IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)是絕緣柵雙極晶體管的簡(jiǎn)稱，其由雙極結(jié)型晶體管(BJT)和金屬氧化物場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)組成，是一種復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式開關(guān)功率半導(dǎo)體器件，是實(shí)現(xiàn)電能轉(zhuǎn)換的核心器件，也是目前MOS-雙極型功率器件的主要發(fā)展方向之一。
2023-09-22 16:54:10
18540 
大電流 Si IGBT 和小電流 SiC MOSFET 兩者并聯(lián)形成的混合器件實(shí)現(xiàn)了功率器件性能和成本的折衷。 但是SIC MOS和Si IGBT的器件特性很大不同。為了盡可能在不同工況下分別利用
2025-01-21 11:03:572639 
我國(guó)擁有著最大的功率半導(dǎo)體市場(chǎng)，國(guó)內(nèi)廠商在IGBT等高端器件在技術(shù)上與國(guó)際大公司相比還有著一些差距。從市場(chǎng)上看，雖然英飛凌、 三菱和富士電機(jī)等國(guó)際廠商目前占有絕對(duì)的市場(chǎng)優(yōu)勢(shì)，但國(guó)內(nèi)IGBT也在國(guó)產(chǎn)進(jìn)程中呈顯出強(qiáng)勢(shì)崛起的姿態(tài)。
2021-10-09 08:00:004827 IGBT功率模塊是電壓型控制，輸入阻抗大，驅(qū)動(dòng)功率小，控制電路簡(jiǎn)單，開關(guān)損耗小，通斷速度快，工作頻率高，元件容量大等優(yōu)點(diǎn)。
2020-03-24 09:01:13
和可靠性，因此。如何選擇斬波電路和斬波器件十分重要。IGBT是近代新發(fā)展起來的全控型功率半導(dǎo)體器件，它是由MOSFET（場(chǎng)效應(yīng)晶體管）與GTR（大功率達(dá)林頓晶體管）結(jié)合，并由前者擔(dān)任驅(qū)動(dòng)，因此具有
2018-10-17 10:05:39
回顧一下IGBT的工作原理，首先Gate控制MOSFET導(dǎo)通，產(chǎn)生Drain-to-Source的電流，而這個(gè)電流同時(shí)也是BJT的基區(qū)電流(Ib)，而Ib*Rb就是BJT的Vbe，所以只要
2023-02-08 16:50:03
社區(qū)有關(guān)于器件 SPICE model建模的嗎，如LDMOS、VDMOS、IGBT、SiC功率器件spice model？可以相互討論一下，或者有建模需求的也可以溝通。
2024-04-12 22:37:02
對(duì)于常見功率器件，整流橋，電解電容，IGBT，MOS管，這些功率器件的熱損耗功率該怎么計(jì)算？
尤其是電解電容，在母線支撐電路中，受到母線電壓跌落幅值的影響功率損耗很大，所以在常規(guī)的380V變頻器電解電容選型中，以輸出電流為準(zhǔn)，多少A的電流應(yīng)該配備多大容量的電解電容？
2024-06-12 16:44:14
【作者】：王丹;關(guān)艷霞;【來源】：《電子設(shè)計(jì)工程》2010年02期【摘要】：介紹功率器件的發(fā)展情況,隨后分析比較SJMOSFET與FS-IGBT兩種器件的工作原理及其性能特征,SJMOS-FET具有
2010-04-24 09:01:39
現(xiàn)有國(guó)產(chǎn)IGBT免費(fèi)申請(qǐng)送樣，規(guī)格1200V/25A，試用后只需提供試用報(bào)告即可。有需要的請(qǐng)與我聯(lián)系。hyngng@yahoo.com.cn
2011-05-04 10:30:53
FHT4644國(guó)產(chǎn)替代必然性崛起你還不來了解一下芯片這些事嗎 國(guó)產(chǎn)芯片崛起，讓國(guó)內(nèi)發(fā)展環(huán)境變得更加穩(wěn)定，國(guó)產(chǎn)芯片F(xiàn)HT4644通過性能實(shí)驗(yàn)測(cè)試，更高效。實(shí)驗(yàn)室常溫條件下，實(shí)測(cè)數(shù)據(jù)，輸出電流Iout
2024-06-24 17:38:06
性能。過流、過熱和欠壓檢測(cè)是IPM中常見的三種自我保護(hù)功能。在本文中，我們將介紹該技術(shù)的一些基本概念，并了解IPM如何從可用的IGBT器件中獲得最佳性能?！ ?b class="flag-6" style="color: red">功率 BJT、MOSFET 和 IGBT
