簽訂戰(zhàn)略合作協(xié)議，合作內(nèi)容包含了基于某些客戶的需求，進(jìn)行基于羅姆碳化硅芯片的功率半導(dǎo)體模塊，及對應(yīng)電機(jī)控制器的開發(fā)。本文即介紹臻驅(qū)對碳化硅功率模塊的開發(fā)、測試及系統(tǒng)評估。 Introduction 碳化硅功率半導(dǎo)體近年來在能源轉(zhuǎn)換
2020-11-24 11:51:47
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本白皮書重點(diǎn)介紹 Wolfspeed 專為高功率電子應(yīng)用而設(shè)計的第 4 代碳化硅 (SiC) MOSFET 技術(shù)。基于在碳化硅創(chuàng)新領(lǐng)域的傳承，Wolfspeed 定期推出尖端技術(shù)解決方案，重新
2025-02-19 11:35:411716 
法國Soitec半導(dǎo)體公司宣布與應(yīng)用材料公司啟動聯(lián)合項目，展開對新一代碳化硅襯底的研發(fā)。
2019-11-19 14:44:481151 碳化硅（SiC）具有禁帶寬度大、擊穿電場強(qiáng)度高、飽和電子漂移速度高、熱導(dǎo)率大、介電常數(shù)小、抗輻射能力強(qiáng)、化學(xué)穩(wěn)定性良好等特點(diǎn)，被認(rèn)為是制作高溫、高頻、大功率和抗輻射器件極具潛力的寬帶隙半導(dǎo)體材料
2020-09-24 16:22:14
發(fā)展?！ ?b class="flag-6" style="color: red">Microsemi公司1月15日宣布推出了新一代碳化硅（SiC）標(biāo)準(zhǔn)電源模塊，非常適用于大功率開關(guān)模式電源供應(yīng)器、馬達(dá)驅(qū)動器、不間斷電源、太陽能逆變器、石油勘探和其他高功率高電壓工業(yè)應(yīng)用。該
2018-11-28 10:59:07
復(fù)雜的設(shè)計，功率模塊的集成能力使其成為首選。但是哪些封裝適用于快速開關(guān)碳化硅器件？ 當(dāng)傳統(tǒng)硅器件在功率損耗和開關(guān)頻率方面達(dá)到極限時，碳化硅可能是合適的半導(dǎo)體選擇。高達(dá) 30 至 40kHz，最新一代
2023-02-20 16:29:54
PN結(jié)器件優(yōu)越的指標(biāo)是正向?qū)妷旱?，具有低的?dǎo)通損耗?！ 〉栊ぬ鼗O管也有兩個缺點(diǎn)，一是反向耐壓VR較低，一般只有100V左右;二是反向漏電流IR較大?！ 《?、碳化硅半導(dǎo)體材料和用它制成的功率
2019-01-11 13:42:03
作用下的界面完整性；此項目標(biāo)準(zhǔn)對碳化硅功率模塊而言很苛刻，尤其是應(yīng)用于汽車的模塊。AC/PCT（高溫蒸煮測試） 高溫蒸煮測試是把被測對象放進(jìn)高溫高濕高氣壓的環(huán)境中，考驗晶片鈍化層的優(yōu)良程度及樹脂材料
2023-02-28 16:59:26
本文的目的是分析碳化硅MOSFET的短路實驗(SCT)表現(xiàn)。具體而言，該實驗的重點(diǎn)是在不同條件下進(jìn)行專門的實驗室測量，并借助一個穩(wěn)健的有限元法物理模型來證實和比較測量值，對短路行為的動態(tài)變化進(jìn)行深度評估。
2019-08-02 08:44:07
更新?lián)Q代，SiC并不例外 新一代半導(dǎo)體開關(guān)技術(shù)出現(xiàn)得越來越快。下一代寬帶隙技術(shù)仍處于初級階段，有望進(jìn)一步改善許多應(yīng)用領(lǐng)域的效率、尺寸和成本。雖然，隨著碳化硅技術(shù)的進(jìn)步，未來還將面臨挑戰(zhàn)，例如，晶圓
2023-02-27 14:28:47
的商機(jī)。另外，X-Fab、漢磊及環(huán)宇也提供SiC及GaN的代工業(yè)務(wù)。隨著代工業(yè)務(wù)的帶動，第三代半導(dǎo)體材料的市場規(guī)模也將進(jìn)一步擴(kuò)大。
