做模擬電路的工程師，都有過使用晶體管（場(chǎng)效應(yīng)管也是晶體管中的一種）、運(yùn)放的經(jīng)驗(yàn)和體會(huì)。尤其是在設(shè)計(jì)時(shí)，更會(huì)對(duì)晶體管的一些電參數(shù)進(jìn)行測(cè)試和考量。在測(cè)試時(shí)，許多人對(duì)晶
2012-03-09 14:19:06
3289 東芝開發(fā)出了用于超低功耗MCU的新型晶體管技術(shù)，可將MCU的耗電量降至1/10以下，而且能夠利用與現(xiàn)行標(biāo)準(zhǔn)晶體管（MOSFET）相同的CMOS工藝制造。##下面來介紹實(shí)現(xiàn)這三種TFET的具體技術(shù)。
2014-09-12 08:59:468107 使用雙極晶體管的電子電路設(shè)計(jì)非常簡單，使用簡單的設(shè)計(jì)原理和一些方程。
2023-02-17 14:06:311632 
我們知道晶體管種類雖然很多，但是基本上分為PNP型和NPN型兩大類。介紹，這兩類晶體管各電極電流方向不同，其電路符號(hào)也是不同的。晶體管電路符號(hào)中發(fā)射極箭頭的方向表示晶體管各電極電流流動(dòng)的方向，利用這一點(diǎn)可以方便分析電路中各電極電流流動(dòng)方向。
2023-07-06 11:22:477116 
以前，芯片提供商想辦法通過晶體管和工藝技術(shù)來降低功耗。雖然晶體管是產(chǎn)生功耗的主要原因，但并非唯一因素，而且通過晶體管來降低功耗作用是有限的。
2011-08-18 08:50:551100 ?！ ?050晶體管及其等效的8550晶體管設(shè)計(jì)用于低功耗推挽放大器應(yīng)用中的互補(bǔ)晶體管對(duì)。通常，8050晶體管是2瓦放大器，最大集電極-發(fā)射極電流為1.5安培，最大集電極-發(fā)射極電壓為25伏?！ 』?b class="flag-6" style="color: red">晶體管
2023-02-16 18:22:30
）Arcotii OTII-ARC-001 QOITECH 電源分析記錄儀，當(dāng)天發(fā)貨-淘寶網(wǎng) (taobao.com)Arcotii OTII-ARC-001這款設(shè)備目前的使用面不是太廣，有一些比較知名的對(duì)低功耗
2020-12-28 22:59:20
晶體管技術(shù)方案面臨了哪些瓶頸？
2021-05-26 06:57:13
晶體管并聯(lián)時(shí)，當(dāng)需要非常大的電流時(shí)，可以將幾個(gè)晶體管并聯(lián)使用。因?yàn)榇嬖赩BE擴(kuò)散現(xiàn)象，有必要在每一個(gè)晶體管的發(fā)射極上串聯(lián)一個(gè)小電阻。電阻R用以保證流過每個(gè)晶體管的電流近似相同。電阻值R的選擇依據(jù)
2024-01-26 23:07:21
判定前：晶體管的選定～貼裝的流程晶體管可否使用的判定方法1. 測(cè)定實(shí)際的電流、電壓波形2. 是否一直滿足絕對(duì)最大額定值？3. 是否在SOA范圍內(nèi)？4. 在使用環(huán)境溫度*1下是否在下降的SOA范圍內(nèi)
2019-04-15 06:20:06
統(tǒng)通過VCCS輸入，取平均等技術(shù)獲得較理想的測(cè)試結(jié)果。目前能夠完成三極管輸入、輸出特性曲線、放大倍數(shù)、開啟電壓等參數(shù)以及二極管一些參數(shù)的測(cè)定，并能測(cè)試比較溫度對(duì)這些參數(shù)的影響。系統(tǒng)具有通用的RS232 接口和打印機(jī)接口，可以方便的將結(jié)果打印、顯示。關(guān)鍵詞AduC812壓控流源晶體管參數(shù)
2012-08-02 23:57:09
1．反向擊穿電流的檢測(cè) 普通晶體管的反向擊穿電流（也稱反向漏電流或穿透電流），可通過測(cè)量晶體管發(fā)射極E與集電極C之間的電阻值來估測(cè)。測(cè)量時(shí)，將萬用表置于R×1k檔， NPN型管的集電極C接黑表筆
2012-04-26 17:06:32