2023-02-24 15:29:54
IGBT(絕緣柵雙極型晶體管），是由 BJT(雙極結(jié)型晶體三極管) 和 MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管) 組成的復(fù)合全控型-電壓驅(qū)動(dòng)式-功率半導(dǎo)體器件,其具有自關(guān)斷的特征。簡(jiǎn)單講，是一個(gè)非通即斷的開關(guān)
2019-07-16 07:30:00
作為國(guó)家科技重大專項(xiàng)——智能電網(wǎng)高壓芯片封裝與模塊技術(shù)研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目的中國(guó)北車永濟(jì)電機(jī)公司以其研制的3300V IGBT器件產(chǎn)品，日前中標(biāo)國(guó)家智能電網(wǎng)項(xiàng)目，成為我國(guó)首個(gè)高壓大功率IGBT產(chǎn)品批量
2015-01-30 10:18:37
所在各類半導(dǎo)體功率器件中，未來增長(zhǎng)強(qiáng)勁的產(chǎn)品將是 MOSFET 與 IGBT 模塊。目前，全球功率半導(dǎo)體市場(chǎng)仍由歐美日企業(yè)主導(dǎo)，其中英飛凌以 19%的市占率占據(jù)絕對(duì)領(lǐng)先地位。全球功率半導(dǎo)體前十名供應(yīng)商
2022-11-11 11:50:23
按照大
功率 igbt 驅(qū)動(dòng)保護(hù)電路能夠完成的功能來分類，可以將大
功率 igbt 驅(qū)動(dòng)保護(hù)電 路分為以下三種類型：?jiǎn)我还δ苄?，多功能型，全功能型?/div>
2019-11-07 09:02:20
電力電子技術(shù)在當(dāng)今急需節(jié)能降耗的工業(yè)領(lǐng)域里起到了不可替代的作用;而igbt在諸如變頻器、大功率開關(guān)電源等電力電子技術(shù)的能量變換與管理應(yīng)用中，越來越成為各種主回路的首選功率開關(guān)器件，因此如何安全可靠
2021-04-06 14:38:18
大功率開關(guān)電源常用元器件知識(shí)之 IGBT和IPM及其應(yīng)用電路資料來自網(wǎng)絡(luò)資源分享
2021-06-01 18:37:04
測(cè)量和校核開關(guān)電源、電機(jī)驅(qū)動(dòng)以及一些電力電子變換器的功率器件結(jié)溫，如 MOSFET 或 IGBT 的結(jié)溫，是一個(gè)不可或缺的過程，功率器件的結(jié)溫與其安全性、可靠性直接相關(guān)。測(cè)量功率器件的結(jié)溫常用二種方法：
2021-03-11 07:53:26
尋求國(guó)產(chǎn)器件推薦，工作溫區(qū)在-55～150℃，壓力100kPa～35MPa之間絕壓，表壓都有需求
2022-08-18 10:06:13
電動(dòng)汽車、風(fēng)能/太陽能逆變等所需的核心器件。2、IGBT特性簡(jiǎn)介圖 1 功率MOSFET和IGBT結(jié)構(gòu)示意圖IGBT是通過在功率MOSFET的漏極上追加一層P+層而構(gòu)成的，其理想等效電路如下圖所示：圖 2
2015-12-24 18:13:54
我的IGBT輸出正常，為什么經(jīng)過了升壓變壓器后就功率衰減很厲害。IGBT輸出有120KW，經(jīng)過變壓器后僅有60KW，查了很久，都沒發(fā)現(xiàn)這60KW的功率損耗到了哪里？并且就算是損耗，我認(rèn)為也不會(huì)有器件能承受得這60kw的功率，這種是什么情況呢。阻抗匹配嗎？
2012-08-15 09:36:35
IGBT（Insulated-Gate Bipolar Transistor）是電源應(yīng)用中相當(dāng)常見的器件，可用于交流電的電機(jī)控制輸出。由安森美半導(dǎo)體（ON Semiconductor）所推出
2019-07-18 06:12:00
功率器件包括功率 IC 和功率分立器件，功率分立器件則主要包括功率MOSFET、大功率晶體管和IGBT 等半導(dǎo)體器件，功率器件幾乎用于所有的電子制造業(yè)，所應(yīng)用的產(chǎn)品包括計(jì)算機(jī)領(lǐng)
2009-04-27 17:04:38
