芯片制程從微米級(jí)進(jìn)入2納米時(shí)代，晶體管架構(gòu)經(jīng)歷了從 Planar FET 到 MBCFET的四次關(guān)鍵演變。這不僅僅是形狀的變化，更是一次次對(duì)物理極限的挑戰(zhàn)。從平面晶體管到MBCFET，每一次架構(gòu)演進(jìn)到底解決了哪些物理瓶頸呢？
2025-07-08 16:28:02
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8050的情況下，補(bǔ)碼通常是8550。8050和8550晶體管的技術(shù)額定值通常是相同的。區(qū)別在于它們的極性。它們共同允許電流安全地流過(guò)無(wú)線電和無(wú)線電，從而為傳輸提供動(dòng)力，并允許在用戶端實(shí)現(xiàn)多種功能
2023-02-16 18:22:30
關(guān)于晶體管ON時(shí)的逆向電流在NPN晶體管中，基極 (B) 被偏置為正，集電極 (C) 被偏置為負(fù)，由發(fā)射極 (E) 流向C的是逆電流。1. 不用擔(dān)心劣化和損壞，在使用上是沒(méi)有問(wèn)題的2. NPN-Tr
2019-04-09 21:27:24
晶體管并聯(lián)時(shí)，當(dāng)需要非常大的電流時(shí)，可以將幾個(gè)晶體管并聯(lián)使用。因?yàn)榇嬖赩BE擴(kuò)散現(xiàn)象，有必要在每一個(gè)晶體管的發(fā)射極上串聯(lián)一個(gè)小電阻。電阻R用以保證流過(guò)每個(gè)晶體管的電流近似相同。電阻值R的選擇依據(jù)
2024-01-26 23:07:21
晶體管之間的差異性：就三極
管，mos
管和可控硅之間的差別和相同點(diǎn)的相關(guān)概念有點(diǎn)模糊，請(qǐng)各位大俠指點(diǎn)?。。?/div>
2016-06-07 23:27:44
？5. 連續(xù)脈沖？單脈沖？6. 平均功耗是否在周?chē)鷾囟鹊念~定功率以下？功率計(jì)算的積分公式使晶體管工作會(huì)產(chǎn)生電氣負(fù)載和熱負(fù)載。對(duì)晶體管來(lái)講，負(fù)載太大壽命會(huì)縮短，最壞的情況下會(huì)導(dǎo)致晶體管被破壞。為防止這種
2019-04-15 06:20:06
晶體管分類 按半導(dǎo)體材料和極性分類 按晶體管使用的半導(dǎo)體材料可分為硅材料晶體管和鍺材料晶體管。按晶體管的極性可分為鍺NPN型晶體管、鍺PNP晶體管、硅NPN型晶體管和硅PNP型晶體管?！ “唇Y(jié)構(gòu)
2010-08-12 13:59:33
晶體管參數(shù)測(cè)量技術(shù)報(bào)告摘 要晶體管的參數(shù)是用來(lái)表征管子性能優(yōu)劣和適應(yīng)范圍的指標(biāo)，是選管的依據(jù)。為了使管子安全可靠的工作，必須注意它的參數(shù)。本文主要論述以AduC812為核心的晶體管參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)，該系
2012-08-02 23:57:09
` 《晶體管電路設(shè)計(jì)（下）》是“實(shí)用電子電路設(shè)計(jì)叢書(shū)”之一，共分上下二冊(cè)。本書(shū)作為下冊(cè)主要介紹晶體管／FET電路設(shè)計(jì)技術(shù)的基礎(chǔ)知識(shí)和基本實(shí)驗(yàn)，內(nèi)容包括FET放大電路、源極跟隨器電路、功率放大器
2019-03-06 17:29:48
1．反向擊穿電流的檢測(cè) 普通晶體管的反向擊穿電流（也稱反向漏電流或穿透電流），可通過(guò)測(cè)量晶體管發(fā)射極E與集電極C之間的電阻值來(lái)估測(cè)。測(cè)量時(shí)，將萬(wàn)用表置于R×1k檔， NPN型管的集電極C接黑表筆
2012-04-26 17:06:32