題庫來源：特種作業(yè)?？碱}庫小程序1.晶體管特性圖示儀的功耗限制電阻相當(dāng)于晶體管放大電路的( )電阻。 BA.基極B.集電極C.限流D.降壓2.集成運(yùn)放通常有( )部分
2021-09-02 06:19:31
IC一般不能超出ICM。(3) 集電極最大允許功耗PCMPCM是指晶體管參數(shù)變化不超出規(guī)定允許值時(shí)的最大集電極耗散功率。使用晶體管時(shí)，實(shí)際功耗不允許超過PCM，通常還應(yīng)留有較大余量，因?yàn)?b class="flag-6" style="color: red">功耗過大往往是
2018-06-13 09:12:21
晶體管的主要參數(shù)有哪些？晶體管的開關(guān)電路是怎樣的？
2021-06-07 06:25:09
的電流、電壓和應(yīng)用進(jìn)行分類。 下面以“功率元器件”為主題，從眾多晶體管中選取功率類元器件展開說明。其中，將以近年來控制大功率的應(yīng)用中廣為采用的MOSFET為主來展開。 先來看一下晶體管的分類與特征
2020-06-09 07:34:33
題，從眾多晶體管中選取功率類元器件展開說明。其中，將以近年來控制大功率的應(yīng)用中廣為采用的MOSFET為主來展開。首先是基礎(chǔ)性的內(nèi)容，來看一下晶體管的分類與特征。Si晶體管的分類Si晶體管的分類根據(jù)
2018-11-28 14:29:28
晶體管概述的1. 1948年、在貝爾電話研究所誕生。1948年，晶體管的發(fā)明給當(dāng)時(shí)的電子工業(yè)界來帶來了前所未有的沖擊。而且，正是這個(gè)時(shí)候成為了今日電子時(shí)代的開端。之后以計(jì)算機(jī)為首，電子技術(shù)取得急速
2019-07-23 00:07:18
晶體管概述的1. 1948年、在貝爾電話研究所誕生。1948年，晶體管的發(fā)明給當(dāng)時(shí)的電子工業(yè)界來帶來了前所未有的沖擊。而且，正是這個(gè)時(shí)候成為了今日電子時(shí)代的開端。之后以計(jì)算機(jī)為首，電子技術(shù)取得急速
2019-05-05 00:52:40
晶體管的品種繁多，不同的電子設(shè)備與不同的電子電路，對(duì)晶體管各項(xiàng)性能指標(biāo)的要求是不同的。所以，應(yīng)根據(jù)應(yīng)用電路的具體要求來選擇不同用途，不同類型的晶體管。 1．一般高頻晶體管的選用一般小信號(hào)處理（例如
2012-01-28 11:27:38
的B和C對(duì)稱、和E極同樣是N型。也就是說，逆接C、E也同樣有晶體管的功效。即電流由E→C流動(dòng)。3. 逆向晶體管有如下特點(diǎn)。hFE低（正向約10%以下）耐壓低 (7 to 8Ｖ 與VEBO一樣低)↑通用
2019-05-09 23:12:18
技術(shù)亞閾值漏電流是靜態(tài)功耗產(chǎn)生的主要原因之一，降低亞閾值漏電流將有效地降低芯片的靜態(tài)功耗。亞閾值漏電流的解析模型如下公式所示：Vt為閾值電壓，n為亞閾值擺幅系數(shù)，W為晶體管的寬度，L為長度，μ為電子
2020-04-28 08:00:00
的高功率晶體管產(chǎn)品組合。我們目前的產(chǎn)品提供超過80％的效率，并利用GaN-on-SiC，Si-LDMOS和Si-VDMOS半導(dǎo)體技術(shù)。我們還致力于制造一些首批Si-bipolar器件，從而支持傳統(tǒng)方案
2019-04-15 15:12:37
：IB3042-5產(chǎn)品名稱：晶體管Integra于1997年由一些企業(yè)工程師發(fā)起，他們相信他們可以為新一代雷達(dá)系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員提供創(chuàng)新的高性能RF功率晶體管解決方案。我們推向市場(chǎng)的款產(chǎn)品是采用我們獲得的新半導(dǎo)體
2019-05-14 11:00:13