24 IGBT和MOSFET器件的隔離驅(qū)動(dòng)技術(shù):介紹了絕緣柵大功率器件各種不同的驅(qū)動(dòng)技術(shù)以及當(dāng)前市場(chǎng)上的各類成品驅(qū)動(dòng)器的性能特點(diǎn)。關(guān)鍵詞院MOSFET IGBT 隔離驅(qū)動(dòng) 光電耦合器 脈沖變壓器
2009-06-20 08:37:4656 HUSTEC華科智源HUSTEC-1600A-MTIGBT功率器件測(cè)試儀 一：IGBT功率器件測(cè)試儀主要特點(diǎn)華科智源HUSTEC-1600A-MT靜態(tài)測(cè)試儀可用
2024-11-11 09:39:15
IGBT高壓大功率驅(qū)動(dòng)和保護(hù)電路的應(yīng)用及原理
通過對(duì)功率器件IGBT的工作特性分析、驅(qū)動(dòng)要求和保護(hù)方法等討
2009-10-09 09:56:012995 
絕緣柵雙極晶體管(IGBT),IGBT是什么意思
IGBT(InsulatedGateBipolarTransistor)是MOS結(jié)構(gòu)雙極器件，屬于具有功率MOSFET的高速性能與雙極的低電阻性能的功率器件
2010-03-04 15:54:155131 英飛凌RC-D功率開關(guān)器件系列在單一芯片上融合了市場(chǎng)領(lǐng)先的英飛凌專有技術(shù)TrenchSTOP? IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)和續(xù)流二極管，具有很低的開關(guān)損耗和傳導(dǎo)損耗，并且減小了永磁電機(jī)驅(qū)
2011-05-31 09:00:422070 《IGBT場(chǎng)效應(yīng)半導(dǎo)體功率器件導(dǎo)論》以新一代半導(dǎo)體功率器件IGBT為主線，系統(tǒng)地論述了場(chǎng)效應(yīng)半導(dǎo)體功率器件的基礎(chǔ)理論和工藝制作方面的知識(shí)，內(nèi)容包括器件的原理、模型、設(shè)計(jì)、制
2011-11-09 18:03:370 功率器件，如IGBT，Power MOSFET和Bipolar Power Transistor等等，都需要有充分的保護(hù)，以避免如欠壓，缺失飽和，米勒效應(yīng)，過載，短路等條件所造成的損害。這里介紹了為何光耦柵極驅(qū)動(dòng)器能
2012-11-26 14:43:4013235 IGBT等功率器件的技巧。 1、如何避免米勒效應(yīng)？ IGBT操作時(shí)所面臨的問題之一是米勒效應(yīng)的寄生電容。這種效果是明顯的在0到15V類型的門極驅(qū)動(dòng)器（單電源驅(qū)動(dòng)器）。門集-電極之間的耦合，在于IGBT關(guān)斷期間，高dV/dt瞬態(tài)可誘導(dǎo)寄生IGBT道通（門集電壓尖峰），這是潛在的危險(xiǎn)。 當(dāng)上半橋的I
2017-10-26 16:52:4614 楊繼業(yè)告訴記者，我國(guó)功率半導(dǎo)體與國(guó)外IDM廠商相比在設(shè)備投入上還有待加強(qiáng)，在器件設(shè)計(jì)、工藝技術(shù)方面仍有差距，供應(yīng)鏈也不夠完善。究其原因，一是作為后進(jìn)者，國(guó)內(nèi)IGBT缺乏時(shí)間考驗(yàn)來建立品牌效應(yīng);二是
2018-02-19 03:24:006640 本文研究了逆變器核心開關(guān)器件IGBT主要參數(shù)的選擇， 分析三相逆變電路拓?fù)浼?b class="flag-6" style="color: red">功率器件IGBT的應(yīng)用特點(diǎn)，根據(jù)其特點(diǎn)選擇合適額定電壓，額定電流和開關(guān)參數(shù)。以及優(yōu)化設(shè)計(jì)柵電壓，克服Miller效應(yīng)的影響，確保在IGBT應(yīng)用過程中的可靠性。
2019-07-17 08:45:348608 
總而言之，在IGBT關(guān)鍵技術(shù)和工藝上國(guó)內(nèi)廠商仍面臨不小的挑戰(zhàn)，特別是在減薄工藝、背面工藝等大功率器件技術(shù)難題上，仍要經(jīng)受巨大的設(shè)備投入和技術(shù)成熟度考驗(yàn)。不過，在政策利好和新能源汽車市場(chǎng)的促進(jìn)下，國(guó)產(chǎn)
2019-10-18 08:39:255934 簡(jiǎn)單講，是一個(gè)非通即斷的開關(guān)，IGBT沒有放大電壓的功能，導(dǎo)通時(shí)可以看做導(dǎo)線，斷開時(shí)當(dāng)做開路。IGBT融合了BJT和MOSFET的兩種器件的優(yōu)點(diǎn)，如驅(qū)動(dòng)功率小和飽和壓降低等。
