運(yùn)行時(shí)會產(chǎn)生巨大的熱損耗。在相同條件下，并聯(lián)MOSFET并不能節(jié)省空間或提升效率，因此GaN FET成為一種頗具吸引力的技術(shù)。業(yè)界對GaN器件性能表現(xiàn)的關(guān)注，相應(yīng)地催生了對各種GaN器件進(jìn)行準(zhǔn)確仿真以優(yōu)化應(yīng)用性能的需求。LTspice包含ADI最新DC-DC控制器的IC模型，針對GaN FET驅(qū)動進(jìn)
2025-10-15 11:27:02
21931 
射頻（RF）應(yīng)用的氮化鎵（GaN）電晶體已面世多年，最近業(yè)界的重點(diǎn)開發(fā)面向?yàn)殡娏﹄娮討?yīng)用的經(jīng)濟(jì)型高性能GaN功率電晶體。十幾家半導(dǎo)體公司都在積極開發(fā)幾種不同的方法，以實(shí)現(xiàn)GaN功率場效應(yīng)電晶體（FET）商業(yè)化。
2014-01-10 11:18:5310738 
沒出正月都在年里頭，在此先給廣大讀者朋友拜個(gè)年。在這個(gè)喜氣祥和的正月里，小編有點(diǎn)不識趣地談一些相對比較沉重的話題——80PLUS鈦金牌電源到底意義何在？
2016-02-15 11:38:2812324 氮化鎵（GaN）器件以最小的尺寸提供了最佳的性能，提高了效率，并降低了48 V電源轉(zhuǎn)換應(yīng)用的系統(tǒng)成本。迅速增長的采納的eGaN的?在大批量這些應(yīng)用FET和集成電路已經(jīng)在高密度計(jì)算，以及許多新的汽車
2021-03-31 11:47:003896 鑒于氮化鎵 (GaN) 場效應(yīng)晶體管 (FET) 能夠提高效率并縮小電源尺寸，其采用率正在迅速提高。但在投資這項(xiàng)技術(shù)之前，您可能仍然會好奇GaN 是否具有可靠性。令我驚訝的是，沒有人詢問硅是否具有可靠性。畢竟仍然有新的硅產(chǎn)品不斷問世，電源設(shè)計(jì)人員對硅功率器件的可靠性也很關(guān)心。
2022-07-18 10:06:191389 對于 48V 電源系統(tǒng)中的 GaN FET 應(yīng)用，現(xiàn)有的一種方法是使用基于 DSP 的數(shù)字解決方案來實(shí)現(xiàn)高頻和高效設(shè)計(jì)。這在很大程度上是由于缺乏設(shè)計(jì)用于 GaN FET 的合適控制器的可用性。DSP
2022-07-26 11:57:092163 
為符合最高效率 80 PLUS 鈦金認(rèn)證的要求，在 50% 負(fù)載條件下，115 V 輸入電壓需達(dá)到94% 效率，另在 230 V 電壓下則需達(dá)到 96% 效率。
2020-09-28 16:11:441312 基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的專家Nexperia今天宣布其第二代650 V功率GaN FET器件系列開始批量供貨。
2021-04-27 09:35:371842 ，主要用于區(qū)分電源的效率。 ? 比如銅牌電源的轉(zhuǎn)換效率大于等于82%，在50%負(fù)載下效率要在85%以上；最高級的鈦金牌電源，在50%負(fù)載下轉(zhuǎn)換效率要達(dá)到96%，在10%和100%負(fù)載下效率也需要超過90%。而在今年，80Plus能效標(biāo)準(zhǔn)等級迎來了升級，在此前“鈦金”的基礎(chǔ)上，推出更
2025-07-23 09:32:517072 
(PFC)級。該 PFC 級 具有 配備集成式驅(qū)動器的 TI LMG341xGaN FET，可在寬負(fù)載范圍內(nèi)實(shí)現(xiàn)高效率，并且符合80 Plus Titanium 要求。該設(shè)計(jì)還支持半橋 LLC 隔離式
2020-06-22 18:22:03