NPN晶體管排列和符號(hào)在解釋原理之前，我們先來了解一下NPN晶體管的基本結(jié)構(gòu)和符號(hào)。要識(shí)別NPN晶體管引腳，它將是集電極（c），基極（b）和發(fā)射極（e）。圖1.NPN 晶體管結(jié)構(gòu)和符號(hào)NPN晶體管由
2023-02-08 15:19:23
低功耗設(shè)計(jì)中，晶體管控制電路會(huì)對(duì)電路產(chǎn)生一定的影響。無論是NPN還是PNP，晶體管的PN結(jié)都會(huì)有漏電流。當(dāng)I/O控制基極電壓時(shí)，為了穩(wěn)定基極電壓，一般在NPN開關(guān)電路的基極上加一個(gè)下拉電阻。在PNP開關(guān)電路的設(shè)計(jì)中，基極增加了一個(gè)下拉電阻。上拉和下拉電阻根據(jù)控制芯片、晶體管和電路電壓進(jìn)行選擇。
2023-02-15 18:13:01
、發(fā)射極和集電極。為了識(shí)別NPN和PNP晶體管，我們有一些標(biāo)準(zhǔn)的電阻值。每對(duì)端子必須在兩個(gè)方向上測(cè)試電阻值，總共進(jìn)行六次測(cè)試。這種方法對(duì)于快速識(shí)別PNP晶體管非常有益。我們現(xiàn)在可以觀察每對(duì)終端的運(yùn)行方式
2023-02-03 09:44:48
眾所周知，像硅雙極晶體管等一些晶體管能夠在其中一些半導(dǎo)體單元因短路或負(fù)載失配等原因損壞時(shí)繼續(xù)工作。因此，將一個(gè)器件定義為“耐用晶體管”可能沒有清晰的界限。對(duì)硅LDMOS晶體管的耐用性測(cè)試通常是指器件
2019-06-26 07:11:37
電源完整性解決方案確保我們?cè)?b class="flag-6" style="color: red">降低功耗的同時(shí)還能保證極其嚴(yán)格的晶體管級(jí)的精度要求。我們也使用了Voltus IC電源完整性方案實(shí)現(xiàn)在模塊層面的完整性，憑借業(yè)內(nèi)一流的電源簽收解決方案不斷優(yōu)化我們的移動(dòng)設(shè)備
2018-09-30 16:11:32
multisim仿真中高頻晶體管BFG35能用哪個(gè)晶體管來代替，MFR151管子能用哪個(gè)來代替？或是誰有這兩個(gè)高頻管子的原件庫？求大神指教
2016-10-26 11:51:18
允許兩個(gè)晶體管容納在一個(gè)晶體管的面積內(nèi)，同時(shí)提升性能并降低功耗。然而，CFET 的生產(chǎn)難度極高，因此像 Imec 這樣的芯片制造商和研究人員打算使用叉片晶體管作為 GAA 晶體管和 CFET 之間
2025-06-20 10:40:07
變化對(duì)系統(tǒng)的積極作用 凡事都有兩面性，雖然芯片中晶體管的老化對(duì)電子產(chǎn)品不是好事，但其功耗卻隨著時(shí)間的推移而降低，這是英國南安普頓大學(xué)電子工程教授Bashir Al-Hashimi在一系列仿真和試驗(yàn)后
2017-06-15 11:41:33
現(xiàn)在蘋果的a12晶體管的數(shù)量都到100億了，晶體管數(shù)量也不比x86低了，為什么還能還能保持低功耗，同樣用arm cpu的路由器功率卻越來越大？
2018-11-02 09:55:21
互補(bǔ)晶體管的匹配
2019-10-30 09:02:03
200，000個(gè)電子，而單個(gè)電子晶體管僅包含一個(gè)或幾個(gè)電子，因此將大大降低功耗并提高集成電路的集成度。1989年，J.H.F.Scott-Thomas等研究人員發(fā)現(xiàn)了庫侖阻塞現(xiàn)象。當(dāng)施加電壓時(shí)，如果量子點(diǎn)中
2023-02-03 09:36:05
電子產(chǎn)品中。這種氧化物是個(gè)好選擇，因?yàn)樗芘cAlGaN/GaN形成良好的肖特基接觸，并在GaN晶體管中起到柵極的作用。有一些報(bào)道證實(shí)在氮化鎵晶體管中可存在銦錫氧化物（ITO）柵極，并且已經(jīng)表明，在氮化鎵器件
2020-11-27 16:30:52