2020-06-05 11:33:1720831 
電力電子器件（Power Electronic Device），又稱為功率半導(dǎo)體器件，用于電能變換和電能控制電路中的大功率（通常指電流為數(shù)十至數(shù)千安，電壓為數(shù)百伏以上）電子器件?？梢苑譃榘肟匦?b class="flag-6" style="color: red">器件
2022-12-08 14:48:341906 簡(jiǎn)單講，是一個(gè)非通即斷的開關(guān)，IGBT沒有放大電壓的功能，導(dǎo)通時(shí)可以看做導(dǎo)線，斷開時(shí)當(dāng)做開路。IGBT融合了BJT和MOSFET的兩種器件的優(yōu)點(diǎn)，如驅(qū)動(dòng)功率小和飽和壓降低等。
2020-10-12 17:48:494809 
前言： 隨著全球制造業(yè)向中國(guó)的轉(zhuǎn)移，我國(guó)功率半導(dǎo)體市場(chǎng)占世界市場(chǎng)的50％以上，是全球最大的IGBT市場(chǎng)。 但IGBT產(chǎn)品嚴(yán)重依賴進(jìn)口，在中高端領(lǐng)域更是90％以上的IGBT器件依賴進(jìn)口，IGBT國(guó)產(chǎn)
2020-10-19 16:56:389945 除了IGBT外，功率半導(dǎo)體元器件（晶體管領(lǐng)域）的代表產(chǎn)品還有MOSFET、BIPOLAR等，它們主要被用作半導(dǎo)體開關(guān)。
2021-05-24 06:07:0016855 
近些年是國(guó)內(nèi)功率半導(dǎo)體器件迅猛發(fā)展的良好時(shí)機(jī)，國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體企業(yè)在MOSFET ，IGBT及SiC等產(chǎn)品領(lǐng)域的優(yōu)秀表現(xiàn)吸引了越來越多的電力電子產(chǎn)品大廠的關(guān)注和應(yīng)用。絕緣柵雙極型晶體管IGBT
2020-12-04 10:41:496972 和欠壓檢測(cè)是IPM中常見的三種自保護(hù)功能。在本文中，我們將研究該技術(shù)的一些基本概念，并了解IPM如何從可用的IGBT器件中提取最佳性能。 功率BJT，MOSFET和IGBT 功率BJT具有理想的導(dǎo)通狀態(tài)傳導(dǎo)性能；但是，它們是電流控制的設(shè)備，需要復(fù)雜的基礎(chǔ)驅(qū)動(dòng)電路。
2021-02-01 16:04:364505 
IGBT器件的大功率DCDC電源并聯(lián)技術(shù)(通信電源技術(shù)2019第七期)-該文檔為基于IGBT器件的大功率DCDC電源并聯(lián)技術(shù)總結(jié)文檔，是一份不錯(cuò)的參考資料，感興趣的可以下載看看
2021-09-22 12:39:1954 電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/李寧遠(yuǎn)）在上一期中，已經(jīng)提到作為一種功率半導(dǎo)體，IGBT應(yīng)用非常廣泛，小到家電、大到飛機(jī)、艦船、交通、電網(wǎng)等戰(zhàn)略性產(chǎn)業(yè)。IGBT已經(jīng)全面取代了傳統(tǒng)的Power MOSFET
2021-10-12 11:13:213548 據(jù)市場(chǎng)反饋，應(yīng)用于高壓的超結(jié)MOSFET和IGBT需求旺盛，安森美已經(jīng)停止了車用IGBT的接單，英飛凌、ST等IGBT交期超過了一年。根據(jù)富昌電子2022Q2市場(chǎng)行情報(bào)告，功率器件（MOSFET，IGBT）多數(shù)貨期在30~60周，且仍有上升的趨勢(shì)。
2022-07-28 09:24:444863 功率器件是電子裝置中電能轉(zhuǎn)換與電路控制的核心，主要包含二極管、晶閘管、MOSFET和IGBT等; 其中低頻的二極管、晶閘管主要用于整流，比如晶閘管主要用于直流輸電領(lǐng)域。 MOSFET高頻、功率低
2023-02-07 09:52:538671 IGBT在MOSFET基礎(chǔ)上升級(jí)，市場(chǎng)空間增速快。IGBT作為半導(dǎo)體功率器件中的全控器件，由BJT(雙極型三極管)和MOSFET(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)