在PROTUES中如何改變晶體管的放大倍數(shù)？有的器件有放大倍數(shù)改變的參數(shù)。另外，不同的仿真模型參數(shù)不同如何改變？
2014-02-28 08:42:03
晶體管測(cè)量模塊的基本特性有哪些？晶體管測(cè)量模塊的基本功能有哪些？
2021-09-24 07:37:23
題庫(kù)來(lái)源：特種作業(yè)?？碱}庫(kù)小程序1.晶體管特性圖示儀的功耗限制電阻相當(dāng)于晶體管放大電路的( )電阻。 BA.基極B.集電極C.限流D.降壓2.集成運(yùn)放通常有( )部分
2021-09-02 06:19:31
從事電子設(shè)計(jì)7年了，發(fā)覺(jué)這兩本書(shū)挺好的，發(fā)上來(lái)給大家分享一下附件晶體管電路設(shè)計(jì)（上）放大電路技術(shù)的實(shí)驗(yàn)解析.pdf42.5 MB晶體管電路設(shè)計(jì)（下）FET_功率MOS_開(kāi)關(guān)電路的實(shí)驗(yàn)解析.rar.zip47.2 MB
2018-12-13 09:04:31
`非常不錯(cuò)的晶體管電路設(shè)計(jì)書(shū)籍！`
2016-11-08 14:12:33
IC一般不能超出ICM。(3) 集電極最大允許功耗PCMPCM是指晶體管參數(shù)變化不超出規(guī)定允許值時(shí)的最大集電極耗散功率。使用晶體管時(shí)，實(shí)際功耗不允許超過(guò)PCM，通常還應(yīng)留有較大余量，因?yàn)?b class="flag-6" style="color: red">功耗過(guò)大往往是
2018-06-13 09:12:21
晶體管的主要參數(shù)有哪些？晶體管的開(kāi)關(guān)電路是怎樣的？
2021-06-07 06:25:09
本文為大家介紹“Si晶體管”（之所以前面加個(gè)Si,是因?yàn)檫€有其他的晶體管，例如SiC）。 雖然統(tǒng)稱為“Si晶體管”，但根據(jù)制造工藝和結(jié)構(gòu)，還可分為“雙極”、“MOSFET”等種類。另外，還可根據(jù)處理
2020-06-09 07:34:33
本篇開(kāi)始將為大家介紹“Si晶體管”。雖然統(tǒng)稱為“Si晶體管”，不過(guò)根據(jù)制造工藝和結(jié)構(gòu)，還可分為“雙極”、“MOSFET”等種類。另外，還可根據(jù)處理的電流、電壓和應(yīng)用進(jìn)行分類。下面以“功率元器件”為主
2018-11-28 14:29:28
晶體管概述的1. 1948年、在貝爾電話研究所誕生。1948年，晶體管的發(fā)明給當(dāng)時(shí)的電子工業(yè)界來(lái)帶來(lái)了前所未有的沖擊。而且，正是這個(gè)時(shí)候成為了今日電子時(shí)代的開(kāi)端。之后以計(jì)算機(jī)為首，電子技術(shù)取得急速
2019-07-23 00:07:18
100V到700V，應(yīng)有盡有．幾年前，晶體管的開(kāi)關(guān)能力還小于10kW。目前，它已能控制高達(dá)數(shù)百千瓦的功率。這主要?dú)w功于物理學(xué)家、技術(shù)人員和電路設(shè)計(jì)人員的共同努力，改進(jìn)了功率晶體管的性能。如(1)開(kāi)關(guān)晶體管
2018-10-25 16:01:51
晶體管概述的1. 1948年、在貝爾電話研究所誕生。1948年，晶體管的發(fā)明給當(dāng)時(shí)的電子工業(yè)界來(lái)帶來(lái)了前所未有的沖擊。而且，正是這個(gè)時(shí)候成為了今日電子時(shí)代的開(kāi)端。之后以計(jì)算機(jī)為首，電子技術(shù)取得急速
2019-05-05 00:52:40
1．晶體管的結(jié)構(gòu)晶體管內(nèi)部由兩PN結(jié)構(gòu)成，其三個(gè)電極分別為集電極（用字母C或c表示），基極（用字母B或b表示）和發(fā)射極（用字母E或e表示）。如圖5-4所示，晶體管的兩個(gè)PN結(jié)分別稱為集電結(jié)（C、B極
