91欧美超碰AV自拍|国产成年人性爱视频免费看|亚洲 日韩 欧美一厂二区入|人人看人人爽人人操aV|丝袜美腿视频一区二区在线看|人人操人人爽人人爱|婷婷五月天超碰|97色色欧美亚州A√|另类A√无码精品一级av|欧美特级日韩特级

電子發(fā)燒友App

硬聲App

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評(píng)論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會(huì)員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

電子發(fā)燒友網(wǎng)>電源/新能源>功率器件>雙界面散熱結(jié)構(gòu)IGBT的熱測(cè)試方法與結(jié)果分析

雙界面散熱結(jié)構(gòu)IGBT的熱測(cè)試方法與結(jié)果分析

收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴

評(píng)論

查看更多

相關(guān)推薦
熱點(diǎn)推薦

一文解讀IGBT驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)中的設(shè)計(jì)方案

IGBT應(yīng)用中,驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)主要影響IGBT開關(guān)的表現(xiàn)和短路保護(hù)的安全性,結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)影響了雜散電感和均流性,而設(shè)計(jì)對(duì)整個(gè)系統(tǒng)是決定性的,它決定了變流器能否達(dá)到要求的輸出功率等性能指標(biāo),而設(shè)計(jì)恰恰是剛
2021-02-27 11:19:007976

IGBT脈沖測(cè)試的測(cè)量參數(shù)及波形分析

通過脈沖測(cè)試,可以得到IGBT的各項(xiàng)開關(guān)參數(shù)。
2023-11-24 16:36:4216068

功率器件設(shè)計(jì)基礎(chǔ)(三)——功率半導(dǎo)體殼溫和散熱器溫度定義和測(cè)試方法

功率半導(dǎo)體熱設(shè)計(jì)是實(shí)現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎(chǔ),只有掌握功率半導(dǎo)體的設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識(shí),才能完成精確設(shè)計(jì),提高功率器件的利用率,降低系統(tǒng)成本,并保證系統(tǒng)的可靠性。功率器件設(shè)計(jì)基礎(chǔ)系列
2024-11-05 08:02:112638

IGBT模塊及散熱系統(tǒng)的等效模型

本文對(duì)IGBT模塊的等效路模型展開基礎(chǔ)介紹,所述方法及思路也可用于其他功率器件的設(shè)計(jì)。
2021-08-20 16:56:498422

IGBT脈沖測(cè)試原理解析

有些是不能直接拿來使用的。因此可以通過脈沖測(cè)試,對(duì)IGBT的性能進(jìn)行更為準(zhǔn)確的評(píng)估。脈沖測(cè)試的主要功能如下:1、測(cè)量IGBT的各項(xiàng)動(dòng)態(tài)參數(shù)(td>r、Eon、td off、tf、Eoff 等
2019-09-11 09:49:33

IGBT脈沖測(cè)試疑問

各位好,想請(qǐng)教下脈沖測(cè)試的幾個(gè)參數(shù)問題。項(xiàng)目所用IGBT是1200V 75A的單管,開關(guān)頻率4kHz。初次接觸脈沖測(cè)試,有幾個(gè)疑問:(1)測(cè)試時(shí)的最大電流是按額定75A來,還是150A
2019-11-06 20:47:30

IGBT多并聯(lián)脈沖測(cè)試方法

https://mp.weixin.qq.com/s/hR16FxSCcmrGDgItNhLDPw上述視頻包含以下三方面內(nèi)容:— IGBT并聯(lián)均流的影響因素— 六并聯(lián)測(cè)試脈沖測(cè)試步驟— 六并聯(lián)短路測(cè)試講師PPT見附件。
2020-06-28 11:21:33

IGBT失效的原因與IGBT保護(hù)方法分析

IGBT的使用方法IGBT絕緣柵極型晶體管是一種典型的極MOS復(fù)合型功率器件。它結(jié)合功率MOSFET的工藝技術(shù),將功率MOSFET和功率管GTR集成在同一個(gè)芯片中。該器件具有開關(guān)頻率高、輸入阻抗
2020-09-29 17:08:58

IGBT并聯(lián)技術(shù)分析

IGBT并聯(lián)技術(shù)分析胡永宏博士(艾克思科技)通過電力電子器件串聯(lián)或并聯(lián)兩種基本方法,均可增大電力電子裝置的功率等級(jí)。采用這兩種方法設(shè)計(jì)的大功變流器,結(jié)構(gòu)相對(duì)簡(jiǎn)單,加之控制策略與小功率變流器相兼容
2015-03-11 13:18:21

IGBT模塊散熱

  25℃~+100℃  換功率  50~1000w   阻  ≤0.1 K/W  材 質(zhì)  翅片材質(zhì):鋁;熱管材質(zhì):紫銅  外形結(jié)構(gòu)  (3)產(chǎn)品性能測(cè)試圖例  圖1 熱管散熱散熱功率模擬測(cè)試
2012-06-19 13:54:59

IGBT模塊散熱器介紹

本帖最后由 電力電子2 于 2012-6-19 17:00 編輯  IGBT模塊散熱器產(chǎn)品介紹  (1)防爆電氣用熱管散熱器:專門為爆炸性氣體環(huán)境中的電氣設(shè)備用電力電子器件、功率模塊散熱而開發(fā)
2012-06-19 13:52:17

IGBT模塊散熱器介紹

IGBT模塊散熱器產(chǎn)品介紹  (1)防爆電氣用熱管散熱器:專門為爆炸性氣體環(huán)境中的電氣設(shè)備用電力電子器件、功率模塊散熱而開發(fā)的新一代散熱產(chǎn)品。具有阻小、響應(yīng)速度快、熱傳導(dǎo)迅速、冷熱源可分離、等溫
2012-12-12 21:01:48