管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件，有
2023-02-15 16:26:3241 1700V以下大功率IGBT智能驅(qū)動(dòng)模塊使用手冊(cè) （采用100%國(guó)產(chǎn)化元器件設(shè)計(jì)） 云南拓普科技出品的系列大功率IGBT智能驅(qū)動(dòng)模塊是特別為100%國(guó)產(chǎn)化需求企業(yè)推出的一款可靠、安全的高性能驅(qū)動(dòng)模塊
2023-02-16 15:01:5514 什么是IGBT 所謂IGBT(絕緣柵雙極型晶體管），是由 BJT(雙極結(jié)型晶體三極管) 和 MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管) 組成的復(fù)合全控型-電壓驅(qū)動(dòng)式-功率半導(dǎo)體器件其具有自關(guān)斷的特征。 簡(jiǎn)單講，是一
2023-02-22 15:01:420 說明：IGBT 功率器件損耗與好多因素相關(guān)，比如工作電流，電壓，驅(qū)動(dòng)電阻。在出設(shè)計(jì)之前評(píng)估電路的損耗有一定的必要性。在確定好功率器件的驅(qū)動(dòng)參數(shù)后（驅(qū)動(dòng)電阻大小，驅(qū)動(dòng)電壓等），開關(guān)器件的損耗基本上
2023-02-22 14:05:5411 IGBT功率模塊是電壓型控制，輸入阻抗大，驅(qū)動(dòng)功率小，控制電路簡(jiǎn)單，開關(guān)損耗小，通斷速度快，工作頻率高，元件容量大等優(yōu)點(diǎn)。實(shí)質(zhì)是個(gè)復(fù)合功率器件，它集雙極型功率晶體管和功率MOSFET的優(yōu)點(diǎn)于一體化。
2023-02-22 15:34:006030 
IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）是電力控制和電力轉(zhuǎn)換的核心器件，是由BJT（雙極型晶體管）和MOS（絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管）組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件，具有高輸入阻抗、低導(dǎo)通壓降、高速開關(guān)特性和低導(dǎo)通狀態(tài)損耗等特點(diǎn)，在較高頻率的大、中功率應(yīng)用中占據(jù)了主導(dǎo)地位。
2023-03-22 09:37:447702 IGBT是一種功率器件，在功率逆變器中承擔(dān)功率轉(zhuǎn)換和能量傳輸?shù)墓δ?。它是逆變器的心臟。同時(shí)，IGBT也是功率逆變器中最不可靠的元件之一。它對(duì)器件的溫度、電壓和電流非常敏感。稍有超出，就會(huì)變得無能
2023-03-30 10:29:456020 
三極管和絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管（MetalOxideSemiconductor，MOS）組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件,兼有（Metal-Oxide-Semi
2023-04-20 09:54:435886 
根據(jù)IGBT的產(chǎn)品分類來看，按照其封裝形式的不同，可分為IGBT分立器件、IPM模塊和IGBT模塊。
2023-07-22 16:09:304402 
森國(guó)科隆重推出IGBT分立器件新品，兼具功率MOSFET易于驅(qū)動(dòng)、控制簡(jiǎn)單、開關(guān)頻率高和功率雙極型晶體管(BJT)低飽和壓降、大電流運(yùn)輸能力及低損耗的優(yōu)點(diǎn)。
2023-07-26 17:34:131041 
摘要: 針對(duì)傳統(tǒng)結(jié)構(gòu)超結(jié) IGBT 器件在大電流應(yīng)用時(shí)的電導(dǎo)調(diào)制效應(yīng)較弱，削弱了 IGBT 器
件低飽和導(dǎo)通壓降優(yōu)點(diǎn)的問題，設(shè)計(jì)了 p 柱浮空的超結(jié) IGBT 器件 ( FP-SJ-IGBT
2023-08-08 10:20:000 功率半導(dǎo)體器件在現(xiàn)代電力控制和驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)中發(fā)揮著重要作用。IGBT模塊和IPM模塊是其中兩個(gè)最為常見的器件類型。它們都可以用于控制大功率負(fù)載和驅(qū)動(dòng)電機(jī)等應(yīng)用，但是它們的內(nèi)部結(jié)構(gòu)和功能有所不同，那么