文章目錄80 PLUS認(rèn)證前言1、基本理論1-1、功耗的產(chǎn)生1-2、轉(zhuǎn)換效率1-3、有功功率、視在功率和功率因數(shù)1-4、PFC功率因數(shù)校正電路1-5、全球各國交流電電壓2、正片！80 PLUS詳解
2021-12-31 07:48:00
使用 TI 的高壓 GaN FET 作為輸入開關(guān)采用 UCD7138/UCD3138A 實(shí)現(xiàn)優(yōu)化的 LLC SR 導(dǎo)通功率級尺寸：2" x 2.1" x 1.7"峰值效率高達(dá) 97.6%
2018-10-26 10:32:18
對比GaN FET：新的集成系統(tǒng)大型數(shù)據(jù)中心、企業(yè)服務(wù)器和通信交換中心會消耗大量電能。在這些電源系統(tǒng)中，FET通常與柵極驅(qū)動器分開封裝，因?yàn)樗鼈兪褂貌煌墓に嚰夹g(shù)，并且最終會產(chǎn)生額外的寄生電感。除了導(dǎo)致較大的形狀尺寸外，這還可能限制GaN在高壓擺率下的開關(guān)性能…
2022-11-07 06:26:02
。每個(gè)階段都會對效率產(chǎn)生影響。這里，通過實(shí)現(xiàn)不同的電路拓?fù)浜洼^少的階段來提高電力系統(tǒng)的效率。圖2顯示了這個(gè)問題的解決方案。PFC級拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)隨著可以在更高電壓和更高速度下工作的GaN晶體管而改變。較高
2017-05-03 10:41:53
GaN技術(shù)的出現(xiàn)讓業(yè)界放棄TWT放大器，轉(zhuǎn)而使用GaN放大器作為許多系統(tǒng)的輸出級。這些系統(tǒng)中的驅(qū)動放大器仍然主要使用GaAs，這是因?yàn)檫@種技術(shù)已經(jīng)大量部署并且始終在改進(jìn)。下一步，我們將尋求如何使用電路設(shè)計(jì)，從這些寬帶功率放大器中提取較大功率、帶寬和效率。
2019-09-04 08:07:56
典型 GaN HPA 性能推測，接近飽和功率的 80%-90%。增益：兩級放大設(shè)計(jì)，總增益約 20dB（具體值需參考官方數(shù)據(jù)手冊）。效率：功率附加效率（PAE）達(dá) 58%（典型值，高功率模式下），顯著
2025-12-12 09:40:25
單芯片半橋式STDRIVEG600柵極驅(qū)動器專為特定的GaN FET驅(qū)動要求而設(shè)計(jì)，具有較短的45ns傳播延遲和低至5V的工作電壓。STDRIVEG600通過較高的共模瞬態(tài)抗擾度、一套集成式保護(hù)功能
2023-09-05 06:58:54
全新的電源應(yīng)用在同等的電壓下以更高的轉(zhuǎn)換頻率運(yùn)行。這意味著，在同樣的條件下，GaN可實(shí)現(xiàn)比基于硅材料的解決方案更高的效率。TI日前發(fā)布了LMG5200，隨著這款全集成式原型機(jī)的推出，工程師們能夠輕松地將
2018-09-10 15:02:53
下以更高的轉(zhuǎn)換頻率運(yùn)行。這意味著，在同樣的條件下，GaN可實(shí)現(xiàn)比基于硅材料的解決方案更高的效率。TI日前發(fā)布了LMG5200，隨著這款全集成式原型機(jī)的推出，工程師們能夠輕松地將GaN技術(shù)融入到電源
2018-09-11 14:04:25
（GaN）技術(shù)實(shí)現(xiàn)比使用傳統(tǒng)硅功率晶體管更高的效率。氮化鎵具有極高的電子遷移率和低溫度系數(shù)，這使得功率晶體管具有非常低的導(dǎo)通電阻（R上），從而最大限度地減少了導(dǎo)通狀態(tài)傳導(dǎo)損耗。橫向晶體管結(jié)構(gòu)還實(shí)現(xiàn)了極低
2023-02-21 15:57:35
