日前，德州儀器 (TI) 宣布推出一款面向絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)與MOSFET的隔離式柵極驅(qū)動器，其速度比同等光學柵極驅(qū)動器快40%。
2012-10-11 14:04:33
2029 設(shè)計解決方案9-2相DC / DC控制器可降低電容并延長便攜式應(yīng)用的電池壽命
2019-07-24 09:03:26
MOSFET 和 IGBT 柵極驅(qū)動器電路的基本原理
2019-08-29 13:30:22
MOSFET柵極驅(qū)動器LTC44411資料下載內(nèi)容包括：LTC4441-1功能和特點LTC4441-1引腳功能LTC4441-1內(nèi)部方框圖LTC4441-1典型應(yīng)用電路LTC4441-1電氣參數(shù)
2021-03-24 07:13:00
MOSFET柵極驅(qū)動器LTC4441資料下載內(nèi)容主要介紹了：LTC4441功能和特點LTC4441引腳功能LTC4441內(nèi)部方框圖LTC4441典型應(yīng)用電路LTC4441電氣參數(shù)
2021-03-29 06:26:56
你好，我正在尋找這兩個MOSFET的驅(qū)動器IC，F(xiàn)DD7N20TMCT-ND和FQD7P20TMCT-ND。我的邏輯由CPLD產(chǎn)生，為3.3V。我在想使用MD1822K6-GCT-ND。這些
2018-10-25 14:27:53
延長電池壽命是各種應(yīng)用中常見的設(shè)計要求。無論是玩具還是水表，設(shè)計師都有各式技術(shù)來提高電池壽命。在這篇博文中，我將闡述一種可策略性地繞過低掉電線性穩(wěn)壓器（LDO）的技術(shù)。 生成導軌使用LDO是從電池
2019-03-25 06:45:12
IGBT/功率MOSFET是一種電壓控制型器件，可用作電源電路、電機驅(qū)動器和其它系統(tǒng)中的開關(guān)元件。柵極是每個器件的電氣隔離控制端。MOSFET的另外兩端是源極和漏極，而對于IGBT，它們被稱為集電極
2021-01-27 07:59:24
為何需要柵極驅(qū)動器柵極驅(qū)動器的關(guān)鍵參數(shù)
2020-12-25 06:15:08
高得多的電流。圖2中，當功率MOSFET由微控制器I/O引腳以最大額定拉電流驅(qū)動時，觀察到切換時間間隔較長。如圖3所示，采用ADuM4121隔離式柵極驅(qū)動器時，轉(zhuǎn)換時間大大縮短；當驅(qū)動同一功率
2021-07-09 07:00:00
本文通過故意損壞IGBT/MOSFET功率開關(guān)來研究柵極驅(qū)動器隔離柵的耐受性能。
2021-06-17 07:24:06
CK5G14 在同一顆芯片中同時集成了三個 250V 半橋柵極驅(qū)動器，特別適合于三相電機應(yīng)用中高速功率 MOSFET 和 IGBT 的柵極驅(qū)動。芯片內(nèi)置了死區(qū)時間和上下管直通保護，非常有效地阻止半橋
2022-01-04 14:16:57
用于Si8751隔離式MOSFET驅(qū)動器的Si8751-EVB，Si875x評估套件是驅(qū)動各種應(yīng)用中使用的功率開關(guān)的理想選擇，與普通SSR相比，具有更長的使用壽命和更高的可靠性。 Si8751隔離式
2020-06-08 12:07:42
驅(qū)動器系列之類的器件不僅能滿足高能效 BLDC 電機的要求，還能減少系統(tǒng)的元件數(shù)量，同時降低成本和復雜性。DRV8323x 系列有三種型號。每種型號都集成了三個獨立的柵極驅(qū)動器，能夠驅(qū)動高壓側(cè)和低壓側(cè)
2019-08-13 07:00:00