2023-09-04 16:10:499953 功率器件IGBT是Insulated Gate Bipolar Transistor的縮寫。當(dāng)然功率半導(dǎo)體元件除了IGBT之外，還有MOSFET、BIPOLAR等，這些都能用來作為半導(dǎo)體開關(guān)，今天單說IGBT的工藝流程。
2023-09-07 09:55:524889 
IGBT 屬于功率半導(dǎo)體器件, 在新能源汽車領(lǐng)域, IGBT 作為電子控制系統(tǒng)和直流充電樁的核心器件, 直接影響電動(dòng)汽車的動(dòng)力釋放速度, 車輛加速能力和高速度.
2023-09-14 15:17:041487 IGBT模塊（Insulated Gate Bipolar Transistor Module）是一種集成了多個(gè)IGBT芯片、驅(qū)動(dòng)電路、保護(hù)電路等功能的模塊化電子元件。它是一種用于高功率電力電子設(shè)備中的半導(dǎo)體器件，常用于高壓、高電流的交流/直流變換器、逆變器和直流/直流變換器中。
2023-10-27 11:40:058990 
功率器件分為泛材類器件與IGBT器件兩類，IGBT器件是開關(guān)器件，優(yōu)勢(shì)在于體積小、壽命長(zhǎng)、可靠性高，現(xiàn)在市場(chǎng)上使用程度最大的是第4代器件，全球龍頭企業(yè)為英飛凌，其現(xiàn)在的IGBT器件為商業(yè)化的第七代，主要應(yīng)用于乘用車、光伏和風(fēng)電能源領(lǐng)域。
2023-11-08 11:49:331326 igbt芯片、igbt單管、igbt模塊、igbt器件等這些的區(qū)別是什么？ IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）是一種高壓、高電流功率半導(dǎo)體器件，常被用于
2023-11-10 14:26:284750 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《隔離驅(qū)動(dòng)IGBT等功率器件的技巧.doc》資料免費(fèi)下載
2023-11-14 14:21:591 。 在同期舉辦的2023電源行業(yè)配套品牌頒獎(jiǎng)晚會(huì)上，宏微科技憑借先進(jìn)的技術(shù)實(shí)力和創(chuàng)新的產(chǎn)品能力，榮獲“ 國(guó)產(chǎn)功率器件行業(yè)卓越獎(jiǎng) ”、 “ 功率器件-IGBT行業(yè)優(yōu)秀獎(jiǎng) ” 雙料大獎(jiǎng)。 世紀(jì)電源網(wǎng)是電源行業(yè)有影響力的技術(shù)交流 平 臺(tái)，此次評(píng)選通過
2023-12-26 20:00:021143 
IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）和碳化硅（SiC）功率器件是兩種主流的解決方案，它們?cè)谛履茉雌囍杏兄髯元?dú)特的應(yīng)用特點(diǎn)。
2024-01-15 09:51:541723 
IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）是一種半導(dǎo)體功率器件。它結(jié)合了MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）和雙極型晶體管的特性。
2024-02-06 10:47:0411188 IGBT器件的結(jié)構(gòu)和工作原理
2024-02-21 09:41:593741 
功率循環(huán)加速老化試驗(yàn)中，IGBT 器件失效模式 主要為鍵合線失效或焊料老化，失效模式可能存在 多個(gè)影響因素，如封裝材料、器件結(jié)構(gòu)以及試驗(yàn)條 件等。
2024-04-18 11:21:062398 
IGBT，絕緣柵雙極型晶體管，是由（BJT）雙極型三極管和絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管（MOS）組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件,兼有（MOSFET）金氧半場(chǎng)效晶體管的高輸入阻抗和電力晶體管（GTR