IGBT模塊散熱器最基本的使用說明

 IGBT模塊散熱器最基本的使用說明?! 、?依據(jù)裝置負(fù)載的工作電壓和額定電流以及使用頻率,選擇合適規(guī)格的模塊。用戶使用模塊前請(qǐng)?jiān)敿?xì)閱讀模塊參數(shù)數(shù)據(jù)表,了解模塊的各項(xiàng)技術(shù)指標(biāo);根據(jù)模塊各項(xiàng)技術(shù)參數(shù)
2012-06-19 11:38:41

IGBT模塊散熱器的發(fā)展與應(yīng)用

散熱器的特性不比N溝IGBT差多少,這非常有利于在應(yīng)用中采取互補(bǔ)結(jié)構(gòu),從而擴(kuò)大其在交流和數(shù)字控制技術(shù)領(lǐng)域中的應(yīng)用?! ∧壳?,應(yīng)用在中壓大功率領(lǐng)域的電力電子器件,已形成GTO、IGCT、IGBT、IEGT
2012-06-19 11:17:58

IGBT模塊散熱器的應(yīng)用

散電感,尤其高頻使用時(shí)更重要?! 、?在連接器件時(shí),連接模塊的母線排不能給模塊主端子電極造成過大的機(jī)械和熱應(yīng)力,以免模塊電極的內(nèi)部焊接斷裂或電極端子發(fā)熱在模塊上產(chǎn)生過熱?! ?b class="flag-6" style="color: red">IGBT散熱器是絕緣柵
2012-06-19 11:20:34

IGBT模塊散熱器的應(yīng)用

模塊)的散熱方案  在電子元件的設(shè)計(jì)中,散熱方式的選擇,以及對(duì)其進(jìn)行試驗(yàn)、模擬、分析、優(yōu)化從而得到一個(gè)熱效率高、成本低廉的結(jié)構(gòu),對(duì)保證功率器件運(yùn)行時(shí)其內(nèi)部結(jié)溫始終保持在允許范圍之內(nèi)顯得尤為重要
2012-06-20 14:58:40

IGBT模塊散熱器選擇及使用原則

條件一致時(shí),由計(jì)算值Rsa查散熱器數(shù)據(jù)手冊(cè)選取阻值相同或小于又最接近計(jì)算值的散熱器。不一致時(shí),查散熱阻與冷卻介質(zhì)流量的關(guān)系曲線確定?! ∪?、各系列散熱器使用中應(yīng)注意事項(xiàng)IGBT模塊散熱器選擇
2012-06-20 14:33:52

IGBT模塊散熱技術(shù)

最要 散熱方式 散熱材料散熱方式 散熱材料  如果IGBT模塊一定時(shí),IGBT結(jié)殼之間的阻一定,IGBT殼與散熱器的阻與散熱器材料和接觸程度兩個(gè)方面有關(guān),但此處阻較小,散熱器的材料及接觸程度
2012-06-19 11:35:49

IGBT模塊散熱技術(shù)

最要 散熱方式 散熱材料散熱方式 散熱材料  如果IGBT模塊一定時(shí),IGBT結(jié)殼之間的阻一定,IGBT殼與散熱器的阻與散熱器材料和接觸程度兩個(gè)方面有關(guān),但此處阻較小,散熱器的材料及接觸程度
2012-06-20 14:36:54

IGBT模塊的有關(guān)保護(hù)問題-IGBT模塊散熱

壓與過熱保護(hù)的相關(guān)問題和各種保護(hù)方法,實(shí)用性強(qiáng),應(yīng)用效果好?! ?、過流保護(hù)  生產(chǎn)廠家對(duì)IGBT模塊散熱器提供的安全工作區(qū)有嚴(yán)格的限制條件,且IGBT模塊散熱器承受過電流的時(shí)間僅為幾微秒,耐過流量
2012-06-19 11:26:00

IGBT模塊瞬態(tài)特性退化分析

進(jìn)行了研究,并得到了不同狀態(tài)下模塊的退化特性?!   D1 IGBT的傳熱結(jié)構(gòu)  研究人員在不同工作條件下的IGBT模塊進(jìn)行老化實(shí)驗(yàn)時(shí),在相同的老化時(shí)間下觀察模塊的阻變化情況,通過對(duì)網(wǎng)絡(luò)模型
2020-12-10 15:06:03

IGBT水冷散熱器的安裝與使用

方式,為了使元件充分地發(fā)揮其額定性能并加強(qiáng)使用中的可靠性,除必須科學(xué)地選擇散熱器外還需正確地安裝。只有正確地安裝IGBT模塊散熱器才能保證其與元件芯片間的阻Rj-hs滿足數(shù)據(jù)表中的要求?! ≡谠?/div>
2012-06-20 14:50:14

IGBT的內(nèi)部結(jié)構(gòu)及特點(diǎn)

IGBT的內(nèi)部結(jié)構(gòu)及特點(diǎn):本文通過等效電路分析,通俗易懂的講解IGBT的工作原理和作用,并精簡(jiǎn)的指出了IGBT的特點(diǎn)。IGBT(絕緣柵極型晶體管),是由BJT(極型三極管)和MOS(絕緣柵型
2021-11-16 07:16:01

igbt測(cè)試方法

各位大師,我有一個(gè)igbt想要判斷它的好壞。igbt內(nèi)部的一些電容和二級(jí)管是不是可以被測(cè)試啊。還有哪些測(cè)試方法呢,謝謝
2015-01-12 17:32:13

端口網(wǎng)絡(luò)分析結(jié)構(gòu)分析

理解矢量網(wǎng)絡(luò)分析儀不確定度的來源有助于你采取行之有效的用戶校準(zhǔn)方法。對(duì)于下圖所示的完整的端口網(wǎng)絡(luò)分析結(jié)構(gòu),我們從前向開始分析。圖 完整的兩端口網(wǎng)絡(luò)分析儀源的不確定性
2019-07-22 07:24:27

散熱第一步是導(dǎo)熱

使用的情況,需要將散熱器分開設(shè)計(jì),避免因?qū)峁枘z片壓縮率、結(jié)構(gòu)面平整度、安裝與設(shè)計(jì)公差等因素,致使導(dǎo)熱硅脂接觸不良,從而影響發(fā)熱源散熱。 任何項(xiàng)目都不是一蹴而就的,在理論計(jì)算、仿真、測(cè)試結(jié)果基礎(chǔ)上
2024-08-06 08:52:58