柵極驅(qū)動器的 +16V/-8V 電壓，能夠通過具有外部 BJT/MOSFET 緩沖器的單極或雙極電源為柵極驅(qū)動器供電可針對反相/非反相工作情況配置柵極驅(qū)動器輸入可選擇通過如下方式評估系統(tǒng)：柵極驅(qū)動器和 IGBT 之間的雙絞線電纜柵極和發(fā)射極之間的外部電容
2018-12-27 11:41:40
：BJT圖騰柱（左）與柵極驅(qū)動器芯片UCC27517A-Q1（右）分立式電路的一個顯著缺點是它不提供保護，而柵極驅(qū)動器IC集成了對于確保可預(yù)測和穩(wěn)定的柵極驅(qū)動非常重要的功能…
2022-11-04 06:40:48
什么是MOSFET驅(qū)動器？MOSFET驅(qū)動器功耗包括哪些部分？如何計算MOSFET的功耗？
2021-04-12 06:53:00
負載的響應(yīng)性較差，這可能導致電池可用容量降低。因此在本文中，我們將探討一種降低電池峰值負載（數(shù)百毫安級）的有效方法，從而幫助延長電池壽命。更大程度提高電池可用容量是十分重要的，因為這可以使系統(tǒng)設(shè)計實現(xiàn)
2022-11-04 07:14:17
一次。目前，我計劃使用MCU和單片MOSFET H橋，但希望減少元件數(shù)量。所以，有沒有這樣的節(jié)拍？謝爾斯達格爾 以上來自于百度翻譯 以下為原文 I have an application
2018-10-29 11:16:42
以及功率MOSFET的驅(qū)動元件。本產(chǎn)品融合了羅姆獨創(chuàng)的BiCDMOS技術(shù)與新開發(fā)的片上變壓器工藝技術(shù)，作為內(nèi)置了絕緣元件的柵極驅(qū)動器，是業(yè)界最小的小型封裝，有助于逆變器電路的小型化。另外，與傳統(tǒng)的光耦
2019-04-29 21:09:14
延長電池壽命是各種應(yīng)用中常見的設(shè)計要求。無論是玩具還是水表，設(shè)計師都有各式技術(shù)來提高電池壽命。在這篇博文中，我將闡述一種可策略性地繞過低掉電線性穩(wěn)壓器（LDO）的技術(shù)。
2019-07-26 07:55:11
本文就充放電過程的溫度控制技術(shù)、電池充電電源短路保護與選擇電池充電器以延長電池壽命等芯片應(yīng)用的方案配置作介紹。
2021-05-12 06:53:05
如何延長蓄電池的使用壽命？
2021-06-18 06:03:40
過。另據(jù)報道，與基于IGBT的電機驅(qū)動器相比，使用具有有限dv/dt的SiC-MOSFET和傳統(tǒng)的柵極驅(qū)動器可以帶來更高的效率［3］。在驅(qū)動應(yīng)用中使用 SiC-MOSFET 的優(yōu)勢可以通過 CSD
2023-02-21 16:36:47
，能夠在 MOSFET 關(guān)斷狀態(tài)下為柵極提供負電壓、高充電/放電脈沖電流，并且足夠快以在納秒范圍內(nèi)操作柵極。IC IX6611是一款智能高速柵極驅(qū)動器，可輕松用于驅(qū)動碳化硅（SiC）MOSFET以及標準
2023-02-27 09:52:17
您好，我正在嘗試使用 MC34GD3000 柵極驅(qū)動器，但我們遇到了設(shè)備故障和損壞高側(cè) MOSFET 柵極驅(qū)動器的問題。首先，是否有任何關(guān)于正確設(shè)置柵極驅(qū)動器輸出的應(yīng)用說明。我們看到的是在沒有任何
2023-04-19 06:36:06
、時序特性更精確，與光耦合器相比，具有速度優(yōu)勢。在圖3中，采用的是一個脈沖變壓器，其工作速度可以達到半橋柵極驅(qū)動器應(yīng)用通常所需的水平(最高1 MHz)。柵極驅(qū)動器IC可用于提供容性MOSFET柵極充電
2018-10-23 11:49:22
