放大器、電源電路和數(shù)字邏輯
2024-01-15 15:49:572596 近日，瞻芯電子采用TO263-7封裝的第二代SiC MOSFET中650V 40mΩ產(chǎn)品IV2Q06040D7Z通過了嚴(yán)苛的車規(guī)級可靠性認(rèn)證，該產(chǎn)品采用TO263-7貼片封裝，具有體積較小，安裝簡便，損耗更低的特點(diǎn)。
2024-01-16 10:16:243320 
3月8日，瞻芯電子開發(fā)的3款第二代650V SiC MOSFET產(chǎn)品通過了嚴(yán)格的車規(guī)級可靠性認(rèn)證（AEC-Q101 Qualified）。
2024-03-11 09:24:381469 
近日，瞻芯電子宣布其研發(fā)的三款第二代650V SiC MOSFET產(chǎn)品成功通過了嚴(yán)格的AEC-Q101車規(guī)級可靠性認(rèn)證，這一里程碑式的成就標(biāo)志著瞻芯電子在功率電子領(lǐng)域的持續(xù)創(chuàng)新與技術(shù)突破。
2024-03-12 11:04:241748 瞻芯電子近日宣布成功推出三款第二代650V SiC MOSFET產(chǎn)品，這些產(chǎn)品不僅通過了嚴(yán)格的車規(guī)級可靠性認(rèn)證（AEC-Q101 Qualified），還具備業(yè)界領(lǐng)先的低損耗水平。這些新型MOSFET的推出，標(biāo)志著瞻芯電子在半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域的又一重要突破。
2024-03-13 09:24:131664 場效應(yīng)管（MOSFET）和金屬半導(dǎo)體場效應(yīng)管（MESFET）。 常見場效應(yīng)管類型 結(jié)型場效應(yīng)管（JFET） 結(jié)型場效應(yīng)管是一種利用PN結(jié)作為控制門的場效應(yīng)管。它由一個(gè)高摻雜的N型或P型半導(dǎo)體通道和兩個(gè)低摻雜的相反類型半導(dǎo)體區(qū)域（源極和漏極）組成。通過改變門極電壓，可以控制源極和漏
2024-12-09 15:52:343371 在設(shè)計(jì)場效應(yīng)管驅(qū)動電路時(shí)，降低場效應(yīng)管的噪聲是至關(guān)重要的。以下是一些有效的措施來降低場效應(yīng)管的噪聲： 一、電源噪聲的抑制 選擇穩(wěn)定的電源 ： 使用低噪聲、穩(wěn)定的電源為場效應(yīng)管供電，可以減少電源波動
2024-12-09 16:17:422024 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《Nexperia共源共柵氮化鎵(GaN)場效應(yīng)晶體管的高級SPICE模型.pdf》資料免費(fèi)下載
2025-02-13 15:23:257 新品TOLL和DFN封裝CoolGaN650VG5第五代氮化鎵功率晶體管第五代CoolGaN650VG5氮化鎵功率晶體管可在高頻工況下顯著提升能效，符合業(yè)界最高質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)，助力打造兼具超高效率與卓越
2025-06-26 17:07:332034 
Texas Instruments LMG3624 650V 170mΩ氮化鎵 (GaN) 功率級適用于開關(guān)模式電源應(yīng)用。LMG3624將氮化鎵場效應(yīng)晶體管 (GaN FET) 和柵極驅(qū)動器集成在
2025-07-25 14:56:463992 
新品第二代CoolSiCMOSFETG2750V-工業(yè)級與車規(guī)級碳化硅功率器件第二代750VCoolSiCMOSFET憑借成熟的柵極氧化層技術(shù)，在抗寄生導(dǎo)通方面展現(xiàn)出業(yè)界領(lǐng)先的可靠性。該器件在圖騰柱
2025-07-28 17:06:08842 新品第五代CoolGaN650-700V氮化鎵功率晶體管G5第五代650-700VGaN氮化鎵功率晶體管可實(shí)現(xiàn)高頻工況下的效率提升，并滿足最高質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)，能夠打造具有超高效率的高可靠性設(shè)計(jì)。該系
2025-11-03 18:18:052815 新品第二代CoolSiCMOSFETG21400V,TO-247PLUS-4回流焊封裝采用TO-247PLUS-4回流焊封裝的CoolSiCMOSFETG21400V功率器件，是電動汽車充電、儲能
2025-11-17 17:02:541207 在追求高效能、高可靠性功率半導(dǎo)體技術(shù)的道路上邁出關(guān)鍵一步，打破車規(guī)級功率半導(dǎo)體性能邊界 近日，鎵未來正式宣布推出G2E65R009 系列 650V 9mΩ 車規(guī)級氮化鎵場效應(yīng)晶體管（GaN FET
2025-11-27 16:17:131736 新品CoolSiCMOSFET400V與440V第二代器件CoolSiCMOSFET400V與440V第二代器件兼具高魯棒性、超低開關(guān)損耗與低通態(tài)電阻等優(yōu)勢，同時(shí)有助于優(yōu)化系統(tǒng)成本。該系列400V
2025-12-31 09:05:13326
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