使用 TI 的高壓 GaN FET 作為輸入開關(guān)采用 UCD7138/UCD3138A 實(shí)現(xiàn)優(yōu)化的 LLC SR 導(dǎo)通功率級尺寸：2" x 2.1" x 1.7"峰值效率高達(dá) 97.6%
2022-09-23 07:12:02
我最近訪問了德州儀器（TI）的先進(jìn)技術(shù)戰(zhàn)略和營銷，寬帶隙解決方案的Masoud Beheshti，以及應(yīng)用工程師Lixing Fu進(jìn)行了演示，該演示演示了TI聲稱是業(yè)界最小的納秒級GaN驅(qū)動器
2019-11-11 15:48:09
GaN單級解決方案——采用TPS53632G 無驅(qū)動器脈寬調(diào)制(PWM)控制器和LMG5200 80V GaN半橋功率級（驅(qū)動器和GaN FET在同一集成電路上）——功率密度高，負(fù)載瞬態(tài)響應(yīng)速度
2019-07-29 04:45:02
升壓從動器PFC通過調(diào)整來提高低線效率總線電壓新的SR VCC供電電路簡化了復(fù)雜性和在高輸出電壓下顯著降低驅(qū)動損耗條件新型GaN和GaN半橋功率ic降低開關(guān)損耗和循環(huán)能量，提高系統(tǒng)效率顯著提高了
2023-06-16 09:04:37
標(biāo)準(zhǔn)1U CRPS (90mm × 30.5 mm × 11mm)。通過利用卓越的性能在GaN HEMT集成電路中，我們已經(jīng)能夠?qū)㈤_關(guān)頻率推到600 kHz以上，同時(shí)保持97.5%的效率。當(dāng)結(jié)合行業(yè)領(lǐng)先的圖騰柱PFC，峰值整個(gè)系統(tǒng)的效率達(dá)到80Plus制定的Titanium標(biāo)準(zhǔn)。
2023-06-16 11:01:43
，功率密度大于 250W/inch3在 230V 交流輸入和滿載情況下效率可達(dá) 98.7%TI LMG3410 GaN 功率級具有集成式驅(qū)動器和保護(hù)功能，可確保電路可靠性并簡化設(shè)計(jì)使用 TI
2018-10-25 11:49:58
了80PLUS的認(rèn)證規(guī)范，以提高電源的轉(zhuǎn)換效率，避免不必要的資源浪費(fèi)。該方案最早于2003年開始實(shí)施，2007年被正式納入到能源之星4.0標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范中。到今天為止，80Plus已成為公認(rèn)的最嚴(yán)格的電源節(jié)能規(guī)范
2016-11-23 10:35:21
能源并占用更小空間，所面臨的挑戰(zhàn)絲毫沒有減弱。氮化鎵(GaN)等新技術(shù)有望大幅改進(jìn)電源管理、發(fā)電和功率輸出的諸多方面。預(yù)計(jì)到2030年，電力電子領(lǐng)域?qū)⒐芾泶蠹s80%的能源，而2005年這一比例僅為30
2018-11-20 10:56:25
用UCC27611搭建的驅(qū)動GaN FET電路，在FET的Drain極不加電源時(shí)，UCC27611輸出波形正常，FET的Drain極加電時(shí)，UCC27611輸出端檢測到干擾波；（紅框中為正常輸出波形，黃色框中為干擾波）。請幫忙看下是什么問題，謝謝
2024-12-20 08:22:06
于Antec的產(chǎn)品。CM6800，單面PCB，整體水平是介于海韻的S12和S12II之間的一個(gè)方案。交叉負(fù)載能力較強(qiáng)，號稱50度的溫度標(biāo)定。效率中上，距離80plus要差一些，雖然早有 80plus
2009-09-08 17:58:57