2013-08-17 14:24:32
晶體管的品種繁多，不同的電子設(shè)備與不同的電子電路，對(duì)晶體管各項(xiàng)性能指標(biāo)的要求是不同的。所以，應(yīng)根據(jù)應(yīng)用電路的具體要求來(lái)選擇不同用途，不同類型的晶體管。 1．一般高頻晶體管的選用一般小信號(hào)處理（例如
2012-01-28 11:27:38
關(guān)于晶體管ON時(shí)的逆向電流在NPN晶體管中，基極 (B) 被偏置為正，集電極 (C) 被偏置為負(fù)，由發(fā)射極 (E) 流向C的是逆電流。1. 不用擔(dān)心劣化和損壞，在使用上是沒(méi)有問(wèn)題的2. NPN-Tr
2019-05-09 23:12:18
晶體管 &
2010-08-12 13:57:39
率和低功耗已經(jīng)成為FPGA的發(fā)展重點(diǎn)，也對(duì)FPGA測(cè)試提出了新的需求。本文根據(jù)FPGA的發(fā)展趨勢(shì)，討論了FPGA測(cè)試面臨哪些挑戰(zhàn)？測(cè)試方案是什么？
2019-08-07 07:50:15
各不相同，包括器件系列、時(shí)鐘頻率、電源軌要求和資源利用率等?！ §o態(tài)功耗主要是晶體管的漏電流引起，由源極到漏極的漏電流以及柵極到襯底的漏電流組成。隨著半導(dǎo)體工藝更加先進(jìn)，晶體管尺寸不斷減小，泄漏電流也
2018-10-23 16:33:09
Finfet技術(shù)（3D晶體管）詳解
2012-08-19 10:46:17
運(yùn)營(yíng)商建設(shè)LTE網(wǎng)絡(luò)的基本策略之一為L(zhǎng)TE網(wǎng)絡(luò)、2G和3G網(wǎng)絡(luò)將長(zhǎng)期共存，共同發(fā)展，多模、多制式、多頻的融合。LTE網(wǎng)絡(luò)測(cè)試領(lǐng)域也在業(yè)界的持續(xù)努力與實(shí)驗(yàn)網(wǎng)的驗(yàn)證下取得了很大的進(jìn)步。但在多網(wǎng)協(xié)同的發(fā)展方向上，仍面臨諸多挑戰(zhàn)，需要進(jìn)一步積極應(yīng)對(duì)。
2019-06-10 07:48:45
求大神相助，Multisim里面雪崩晶體管的過(guò)壓擊穿怎么放著那，當(dāng)我設(shè)的電壓已經(jīng)大于了Vcbo滯后還是不見(jiàn)晶體管導(dǎo)通。
2014-08-08 10:42:58
一、引言PNP 晶體管是雙極結(jié)型晶體管（BJT）。PNP晶體管具有與NPN晶體管完全不同的結(jié)構(gòu)。在PNP晶體管結(jié)構(gòu)中，兩個(gè)PN結(jié)二極管相對(duì)于NPN晶體管反轉(zhuǎn)，使得兩個(gè)P型摻雜半導(dǎo)體材料被一層薄薄的N
2023-02-03 09:44:48
RFID原理是什么？RFID技術(shù)面臨哪些挑戰(zhàn)？
2021-05-26 06:06:21
multisim仿真中高頻晶體管BFG35能用哪個(gè)晶體管來(lái)代替，MFR151管子能用哪個(gè)來(lái)代替？或是誰(shuí)有這兩個(gè)高頻管子的原件庫(kù)？求大神指教
2016-10-26 11:51:18
眾所周知，電子系統(tǒng)芯片中的晶體管會(huì)隨著時(shí)間而逐漸老化。它們會(huì)慢慢變舊，反應(yīng)變得遲緩，毛病越來(lái)越多，甚至突然崩潰死機(jī)。不過(guò)凡事都有兩面性，雖然晶體管老化對(duì)電子產(chǎn)品不是好事，但其功耗卻隨著時(shí)間的推移而降
2017-06-15 11:41:33
互補(bǔ)晶體管的匹配
2019-10-30 09:02:03