1 MHz)。柵極驅(qū)動器IC可用于提供容性MOSFET柵極充電所需的高電流。圖3中的柵極驅(qū)動器以差分方式驅(qū)動脈沖變壓器的原邊，該變壓器副邊有兩個繞組，用于驅(qū)動半橋的各個柵極。使用脈沖變壓器的一個優(yōu)勢
2018-10-16 16:00:23
MOSFET柵極充電所需的高電流。在此，柵極驅(qū)動器以差分方式驅(qū)動脈沖變壓器的原邊，兩個副邊繞組驅(qū)動半橋的各個柵極。在這種應(yīng)用中，脈沖變壓器具有顯著優(yōu)勢，不需要用隔離式電源來驅(qū)動副邊MOSFET. 圖3
2018-09-26 09:57:10
描述該用于工業(yè)驅(qū)動器的三相緊湊型功率級參考設(shè)計使用支持基本電容隔離要求的 UCC53xx 柵極驅(qū)動器，可通過光耦合器提供更長的使用壽命和更佳的傳播延遲匹配，從而最大程度地減小逆變器死區(qū)失真和損耗
2018-09-30 09:44:42
延長電池壽命的開關(guān)電源
2019-09-18 09:11:39
越低，轉(zhuǎn)換器就越能延長系統(tǒng)待機模式下的電池壽命?！ ?. 真關(guān)斷模式：關(guān)斷時將電流輸出與輸入阻塞，該功能可提高效率、延長最終產(chǎn)品保質(zhì)期。如果作為轉(zhuǎn)換器的集成功能，還能夠節(jié)省昂貴的外部元件。 3
2021-01-28 17:21:40
（圖 3）。 圖 3：高集成度柵極驅(qū)動器（如 TI 的 DRV8323R）可以減少系統(tǒng)元件數(shù)量，降低成本和復雜性，同時節(jié)省空間。（圖片來源：Texas Instruments） 這些柵極驅(qū)動器具有多項
2019-09-23 08:30:00
減少系統(tǒng)的元件數(shù)量，同時降低成本和復雜性。DRV8323x 系列有三種型號。每種型號都集成了三個獨立的柵極驅(qū)動器，能夠驅(qū)動高壓側(cè)和低壓側(cè)的 MOSFET 對。柵極驅(qū)動器包含一個電荷泵，可為高壓側(cè)晶體管
2019-10-31 08:00:00
描述此參考設(shè)計是一種通過汽車認證的隔離式柵極驅(qū)動器解決方案，可在半橋配置中驅(qū)動碳化硅 (SiC) MOSFET。此設(shè)計分別為雙通道隔離式柵極驅(qū)動器提供兩個推挽式偏置電源，其中每個電源提供 +15V
2018-10-16 17:15:55
AN1315，用于三相電機驅(qū)動的L6386 MOSFET功率驅(qū)動器評估板。 L6386，用于三相電機驅(qū)動的MOSFET功率驅(qū)動器。三相演示板是用于評估和設(shè)計高壓柵極驅(qū)動器L6386的參考套件。用戶
2019-07-03 09:22:07
范圍，并給出了低功率和大功率柵極驅(qū)動器的實例計算。此外，它旨在解釋如何解釋大相徑庭的散熱器的要求，數(shù)量的 mosfet 正在使用，等等。電動工具選擇的廣泛性一些電動工具陣容跨越12v 到24v 的范圍
2022-04-14 14:43:07
CR2032硬幣電池操作電路延長電池壽命利用它內(nèi)部的Boost變換器，該ltc3107可以從TEG提供電壓水平低20 mV收獲能量。隨著2.2 V的LDO輸出驅(qū)動外部MCU，該器件提供了一個主輸出電壓
2016-03-02 14:36:45
描述電池壽命延長器我試圖將 NodeMCU 用于遠程溫度監(jiān)控器。對于電池供電的設(shè)備，睡眠模式仍然使用太多電流。該電路應(yīng)該使我能夠使用 AA 或 AAA 電池運行數(shù)月。NodeMCU 被編程為在傳輸溫度和濕度后提供 DONE 信號 提供一個小開關(guān)以允許用戶觸發(fā)計時器，因此他們不必等待 30 分鐘。