兩種比光敏二極管產(chǎn)生更高輸出電流的光敏器件的一些基本信息: 光敏晶體管和光敏集成電路。后一個(gè)術(shù)語指的是基本上是一個(gè)光電二極管和放大器集成到同一封裝。什么是光電晶體管？光電二極管可以產(chǎn)生光電流，因?yàn)樗慕Y(jié)
2022-04-21 18:05:28
年代和 1960 年代，它也被稱為超級(jí)阿爾法對(duì)。Darlington認(rèn)識(shí)到這種設(shè)計(jì)對(duì)發(fā)射極-跟隨電路的諸多優(yōu)勢(shì)，并為這一概念申請(qǐng)了專利?！ ∵_(dá)林頓晶體管通常具有低功耗、高增益的特性，使其對(duì)輸入電流
2023-02-16 18:19:11
場(chǎng)效應(yīng)管的演變 鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管的未來發(fā)展前景 FinFET在5nm之后將不再有用，因?yàn)樗鼪]有足夠的靜電控制，需要晶體管的新架構(gòu)。然而，隨著技術(shù)節(jié)點(diǎn)的進(jìn)步，一些公司可能會(huì)出于經(jīng)濟(jì)原因決定在同一節(jié)點(diǎn)上
2023-02-24 15:25:29
，但也降低了開關(guān)速度。此外，降低晶體管閾值電壓，會(huì)導(dǎo)致更多的問題，例如抗噪聲能力，泄漏電流。 較低的電壓擺幅使芯片與外部設(shè)備接口變得更加困難。2、時(shí)鐘門控時(shí)鐘門控是一種動(dòng)態(tài)功耗降低方法，在寄存器存儲(chǔ)
2022-04-12 09:34:51
各位高手，小弟正在學(xué)習(xí)單結(jié)晶體管，按照網(wǎng)上的電路圖做的關(guān)于單結(jié)晶體管的仿真，大多數(shù)都不成功，請(qǐng)問誰有成功的單結(jié)晶體管的仿真仿真啊，可以分享下嗎。
2016-03-04 09:15:06
管子多用于集成放大電路中的電流源電路。
請(qǐng)問對(duì)于這種多發(fā)射極或多集電極的晶體管時(shí)候該如何分析？按照我的理解，在含有多發(fā)射極或多集電極的晶體管電路時(shí)，如果多發(fā)射極或多集電極的每一極分別接到獨(dú)立的電源回路中
2024-01-21 13:47:56
的時(shí)候gate電壓不足，引起導(dǎo)通不夠徹底，從而增加功耗。3、場(chǎng)效應(yīng)晶體管雙電壓應(yīng)用：在一些控制電路中，邏輯部分使用典型的5V或者3.3V數(shù)字電壓，而功率部分使用12V甚至更高的電壓。兩個(gè)電壓采用共地方
2019-04-16 11:22:48
晶體管開關(guān)對(duì)電子產(chǎn)品至關(guān)重要。了解晶體管開關(guān)，從其工作區(qū)域到更高級(jí)的特性和配置?！ ?b class="flag-6" style="color: red">晶體管開關(guān)對(duì)于低直流開/關(guān)開關(guān)的電子設(shè)備至關(guān)重要，其中晶體管在其截止或飽和狀態(tài)下工作。一些電子設(shè)備（如 LED
2023-02-20 16:35:09
如何使用PWM控制繼電器來降低功耗？
2022-02-17 06:31:28
復(fù)雜器件專業(yè)技術(shù)相結(jié)合，將為系統(tǒng)供應(yīng)商提供低功耗的芯片方案，供他們?cè)诖嘶A(chǔ)上持續(xù)提高帶寬容量，并完成更智能的處理。此外，TPACK提供的芯片解決方案可以導(dǎo)入到最新的FPGA中，進(jìn)一步降低功耗。最終實(shí)現(xiàn)
2019-07-31 07:13:26
為了改善晶體管的開關(guān)特性，減小晶體管的損耗，在晶體管基極驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)上會(huì)采取一些加速措施。如下： 加速電路一 在加速電路一中，并聯(lián)在RB兩端的電容CB稱為加速電容，數(shù)值一般在1nf
2020-11-26 17:28:49
