一、實驗?zāi)康?br>??? 1、學(xué)習(xí)片外存貯器擴展方法。
??? 2、學(xué)習(xí)數(shù)據(jù)存貯器不同的讀寫方法。
??? 3、學(xué)習(xí)片外程序存貯器的讀方法。
二、實驗內(nèi)容
1.實驗原理圖：

?
2、實驗內(nèi)容
??? （1）使用一片2764EPROM，作為片外擴展的程序存貯器，對其進行讀。
??? （2）使用一片6264RAM，作為片外擴展的數(shù)據(jù)存貯器，對其進行讀寫(使用鍵盤監(jiān)控命令和程序運行兩種方法)。
3、實驗說明
??? （1）在使用鍵盤監(jiān)控命令讀片外擴展的程序存貯器2764中內(nèi)容時，由于本系統(tǒng)中該程序存貯器作為用戶目標(biāo)系統(tǒng)的程序存貯器，因此DVCC系統(tǒng)必須處于仿真2狀態(tài)，即“H.....”態(tài)，用MEM鍵即可讀出。
??? （2）在使用鍵盤監(jiān)控命令讀寫片外擴展的數(shù)據(jù)存貯器6264中的內(nèi)容時，由于本系統(tǒng)中該數(shù)據(jù)存貯器作為用戶目標(biāo)系統(tǒng)的數(shù)據(jù)存貯器，因此DVCC系統(tǒng)處于仿真1態(tài)(“P.....”態(tài))或仿真2態(tài)(“H.....”態(tài))，用ODRW鍵即可讀寫。
??? （3）讀寫數(shù)據(jù)的選用。
??? 本實驗采用的是55H(0101，0101)與AAH(1010，1010)，一般采用這兩個數(shù)據(jù)的讀寫操作就可查出數(shù)據(jù)總線的短路、斷路等，在實驗調(diào)試用戶電路時非常有效。
??? （4）在仿真1態(tài)即“P.....”狀態(tài)下，編寫程序?qū)ζ鈹U展的數(shù)據(jù)存貯器進行讀寫，若L1燈閃動說明RAM讀寫正常。
三、程序
程序清單：
??????? ORG?? 0C80H
??????? MOV??????? DPTR,#8000H
??????? MOV??????? R6,#0FH
??????? MOV??????? A,#55H
RAM1:? MOV??????? R7,#0FFH
RAM2:? MOVX? @DPTR,A
??????? CLR?? P1.0
??????? INC?? DPTR
??????? DJNZ??????? R7,RAM2
??????? DJNZ??????? R6,RAM1
??????? MOV DPTR,#8000H
??????? MOV R6,#0FH
RAM3:? MOV R7,#0FFH
RAM4:? MOVX?????? A,@DPTR
??????? CJNE A,#55H,RAM6
??????? SETB P1.0
??????? INC??? DPTR
??????? DJNZ R7,RAM4
??????? DJNZ R6,RAM3
RAM5:? CLR??? P1.0
??????? CALL? DELAY
??????? SETB P1.0
??????? CALL??????? DELAY
??????? SJMP RAM5
DELAY:?????? MOV??? R5,#0FFH
DELAY1: MOV R4,#0FFH
??????? DJNZ R4,$
??????? DJNZ R5,DELAY1
??????? RET
RAM6:? SETB P1.0
??????? SJMP RAM6
??????? END
四、實驗步驟
??? 1、片外擴展程序存貯器的讀。
????? (1)將RAM/EPROM區(qū)的D0—D7用排線連到BUS2區(qū)XD0—XD7，同樣用排線將A0—A7連到BUS1區(qū)XA0—XA7，A8—A12連到BUS3區(qū)XA8—XA12。
????? (2)PGM插孔連到+5V插孔。
????? (3)CS1插孔連到譯碼輸出Y0插孔。
????? (4)OE插孔連到BUS3區(qū)XPSEN插孔。
????? (5)在DVCC系統(tǒng)處于“P?”狀態(tài)下，按F1鍵進入仿真2態(tài)(“H.....”狀態(tài))。
????? (6)輸入四位程序存貯器地址8000后按MEM鍵讀出2764中的內(nèi)容。
??? 2、片外擴展數(shù)據(jù)存貯器的讀寫(用鍵盤監(jiān)控命令)
????? (1)取出RAM/EPROM區(qū)中的實驗監(jiān)控，再插上數(shù)據(jù)存貯器6264。
????? (2)將RAM/EPROM區(qū)的D0—D7用排線連到BUS1區(qū)XD0—XD7，A0—A7連到BUS1區(qū)XA0—XA7，A8—A12連到BUS3區(qū)XA8—XA12。
????? (3)WE插孔與BUS3區(qū)XWR相連。
????? (4)CS1插孔連到譯碼輸出Y0插孔。
????? (5)OE插孔連到BUS3區(qū)XRD插孔。
????? (6)CS2插孔與+5V插孔相連。
????? (7)在DVCC系統(tǒng)處于“P?”狀態(tài)下，按F2鍵進入仿真1態(tài)(即“P.....”)或按F1鍵進入仿真1態(tài)(即“P.....”)。
????? (8)輸入四位地址8000后按ODRW鍵可讀寫6264中的內(nèi)容。
??? 3、片外數(shù)據(jù)存貯器的讀寫(用程序)
步驟同上①—⑥。
????? (7)按框圖編制程序，在上位機上進行編譯，鏈接形成Hex(或ABS)最終目標(biāo)文件，然后傳送到DVCC實驗系統(tǒng)仿真RAM區(qū)中。
(8)在“P?”狀態(tài)下，按F2鍵，進入仿真1態(tài)(“P.....”)，從起始地址0C80H開始連續(xù)運行程序。對6264進行讀寫。若L1燈閃動，表示6264 RAM讀寫正常。