2022-08-16 06:19:43
IGBT/功率 MOSFET 是一種電壓控制型器件，可用作電源電路、電機驅(qū)動器和其它系統(tǒng)中的開關(guān)元件。柵極是每個器件的電氣隔離控制端。MOSFET的另外兩端是源極和漏極，而對于IGBT，它們被稱為
2018-10-25 10:22:56
的拉電流和灌電流額定值通常可達數(shù)十毫安，而柵極驅(qū)動器可以提供高得多的電流。圖2中，當功率MOSFET由微控制器I/O引腳以最大額定拉電流驅(qū)動時，觀察到切換時間間隔較長。如圖3所示，采用ADuM4121
2018-11-01 11:35:35
驅(qū)動器供電。變壓器包含四個次級繞組，三個用于頂部柵極驅(qū)動器每相的浮動電源，以及底部柵極驅(qū)動器的公共電源（圖3）。除了大型變壓器之外，還需要用于濾波的大電容器和用于初級繞組開關(guān)的大型晶體管。這些大型設(shè)備
2018-08-18 12:05:14
高速低側(cè)柵極驅(qū)動器14nsUCC27201A3A，120V高側(cè)和低側(cè)驅(qū)動器20ns表1：高速驅(qū)動器 系統(tǒng)效率是一個團隊努力的結(jié)果。本博客系列介紹了高速和高電流柵極驅(qū)動器是關(guān)鍵件。立即訪問
2019-03-08 06:45:10
MOSFET驅(qū)動器與MOSFET的匹配設(shè)計本應(yīng)用筆記將詳細討論與MOSFET 柵極電荷和工作頻率相關(guān)的MOSFET 驅(qū)動器功耗。還將討論如何根據(jù)MOSFET 所需的導通和截止時間將MOSFET 驅(qū)動器的
2010-06-11 15:23:20
214 低損耗LED驅(qū)動器通過提高效率、延長電池壽命加快系統(tǒng)的綠色進程
摘要：現(xiàn)今有很多不同的方案可以為高亮度LED (HB LED)供電。由于多數(shù)系統(tǒng)采用電
2009-09-18 08:58:32847 
單通道MOSFET或IGBT柵極驅(qū)動器集成電路IR2117
IR2117是美國IR公司專為驅(qū)動單個MOSFET或IGBT而設(shè)計的柵極驅(qū)動器集成電路。文中介紹了它的引腳排列、功能
2009-12-08 10:21:008772 
N溝道MOSFET延長便攜設(shè)備電池壽命
飛兆半導體公司(Fairchild Semiconductor)因應(yīng)手機、便
2010-03-13 11:11:201129 飛兆半導體推出N溝道MOSFET器件可延長電池壽命
飛兆半導體公司(Fairchild Semiconductor)因應(yīng)手機、便攜醫(yī)療設(shè)備和媒體播放器等便攜應(yīng)用設(shè)備的設(shè)計和元件工
2010-03-20 08:51:551377 筆記本最大限度延長電池的使用壽命
本文將討論如何有效地使用電池，以及最大限度地延長電池的使用壽命。本文將只討論最新的XTRA這幾個使用了鋰電池的系列，對于較
2010-04-19 09:20:341230 高壓MOSFET驅(qū)動器電路的LTC1154被用作電荷泵，從而來驅(qū)動一個高壓側(cè)功率MOSFET的柵極。
2011-12-17 00:02:005529 
10 月 1 日 – 凌力爾特公司 （Linear Technology Corporation） 推出高端、高頻率 N 溝道 MOSFET 柵極驅(qū)動器 LTC4440A-5，該器件能以高達 80V
2013-10-09 15:41:271392 
的柵極驅(qū)動要求等。與在這種設(shè)計中正式使用的雙極晶體管相比，IGBT在驅(qū)動電路的尺寸和復雜度上都有相當大的降低。最近在IGBT開關(guān)速度的改進取得了設(shè)備適用于電源的應(yīng)用，因此IGBT將與某些高電壓MOSFET以及應(yīng)用。許多設(shè)計者因此轉(zhuǎn)向MOSFET驅(qū)動器以滿足其