受益于集成器件保護(hù)，直接驅(qū)動GaN器件可實(shí)現(xiàn)更高的開關(guān)電源效率和更佳的系統(tǒng)級可靠性。高電壓（600V）氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT） 的開關(guān)特性可實(shí)現(xiàn)提高開關(guān)模式電源效率和密度的新型
2023-02-14 15:06:51
的影響。美國能源計(jì)劃署針對當(dāng)前資源利用率不高的情況，對PC電源做出了80PLUS的認(rèn)證規(guī)范，以提高電源的轉(zhuǎn)換效率，避免不必要的資源浪費(fèi)。 該方案最早于2003年開始實(shí)施，2007年被正式納入到能源之星4.0標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范
2016-05-05 09:49:43
請問一下GaN器件和AMO技術(shù)能實(shí)現(xiàn)高效率和寬帶寬嗎？
2021-04-19 09:22:09
新年伊始，設(shè)計(jì)師們似乎在永遠(yuǎn)不停地追求更高效率。在此系列的第一部分中，我討論了高電流柵極驅(qū)動器如何幫助系統(tǒng)實(shí)現(xiàn)更高的效率。高速柵極驅(qū)動器可以實(shí)現(xiàn)相同的效果。高速柵極驅(qū)動器可以通過降低FET的體二極管
2019-03-08 06:45:10
改善功率密度，同時(shí)還能實(shí)現(xiàn)良好的效率和較寬的控制帶寬。此功率級設(shè)計(jì)可廣泛應(yīng)用于眾多需要快速響應(yīng)的空間受限型應(yīng)用，例如 5G 電信電源、服務(wù)器和工業(yè)電源。主要特色基于 GaN 的緊湊型功率級設(shè)計(jì)，具有高達(dá)
2018-10-17 15:39:59
通過優(yōu)化變換器的FET開關(guān)來改善能量效率
在計(jì)算和消費(fèi)電子產(chǎn)品中，效率已經(jīng)有了顯著的提高，重點(diǎn)是AC/DC轉(zhuǎn)換上。不過，隨著80 PLUS，Climate Savers
2009-12-12 11:59:37888 通過優(yōu)化變換器的FET開關(guān)來改善能量效率
在計(jì)算和消費(fèi)電子產(chǎn)品中，效率已經(jīng)有了顯著的提高，重點(diǎn)是AC/DC轉(zhuǎn)換上。不過，隨著80 PLUS，Climate Savers以及EnergyStar 5等規(guī)
2010-02-04 09:20:10678 
為了讓轉(zhuǎn)換更有效率，轉(zhuǎn)換會選擇合適的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，可以選硬開關(guān)全橋。但是LLC仍然是效率最高，在LLC拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)里面，UCD7138和UCD3138A 的關(guān)系就等于UCD3138A是控制LLC拓?fù)洌琔CD7138會驅(qū)動MOS管。
2015-06-09 19:22:184217 從80PLUS誕生至今已經(jīng)有11年的歷史，如今已經(jīng)成為了衡量電源轉(zhuǎn)換效率的標(biāo)桿，在這11年的歷史中，那么究竟是哪些廠商率先拿到了認(rèn)證？又是在哪個(gè)時(shí)間節(jié)點(diǎn)？想必玩家們都很期待，下面給隨筆者的步伐，讓我們細(xì)數(shù)80PLUS認(rèn)證電源之最。
2016-02-16 16:28:333470 基于數(shù)十年的電源管理創(chuàng)新經(jīng)驗(yàn)，德州儀器（TI）近日宣布推出一款600V氮化鎵（GaN）70 mù場效應(yīng)晶體管（FET）功率級工程樣片，從而使TI成為首家，也是唯一一家能夠向公眾提供集成有高壓驅(qū)動器的GaN解決方案的半導(dǎo)體廠商。