設(shè)計(jì)/散熱

本人有7年世界五百?gòu)?qiáng)設(shè)計(jì)工作經(jīng)驗(yàn),熟悉設(shè)計(jì)產(chǎn)品的設(shè)計(jì)標(biāo)準(zhǔn)。從事過大功率UPS、通訊電源、光伏產(chǎn)品、熱交換器產(chǎn)品及汽車控制器產(chǎn)品的設(shè)計(jì)。精通設(shè)計(jì),仿真和測(cè)試,熟練使用flotherm
2016-07-28 09:46:50

LED封裝器件的測(cè)試散熱能力評(píng)估

-支架或基板-焊錫膏-輔助測(cè)試基板-導(dǎo)熱連接材料。側(cè)面結(jié)構(gòu)散熱路徑金鑒檢測(cè)根據(jù)測(cè)試,可以得出如下述的阻曲線圖,可讀出測(cè)試產(chǎn)品總阻(整個(gè)散熱路徑)為7.377K/W。該方法測(cè)試出的阻需根據(jù)測(cè)試
2015-07-29 16:05:13

MOS管測(cè)試失效分析

MOS管瞬態(tài)測(cè)試(DVDS)失效品分析如何判斷是封裝原因還是芯片原因,有什么好的建議和思路
2024-03-12 11:46:57

POL的阻測(cè)量及SOA評(píng)估方法

阻RθJA測(cè)量測(cè)試設(shè)備電源示波器電子負(fù)載溫箱熱電偶萬用表測(cè)試方法固定輸出電壓(VOUT),利用電源提供輸入電壓電流(VIN,IIN),利用電子負(fù)載提供負(fù)載電流(IOUT),利用溫箱來創(chuàng)造穩(wěn)定的環(huán)境溫
2022-11-03 06:34:11

T3Ste測(cè)試儀的典型應(yīng)用案例

IGBT的結(jié)殼阻△ 三星電子利用T3Ster測(cè)試IGBT模組的特性 ◇ T3Ster在LED領(lǐng)域的應(yīng)用△ Lumileds利用T3Ster分析其產(chǎn)品的散熱結(jié)構(gòu)△ LED燈具測(cè)量△ LED模組的
2013-01-08 15:29:44

 IGBT模塊散熱器的安裝

 IGBT模塊散熱器的安裝 ?、?散熱器應(yīng)根據(jù)使用環(huán)境及模塊參數(shù)進(jìn)行匹配選擇,以保證模塊工作時(shí)對(duì)散熱器的要求?! 、?散熱器表面的光潔度應(yīng)小于10mm,每個(gè)螺絲之間的平面扭曲小于10mm。為了減少
2012-06-19 11:40:53

【金鑒出品】深度解析LED燈具發(fā)展的巨大瓶頸——

的分層,導(dǎo)致了芯片粘結(jié)層的阻增大。對(duì)樣品不同階段的測(cè)試,可得到每層結(jié)構(gòu)阻變化,根據(jù)變化分析老化機(jī)理,從而改善產(chǎn)品散熱性能。 5.接觸阻的測(cè)量隨著半導(dǎo)體制造技術(shù)的不斷成熟,界面材料的熱性
2015-07-27 16:40:37

三維仿真軟件FloEFD對(duì)電機(jī)散熱情況進(jìn)行仿真分析

進(jìn)行仿真分析,根據(jù)仿真結(jié)果優(yōu)化電機(jī)結(jié)構(gòu),提高電機(jī)的散熱能力,避免局部過熱,這對(duì)延長(zhǎng)電機(jī)壽命、提高電機(jī)可靠性、減輕冷卻系統(tǒng)壓力都有重要意義?! ‰姍C(jī)結(jié)構(gòu)仿真建?! ∮来磐诫姍C(jī)及其驅(qū)動(dòng)組件系統(tǒng)作為
2020-08-25 11:50:59

什么是IGBT?什么是IGBT模塊?什么是IGBT模塊散熱器?

`什么是IGBT?什么是IGBT模塊?什么是IGBT模塊散熱器?IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵極型晶體管,是由BJT(極型三極管)和MOS
2012-06-19 11:36:58

關(guān)于測(cè)試

現(xiàn)在需要測(cè)IGBT阻,我的方案是直接讓它導(dǎo)通然后用大電流加熱到一定的程度后,突然切斷大的電流源,看他在100ma下的vce變化(已知100ma工況下vce和節(jié)溫的關(guān)系),然后將測(cè)試到的vce
2017-09-29 10:40:46

功率管及其散熱資料分享

為了提高功放電路的輸出功率,保證電路安全工作,通常有兩種方法,一是采用大功率半導(dǎo)體器件(功率管),二是提高功率器件的散熱能力。 1.三種常用的 功率器件的比較 極型功率晶體管(BJT)、功率
2021-05-13 07:44:08

變頻器IGBT損壞維修過程和經(jīng)驗(yàn)總結(jié)

問題,其原理大家可自己畫圖分析一下。對(duì)于IGBT模塊,我們介紹最簡(jiǎn)單的測(cè)量方法(專業(yè)不是這樣測(cè)量)將數(shù)字萬用表?yè)艿蕉O管測(cè)試檔,測(cè)試IGBT模塊c1、e1、c2、e2之間以及柵極g與e1、e2之間正反
2018-08-10 13:59:06

基于IGBT計(jì)算的最大化電源設(shè)計(jì)效用解決方案

,大多數(shù)IGBT結(jié)合了聯(lián)合封裝的二極管。大多數(shù)制造商提供單個(gè)θ值,用于計(jì)算結(jié)點(diǎn)至外殼阻抗。這是一種簡(jiǎn)化的裸片溫度計(jì)算方法,會(huì)導(dǎo)致涉及到的兩個(gè)結(jié)點(diǎn)溫度分析不正確。對(duì)于多裸片器件而言,θ值通常不同,兩個(gè)裸片
2018-09-30 16:05:03