2017-07-04 10:51:0522 便攜式產(chǎn)品制造商一直在尋找降低電力需求的方法，以最大限度地延長電池壽命。隨著物聯(lián)網(wǎng)的發(fā)展，以及諸如移動電話等智能設(shè)備的普遍使用，用于網(wǎng)絡(luò)控制和監(jiān)控目的，對提高電源效率的需求變得更加迫切。便攜式設(shè)備上
2019-12-30 08:09:003422 通過故意損壞IGBT/MOSFET功率開關(guān)來研究柵極驅(qū)動器隔離柵的耐受性能。
2019-04-16 17:07:396332 
安森美半導體NCP51530 MOSFET柵極驅(qū)動器是高頻、700V、2A高側(cè)和低側(cè)驅(qū)動器，適用于交流/直流電源和逆變器。NCP51530可在較高工作頻率下提供同類最佳的傳播延遲、低靜態(tài)電流和低開關(guān)電流。這些NCP51530驅(qū)動器適用于在高頻下工作的高效電源。
2019-10-03 09:32:003983 
DRV832x 系列器件是適用于三相 應(yīng)用的集成式柵極驅(qū)動器。這些器件具有三個半橋柵極驅(qū)動器，每個驅(qū)動器都能夠驅(qū)動高側(cè)和低側(cè) N 溝道功率 MOSFET。 DRV832x 使用集成電荷泵為高側(cè)
2020-03-05 08:00:000 來源：羅姆半導體社區(qū) 柵極驅(qū)動器的作用 柵極驅(qū)動器可以驅(qū)動開關(guān)電源如MOSFET,JFET等，因為MOSFET有個柵極電容，在導通之前要先對該電容充電，當電容電壓超過閾值電壓(VGS-TH
2022-11-16 17:50:181969 本應(yīng)用筆記涵蓋了計算柵極驅(qū)動光耦合器 IC 的柵極驅(qū)動器功率和熱耗散的主題。柵極驅(qū)動光耦合器用于驅(qū)動、導通和關(guān)斷、功率半導體開關(guān)、MOSFET/IGBT。柵極驅(qū)動功率計算可分為三部分；驅(qū)動器內(nèi)部電路
2021-06-14 03:51:005319 
摘要
IGBT/功率MOSFET是一種電壓控制型器件，可用作電源電路、電機驅(qū)動器和其它系統(tǒng)中的開關(guān)元件。柵極是每個器件的電氣隔離控制端。MOSFET的另外兩端是源極和漏極，而對于IGBT，它們被稱為
2021-01-28 08:13:3821 LTC4441：N溝道MOSFET柵極驅(qū)動器數(shù)據(jù)表
2021-05-26 08:42:545 ADI隔離柵極驅(qū)動器和WOLFSPEED SiC MOSFET
2021-05-27 13:55:0830 ROHM不僅提供電機驅(qū)動器IC，還提供適用于電機驅(qū)動的非隔離型柵極驅(qū)動器，以及分立功率器件IGBT和功率MOSFET。 我們將先介紹羅姆非隔離型柵極驅(qū)動器，再介紹ROHM超級結(jié)MOSFET
2021-08-09 14:30:513305 MOSFET和IGBT柵極驅(qū)動器電路的基本原理
2021-11-29 16:29:1773 Allegro 的汽車級柵極驅(qū)動器A89307是QuietMotion? 產(chǎn)品線中的一員，該IC專為電動汽車和混合動力汽車中的電池冷卻風扇和 HVAC 系統(tǒng)而設(shè)計，通過使用場定向控制 （FOC
2022-05-05 16:11:352360 ?東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）為其TCK42xG系列MOSFET 柵極驅(qū)動器IC 的產(chǎn)品陣容增加面向可穿戴設(shè)備等移動設(shè)備的五款新品。該系列的新產(chǎn)品配備了過壓鎖定功能，并根據(jù)輸入電壓控制外部MOSFET的柵極電壓。