2019-05-09 06:21:14
應(yīng)用領(lǐng)域。更多規(guī)格參數(shù)及封裝產(chǎn)品請咨詢我司人員！附件是海飛樂技術(shù)碳化硅二極管選型表，歡迎大家選購！碳化硅（SiC）半導(dǎo)體材料是自第一代元素半導(dǎo)體材料（Si、Ge）和第二代化合物半導(dǎo)體材料（GaAs
2019-10-24 14:21:23
由于碳化硅具有不可比擬的優(yōu)良性能，碳化硅是寬禁帶半導(dǎo)體材料的一種，主要特點(diǎn)是高熱導(dǎo)率、高飽和以及電子漂移速率和高擊場強(qiáng)等，因此被應(yīng)用于各種半導(dǎo)體材料當(dāng)中，碳化硅器件主要包括功率二極管和功率開關(guān)管
2020-06-28 17:30:27
的碳化硅壓敏電阻由約90%的不同晶粒尺寸的碳化硅和10%的陶瓷粘合劑和添加劑制成。將原材料制成各種幾何尺寸的壓敏電阻，然后在特定的大氣和環(huán)境條件下在高溫下燒結(jié)。然后將一層黃銅作為電觸點(diǎn)噴上火焰。其他標(biāo)準(zhǔn)
2024-03-08 08:37:49
進(jìn)一步了解碳化硅器件是如何組成逆變器的。
2021-03-16 07:22:13
今天我們來聊聊碳化硅器件的特點(diǎn)
2021-03-16 08:00:04
泛的寬禁帶半導(dǎo)體材料之一，憑借碳化硅（SiC）陶瓷材料自身優(yōu)異的半導(dǎo)體性能，在各個現(xiàn)代工業(yè)領(lǐng)域發(fā)揮重要革新作用。是高溫、高頻、抗輻射、大功率應(yīng)用場合下極為理想的半導(dǎo)體材料。由于碳化硅功率器件可顯著降低
2021-01-12 11:48:45
電磁性。因碳化硅是一種共價鍵化合物，原子間結(jié)合的鍵很強(qiáng)，它具有以下一些獨(dú)特的性能，因而得以廣泛應(yīng)用。1)高熔點(diǎn)。關(guān)于碳化硅熔點(diǎn)的數(shù)據(jù).不同資料取法不一，有2100℃。2)高硬度。碳化硅是超硬度的材料之一
2019-07-04 04:20:22
硅與碳的唯一合成物就是碳化硅(SiC)，俗稱金剛砂。SiC 在自然界中以礦物碳硅石的形式存在，但十分稀少。不過，自1893 年以來，粉狀碳化硅已被大量生產(chǎn)用作研磨劑。碳化硅用作研磨劑已有一百多年
2019-07-02 07:14:52
碳化硅作為現(xiàn)在比較好的材料，為什么應(yīng)用的領(lǐng)域會受到部分限制呢？
2021-08-19 17:39:39
第二代碳化硅肖特基二極管-JBS簡介 產(chǎn)業(yè)界以第一代標(biāo)準(zhǔn)肖特基結(jié)構(gòu)做成的肖特基二極管（SBD）漏電流大，反向耐壓低，產(chǎn)品競爭力差，商業(yè)應(yīng)用價值低。為了提升產(chǎn)品競爭力，碳化硅肖特基二極管的結(jié)構(gòu)也從標(biāo)準(zhǔn)
2023-02-28 16:55:45
碳化硅作為一種寬禁帶半導(dǎo)體材料，比傳統(tǒng)的硅基器件具有更優(yōu)越的性能。碳化硅的寬禁帶（3.26eV）、高臨界場（3×106V/cm）和高導(dǎo)熱系數(shù)（49W/mK）使功率半導(dǎo)體器件效率更高，運(yùn)行速度更快
2023-02-28 16:34:16
材料的兩倍以上。因此，SiC所能承受的溫度更高，一般而言，使用碳化硅（SiC）陶瓷線路板的功率器件所能達(dá)到的最大工作溫度可到600 C。2) 高阻斷電壓與Si材料相比，SiC的擊穿場強(qiáng)是Si的十倍多
2021-03-25 14:09:37
哪位大神知道CISSOID碳化硅驅(qū)動芯片有幾款,型號是什么
2020-03-05 09:30:32