基于PrimePACKTM IGBT模塊優(yōu)化集成技術(shù)的逆變器

,分析并比較了IGBT驅(qū)動(dòng)的不同方案,并給出逆變器的測(cè)試結(jié)果。關(guān)鍵詞:PrimePACKTM模塊IGBT組件功率密度Abstract: This paper discusses how
2018-12-03 13:56:42

大功率IGBT極型晶體管),場(chǎng)效應(yīng)管(Mosfet)測(cè)試

IGBT-1200A型測(cè)試儀可以測(cè)試大功率IGBT極型晶體管),大功率MOS管的Vce-Ic特性曲線。在國(guó)內(nèi)電子市場(chǎng)上,魚目混珠的產(chǎn)品太多,特別是大功率的IGBT,全新的和翻新的很難分辨出真假
2015-03-11 13:51:32

導(dǎo)熱界面材料對(duì)降低接觸阻的影響分析

要求嚴(yán)格的場(chǎng)合?!?銅箔:具有良好的導(dǎo)電和導(dǎo)熱性能,適用于需要同時(shí)考慮電磁屏蔽和散熱的場(chǎng)合。 三、實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證與分析為了驗(yàn)證導(dǎo)熱界面材料對(duì)降低接觸阻的影響,本文進(jìn)行了如下實(shí)驗(yàn):1. 實(shí)驗(yàn)設(shè)置:選取兩個(gè)相同
2024-11-04 13:34:02

開關(guān)電源的散熱分析軟件

業(yè)界都還停留在傳統(tǒng)人力分析的階段.用軟件做設(shè)計(jì)是最近才在中國(guó)業(yè)界流行起來的,仿真不是無的放失,只有數(shù)據(jù)和模型提供的越準(zhǔn)確,結(jié)果才越能反應(yīng)真實(shí)情況,它主要是起一個(gè)指導(dǎo)作用.現(xiàn)在的電源行業(yè)要求體積小
2011-07-11 11:42:16

微型加速度傳感器的結(jié)構(gòu)分析 (島五梁式)

島五梁式微型加速度傳感器的結(jié)構(gòu)分析用廣義板理論和有限元平板殼元素與三維實(shí)體元素的組合方法,建立了微型加速度傳感器整體的有限元分析模型。對(duì)模型進(jìn)行了靜態(tài)和動(dòng)態(tài)分析,給出了具體的分析結(jié)果。依據(jù)強(qiáng)度條件
2009-03-10 09:54:11

永磁同步電機(jī)水冷系統(tǒng)散熱參數(shù)分析仿真

氣體,冷卻效果顯著,該電機(jī)采 用水冷卻方式,選用機(jī)殼外冷卻水套的冷卻結(jié)構(gòu),通過螺旋流道 內(nèi)的循環(huán)冷卻水散熱,以減小電機(jī)的溫升,保證電機(jī)的可靠運(yùn)行。利用ANSYS 軟件對(duì)該型號(hào)電機(jī)進(jìn)行分析,研究水冷
2025-03-26 14:33:32

用于變換UPS的全橋IGBT

界面微了改進(jìn),逆變器順著潮流采用了IGBT??梢哉f是IGBT給予這一電路形式的UPS持續(xù)的生命力。但是相對(duì)于近幾年發(fā)展起來的高羧鏈變換。UPS來說;其缺點(diǎn)也逐漸顯露出來了,體積質(zhì)量大,成本高,但是
2011-03-10 15:46:24

用于散熱的電子cae軟件產(chǎn)品相關(guān)同類的分析對(duì)比

(Bottleneck)和熱流捷徑(Shortcuts);MSOffice后處理報(bào)表。自動(dòng)優(yōu)化功能支持DOE、SO、RSO優(yōu)化設(shè)計(jì)方法;全球電子分析軟件,唯一真正具有自動(dòng)優(yōu)化設(shè)計(jì)能力的軟件;不但可以優(yōu)化設(shè)計(jì)散熱器等關(guān)鍵
2017-05-18 21:07:21

電子元器件散熱方法分析

在電子器件的高速發(fā)展過程中,電子元器件的總功率密度也不斷的增大,但是其尺寸卻越來越較小,熱流密度就會(huì)持續(xù)增加,在這種高溫的環(huán)境中勢(shì)必會(huì)影響電子元器件的性能指標(biāo),對(duì)此,必須要加強(qiáng)對(duì)電子元器件的控制。如何解決電子元器件的散熱問題是現(xiàn)階段的重點(diǎn)。對(duì)此,文章主要對(duì)電子元器件的散熱方法進(jìn)行了簡(jiǎn)單的分析。
2019-08-27 14:59:24

電子線路板可靠性分析與判斷

  摘要:結(jié)合某電子線路板實(shí)際情況,在Flotherm軟件基礎(chǔ)上進(jìn)行建模與計(jì)算處理,并將所得出的結(jié)果與實(shí)驗(yàn)測(cè)試數(shù)據(jù)進(jìn)行比較,證實(shí)采取Flotherm軟件方式進(jìn)行電子線路板可靠性分析具有建模簡(jiǎn)單
2018-09-13 16:30:29

電機(jī)驅(qū)動(dòng)器MCU拆解之IGBT分析

,因此,選用IGBT模塊時(shí)額定電流應(yīng)大于負(fù)載電流,同時(shí)選用時(shí)應(yīng)該降額使用。額定工作電壓、電壓波動(dòng)的范圍、最大工作電壓決定了IGBT模塊的額定電壓;驅(qū)動(dòng)器的外殼結(jié)構(gòu)以及排布方式也是IGBT選型的重要考慮因素。原作者:漂流的青春 車載控制器開發(fā)及測(cè)試
2023-03-23 16:01:54