2022-06-09 10:00:302567 
STMicroelectronics (ST) 的 STGAP2SiCSN 單通道柵極驅(qū)動器旨在調(diào)節(jié)碳化硅 (SiC) MOSFET。它采用窄體 SO-8 封裝，可節(jié)省空間并具有精確的PWM 控制
2022-08-03 09:47:012625 
IGBT/功率MOSFET是一種電壓控制器件，用作電源電路和電機驅(qū)動器等系統(tǒng)中的開關(guān)元件。柵極是每個設(shè)備的電氣隔離控制端子。 MOSFET的其他端子是源極和漏極，對于IGBT，它們被稱為集電極
2023-01-30 17:17:122921 
除了延長電池壽命外，降低功耗還有很多好處。產(chǎn)生的熱量更少，因此外形尺寸更小。由于溫度應(yīng)力較低，可靠性得到提高。由于元件更小，PCB尺寸可以減小，因此可以降低系統(tǒng)成本，從而減少元件數(shù)量，因為不需要散熱器等附件。
2023-01-31 09:34:051264 
柵極驅(qū)動參考 1.PWM直接驅(qū)動2.雙極Totem-Pole驅(qū)動器3.MOSFET Totem-Pole驅(qū)動器4.速度增強電路5.dv/dt保護 1.PWM直接驅(qū)動 在電源應(yīng)用中，驅(qū)動主開關(guān)
2023-02-23 15:59:0024 功率 MOSFET 是一種電壓控制型器件，可用作電源電路、電機驅(qū)動器和其他系統(tǒng)中的開關(guān)元件。柵極是每個器件的電氣隔離控制端。MOSFET 的其他端子是源極和漏極。
2023-04-04 09:58:392351 
功率 MOSFET 是一種電壓控制型器件，可用作電源電路、電機驅(qū)動器和其他系統(tǒng)中的開關(guān)元件。柵極是每個器件的電氣隔離控制端。MOSFET 的其他端子是源極和漏極。
為了操作 MOSFET，通常須將一個電壓施加于柵極（相對于源極或發(fā)射極）。使用專用驅(qū)動器向功率器件的柵極施加電壓并提供驅(qū)動電流。
2023-05-17 10:21:392544 介紹
在設(shè)計電源開關(guān)系統(tǒng)（例如電機驅(qū)動器或電源）時，設(shè)計人員必須做出重要決定。什么電機或變壓器符合系統(tǒng)要求？什么是最好的MOSFET或IGBT來匹配該電機或變壓器？以及哪種柵極驅(qū)動器 IC 最適合
2023-07-24 15:51:430 在電機驅(qū)動系統(tǒng)中，柵極驅(qū)動器或“預(yù)驅(qū)動器” IC常與N溝道功率MOSFET一起使用，以提供驅(qū)動電機所需的大電流。在選擇驅(qū)動器IC、MOSFET以及某些情況下用到的相關(guān)無源元件時，有很多需要考量的設(shè)計因素。如果對這個過程了解不透徹，將導致實現(xiàn)方式的差強人意。
2023-08-02 18:18:342087 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《現(xiàn)代IGBT/MOSFET柵極驅(qū)動器 提供隔離功能的最大功率限制.pdf》資料免費下載
2023-11-22 16:48:150 近日，Littelfuse公司發(fā)布了IX4352NE低側(cè)SiC MOSFET和IGBT柵極驅(qū)動器，這款新型驅(qū)動器在業(yè)界引起了廣泛關(guān)注。