模塊的可靠性和耐用性。低電感設(shè)計：電感值為6.7 nH，有助于降低系統(tǒng)中的電感效應(yīng)，提高功率轉(zhuǎn)換效率。采用全新的第3代碳化硅MOSFETs：提供更好的性能和效率。集成化溫度傳感器
2025-06-25 09:13:14
SIC碳化硅二極管
2016-11-04 15:50:11
科技有限公司TGF2023-2-10對碳化硅器件由DC至14 GHz的離散10毫米甘。在3 GHz的tgf2023-2-10通常提供47.4 dBm的功率增益為19.8 dB的飽和輸出功率。最大功率附加效率為
2018-06-12 10:22:42
TGF2023-2-10對碳化硅器件由DC至14 GHz的離散10毫米甘。在3 GHz的tgf2023-2-10通常提供47.4 dBm的功率增益為19.8 dB的飽和輸出功率。功率附加效率為69.5%，這使
2018-11-15 11:59:01
TGF2954碳化硅晶體管產(chǎn)品介紹TGF2954報價TGF2954代理TGF2954TGF2954現(xiàn)貨,王先生 深圳市首質(zhì)誠科技有限公司TGF2954是離散的5.04毫米GaN-on-SiC
2018-11-15 14:01:58
TGF2955碳化硅晶體管產(chǎn)品介紹TGF2955報價TGF2955代理TGF2955TGF2955現(xiàn)貨,王先生 深圳市首質(zhì)誠科技有限公司TGF2955是離散的7.56毫米GaN-on-SiC
2018-11-15 14:06:57
通損耗一直是功率半導(dǎo)體行業(yè)的不懈追求?！ ∠噍^于傳統(tǒng)的硅MOSFET和硅IGBT 產(chǎn)品，基于寬禁帶碳化硅材料設(shè)計的碳化硅 MOSFET 具有耐壓高、導(dǎo)通電阻低，開關(guān)損耗小的特點(diǎn)，可降低器件損耗、減小
2023-02-27 16:14:19
用于電機(jī)驅(qū)動領(lǐng)域的優(yōu)勢，尋找出適合碳化硅功率器件的電機(jī)驅(qū)動場合，開發(fā)工程應(yīng)用技術(shù)?，F(xiàn)已有Sct3017AL在實驗室初步用于無感控制驅(qū)動技術(shù)中，為了進(jìn)一步測試功率器件性能，為元器件選型和實驗驗證做調(diào)研
2020-04-21 16:04:04
*附件：國產(chǎn)SiC碳化硅MOSFET功率模塊在工商業(yè)儲能變流器PCS中的應(yīng)用.pdf
2025-01-20 14:19:40
什么是碳化硅（SiC）？它有哪些用途？碳化硅（SiC）的結(jié)構(gòu)是如何構(gòu)成的？
2021-06-18 08:32:43
隨著電力電子技術(shù)的不斷進(jìn)步，碳化硅MOSFET因其高效的開關(guān)特性和低導(dǎo)通損耗而備受青睞，成為高功率、高頻應(yīng)用中的首選。作為碳化硅MOSFET器件的重要組成部分，柵極氧化層對器件的整體性能和使用壽命
2025-01-04 12:37:34
多半仍以機(jī)械結(jié)構(gòu)為主，造價高昂，且產(chǎn)品相當(dāng)笨重，更需要經(jīng)常維修。為了改良這些缺點(diǎn)，以電力電子為基礎(chǔ)的新一代大功率電力設(shè)備應(yīng)運(yùn)而生。碳化硅等新世代組件，則是在背后促成這股電力設(shè)備電子化不可或缺的功臣
2021-09-23 15:02:11
碳化硅 (SiC) 是一種下一代材料，可以顯著降低功率損耗并實現(xiàn)更高的功率密度、電壓、溫度和頻率，同時減少散熱。高溫可操作性降低了冷卻系統(tǒng)的復(fù)雜性，從而降低了電源系統(tǒng)的整體架構(gòu)。與過去幾十年相比
2022-06-13 11:27:24
，獲得華大半導(dǎo)體有限公司投資，創(chuàng)能動力致力于開發(fā)以硅和碳化硅為基材的功率電子器件、功率模塊，并商品化提供解決方案。碳化硅使用在氮化鎵電源中，可實現(xiàn)相比硅元器件更高的工作溫度，實現(xiàn)雙倍的功率密度，更小