2016-05-05 14:41:391153 由于經(jīng)濟(jì)原因和對環(huán)境的關(guān)注，電力轉(zhuǎn)換系統(tǒng)效率變得越來越重要。80 Plus中定義的效率級別需要達(dá)到96%才能獲得鈦金等級認(rèn)證。要實(shí)現(xiàn)如此之高的效率，使用傳統(tǒng)拓?fù)涞碾娫垂緦⒚媾R巨大的設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)。 一個(gè)離線電源由功率因數(shù)校正 (PFC) 和一個(gè)DC/DC轉(zhuǎn)換器組成。
2017-04-18 11:23:1010886 金立M5 Plus的信息網(wǎng)上很少，這里就不一一細(xì)說，今天主要是為了拆解，所以下面開始對金立M5 Plus的圖解。
2019-03-06 09:08:5930444 Focus SGX系列上市不久，Seasonic海韻在今年Computex再推出PRIME STX-800旗艦鈦金小電源 STX-800，是市場上唯一的80PLUS鈦金SFX-L小電源。
2019-05-31 15:29:212234 ）功率級工程樣品，使TI成為第一家也是唯一一家公開提供高壓驅(qū)動器集成GaN解決方案的半導(dǎo)體制造商。與基于硅FET的解決方案相比，新型12-A LMG3410功率級與TI的模擬和數(shù)字電源轉(zhuǎn)換控制器相結(jié)合
2019-08-07 10:17:062915 電源上的80PLUS認(rèn)證大家都很熟悉了，包括白牌和銅牌、銀牌、金牌、白金、鈦金等不同級別，越高級說明電源的轉(zhuǎn)換效率越高。
2020-11-26 10:04:362875 電源上的80PLUS認(rèn)證大家都很熟悉了，包括白牌和銅牌、銀牌、金牌、白金、鈦金等不同級別，越高級說明電源的轉(zhuǎn)換效率越高。
2020-11-26 10:16:071021 )級。PFC級具有集成驅(qū)動器的LMG341x GaN FET，可在較寬的負(fù)載范圍內(nèi)提供更高的效率，并滿足80多種鈦的要求。該設(shè)計(jì)還支持半橋LLC隔離式DC / DC級，以實(shí)現(xiàn)1kW的+ 12V直流輸出。兩...
2021-11-10 12:36:03
10 文章目錄80 PLUS認(rèn)證前言1、基本理論1-1、功耗的產(chǎn)生1-2、轉(zhuǎn)換效率1-3、有功功率、視在功率和功率因數(shù)1-4、PFC功率因數(shù)校正電路1-5、全球各國交流電電壓2、正片！80 PLUS詳解
2022-01-11 12:03:390 本文將展示芯片級封裝 (CSP) GaN FET 如何提供至少與硅 MOSFET 相同（如果不優(yōu)于）的熱性能。由于其卓越的電氣性能，GaN FET 的尺寸可以減小，從而在尊重溫度限制的同時(shí)提高功率密度。這種行為將通過 PCB 布局的詳細(xì) 3D 有限元模擬來展示，同時(shí)還提供實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證以支持分析。
2022-07-25 09:15:051075 
PSU。PSU 的最新進(jìn)展利用氮化鎵 （GaN） 技術(shù)的固有優(yōu)勢，通過提供從輕負(fù)載到滿負(fù)載的最高效率以及良好的功率因數(shù)，達(dá)到 80 Plus Titanium 認(rèn)證。
2022-07-25 08:05:182002 
除了顯著提高各種拓?fù)浜凸β始墑e的商用 DC/DC 轉(zhuǎn)換器的效率外，基于 GaN 的 FET 還表現(xiàn)出對伽馬輻射和單事件效應(yīng) (SEE) 的非凡彈性。所有這些特性使 GaN FET 非常適合用于衛(wèi)星和運(yùn)載火箭的電源。
2022-07-25 09:22:413561 