網(wǎng)絡(luò)分析儀的結(jié)構(gòu)、工作原理及信號(hào)測(cè)試方法

測(cè)件響應(yīng)信號(hào)進(jìn)行處理,激勵(lì)源和接收機(jī)工作頻率的變化應(yīng)該是同步變化的。網(wǎng)絡(luò)分析儀是依靠鎖相方法來完成該功能。網(wǎng)絡(luò)分析儀的工作原理、結(jié)構(gòu)及信號(hào)測(cè)試方法網(wǎng)絡(luò)分析儀的內(nèi)部結(jié)構(gòu)包含:1.激勵(lì)信號(hào)源:提供被測(cè)件
2020-07-08 14:35:11

誠(chéng)聘高級(jí)散熱工程師

的技術(shù)預(yù)研,設(shè)計(jì)方法預(yù)研和問題的分析解決。任職要求:l、電子或者熱學(xué)相關(guān)專業(yè)本科以上學(xué)歷;2、熟悉手機(jī)研發(fā)流程,熟悉散熱材料,有一定結(jié)構(gòu)基礎(chǔ),能熟練應(yīng)用熱學(xué)仿真軟件;3、有***的手機(jī)研發(fā)測(cè)試經(jīng)驗(yàn),有
2016-09-30 18:09:53

連接器的設(shè)計(jì)與仿真和測(cè)試

  連接器的可靠性分別三個(gè)方面:分析、設(shè)計(jì)和測(cè)試,又可統(tǒng)稱為連接器的熱管理技術(shù)。在生產(chǎn)生活中,連接器熱管理的目的是為了針對(duì)連接器中的生熱及散熱問題,通過合理的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)和冷卻方式,使整個(gè)系統(tǒng)
2020-07-07 17:14:14

透過IGBT計(jì)算來優(yōu)化電源設(shè)計(jì)

;然而,大多數(shù)IGBT結(jié)合了聯(lián)合封裝的二極管。大多數(shù)制造商提供單個(gè)θ值,用于計(jì)算結(jié)點(diǎn)至外殼阻抗。這是一種簡(jiǎn)化的裸片溫度計(jì)算方法,會(huì)導(dǎo)致涉及到的兩個(gè)結(jié)點(diǎn)溫度分析不正確。對(duì)于多裸片組件而言,θ值通常
2018-10-08 14:45:41

通過IGBT計(jì)算來將電源設(shè)計(jì)的效用提升至最高

,大多數(shù)IGBT結(jié)合了聯(lián)合封裝的二極管。大多數(shù)制造商提供單個(gè)θ值,用于計(jì)算結(jié)點(diǎn)至外殼阻抗。這是一種簡(jiǎn)化的裸片溫度計(jì)算方法,會(huì)導(dǎo)致涉及到的兩個(gè)結(jié)點(diǎn)溫度分析不正確。對(duì)于多裸片器件而言,θ值通常不同,兩個(gè)裸片
2014-08-19 15:40:52

大功率LED封裝界面材料的分析

大功率LED封裝界面材料的分析 基于簡(jiǎn)單的大功率LED器件的封裝結(jié)構(gòu),利用ANSYS有限元分析軟件進(jìn)行了分析,比較了四種不同界面材料LED封裝結(jié)構(gòu)的溫度場(chǎng)分布。同時(shí)對(duì)
2010-04-19 15:43:2244

電機(jī)控制器用IGBT風(fēng)冷散熱器的仿真與實(shí)驗(yàn)_丁杰

電機(jī)控制器用IGBT風(fēng)冷散熱器的仿真與實(shí)驗(yàn)_丁杰
2017-01-08 10:11:414

翅柱式IGBT水冷散熱器的仿真與實(shí)驗(yàn)_丁杰

翅柱式IGBT水冷散熱器的仿真與實(shí)驗(yàn)_丁杰
2017-01-08 10:30:292

大功率電源模塊的散熱設(shè)計(jì)與應(yīng)用開發(fā)

電源模塊進(jìn)行強(qiáng)迫通風(fēng)散熱設(shè)計(jì)和優(yōu)化的方法和過程,并以某中頻電源的設(shè)計(jì)為例進(jìn)行了分析和優(yōu)化,給出了設(shè)計(jì)結(jié)果。
2017-08-30 17:16:559

變頻器散熱系統(tǒng)的設(shè)計(jì)與IGBT模塊損耗計(jì)算及散熱系統(tǒng)設(shè)計(jì)

提出了一種設(shè)計(jì)變頻器散熱系統(tǒng)的實(shí)用方法,建立了比較準(zhǔn)確且實(shí)用的變頻器中 IGBT(絕緣柵型雙極晶體管)模塊的通態(tài)損耗和開關(guān)損耗的計(jì)算方法,考慮了溫度對(duì)各種損耗的影響,采用阻等效電路法推導(dǎo)得出
2017-10-12 10:55:2425

壓接式IGBT模塊的動(dòng)態(tài)特性測(cè)試平臺(tái)設(shè)計(jì)及雜散參數(shù)提取

特性,嚴(yán)重制約了其推廣應(yīng)用。從壓接式IGBT的封裝結(jié)構(gòu)和電氣特性出發(fā),基于脈沖測(cè)試原理,設(shè)計(jì)并搭建壓接式IGBT模塊的動(dòng)態(tài)開關(guān)特性測(cè)試平臺(tái)。采用Ansoft Q3D軟件對(duì)測(cè)試平臺(tái)的雜散參數(shù)進(jìn)行仿真,分析雜散參數(shù)的分布特征、影響與提取方法,
2017-12-26 14:16:013

用三個(gè)角度來分析基于COB技術(shù)的LED的散熱性能

本文分析了基于COB技術(shù)的LED的散熱性能,對(duì)使用該方法封裝的LED器件做了等效分析和紅外像實(shí)驗(yàn),結(jié)果表明:采用COB技術(shù)封裝制成的LED器件縮短了散熱通道、增大了散熱面積、減小了阻,從而提高了LED的散熱性能,對(duì)LED器件的各方面性能起到良好的作用,延長(zhǎng)了使用壽命。
2018-01-16 14:22:3612659

芯片發(fā)熱為什么要應(yīng)用導(dǎo)熱界面材料散熱?