2023-02-22 15:27:51
和分析，為滿足不同的市場需求，基本半導(dǎo)體為圖騰柱無橋PFC這一硬開關(guān)拓?fù)湓O(shè)計了能同時兼顧效率與性價比的混合碳化硅分立器件，同時也提供了更高效率的全碳化硅 MOSFET方案?！ ?4 對比測試 這里
2023-02-28 16:48:24
明白碳化硅MOSFET其中好處之一，這個個參數(shù)是導(dǎo)通電阻 RDS（on）。在芯片溫度100°C 時，CoolSiC有較低的倍增系數(shù)（multiplication factor，K），約為 1.13，而
2023-03-14 14:05:02
本方案利用新一代1000V、65毫歐4腳TO247封裝碳化硅(SiC)MOSFET(C3M0065100K)實現(xiàn)了高頻LLC諧振全橋隔離變換器，如圖所示。由于碳化硅的高阻斷電壓, 快速開關(guān)及低損耗等
2016-08-05 14:32:43
導(dǎo) 讀 追求更低損耗、更高可靠性、更高性價比是碳化硅功率器件行業(yè)的共同目標(biāo)。為不斷提升產(chǎn)品核心競爭力，基本半導(dǎo)體成功研發(fā)第三代碳化硅肖特基二極管，這是基本半導(dǎo)體系列標(biāo)準(zhǔn)封裝碳化硅肖特基二極管
2023-02-28 17:13:35
用碳化硅MOSFET設(shè)計一個雙向降壓-升壓轉(zhuǎn)換器
2021-02-22 07:32:40
采用溝槽型、低導(dǎo)通電阻碳化硅MOSFET芯片的半橋功率模塊系列 產(chǎn)品型號 BMF600R12MCC4 BMF400R12MCC4 汽車級全碳化硅半橋MOSFET模塊Pcore2
2023-02-27 11:55:35
，極大地提高模塊工作的可靠性。此外，鋁帶、銅帶連接工藝因其更大的截流能力、更好的功率循環(huán)以及散熱能力，也有望為碳化硅提供更佳的解決方案。圖 11 所示分別為銅鍵合線、銅帶連接方式。錫片或錫膏常用于芯片
2023-02-22 16:06:08
新型材料鋁碳化硅解決了封裝中的散熱問題，解決各行業(yè)遇到的各種芯片散熱問題，如果你有類似的困惑，歡迎前來探討，鋁碳化硅做封裝材料的優(yōu)勢它有高導(dǎo)熱，高剛度，高耐磨，低膨脹，低密度，低成本，適合各種產(chǎn)品的IGBT。我西安明科微電子材料有限公司的趙昕。歡迎大家有問題及時交流，謝謝各位！
2016-10-19 10:45:41
10μs，在設(shè)計硅IGBT的短路保護(hù)電路時，建議將短路保護(hù)的檢測延時和相應(yīng)時間設(shè)置在5-8μs較為合適?！ ?）碳化硅MOSFET 一般碳化硅MOSFET模塊短路承受能力小于5μs，要求短路保護(hù)在3
2023-02-27 16:03:36
碳化硅（SiC）等寬帶隙技術(shù)為功率轉(zhuǎn)換器設(shè)計人員開辟了一系列新的可能性。與現(xiàn)有的IGBT器件相比，SiC顯著降低了導(dǎo)通和關(guān)斷損耗，并改善了導(dǎo)通和二極管損耗。對其開關(guān)特性的仔細(xì)分析表明，SiC
2023-02-22 16:34:53
面向電動汽車的全新碳化硅功率模塊 碳化硅在電動汽車應(yīng)用中代表著更高的效率、更高的功率密度和更優(yōu)的性能，特別是在800 V 電池系統(tǒng)和大電池容量中，它可提高逆變器的效率，從而延長續(xù)航里程或降低電池成本
2021-03-27 19:40:16
是寬禁帶半導(dǎo)體材料的一種，主要特點(diǎn)是高熱導(dǎo)率、高飽和以及電子漂移速率和高擊場強(qiáng)等，因此被應(yīng)用于各種半導(dǎo)體材料當(dāng)中，碳化硅器件主要包括功率二極管和功率開關(guān)管。功率二極管包括結(jié)勢壘肖特基（JBS）二極管
2023-02-20 15:15:50