我們發(fā)現(xiàn)機(jī)架式電源對電信服務(wù)器具有一定的吸引力。即使在 5g 數(shù)據(jù)、數(shù)據(jù)場中，他們只需要越來越高的效率，所有輸出范圍內(nèi)的效率都超過 90%，這讓您進(jìn)入鈦級。Nexperia 總經(jīng)理 Michael LeGoff 說，這就是我們發(fā)現(xiàn)對我們產(chǎn)品組合的需求量更大的地方。
2022-07-27 08:03:101145 
本文將展示芯片級封裝 (CSP) GaN FET 如何提供至少與硅 MOSFET 相同（如果不優(yōu)于）的熱性能。由于其卓越的電氣性能，GaN FET 的尺寸可以減小，從而在尊重溫度限制的同時(shí)提高功率密度。這種行為將通過 PCB 布局的詳細(xì) 3D 有限元模擬來展示，同時(shí)還提供實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證以支持分析。
2022-07-29 08:06:371093 
對于 48V 電源系統(tǒng)中的 GaN FET 應(yīng)用，現(xiàn)有的一種方法是使用基于 DSP 的數(shù)字解決方案來實(shí)現(xiàn)高頻和高效率設(shè)計(jì)。這在很大程度上是由于缺乏設(shè)計(jì)用于GaN FET的合適控制器的可用性。DSP
2022-08-04 09:58:081408 
FET 消除了反向恢復(fù)損耗。使用 GaN FET 將開關(guān)電源的峰值效率提高到 99%。1-4盡管 GaN 成本仍然是行業(yè)廣泛采用的障礙，但 GaN FET 可實(shí)現(xiàn)的性能（包括效率和密度改進(jìn)）最終
2022-08-05 08:04:512050 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《具有高電壓GaN FET的高效率和高功率密度1kW諧振轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì).zip》資料免費(fèi)下載
2022-09-07 11:30:0510 在過去幾年里，GaN技術(shù)，特別是硅基GaN HEMT技術(shù)，已成為電源工程師的關(guān)注重點(diǎn)。該技術(shù)承諾提供許多應(yīng)用所需的大功率高性能和高頻開關(guān)能力。然而，隨著商用GaN FET變得更容易獲得，一個(gè)關(guān)鍵問題仍然存在。為何選擇共源共柵？
2023-02-09 09:34:121064 
采用 CCPAK1212 封裝的 650 V、33 mOhm 氮化鎵 (GaN) FET-GAN039-650NBA
2023-02-16 20:47:212 采用 CCPAK1212i 封裝的 650 V、33 mOhm 氮化鎵 (GaN) FET-GAN039-650NTBA
2023-02-16 20:47:323 采用 CCPAK1212 封裝的 650 V、33 mOhm 氮化鎵 (GaN) FET-GAN039-650NBB
2023-02-16 20:48:020 采用 TO-247 封裝的 650 V、35 mΩ 氮化鎵 (GaN) FET-GAN041-650WSB
2023-02-17 18:46:496 MOSFET 和 GaN FET 應(yīng)用手冊-Nexperia_document_bo...
2023-02-17 19:13:1692 650 V、50 mOhm 氮化鎵 (GaN) FET-GAN063-650WSA
2023-02-17 19:47:245 白皮書：GaN FET 技術(shù)和 AEC-Q101 認(rèn)證所需的穩(wěn)健性 – 中文（650 V GaN FET 技術(shù)可提供出色效率，以及 AEC-Q101 認(rèn)證所需的耐久性）-nexperia_whitepaper_...