一、導(dǎo)熱界面材料是一種普遍用于IC封裝和電子散熱的材料,主要用于填補(bǔ)兩種材料接觸時(shí)產(chǎn)生的微空隙和凹凸不平的表面,減小阻,提高器件的散熱性能。 導(dǎo)熱界面材料是一種以聚合物為基體、以導(dǎo)熱粉為填料
2020-04-04 15:47:0011057

測(cè)試IGBT的簡(jiǎn)單方法

一些測(cè)試IGBT的簡(jiǎn)單方法
2020-06-19 10:19:4516133

IGBT器件結(jié)殼測(cè)試

IGBT阻的研究對(duì)于延長(zhǎng)IGBT的使用壽命和提高其應(yīng)用可靠性具有重要的現(xiàn)實(shí)意義,目前獲取IGBT阻參數(shù)的試驗(yàn)方法多為熱敏參數(shù)法,該方法方便簡(jiǎn)潔、對(duì)硬件要求低,但是傳統(tǒng)的熱敏參數(shù)法需要測(cè)量器件的殼
2021-04-29 09:15:085700

IGBT散熱設(shè)計(jì)方法

關(guān)于IGBT散熱設(shè)計(jì)方法免費(fèi)下載。
2021-06-19 15:43:1991

IGBT短路測(cè)試方法詳解及波形解析

IGBT短路測(cè)試方法詳解及波形解析
2021-12-27 10:57:40114

IGBT脈沖測(cè)試方法詳解

對(duì)脈沖測(cè)試的原理、參數(shù)解析、注意事項(xiàng)、測(cè)試意義等進(jìn)行詳細(xì)介紹分析
2022-05-05 16:34:0936

如何使用瞬態(tài)測(cè)試技術(shù)對(duì)內(nèi)存模塊進(jìn)行分析

內(nèi)存模塊的損耗不斷增加,這就需要更高效的散熱設(shè)計(jì)。提高內(nèi)存模塊的散熱效率,就需要我們了解模塊中每一部分的傳熱路徑,阻和熱容。傳統(tǒng)的穩(wěn)態(tài)和JEDEC標(biāo)準(zhǔn)測(cè)試方法使用的是一維熱流的方法,提供的也
2022-10-11 17:00:221882

雙面散熱汽車IGBT模塊測(cè)試方法研究

模塊壓裝方式,開發(fā)出一種適用于雙面散熱汽車 IGBT 模塊的界面散熱結(jié)構(gòu)測(cè)試方法,可實(shí)現(xiàn)單面測(cè)試,對(duì)比單面與雙面阻值、實(shí)測(cè)值與仿真值之間的差異,并討論差異產(chǎn)生原因與修正手段。測(cè)試結(jié)果表明,該方法具有良好的可重復(fù)性與可推廣性,可為雙面散熱汽車 IGBT 模塊的測(cè)試提供參考。
2023-02-08 12:49:002657

IGBT測(cè)試

;若發(fā)脈沖到IGBT模塊上管,則下管截止。 當(dāng)下管導(dǎo)通時(shí),電容池給空心電感充電;當(dāng)下管截止時(shí),空心電感與上管的二極管構(gòu)成回路并續(xù)流。 二、短路測(cè)試。 仍然使用脈沖測(cè)試的框圖。 有兩種短路測(cè)試方法: 1
2023-02-22 15:16:184

IGBT脈沖測(cè)試的原理

(一)IGBT脈沖測(cè)試的意義 對(duì)比不同IGBT的參數(shù)及性能; 獲取IGBT開通和關(guān)斷過程的參數(shù); 評(píng)估驅(qū)動(dòng)電阻是否合適; 開通和關(guān)斷過程是否有不合適的震蕩; 評(píng)估二極管的反向恢復(fù)行為和安全裕量
2023-02-22 15:07:1519

IGBT脈沖測(cè)試實(shí)驗(yàn)

用的,只能當(dāng)做參考使用。 描述IGBT主要參數(shù)包括:ton,toff,Eon,Eoff,Isc,Irr,二極管的di/dt等。 要觀測(cè)這些參數(shù),最有效的方法就是‘脈沖測(cè)試法’。
2023-02-22 14:25:005

如何理解IGBT阻和阻抗

隨著功率器件封裝逐漸面向大電流、小型化,產(chǎn)品的散熱性能顯得尤為重要。設(shè)計(jì)在IGBT選型和應(yīng)用過程中至關(guān)重要,關(guān) 系到模塊應(yīng)用的可靠性、損耗以及壽命等問題,而模塊的阻和阻抗是系統(tǒng)散熱評(píng)估環(huán)節(jié)
2023-02-23 16:11:229

IGBT脈沖測(cè)試matlab仿真模型

IGBT脈沖測(cè)試matlab仿真模型,電機(jī)控制器驅(qū)動(dòng)測(cè)試驗(yàn)證,學(xué)習(xí)驗(yàn)證igbt開關(guān)特性.附贈(zèng)大廠資深工程師總結(jié)的脈沖測(cè)試驗(yàn)證資料,全部是實(shí)際項(xiàng)目總結(jié)。 鏈接:提取碼:fbif ? ? ?
2023-02-24 10:40:5731

雙面散熱汽車IGBT器件測(cè)試評(píng)估方式創(chuàng)新

。雙面散熱汽車IGBT器件在豐田(Denso)、通用(Delphi)、特斯拉(ST)等廠家的成功批量應(yīng)用使得雙面散熱汽車IGBT器件測(cè)試越加重視。 IGBT廣泛運(yùn)用在了高鐵、軌道交通、智能電網(wǎng)
2023-03-02 16:04:274908

微電子封裝界面材料研究綜述

封裝結(jié)構(gòu)散熱路徑上的界面材料(ThermalInterfaceMaterial,TIM)便是熱管理中至關(guān)重要的環(huán)節(jié)。通過熱界面材料填充器件熱源和散熱單元之間的空
2023-03-03 14:26:574098