最近需要用到干法刻蝕技術(shù)去刻蝕碳化硅，采用的是ICP系列設(shè)備，刻蝕氣體使用的是SF6+O2，碳化硅上面沒有做任何掩膜，就是為了去除SiC表面損傷層達(dá)到表面改性的效果。但是實際刻蝕過程中總是會在碳化硅
2022-08-31 16:29:50
越長，損失的功率就越多。圖 2：MOSFET 導(dǎo)通特性和米勒高原當(dāng)碳化硅MOSFET開關(guān)時，柵源電壓（V 一般事務(wù)人員 ） 通過門到源閾值 （V 總金 ），鉗位在米勒平臺電壓（V PLT ），并且停留在
2022-11-02 12:02:05
Littelfuse公司是全球電路保護(hù)領(lǐng)域的領(lǐng)先企業(yè)，日前宣布作為公司強(qiáng)力進(jìn)軍工業(yè)和汽車用功率半導(dǎo)體元件市場戰(zhàn)略的一項舉措，Littelfuse對碳化硅技術(shù)研發(fā)領(lǐng)域的初創(chuàng)公司Monolith
2015-12-22 11:04:2211058 作為碳化硅技術(shù)全球領(lǐng)先企業(yè)的科銳（Cree Inc．， 美國納斯達(dá)克上市代碼：CREE）公司，于近日宣布推出Wolfspeed 650V碳化硅MOSFET產(chǎn)品組合，適用于更廣闊的工業(yè)應(yīng)用，助力新一代電動汽車車載充電、數(shù)據(jù)中心和其它可再生能源系統(tǒng)應(yīng)用，提供業(yè)界領(lǐng)先的功率效率。
2020-04-02 15:37:564450 7月29日，基本半導(dǎo)體碳化硅功率模塊裝車測試發(fā)車儀式在深圳成功舉行，搭載自主研發(fā)碳化硅模塊的測試車輛正式啟程。
2021-07-30 15:55:332145 
，基本半導(dǎo)體總經(jīng)理和巍巍博士發(fā)布了汽車級全碳化硅模塊、第三代碳化硅肖特基二極管、混合碳化硅分立器件三大系列碳化硅新品。至此基本半導(dǎo)體產(chǎn)品布局進(jìn)一步完善，產(chǎn)品競爭力再度提升，將助力國內(nèi)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)進(jìn)一步發(fā)展?；景雽?dǎo)體的碳化硅
2021-11-29 14:54:089429 
本期Digi-Key Daily向大家推介兩款產(chǎn)品：TDK-Lambda CUS350MP-1000醫(yī)療和工業(yè)電源和Wolfspeed WolfPACK碳化硅功率模塊。
2022-08-04 09:51:112599 碳化硅的電阻率。碳化硅的電阻率隨溫度的變化而改變，但在一定的溫度范圍內(nèi)與金屬的電阻溫度特性相反。碳化硅的電阻率與溫度的關(guān)系更為復(fù)雜。碳化硅的導(dǎo)電率隨溫度升高到一定值時出現(xiàn)峰值，繼續(xù)升高溫度，導(dǎo)電率又會下降。
2023-02-03 09:31:236555 碳化硅技術(shù)壁壘分析：碳化硅技術(shù)壁壘是什么 碳化硅技術(shù)壁壘有哪些 碳化硅芯片不僅是一個新風(fēng)口，也是一個很大的挑戰(zhàn)，那么我們來碳化硅技術(shù)壁壘分析下碳化硅技術(shù)壁壘是什么？碳化硅技術(shù)壁壘有哪些？ 1
2023-02-03 15:25:165682 
高技術(shù)耐火原料中，碳化硅為應(yīng)用最廣泛、最經(jīng)濟(jì)的一種，可以稱為金鋼砂或耐火砂。中國工業(yè)生產(chǎn)的碳化硅分為黑色碳化硅和綠色碳化硅兩種，均為六方晶體，比重為3.20～3.25。
2023-02-03 16:11:355708 什么是第三代半導(dǎo)體？我們把SiC碳化硅功率器件和氮化鎵功率器件統(tǒng)稱為第三代半導(dǎo)體，這個是相對以硅基為核心的第二代半導(dǎo)體功率器件的。今天我們著重介紹SiC碳化硅功率器件，也就是SiC碳化硅二極管