。例如，需要合適的接口電路以在不同的強(qiáng)度和條件下提取最大電流。但是，確保應(yīng)用的有效性還需要了解光電晶體管和光電二極管的工作原理以及二者之間的差異。本文將討論這些器件的工作原理、一些關(guān)鍵的參數(shù)考慮因素、器件應(yīng)用的一些細(xì)微差別以及一些解決方案示例。
2021-01-12 07:56:44
來至網(wǎng)友的提問：如何選擇分立晶體管？
2023-11-24 08:16:54
使晶體管工作會(huì)產(chǎn)生電氣負(fù)載和熱負(fù)載。對(duì)晶體管來講，負(fù)載太大壽命會(huì)縮短，最壞的情況下會(huì)導(dǎo)致晶體管被破壞。為防止這種情況，需要檢查實(shí)際使用狀態(tài)，并確認(rèn)在使用上是否有問題。這里說明一下具體的判定方法。為
2019-05-05 09:27:01
節(jié)省功耗的特性的實(shí)現(xiàn)和各種最少功耗數(shù)據(jù)存儲(chǔ)技術(shù)的實(shí)現(xiàn)。除此之外，設(shè)計(jì)中采用一些低功耗技巧，也可以降低靜態(tài)功耗?！ GLOO具有功耗友好的器件架構(gòu)，能提供靜態(tài)、睡眠、Flash*Freeze功耗模式
2020-05-13 08:00:00
)，并得到規(guī)定的輸出電流時(shí)需要的最小輸入電壓，即數(shù)字晶體管導(dǎo)通區(qū)域的最小輸入電壓值。因此，如果要從ON狀態(tài)變?yōu)镺FF狀態(tài)，需要進(jìn)一步降低該最小輸入電壓值，所以正常產(chǎn)品的電壓值低于這個(gè)數(shù)值。VI(off
2019-04-09 21:49:36
的最小輸入電壓，即數(shù)字晶體管導(dǎo)通區(qū)域的最小輸入電壓值。因此，如果要從ON狀態(tài)變?yōu)镺FF狀態(tài)，需要進(jìn)一步降低該最小輸入電壓值，所以正常產(chǎn)品的電壓值低于這個(gè)數(shù)值。VI(off)Max.：輸入電壓
2019-04-22 05:39:52
能通過一些辦法來降低功耗
2023-10-13 08:25:10
MOSFET：在硅上采用硅鍺結(jié)構(gòu)是改善性能的一種方法。Intel近期展示了一款高速低功耗量子阱場(chǎng)效應(yīng)晶體管。這種P溝道結(jié)構(gòu)將基于40nm InSb材料。5. 基于通孔硅技術(shù)的3D芯片：Sematech近期透露了建立基于通孔硅技術(shù)的300mm 3D芯片研發(fā)計(jì)劃。
2014-01-04 09:52:44
晶體管的半導(dǎo)體的電流由空穴（正極性）和電子（負(fù)極性）產(chǎn)生。一般而言的晶體管是指這種由硅構(gòu)成的晶體管。FETField Effect Transistor的簡稱，是指場(chǎng)效應(yīng)晶體管。有接合型FET和MOS型
2019-05-05 01:31:57
效率和功率密度。GaN功率晶體管作為一種成熟的晶體管技術(shù)在市場(chǎng)上確立了自己的地位，但在軟開關(guān)應(yīng)用中通常不被考慮使用。雖然在硬開關(guān)應(yīng)用中使用GaN可以顯著提高效率，但軟開關(guān)轉(zhuǎn)換器（如LLC）對(duì)效率和頻率
2023-02-27 09:37:29
我在設(shè)計(jì) PCB 時(shí)犯了一個(gè)錯(cuò)誤，我的一些晶體管在原理圖上將集電極和發(fā)射極調(diào)換了。“正?！狈绞绞怯?1：基極，2：發(fā)射極，3：集電極，但我需要一個(gè)晶體管，1：基極，2：集電極，3：發(fā)射極。引腳號(hào)與此圖像相關(guān)：你知道有這種封裝的晶體管嗎？我知道我可以將它倒置并旋轉(zhuǎn)，但我想知道我是否可以正確使用一個(gè)。
2023-03-28 06:37:56
電子產(chǎn)品中，近年來逐漸被晶體管和集成電路所取代，但目前在一些高保真音響器材中，仍然使用電子管作為音頻功率放大器件?！ 《?b class="flag-6" style="color: red">晶體管是一種固體半導(dǎo)體器件，可以用于檢波、整流、放大、開關(guān)、穩(wěn)壓、信號(hào)調(diào)制和許多