2024-05-16 08:09:562602 共讀好書 文章大綱 IGBT是電子電力行業(yè)的“CPU” ? ? ?? · IGBT是功率器件中的“結(jié)晶” ? ? ? ?· IGBT技術(shù)不斷迭代，產(chǎn)品推陳出新 IGBT搭乘新能源快車打開增長(zhǎng)
2024-07-21 17:43:412990 
IGBT等功率電子器件在工作中，由于自身的功率損耗，將引起IGBT溫度升高。引起功率器件發(fā)熱的原因主要有兩個(gè)，一是功率器件導(dǎo)通時(shí)，產(chǎn)生的通態(tài)損耗。二是功率器件的開通與關(guān)斷過程中產(chǎn)生的開關(guān)損耗
2024-07-19 11:21:001921 
IGBT（絕緣柵雙極晶體管）功率管是一種廣泛應(yīng)用于電力電子領(lǐng)域的高效、高性能的功率電子器件。在實(shí)際應(yīng)用中，對(duì)IGBT功率管進(jìn)行好壞檢測(cè)是非常重要的，以確保系統(tǒng)的正常運(yùn)行和安全。 一、外觀檢查 外觀
2024-08-07 15:37:133985 IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種廣泛應(yīng)用于電力電子領(lǐng)域的功率半導(dǎo)體器件，具有高電壓、大電流、高頻率等特點(diǎn)。然而，在實(shí)際應(yīng)用過程中，IGBT功率管發(fā)熱是一個(gè)常見問題，嚴(yán)重影響了IGBT的可靠性
2024-08-07 15:40:325464 IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor，絕緣柵雙極型晶體管）是一種功率半導(dǎo)體器件，廣泛應(yīng)用于電力電子領(lǐng)域。IGBT功率管型號(hào)參數(shù)意義是了解IGBT性能和選擇合適
2024-08-08 09:11:335020 IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor），即絕緣柵雙極型晶體管，是一種復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式開關(guān)功率半導(dǎo)體器件。它結(jié)合了雙極結(jié)型晶體管（BJT）和金屬氧化物
2024-08-08 09:46:252295 功率半導(dǎo)體器件，特別是絕緣柵雙極型晶體管（IGBT），在新能源、軌道交通、電動(dòng)汽車、工業(yè)應(yīng)用和家用電器等諸多應(yīng)用中都是不可或缺的核心部件。尤其在新能源電動(dòng)汽車行業(yè)的迅猛崛起下，功率半導(dǎo)體器件市場(chǎng)迎來
2024-08-12 16:31:014598 
在2024年12月7日深圳舉辦的“第三屆電源行業(yè)配套品牌頒獎(jiǎng)典禮”上，芯長(zhǎng)征科技榮獲“功率器件-IGBT行業(yè) 卓越獎(jiǎng)”。經(jīng)過近兩個(gè)月的激烈競(jìng)爭(zhēng)和嚴(yán)格評(píng)審，我們憑借在功率器件領(lǐng)域的創(chuàng)新活力、技術(shù)突破和市場(chǎng)卓越表現(xiàn)，從眾多品牌中脫穎而出，贏得此殊榮。
2024-12-10 17:28:231647 /前言/功率半導(dǎo)體熱設(shè)計(jì)是實(shí)現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎(chǔ)，只有掌握功率半導(dǎo)體的熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識(shí)，才能完成精確熱設(shè)計(jì)，提高功率器件的利用率，降低系統(tǒng)成本，并保證系統(tǒng)的可靠性。功率器件熱
2025-01-06 17:05:481329 
模塊，助力電力電子行業(yè)自主可控和產(chǎn)業(yè)升級(jí)！ 傾佳電子楊茜咬住SiC碳化硅MOSFET功率器件三個(gè)必然，勇立功率半導(dǎo)體器件變革潮頭： 傾佳電子楊茜咬住SiC碳化硅MOSFET模塊全面取代IGBT模塊的必然趨勢(shì)！ 傾佳電子楊茜咬住SiC碳化硅MOSFET單管全面取代IGBT單管的必然趨勢(shì)！ 傾
2025-02-09 20:17:291126 
功率器件變革中SiC碳化硅中國(guó)龍的崛起：從技術(shù)受制到全球引領(lǐng)的歷程與未來趨勢(shì) 當(dāng)前功率器件正在經(jīng)歷從傳統(tǒng)的硅基功率器件持續(xù)躍升到SiC碳化硅材料功率半導(dǎo)體的歷史變革： 傾佳電子楊茜致力于推動(dòng)國(guó)產(chǎn)