2023-02-17 19:53:033 了解功率 GaN FET 數(shù)據(jù)表參數(shù)-AN90005
2023-02-17 20:08:302 N 溝道 80 V、4.1 mOhm 標(biāo)準(zhǔn)級 FET-PSMN4R4-80PS
2023-02-27 19:20:541 N 溝道 TrenchMOS 標(biāo)準(zhǔn)級 FET-BUK7Y9R9-80E
2023-03-03 19:09:060 N 溝道 TrenchMOS 標(biāo)準(zhǔn)級 FET-BUK7Y98-80E
2023-03-03 19:09:250 N 溝道 TrenchMOS 標(biāo)準(zhǔn)級 FET-BUK7Y7R8-80E
2023-03-03 19:09:500 N 溝道 TrenchMOS 標(biāo)準(zhǔn)級 FET-BUK7Y72-80E
2023-03-03 19:10:210 N 溝道 TrenchMOS 標(biāo)準(zhǔn)級 FET-BUK7Y41-80E
2023-03-03 19:11:450 N 溝道 TrenchMOS 標(biāo)準(zhǔn)級 FET-BUK7Y25-80E
2023-03-03 19:12:330 N 溝道 TrenchMOS 標(biāo)準(zhǔn)級 FET-BUK7Y14-80E
2023-03-03 19:14:210 N 溝道 TrenchMOS 標(biāo)準(zhǔn)級 FET-BUK769R6-80E
2023-03-03 19:18:150 N 溝道 TrenchMOS 標(biāo)準(zhǔn)級 FET-BUK764R2-80E
2023-03-03 19:18:450 N 溝道 TrenchMOS 標(biāo)準(zhǔn)級 FET-BUK753R8-80E
2023-03-03 19:20:300 N 溝道 TrenchMOS 標(biāo)準(zhǔn)級 FET-BUK763R8-80E
2023-03-03 19:42:490 基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家Nexperia今天宣布推出首批支持低電壓(100/150 V)和高電壓(650 V)應(yīng)用的E-mode（增強(qiáng)型）功率GaN FET。Nexperia在其級聯(lián)型氮化
2023-05-30 09:03:151221 基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家 Nexperia（安世半導(dǎo)體）近日宣布推出首批支持低電壓（100/150 V）和高電壓（650 V）應(yīng)用的 E-mode（增強(qiáng)型）功率 GaN FET
2023-08-10 13:55:541515 （80PLUS或80+）認(rèn)證則是一種衡量電源能效的標(biāo)準(zhǔn)，它評估電源在不同負(fù)載情況下的效率水平。下面將詳細(xì)介紹為什么電源要做80 PLUS認(rèn)證以及具備80 PLUS認(rèn)證的電源的優(yōu)勢。 一、為什么電源要做80 PLUS認(rèn)證？ 1. 節(jié)能環(huán)保：能源是一個(gè)全球關(guān)注的議題，能源的高效利用與環(huán)境保
2024-01-22 13:48:375482 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《GaN-FET的關(guān)鍵參數(shù)和驅(qū)動要求.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-09-12 09:57:371 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《如何使用UCC21220A驅(qū)動高壓GaN FET.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-09-26 11:37:074 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《GAN039-650NBB氮化鎵(GaN)FET規(guī)格書.pdf》資料免費(fèi)下載
2025-02-13 16:10:220 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《GAN041-650WSB氮化鎵(GaN)FET規(guī)格書.pdf》資料免費(fèi)下載