2024-05-23 11:34:211464 柵極驅(qū)動器芯片的原理是什么 柵極驅(qū)動器芯片是一種用于控制功率電子器件（如IGBT、MOSFET等）柵極電壓的集成電路。它在電力電子領(lǐng)域中具有重要應(yīng)用，如電機驅(qū)動、開關(guān)電源、太陽能逆變器等。本文將詳細
2024-06-10 17:23:003609 的信號轉(zhuǎn)換成高電壓、高電流的脈沖來控制MOSFET或IGBT的柵極，從而提高這些器件的性能、可靠性和使用壽命。柵極驅(qū)動器在現(xiàn)代電力電子系統(tǒng)中扮演著至關(guān)重要的角色，廣泛應(yīng)用于電機控制、逆變器、開關(guān)電源等領(lǐng)域。
2024-07-19 17:15:2724573 柵極驅(qū)動器（Gate Driver）是一種電路，其主要功能在于增強場效應(yīng)晶體管（MOSFET）或絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）的柵極信號，以便控制器能夠更好地控制這些半導體開關(guān)的操作。柵極驅(qū)動器通過
2024-07-24 16:15:272144 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《使用TPS61040白光LED驅(qū)動器延長電池壽命.pdf》資料免費下載
2024-09-30 14:26:455 MOSFET驅(qū)動器功耗 MOSFET驅(qū)動器的功耗包含三部分： 由于MOSFET柵極電容充電和放電產(chǎn)生的功耗。 由于 MOSFET 驅(qū)動器吸收靜態(tài)電流而產(chǎn)生的功耗。 MOSFET 驅(qū)動器交越導通（穿通
2024-10-29 10:45:212502 
柵極驅(qū)動器（Gate Driver）是電力電子系統(tǒng)中的一種關(guān)鍵電路組件，主要用于增強場效應(yīng)晶體管（MOSFET）或絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）的柵極信號，以便控制器能夠更好地控制這些半導體開關(guān)
2025-02-02 13:47:001718 Texas Instruments UCC27518低側(cè)柵極驅(qū)動器是一款單通道、高速器件，可驅(qū)動MOSFET和IGBT電源開關(guān)。該驅(qū)動器采用可最大限度地減小擊穿電流和拉電流的設(shè)計，并將高峰值電流脈沖
2025-07-14 14:18:35596 
峰值灌電流的柵極驅(qū)動電流，以及90V MOSFET瞬態(tài)過壓支持來支持大功率電機驅(qū)動應(yīng)用。高效自舉架構(gòu)可最大限度地降低功率損耗和柵極驅(qū)動器的自發(fā)熱。電荷泵允許柵極驅(qū)動器支持100% PWM占空比控制。
2025-09-11 13:56:55753 
Texas Instruments DRV8300U三相柵極驅(qū)動器設(shè)有三個半橋柵極驅(qū)動器，電壓為100V，每個均可驅(qū)動高側(cè)和低側(cè)N通道功率MOSFET。DRV8300UD使用集成式自舉二極管和外部
2025-09-11 14:17:23814 
Texas Instruments DRV832860V三相柵極驅(qū)動器是一款集成柵極驅(qū)動器，用于三相應(yīng)用。該器件提供三個半橋柵極驅(qū)動器，每個驅(qū)動器可驅(qū)動高側(cè)和低側(cè)N溝道功率MOSFET。該器件
2025-09-22 13:58:18730 
DRV8351-SEP是一款三相半橋柵極驅(qū)動器，能夠驅(qū)動高側(cè)和低側(cè)N溝道功率MOSFET。DRV8351-SEPD 使用集成自舉二極管和用于高端 MOSFET 的外部電容器產(chǎn)生正確的柵極驅(qū)動電壓