2025-03-13 00:27:37768 中國(guó)電力電子逆變器變流器的功率器件專家以使用者身份拆穿國(guó)外IGBT模塊失效報(bào)告廠商造假的事件，是中國(guó)技術(shù)實(shí)力與產(chǎn)業(yè)鏈話語權(quán)提升的標(biāo)志性案例。通過技術(shù)創(chuàng)新與嚴(yán)謹(jǐn)?shù)目茖W(xué)態(tài)度，成功揭露了國(guó)外廠商在IGBT
2025-04-27 16:21:50564 
場(chǎng)浪潮中，長(zhǎng)晶科技憑借其在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的技術(shù)突破與全產(chǎn)業(yè)鏈布局，成為國(guó)產(chǎn)化進(jìn)程中的標(biāo)桿企業(yè)。 技術(shù)創(chuàng)新：突破高端功率器件壁壘 長(zhǎng)晶科技聚焦功率半導(dǎo)體核心器件，在MOSFET和IGBT兩大領(lǐng)域取得顯著成果。在消費(fèi)電子領(lǐng)域
2025-04-09 17:25:321180 IGBT模塊是一種重要的功率半導(dǎo)體器件，具有結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、容量大、損耗低等優(yōu)點(diǎn)，被廣泛應(yīng)用于各種高功率電子設(shè)備中。絕緣柵極雙極晶體管（IGBT）功率模塊將MOSFET的高效和快速開關(guān)能力與雙極晶體管
2025-04-16 08:06:431299 
國(guó)產(chǎn)化破局 重構(gòu)功率器件生態(tài) IGBT Localization 在全球供應(yīng)鏈震蕩與國(guó)產(chǎn)替代浪潮中，揚(yáng)杰科技推出七單元IGBT全封裝解決方案，以六大封裝矩陣精準(zhǔn)對(duì)標(biāo)國(guó)際品牌，實(shí)現(xiàn)“零改設(shè)計(jì)、性能超越
2025-05-30 11:50:12627 隨著電力電子技術(shù)向高頻、高效、高功率密度方向發(fā)展，碳化硅（SiC）和絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）等功率器件在眾多領(lǐng)域得到廣泛應(yīng)用。在這些功率器件的封裝與連接技術(shù)中，銀燒結(jié)技術(shù)憑借其獨(dú)特的優(yōu)勢(shì)逐漸
2025-06-03 15:43:331152 
在功率電子系統(tǒng)中，MOSFET和IGBT是兩種常見的開關(guān)器件，廣泛應(yīng)用于中低壓功率系統(tǒng)。它們各有優(yōu)缺點(diǎn)，適用于不同的應(yīng)用場(chǎng)景。作為FAE，幫助客戶理解這些器件的特性、差異和應(yīng)用場(chǎng)景，能夠有效提高系統(tǒng)
2025-07-07 10:23:192440 
、電力電子設(shè)備和新能源汽車產(chǎn)業(yè)鏈。傾佳電子聚焦于新能源、交通電動(dòng)化和數(shù)字化轉(zhuǎn)型三大方向，并提供包括IGBT、SiC MOSFET、GaN等功率半導(dǎo)體器件以及新能源汽車連接器。? 傾佳電子楊茜致力于推動(dòng)國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅模塊在電力電子應(yīng)用中全面取代進(jìn)口IGBT模塊，
2025-10-09 18:18:19804 
文章大綱IGBT是電子電力行業(yè)的“CPU”·IGBT是功率器件中的“結(jié)晶”·IGBT技術(shù)不斷迭代，產(chǎn)品推陳出新IGBT搭乘新能源快車打開增長(zhǎng)空間天花板·新能源汽車市場(chǎng)成為IGBT增長(zhǎng)最充足動(dòng)力
2025-11-21 12:21:242433 IGBT 屬于功率半導(dǎo)體器件, 在新能源汽車領(lǐng)域, IGBT 作為電子控制系統(tǒng)和直流充電樁的核心器件, 直接影響電動(dòng)汽車的動(dòng)力釋放速度,車輛加速能力和高速度.IGBT 功率器件作用新能源汽車應(yīng)用中
2023-12-01 15:48:31
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