瞬態(tài)阻抗準(zhǔn)確計(jì)算IGBT模塊結(jié)殼阻的方法

IGBT器件研制的障礙。為解決這一瓶頸問題,近年來,國(guó)內(nèi)外專家學(xué)者們也將關(guān)注的焦點(diǎn)放在了IGBT模塊的失效分析方面。阻這一表征半導(dǎo)體器件熱傳導(dǎo)的參量也成了
2023-04-04 10:14:093998

基于筆記本電腦散熱設(shè)計(jì)的界面材料及界面阻研究

散熱問題一直是制約筆記本電腦發(fā)展的一大技術(shù)瓶頸,并且也嚴(yán)重阻礙了高性能電子芯片的發(fā)展,本文通過對(duì)散熱路徑中繞不開的界面材料分析仿真與優(yōu)化設(shè)計(jì),促進(jìn)筆記本電腦朝輕薄化方向發(fā)展,改善筆記本電腦的散熱效果,也將有效地改善發(fā)展筆記本電腦的穩(wěn)定性。
2023-06-27 09:36:046944

瞬態(tài)測(cè)試在內(nèi)存模塊分析中的應(yīng)用

不同的結(jié)構(gòu)函數(shù)可以揭示一個(gè)芯片和多個(gè)發(fā)熱芯片在熱流路徑上的差異。我們成功地在一個(gè)三維內(nèi)存模塊上使用了瞬態(tài)測(cè)試方法,并且確定了總動(dòng)態(tài)阻的影響因素,這些因素包括了散熱器,插槽和導(dǎo)熱界面材料。傳統(tǒng)的穩(wěn)態(tài)分析技術(shù)很難獲得關(guān)于三維元件這方面的信息。設(shè)計(jì)工程師可以通過這些信息去區(qū)分
2023-07-20 10:40:441532

IGBT功率模塊的阻網(wǎng)絡(luò)系統(tǒng)和散熱系統(tǒng)設(shè)計(jì)研究

隨著絕緣柵雙極晶體管(IGBT )向高功率和高集成度方向發(fā)展,在結(jié)構(gòu)和性能上有很大的改進(jìn),產(chǎn)生問題日益突出,對(duì)散熱的要求越來越高,IGBT 芯片是產(chǎn)生熱量的核心功能器件,但熱量的積累會(huì)嚴(yán)重影響器件的工作性能。
2023-07-27 10:43:264010

結(jié)構(gòu)函數(shù)的由來及推導(dǎo)過程

在前面的《T3Ster結(jié)構(gòu)函數(shù)應(yīng)用-界面分離法測(cè)試RθJC(θJC)》文章中,我們介紹了結(jié)構(gòu)函數(shù)的一些應(yīng)用界面分離法測(cè)試RJc,結(jié)構(gòu)函數(shù)應(yīng)用于產(chǎn)品內(nèi)部缺陷分析,界面材料對(duì)比,老化分析等。有許多朋友問,結(jié)構(gòu)函數(shù)怎么得來的?為什么能從結(jié)構(gòu)函數(shù)上讀取材料的阻熱容值?
2023-09-19 10:50:434484

什么是igbt短路測(cè)試igbt短路測(cè)試平臺(tái)

什么是igbt短路測(cè)試?igbt短路測(cè)試平臺(tái)? IGBT短路測(cè)試是針對(duì)晶體管IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)進(jìn)行的一種測(cè)試方法。IGBT是一種高壓高功率
2023-11-09 09:18:293948

最具優(yōu)勢(shì)的散熱方式——界面材料的分類、市場(chǎng)應(yīng)用及產(chǎn)業(yè)現(xiàn)狀

界面材料充分地填充了固體表面缺陷之間的界面間隙,有效地排除了空氣,使得產(chǎn)元器件與散熱器件之間的接觸更加密切,大大降低了界面接觸阻,建立起了高效的傳遞通道,從而使得散熱器件的工作效率得到了最大化的提升。
2024-01-03 15:45:233760

影響IGBT功率模塊散熱的因素

IGBT(絕緣柵極型晶體管)功率模塊作為電力電子系統(tǒng)中的核心部件,其散熱問題直接影響到系統(tǒng)的穩(wěn)定性、可靠性和效率。以下是對(duì)IGBT功率模塊散熱問題的詳細(xì)分析,包括散熱機(jī)制、影響因素、散熱方法及優(yōu)化策略等。
2024-07-26 17:24:422562

IGBT散熱器的進(jìn)水出水口的區(qū)分方法

IGBT(絕緣柵雙極晶體管)是一種功率半導(dǎo)體器件,廣泛應(yīng)用于電力電子領(lǐng)域,如變頻器、電源、電動(dòng)汽車等。IGBT在工作過程中會(huì)產(chǎn)生大量的熱量,需要通過散熱器進(jìn)行散熱。散熱器的設(shè)計(jì)和使用對(duì)于IGBT
2024-08-07 15:42:231872

igbt模塊的散熱方法有幾種

縮短甚至損壞。 自然冷卻 自然冷卻是一種最簡(jiǎn)單的散熱方法,主要依靠器件自身的熱傳導(dǎo)和周圍環(huán)境的熱對(duì)流來實(shí)現(xiàn)散熱。自然冷卻適用于功率較小、散熱要求不高的場(chǎng)合。然而,自然冷卻的散熱效果有限,難以滿足大功率IGBT模塊的散熱需求
2024-08-07 17:15:002754

IGBT主動(dòng)散熱和被動(dòng)散熱 | 氮化硼高導(dǎo)熱絕緣片

摘要:隨著絕緣柵雙極晶體管(IGBT)向高功率和高集成度方向發(fā)展,在結(jié)構(gòu)和性能上有很大的改進(jìn),產(chǎn)生問題日益突出,對(duì)散熱的要求越來越高,IGBT芯片是產(chǎn)生熱量的核心功能器件,但熱量的積累會(huì)嚴(yán)重影響
2024-09-15 08:03:453100