2025-10-11 14:38:251089 
Microchip Technology MCP8021和MCP8022三相無刷直流 (BLDC) 電機柵極驅(qū)動器包含三個集成半橋驅(qū)動器，能夠驅(qū)動三個外部NMOS/NMOS晶體管對。這三個半橋驅(qū)動器
2025-10-11 14:58:35567 
該DRV8334是一款用于三相BLDC應(yīng)用的集成智能柵極驅(qū)動器。該器件提供三個半橋柵極驅(qū)動器，每個驅(qū)動器能夠驅(qū)動高側(cè)和低側(cè) N 溝道功率 MOSFET。該DRV8334使用集成自舉二極管和GVDD
2025-10-12 17:05:451894 
DRV8329系列器件是用于三相應(yīng)用的集成柵極驅(qū)動器。這些器件提供三個半橋柵極驅(qū)動器，每個驅(qū)動器都能夠驅(qū)動高側(cè)和低側(cè)N溝道功率MOSFET。該器件使用內(nèi)部電荷泵產(chǎn)生正確的柵極驅(qū)動電壓，并使用自舉電路
2025-10-13 15:32:07528 
90V MOSFET 瞬態(tài)過壓支持。采用高效的自舉架構(gòu)，最大限度地減少柵極驅(qū)動器的功率損耗和自熱。電荷泵允許柵極驅(qū)動器支持 100% PWM 占空比控制。
2025-10-13 15:35:23504 
DRV3256-Q1 系列器件是高度集成的三相柵極驅(qū)動器，適用于 48V 汽車電機驅(qū)動應(yīng)用。這些器件經(jīng)過專門設(shè)計，通過提供 2A 峰值源極和 2.5A 峰值灌電流驅(qū)動電流以及 90V MOSFET
2025-10-13 15:57:16573 
柵極驅(qū)動 （SGD） 架構(gòu)來減少 MOSFET 壓擺率控制和保護電路通常所需的外部元件數(shù)量。SGD 架構(gòu)還優(yōu)化了死區(qū)時間以防止擊穿情況，通過 MOSFET 壓擺率控制靈活地降低電磁干擾 （EMI），并
2025-10-15 10:04:42643 
DRV8305-Q1器件是一款用于三相電機驅(qū)動應(yīng)用的柵極驅(qū)動器IC。該器件提供三個高精度半橋驅(qū)動器，每個驅(qū)動器能夠驅(qū)動高側(cè)和低側(cè)N溝道MOSFET。電荷泵驅(qū)動器支持100%占空比和冷啟動情況下的低壓作。該器件可承受高達45V的負載突降電壓。
2025-10-16 16:13:46518 
DRV8305器件是用于三相電機驅(qū)動應(yīng)用的柵極驅(qū)動器IC。該器件提供三個高精度和溫度補償?shù)陌霕?b class="flag-6" style="color: red">驅(qū)動器，每個驅(qū)動器都能夠驅(qū)動高側(cè)和低側(cè)N溝道MOSFET。電荷泵驅(qū)動器支持100%占空比和低壓工作。該
2025-10-17 10:01:14565 
為EliteSiC匹配柵極驅(qū)動器指南旨在針對各類高功率主流應(yīng)用，提供為 SiC MOSFET匹配柵極驅(qū)動器的專業(yè)指導，同時探索減少導通損耗與功率損耗的有效方法，以最大限度提升SiC器件在導通和關(guān)斷過程中的電壓與電流效率。
2025-11-13 09:46:33342 
EiceDRIVER? APD 2ED2410-EM：高性能汽車MOSFET柵極驅(qū)動器解析 在汽車電子領(lǐng)域，對于可靠且高效的MOSFET柵極驅(qū)動器的需求日益增長。英飛凌的EiceDRIVER
2025-12-20 16:25:061081
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