2023-02-21 10:16:473720 汽車碳化硅模塊是一種用于汽車電力傳動系統(tǒng)的電子器件，由多個碳化硅芯片、散熱器、絕緣材料和連接件等組成。碳化硅芯片作為模塊的核心部件，采用現(xiàn)代半導(dǎo)體技術(shù)制造而成，可以實現(xiàn)高功率、高效率、高頻率的控制和開關(guān)，適用于電動車的逆變器、充電器、DC-DC轉(zhuǎn)換器等多種應(yīng)用。
2023-02-25 15:03:224048 首先，讓我們簡要介紹一下碳化硅到底是什么，以及它與傳統(tǒng)硅的一些不同之處。關(guān)于SiC的一個有趣的事實是，碳化硅的碳化物成分不是天然存在的物質(zhì)。事實上，碳化物最初是從隕石的碎片中發(fā)現(xiàn)的。其獨(dú)特的性能非常有前途，以至于今天，我們合成了用于碳化硅功率產(chǎn)品的硬質(zhì)合金。
2023-05-20 17:00:091468 讀者的持續(xù)關(guān)注。 一、簡介 二、碳化硅功率器件產(chǎn)業(yè)鏈 三、碳化硅功率器件產(chǎn)業(yè)鏈上游 四、碳化硅功率器件設(shè)計 五、碳化硅功率器件制造 六、碳化硅功率器件的應(yīng)用與市場 01 | 碳化硅功率器件的應(yīng)用 目前市場上常見的碳化硅功率器
2023-05-31 09:43:201105 碳化硅MOSFET什么意思 碳化硅MOSFET是一種新型的功率半導(dǎo)體器件，其中"MOSFET"表示金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管，"碳化硅"指的是其材料。碳化硅
2023-06-02 15:33:152612 碳化硅具備耐高壓、耐高溫、高頻、抗輻射等優(yōu)良電氣特性，突破硅基半導(dǎo)體材料物理限制，是第三代半導(dǎo)體核心材料。碳化硅材料主要可以制成碳化硅基氮化鎵射頻器件和碳化硅功率器件。受益于5G通信、國防軍工、新能源汽車和新能源光伏等領(lǐng)域的發(fā)展，碳化硅需求增速可觀。
2023-08-19 11:45:224787 ? 隨著新能源汽車的快速發(fā)展，碳化硅功率器件在新能源汽車領(lǐng)域中的應(yīng)用也越來越多。碳化硅功率器件相比傳統(tǒng)的硅功率器件具有更高的工作溫度、更高的能耗效率、更高的開關(guān)速度和更小的尺寸等優(yōu)點(diǎn)，因此在新能源
2023-09-05 09:04:423465 MOSFET也已經(jīng)發(fā)展到了第3代，新推出的650V和1200V電壓產(chǎn)品現(xiàn)已量產(chǎn)。其柵極驅(qū)動電路設(shè)計簡單，可靠性得到進(jìn)一步的提高。 碳化硅MOSFET的優(yōu)勢 相同功率等級的硅MOSFET相比，新一代碳化硅MOSFET導(dǎo)通電阻、開關(guān)損耗大幅降低，適用于更高的工作頻率，
2023-10-17 23:10:021787 
隨著科技的快速發(fā)展，碳化硅（SiC）功率器件作為一種先進(jìn)的電力電子設(shè)備，已經(jīng)廣泛應(yīng)用于能源轉(zhuǎn)換、電機(jī)控制、電網(wǎng)保護(hù)等多個領(lǐng)域。本文將詳細(xì)介紹碳化硅功率器件的原理、應(yīng)用、技術(shù)挑戰(zhàn)以及未來發(fā)展趨勢。
2023-12-16 10:29:202172 碳化硅在溫度傳感器中的應(yīng)用? 碳化硅 (SiC) 是一種廣泛應(yīng)用于溫度傳感器中的材料。由于其出色的耐高溫和抗腐蝕能力，碳化硅成為了各種工業(yè)和高溫環(huán)境下的溫度測量領(lǐng)域中的首選材料。在本文中，我們將討論
2023-12-19 11:48:301635 碳化硅功率器件的實用性不及硅基功率器件嗎? 碳化硅功率器件相較于傳統(tǒng)的硅基功率器件具有許多優(yōu)勢，主要體現(xiàn)在以下幾個方面：材料特性、功率密度、溫度特性和開關(guān)速度等。盡管碳化硅功率器件還存在一些挑戰(zhàn)，但