【線上活動(dòng)】基于結(jié)構(gòu)函數(shù)的界面材料阻評(píng)估與測(cè)試方法簡(jiǎn)介

界面材料就變得尤為重要,其阻特性直接影響到整個(gè)系統(tǒng)的穩(wěn)定性和效率。材料阻測(cè)量方法主要包括穩(wěn)態(tài)法和瞬態(tài)法,但隨著材料科學(xué)的進(jìn)步,基于結(jié)構(gòu)函數(shù)的方法逐漸成為一種新
2024-12-11 15:17:29842

【今日活動(dòng)】基于結(jié)構(gòu)函數(shù)的界面材料阻評(píng)估與測(cè)試方法簡(jiǎn)介

界面材料就變得尤為重要,其阻特性直接影響到整個(gè)系統(tǒng)的穩(wěn)定性和效率。材料阻測(cè)量方法主要包括穩(wěn)態(tài)法和瞬態(tài)法,但隨著材料科學(xué)的進(jìn)步,基于結(jié)構(gòu)函數(shù)的方法逐漸成為一種新
2024-12-24 10:07:22769

IGBT脈沖測(cè)試原理和步驟

是否過關(guān),脈沖測(cè)試(Double Pulse Test)成為了一項(xiàng)重要的測(cè)試手段。本文將詳細(xì)介紹IGBT脈沖測(cè)試的原理、意義、實(shí)驗(yàn)設(shè)備、測(cè)試步驟以及數(shù)據(jù)分析,以期為相關(guān)技術(shù)人員提供參考。
2025-02-02 13:59:003196

IGBT脈沖測(cè)試方法的意義和原理

IGBT脈沖測(cè)試方法的意義和原理 IGBT脈沖測(cè)試方法的意義: 1.對(duì)比不同的IGBT的參數(shù); 2.評(píng)估IGBT驅(qū)動(dòng)板的功能和性能; 3.獲取IGBT在開通、關(guān)斷過程的主要參數(shù),以評(píng)估Rgon
2025-01-28 15:44:008854

分析測(cè)試分析溫度的方法

分析儀(TGA)主要用于對(duì)樣品在熱力學(xué)變化過程中產(chǎn)生的失重、分解過程進(jìn)行記錄和分析。因此分析儀被廣泛應(yīng)用在塑料、橡膠、化學(xué)、醫(yī)藥生物、建筑、食品、能源等行業(yè)。分析儀可測(cè)材料哪幾種
2025-03-04 14:22:591168

大功率IGBT模塊你了解多少?結(jié)構(gòu)特性是什么?主要應(yīng)用在哪里?

層 ?:IGBT與FWD芯片通過焊料連接 ? 絕緣基板 ?:采用陶瓷基板(如Al?O?或AlN)實(shí)現(xiàn)電氣隔離 ? 散熱結(jié)構(gòu) ?:銅底板與界面材料組合的雙面散熱設(shè)計(jì) 二、關(guān)鍵技術(shù)參數(shù) 參數(shù)類別 典型指標(biāo) 技術(shù)優(yōu)勢(shì) 電壓等級(jí) 1200V-6500V 適配軌道交通柔性直流輸電需求
2025-05-22 13:49:381276

細(xì)數(shù)IGBT測(cè)試指標(biāo)及應(yīng)對(duì)檢測(cè)方案

IGBT產(chǎn)品技術(shù)參數(shù)較多,一般會(huì)包含如下幾種類型參數(shù):靜態(tài)參數(shù),動(dòng)態(tài)參數(shù),參數(shù)。動(dòng)態(tài)測(cè)試,主要是用于測(cè)試IGBT動(dòng)態(tài)參數(shù),目前,主要采用脈沖測(cè)試方案。其測(cè)試主要方法是,加載脈沖電壓,用獲取IGBT在開啟,或者關(guān)閉瞬間的電壓,電流變化情況,并計(jì)算出相應(yīng)的參數(shù)
2025-06-26 16:26:161332

電壓放大器驅(qū)動(dòng)的混凝土組合結(jié)構(gòu)界面損傷高靈敏檢測(cè)方法研究

實(shí)驗(yàn)名稱: 鋼-混凝土組合結(jié)構(gòu)界面損傷檢測(cè)技術(shù) 研究方向: 無損檢測(cè) 測(cè)試目的: 針對(duì)MASW方法界面損傷方法,開展了系統(tǒng)的理論分析、試驗(yàn)研究和參數(shù)分析,提出了完整的測(cè)試流程。研究成果可進(jìn)一步完善
2025-08-05 11:42:19600

散熱底板對(duì) IGBT 模塊功率循環(huán)老化壽命的影響

和集成Pin-Fin基板兩種常見車規(guī)級(jí)IGBT模塊進(jìn)行了相同熱力測(cè)試條件(結(jié)溫差100K,最高結(jié)溫150℃)下的功率循環(huán)試驗(yàn),結(jié)果表明,散熱更強(qiáng)的Pin-Fin模塊功
2025-09-09 07:20:232096

發(fā)射顯微鏡下芯片失效分析案例:IGBT 模組在 55V 就暴露的問題!

分享一個(gè)在發(fā)射顯微鏡下(Thermal EMMI) 芯片失效分析案例,展示我們?nèi)绾瓮ㄟ^ IV測(cè)試 與 紅外熱點(diǎn)成像,快速鎖定 IGBT 模組的失效點(diǎn)。
2025-09-19 14:33:022288

電壓放大器在混凝土組合結(jié)構(gòu)界面損傷檢測(cè)研究中的應(yīng)用

  實(shí)驗(yàn)名稱:鋼-混凝土組合結(jié)構(gòu)界面損傷檢測(cè)技術(shù)  研究方向:無損檢測(cè)  測(cè)試目的:  針對(duì)MASW方法界面損傷方法,開展了系統(tǒng)的理論分析、試驗(yàn)研究和參數(shù)分析,提出了完整的測(cè)試流程。研究成果可進(jìn)
2024-07-22 18:38:29

已全部加載完成