2025-02-13 14:24:192 LMG2100R044 器件是一款 90V 連續(xù)、100V 脈沖、35A 半橋功率級，集成了柵極驅(qū)動器和增強(qiáng)型氮化鎵 （GaN） FET。該器件由兩個(gè) 100V GaN FET 組成，由一個(gè)高頻 90V GaN FET 驅(qū)動器驅(qū)動，采用半橋配置。
2025-02-21 09:19:40908 
LMG2100R044 器件是一款 90V 連續(xù)、100V 脈沖、35A 半橋功率級，集成了柵極驅(qū)動器和增強(qiáng)型氮化鎵 （GaN） FET。該器件由兩個(gè) 100V GaN FET 組成，由一個(gè)高頻 90V GaN FET 驅(qū)動器驅(qū)動，采用半橋配置。
2025-02-21 09:28:211064 功率因數(shù)校正 （PFC） 級。PFC 級采用 LMG341x GaN FET，帶有集成驅(qū)動器，可在較寬的負(fù)載范圍內(nèi)提供更高的效率，并滿足 80 plus 鈦的要求。此參考設(shè)計(jì)還支持LMG3422 GaN
2025-02-25 11:07:391546 
Plus 鈦、GaN CCM 圖騰柱無橋 PFC 和半橋 LLC 參考設(shè)計(jì)。添加了一個(gè)單獨(dú)的感應(yīng)卡用于混合磁滯控制，可重新生成諧振電容器上的電壓。
2025-02-25 11:27:581048 
LMG5200器件是一個(gè) 80V、10A 驅(qū)動器和 GaN 半橋功率級，使用增強(qiáng)型氮化鎵 （GaN） FET 提供集成功率級解決方案。該器件由兩個(gè) 80V GaN FET 組成，由一個(gè)采用半橋配置
2025-02-26 14:11:121055 
眾所周知，“80 PLUS”是用于評估并認(rèn)證計(jì)算機(jī)和服務(wù)器內(nèi)部電源效率的重要標(biāo)準(zhǔn)指標(biāo)，而2011年推出的鈦金作為其最嚴(yán)苛的效率標(biāo)準(zhǔn)，也于2025年1月，由最新的紅寶石 “Ruby”標(biāo)準(zhǔn)替代?！凹t寶石
2025-04-16 16:56:391179 
MPS新品 MPG44100 集成GaN FET的高效率、增強(qiáng)型 PFC 穩(wěn)壓器，具有峰值功率總線升壓功能
2025-06-18 18:09:331271 
作為AI服務(wù)器電源效率的“金標(biāo)準(zhǔn)”，80PLUS能效標(biāo)準(zhǔn)從誕生起就不止是一個(gè)數(shù)值門檻，更是推動整個(gè)數(shù)據(jù)中心能源體系升級的隱形引擎。2025年，80PLUS能效標(biāo)準(zhǔn)再升級，全新Ruby（紅寶石）等級超越Titanium（鈦金），成為當(dāng)前最嚴(yán)苛的能效目標(biāo)。
2025-07-28 10:24:061282 
Texas Instruments LMG3616 650V GaN功率FET提供270m Ω 的電阻以及集成式驅(qū)動器和保護(hù)，適用于開關(guān)模式電源應(yīng)用。 通過將GaN FET和柵極驅(qū)動器集成在
2025-08-13 14:56:51759 
FET導(dǎo)通電阻。內(nèi)部柵極驅(qū)動器可降低總柵極電感和GaN FET共源電感，從而提高開關(guān)性能，包括共模瞬態(tài)抗擾度 (CMTI)。LMG3612 GaN FET支持轉(zhuǎn)換器輕負(fù)載效率要求和突發(fā)模式操作，具有55μA低靜態(tài)電流和快速啟動時(shí)間。
2025-08-13 15:13:49777 
Texas Instruments LMG342xR030 GaN場效應(yīng)晶體管（FET）集成了驅(qū)動器和保護(hù)功能，可使設(shè)計(jì)人員在電子設(shè)備系統(tǒng)中實(shí)現(xiàn)新的功率密度和效率水平。
2025-09-19 11:06:08586 
云鎵半導(dǎo)體云鎵工業(yè)級GaN產(chǎn)品器件參數(shù)解讀&3kW服務(wù)器電源DEMO1.前言云鎵半導(dǎo)體在工業(yè)級GaN產(chǎn)品上不斷耕耘，推出系列化GaN功率器件以及驅(qū)動器產(chǎn)品。在應(yīng)用DEMO上陸續(xù)展示了鈦金
2025-11-11 13:45:21303 
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