2023-12-21 11:27:091237 碳化硅（SiC）是一種優(yōu)良的寬禁帶半導(dǎo)體材料，具有高擊穿電場、高熱導(dǎo)率、低介電常數(shù)等特點(diǎn)，因此在高溫、高頻、大功率應(yīng)用領(lǐng)域具有顯著優(yōu)勢。碳化硅功率器件是利用碳化硅材料制成的電力電子器件，主要包括
2024-01-09 09:26:494326 碳化硅（SiC）是一種寬禁帶半導(dǎo)體材料，具有高熱導(dǎo)率、高擊穿場強(qiáng)、高飽和電子漂移速率和高鍵合能等優(yōu)點(diǎn)。由于這些優(yōu)異的性能，碳化硅在電力電子、微波射頻、光電子等領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用前景。然而，由于碳化硅
2024-01-11 17:33:141646 
在電力電子領(lǐng)域持續(xù)創(chuàng)新的英飛凌科技股份公司近日宣布，其已成功推出新一代碳化硅（SiC）MOSFET溝槽柵技術(shù)——CoolSiC? MOSFET Generation 2。這一創(chuàng)新技術(shù)的推出，標(biāo)志著功率系統(tǒng)和能量轉(zhuǎn)換領(lǐng)域迎來了新的里程碑，為行業(yè)的低碳化進(jìn)程注入了強(qiáng)大動力。
2024-03-12 09:43:291432 在全球電力電子領(lǐng)域，英飛凌科技以其卓越的技術(shù)創(chuàng)新能力和領(lǐng)先的產(chǎn)品質(zhì)量贏得了廣泛贊譽(yù)。近日，該公司宣布推出新一代碳化硅（SiC）MOSFET溝槽柵技術(shù)，標(biāo)志著功率系統(tǒng)和能量轉(zhuǎn)換領(lǐng)域邁入了新的發(fā)展階段。
2024-03-12 09:53:521337 隨著新能源汽車產(chǎn)業(yè)的蓬勃發(fā)展，功率密度的不斷提升與服役條件的日趨苛刻給車載功率模塊封裝技術(shù)帶來了更嚴(yán)峻的挑戰(zhàn)。碳化硅憑借其優(yōu)異的材料特性，成為了下一代車載功率芯片的理想選擇。同時，高溫、高壓、大電流
2024-07-18 15:26:051199 
在近日于深圳國際會展中心盛大舉行的PCIM Asia 2024展會上，愛仕特科技以其突破性創(chuàng)新震撼全場，正式發(fā)布了新一代超低電感LPD系列碳化硅功率模塊。這款模塊的問世，標(biāo)志著功率半導(dǎo)體領(lǐng)域在降低雜散電感、提升能效方面邁出了重要一步。
2024-09-03 15:11:371179 碳化硅（SiC）功率器件是一種基于碳化硅半導(dǎo)體材料的電力電子器件，近年來在功率電子領(lǐng)域迅速嶄露頭角。與傳統(tǒng)的硅（Si）功率器件相比，碳化硅器件具有更高的擊穿電場、更高的熱導(dǎo)率、更高的飽和電子漂移速度以及更高的工作溫度等優(yōu)勢，因此在高壓、高頻和高溫等苛刻條件下表現(xiàn)優(yōu)異。
2024-09-11 10:25:441708 
隨著全球能源結(jié)構(gòu)的轉(zhuǎn)型和電力電子技術(shù)的飛速發(fā)展，碳化硅（SiC）功率器件作為新一代半導(dǎo)體材料，正逐漸成為電力電子領(lǐng)域的璀璨明星。其獨(dú)特的物理和化學(xué)屬性，使得碳化硅功率器件在耐壓、導(dǎo)通電阻、工作溫度和開關(guān)速度等方面均展現(xiàn)出顯著優(yōu)勢，為電動汽車、可再生能源、軌道交通等領(lǐng)域帶來了革命性的變革。
2024-09-11 10:41:121244 碳化硅（SiliconCarbide，簡稱SiC）功率器件是近年來電力電子領(lǐng)域的一項革命性技術(shù)。與傳統(tǒng)的硅基功率器件相比，碳化硅功率器件在性能和效率方面具有顯著優(yōu)勢。本文將深入探討碳化硅功率器件的基本原理、優(yōu)點(diǎn)、應(yīng)用領(lǐng)域及其發(fā)展前景。
2024-09-11 10:44:301739 