2016-01-26 16:52:08
` 引言 在功率變換器應(yīng)用中，寬帶隙（WBG）技術(shù)日益成為傳統(tǒng)硅晶體管的替代產(chǎn)品。在某些細(xì)分市場(chǎng)的應(yīng)用場(chǎng)景中，提升效率極限一或兩個(gè)百分點(diǎn)依然關(guān)系重大，變換器功率密度的提高可以提供更多應(yīng)用優(yōu)勢(shì)
2021-01-19 16:48:15
時(shí)，它被用于低壓應(yīng)用。相比CMOS邏輯電路，采用一個(gè)NMOS和一個(gè)閾值電壓不同PMOS晶體管搭建而成。CMOS邏輯電路采用低閾值設(shè)計(jì)，保證了電路的速度和性能。VTCMOS利用基極偏壓效應(yīng)來降低功耗
2020-07-07 11:40:06
如今隨著芯片制程的不斷提升，芯片中可以有100多億個(gè)晶體管，如此之多的晶體管，究竟是如何安上去的呢？ 這是一個(gè)Top-down View 的SEM照片，可以非常清晰的看見CPU內(nèi)部的層狀結(jié)構(gòu)
2020-07-07 11:36:10
stm32進(jìn)入低功耗模式，必須用中斷來喚醒，現(xiàn)在就是不用這種模式，如何通過程序來降低功耗啊
2019-05-06 18:43:22
雙極性晶體管與MOSFET對(duì)比分析哪個(gè)好？
2021-04-20 06:36:55
如何利用FPGA設(shè)計(jì)技術(shù)降低功耗？
2021-04-13 06:16:21
來至網(wǎng)友的提問：如何選擇分立晶體管？
2018-12-12 09:07:55
集成電路來實(shí)現(xiàn)一些常見的功能，如擴(kuò)流、恒流、穩(wěn)壓等。本文也就正是基于這方面，和大家分享一下晶體管的使用心得，希望能對(duì)初學(xué)者有一定的幫助，老司機(jī)可以直接忽略在下的班門弄斧了。首先來看一個(gè)負(fù)載控制的實(shí)例
2016-06-03 18:29:59
;span]除了使用多柵結(jié)構(gòu)提高器件的柵控能力和S小于60mV/decade的TFET，另一種減小集成電路功耗的方法是降低晶體管的工作電壓Vdd。傳統(tǒng)的MOSFET等比例縮小原則假設(shè)閾值電壓也能等比例
2018-10-19 11:08:33
晶體管性能的優(yōu)劣，可以從它的特性曲線或一些參數(shù)上加以判別。本次實(shí)驗(yàn)主要介紹采用簡易的儀器設(shè)備鑒別晶體管性能的方法，即用萬用表粗測(cè)晶體管的性能和用逐點(diǎn)法測(cè)繪管子
2009-10-28 10:14:14
26 簡要回顧MOS晶體管一些具有代表性的技術(shù)進(jìn)展，分析了其在將來超大規(guī)模集成電路（ULSI）應(yīng)用中的主要限制。從材料以及器件結(jié)構(gòu)兩個(gè)方向分別闡述了突破現(xiàn)有MOS技術(shù)而最有希望被
2010-12-17 15:37:2054 傳統(tǒng)晶體管噪聲理論存在缺陷？新發(fā)現(xiàn)揭示低功耗瓶頸所在
美國國家標(biāo)準(zhǔn)與技術(shù)研究院的研究人員近日發(fā)出警告稱，傳統(tǒng)上對(duì)晶體管噪聲的理解存在根本上的缺陷，并
2009-05-27 09:27:431150 晶體管出現(xiàn)的意義
晶體管的出現(xiàn)，是電子技術(shù)之樹上綻開的一朵絢麗多彩的奇葩。 同電子管相比，晶體管具有諸多優(yōu)越性： ①晶體管的構(gòu)
2009-11-05 10:46:473959 通過圖解分析法和微變等效電路分析法，對(duì)晶體管恒流源負(fù)載的等效靜態(tài)電阻和動(dòng)態(tài)電阻進(jìn)行了詳細(xì)分析，闡明了它們?cè)诓煌ぷ鳡顟B(tài)下的變化情況，以指導(dǎo)具有晶體管恒流源負(fù)載的晶體管工作狀態(tài)的確定.