全球領(lǐng)先的芯片制造商 Wolfspeed 近日宣布了一項重大技術(shù)創(chuàng)新，成功推出了一款專為可再生能源、儲能系統(tǒng)以及高容量快速充電領(lǐng)域設(shè)計的碳化硅模塊。這款模塊以 Wolfspeed 最尖端的 200 毫米碳化硅晶片為核心，實現(xiàn)了前所未有的性能飛躍。
2024-09-12 17:13:321309 碳化硅（SiC）功率器件近年來在電力電子領(lǐng)域取得了顯著的關(guān)注和發(fā)展。相比傳統(tǒng)的硅（Si）基功率器件，碳化硅具有許多獨(dú)特的優(yōu)點(diǎn)，使其在高效能、高頻率和高溫環(huán)境下的應(yīng)用中具有明顯的優(yōu)勢。本文將探討碳化硅功率器件的原理、優(yōu)勢、應(yīng)用及其未來的發(fā)展前景。
2024-09-13 11:00:371836 
近日，博世汽車電子中國區(qū)（ME-CN）在蘇州五廠建成碳化硅（SiC）功率模塊生產(chǎn)基地，并于2025年1月成功下線首批產(chǎn)品。這標(biāo)志著博世在全球碳化硅功率模塊制造領(lǐng)域邁出了重要一步，也進(jìn)一步提升了本土市場的響應(yīng)速度，增強(qiáng)了博世智能出行集團(tuán)的競爭力。
2025-03-06 18:09:291115 在3月17日的超級e平臺技術(shù)發(fā)布會上，比亞迪發(fā)布了劃時代超級e平臺，推出閃充電池、3萬轉(zhuǎn)電機(jī)和全新一代車規(guī)級碳化硅功率芯片，核心三電全維升級，搭配全球首個電動車全域千伏架構(gòu)，刷新多項全球之最。
2025-03-24 17:10:051601 近日，全球電力電子領(lǐng)域的“頂流”盛會——PCIM Europe 2025在德國紐倫堡會展中心盛大開幕?；景雽?dǎo)體攜全系列碳化硅功率器件及門極驅(qū)動解決方案盛裝亮相，并隆重發(fā)布新一代碳化硅MOSFET
2025-05-09 09:19:101116 
國產(chǎn)SiC模塊全面取代進(jìn)口IGBT模塊的必然性 ——傾佳電子楊茜 BASiC基本半導(dǎo)體一級代理傾佳電子（Changer Tech）-專業(yè)汽車連接器及功率半導(dǎo)體(SiC碳化硅MOSFET單管，SiC
2025-05-18 14:52:081324 
傾佳電子（Changer Tech）-專業(yè)汽車連接器及功率半導(dǎo)體(SiC碳化硅MOSFET單管，SiC碳化硅MOSFET模塊，碳化硅SiC-MOSFET驅(qū)動芯片，SiC功率模塊驅(qū)動板，驅(qū)動IC
2025-06-24 17:26:28493 基本半導(dǎo)體推出62mm封裝的1200V工業(yè)級碳化硅MOSFET半橋模塊，產(chǎn)品采用新一代碳化硅MOSFET芯片技術(shù)，在保持傳統(tǒng)62mm封裝尺寸優(yōu)勢的基礎(chǔ)上，通過創(chuàng)新的模塊設(shè)計顯著降低了模塊雜散電感，使碳化硅MOSFET的高頻性能得到更充分發(fā)揮。
2025-09-15 16:53:03981 
博世為智能出行領(lǐng)域提供全面的碳化硅功率半導(dǎo)體產(chǎn)品組合，包括用于逆變器、車載充電器和直流/直流轉(zhuǎn)換器的碳化硅功率MOSFET和碳化硅功率模塊。這些解決方案已面向全球整車廠、一級供應(yīng)商以及分銷商，產(chǎn)品
2025-12-12 14:14:06565 基于SiC碳化硅功率器件的一級能效超大功率充電樁電源模塊深度報告 傾佳電子（Changer Tech）是一家專注于功率半導(dǎo)體和新能源汽車連接器的分銷商。主要服務(wù)于中國工業(yè)電源、電力電子設(shè)備和新能源
2025-12-14 07:32:011375 
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