2011-03-01 15:26:01138 電子發(fā)燒友為您提供了一些公司晶體管參數(shù)大全，希望對(duì)您的工作學(xué)習(xí)起到一定的作用！
2011-06-23 09:38:324882 通過剖析一晶體管的失效機(jī)理, 給出了對(duì)此類晶體管失效分析的方法和思路。討論了晶體管存在異物、芯片粘結(jié)失效和熱應(yīng)力失效等失效模式。
2012-03-15 14:18:0830 本報(bào)告將介紹一些最新的耐用型大功率LDMOS晶體管以及它們的電氣特性，并通過比較測(cè)試過程來判斷它們的耐用水平。
2012-05-28 11:42:273296 本文開始介紹了晶體管的分類與場(chǎng)效應(yīng)晶體管，其次分析了晶體管的重要性及作用，最后介紹了晶體管工作原理與晶體管的檢測(cè)方法。
2018-02-01 09:18:3229435 日益顯著。人們提出了一些低功耗設(shè)計(jì)技術(shù)，例如動(dòng)態(tài)電壓/頻率調(diào)節(jié)（dynamic voltage and frequency scaling (DVFS)），來降低耗散總功率。
2018-05-23 17:46:358831 調(diào)制等。 （晶體管的內(nèi)部結(jié)構(gòu)，圖片來源：baidu圖片） 晶體管作為一種可變開關(guān)．基于輸入的電壓，控制流出的電流，因此晶體管可用作電流的開關(guān)。和一般機(jī)械開關(guān)(如Relay、switch)不同的是：晶體管是利用電訊號(hào)來控制，而且開關(guān)速度非常快，在實(shí)驗(yàn)室中的切換速度可達(dá)100吉赫茲以
2019-01-16 13:45:164296 設(shè)計(jì)人員總是在尋找減少不需要的功耗組件的方法，無論是通過以低功耗技術(shù)的方式設(shè)計(jì)設(shè)計(jì)，還是采用可以降低功耗的工藝。但是，其中一些解決方案的代價(jià)是性能，可靠性，芯片面積或其中的幾個(gè)。最終，人們必須在功率，性能和成本之間達(dá)成妥協(xié)。下面的文章旨在討論其中的一些技巧。這些技術(shù)分為建筑技術(shù)和基于過程的技術(shù)。
2019-08-09 14:32:5516378 
眾所周知，像硅雙極晶體管等一些晶體管能夠在其中一些半導(dǎo)體單元因短路或負(fù)載失配等原因損壞時(shí)繼續(xù)工作。因此，將一個(gè)器件定義為“耐用晶體管”可能沒有清晰的界限。對(duì)硅LDMOS晶體管的耐用性測(cè)試通常是指器件
2020-08-14 18:51:000 伴隨著摩爾定律衍生出來的是，由于較小的晶體管通常比較大的晶體管消耗更少的功率，所以隨著晶體管密度的增加，單位芯片面積的功耗保持恒定。但是，晶體管的功耗降低速度在2007年左右有所放緩。
2020-09-25 17:13:235928 當(dāng)傳感器監(jiān)測(cè)到選定的壓力信號(hào)傳遞到晶體管時(shí)會(huì)產(chǎn)生響應(yīng)，隨后傳導(dǎo)并放大這些信號(hào)進(jìn)行檢測(cè)。近來，一種被稱為有機(jī)電化學(xué)晶體管（OECT）的新型晶體管技術(shù)，在低電壓和低功耗下展現(xiàn)出了優(yōu)越的信號(hào)放大能力。
2021-03-17 13:59:5815031 為了改善晶體管的開關(guān)特性，減小晶體管的損耗，在晶體管基極驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)上會(huì)采取一些加速措施。
2021-03-21 15:43:036508 
晶體管簡介
晶體管（transistor）是一種固體半導(dǎo)體器件，具有檢波、整流、放大、開關(guān)、穩(wěn)壓、信號(hào)調(diào)制等多種功能。晶體管作為一種可變電流開關(guān)，能夠基于輸入電壓控制輸出電流。與普通機(jī)械開關(guān)（如
2022-02-09 12:34:232 晶體管包括NPN晶體管、PNP晶體管、雙極晶體管、三極晶體管等。
2023-02-17 16:32:493585 晶體管的工作原理就像電子開關(guān)，它可以打開和關(guān)閉電流。一個(gè)簡單的思考方法就是把晶體管看作沒有任何動(dòng)作部件的開關(guān)，晶體管類似于繼電器，因?yàn)槟憧梢杂盟?b class="flag-6" style="color: red">來打開或關(guān)閉一些東西。當(dāng)然了晶體管也可以部分打開，這對(duì)于放大器的設(shè)計(jì)很有用。
2023-03-25 10:40:432945 為了改善晶體管的開關(guān)特性，減小晶體管的損耗，在晶體管基極驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)上會(huì)采取一些加速措施
2023-06-27 17:51:271142 
電子技術(shù)領(lǐng)域中具有重要的作用。雖然它們?cè)谀承┓矫嬗?b class="flag-6" style="color: red">一些相似之處，但是它們之間還存在著一些差異。本文將詳細(xì)介紹晶體管和MOS管之間的區(qū)別。 1. 結(jié)構(gòu)差異 晶體管由P型和N型半導(dǎo)體材料的組合構(gòu)成。有三個(gè)
2023-08-25 15:29:319193 如何降低設(shè)備功耗，降低采集設(shè)備功耗的幾種方法 工程監(jiān)測(cè)傳感器 以下是降低數(shù)采設(shè)備功耗的一些方法： 優(yōu)化硬件設(shè)計(jì)：通過選擇低功耗的芯片、使用更高效的轉(zhuǎn)換器、減少功率損耗等方式來優(yōu)化硬件設(shè)計(jì)，從而降低功耗
2023-10-11 09:29:002750 在分析晶體管相關(guān)電路的時(shí)候經(jīng)常會(huì)用到相關(guān)電阻的公式，這里做一些匯總，以便查閱。
2023-10-21 10:55:1714374 
晶體管的工作原理就像電子開關(guān)，它可以打開和關(guān)閉電流。一個(gè)簡單的思考方法就是把晶體管看作沒有任何動(dòng)作部件的開關(guān)，晶體管類似于繼電器，因?yàn)槟憧梢杂盟?b class="flag-6" style="color: red">來打開或關(guān)閉一些東西。當(dāng)然了晶體管也可以部分打開，這對(duì)于放大器的設(shè)計(jì)很有用。
2023-11-29 16:54:551409 
通過改變溝道中的電場(chǎng)來控制源極和漏極之間的電流。 輸入阻抗 ： 晶體管 ：輸入阻抗相對(duì)較低，因?yàn)榛鶚O需要電流來控制。 場(chǎng)效應(yīng)管 ：輸入阻抗非常高，因?yàn)闁艠O控制是通過電壓實(shí)現(xiàn)的，不需要電流。 功耗 ： 晶體管 ：在開關(guān)應(yīng)用中，晶體管的功耗
2024-12-03 09:42:522013
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