調(diào)制和振蕩器。晶體管可以獨(dú)立封裝，也可以封裝在非常小的區(qū)域內(nèi)，容納1億個(gè)或更多晶體管集成電路的一部分。（英特爾 3D 晶體管技術(shù)）嚴(yán)格來(lái)說(shuō)，晶體管是指基于半導(dǎo)體材料的所有單一元件，包括由各種半導(dǎo)體材料
2023-02-03 09:36:05
目前制造的大功率射頻晶體管比以往任何時(shí)候都更堅(jiān)實(shí)耐用。針對(duì)特高耐用性設(shè)計(jì)的器件可以承受?chē)?yán)重的失配，即使在滿輸出電平時(shí)也是如此?，F(xiàn)在多家制造商可提供大功率硅橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體(LDMOS)晶體管
2019-08-22 08:14:59
年代和 1960 年代，它也被稱為超級(jí)阿爾法對(duì)。Darlington認(rèn)識(shí)到這種設(shè)計(jì)對(duì)發(fā)射極-跟隨電路的諸多優(yōu)勢(shì)，并為這一概念申請(qǐng)了專利?！ ∵_(dá)林頓晶體管通常具有低功耗、高增益的特性，使其對(duì)輸入電流
2023-02-16 18:19:11
鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管優(yōu)勢(shì) 更好地控制通道 抑制短通道效應(yīng) 更低的靜態(tài)漏電流 更快的開(kāi)關(guān)速度 更高的漏極電流（每個(gè)封裝的驅(qū)動(dòng)電流更大） 更低的開(kāi)關(guān)電壓 低功耗 鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管缺點(diǎn) 難以
2023-02-24 15:25:29
PNP晶體管在哪里使用？放大電路采用PNP晶體管。達(dá)林頓對(duì)電路采用PNP晶體管。機(jī)器人應(yīng)用利用了PNP晶體管。PNP 晶體管用于控制大功率應(yīng)用中的電流。如何控制PNP晶體管？首先，為了接通PNP
2023-02-03 09:45:56
`<p>分析mos管未來(lái)發(fā)展與面臨的挑戰(zhàn) 隨著集成電路工藝制程技術(shù)的不斷發(fā)展，為了提高集成電路的集成度，同時(shí)提升器件的工作速度和降低它的功耗，MOS管的特征尺寸不斷縮小
2018-11-06 13:41:30
請(qǐng)教：?jiǎn)谓Y(jié)晶體管在什么位置，有人說(shuō)是UJT，但好象用不了呀？
2013-09-26 16:55:49
做了一個(gè)單結(jié)晶體管仿真（電力電子技術(shù)的初學(xué)者）。有個(gè)問(wèn)題請(qǐng)教于各位高手。1：開(kāi)關(guān)初始時(shí)刻是閉合的時(shí)候，點(diǎn)擊仿真，發(fā)光二極管不亮 。:2：初始時(shí)刻，開(kāi)關(guān)打開(kāi)，點(diǎn)擊仿真后，點(diǎn)擊開(kāi)關(guān)閉合，二極管開(kāi)始閃爍。按照道理來(lái)說(shuō)。情境1與情境2不應(yīng)該是一樣的嗎，為什么會(huì)有差別啊。
2017-03-07 21:07:45
各位高手，小弟正在學(xué)習(xí)單結(jié)晶體管，按照網(wǎng)上的電路圖做的關(guān)于單結(jié)晶體管的仿真，大多數(shù)都不成功，請(qǐng)問(wèn)誰(shuí)有成功的單結(jié)晶體管的仿真仿真啊，可以分享下嗎。
2016-03-04 09:15:06
基于能量采集技術(shù)的BLE傳感器節(jié)點(diǎn)設(shè)計(jì)面臨哪些挑戰(zhàn)？如何去應(yīng)對(duì)這些挑戰(zhàn)？
2021-05-17 06:03:02
晶體管開(kāi)關(guān)對(duì)電子產(chǎn)品至關(guān)重要。了解晶體管開(kāi)關(guān)，從其工作區(qū)域到更高級(jí)的特性和配置。 晶體管開(kāi)關(guān)對(duì)于低直流開(kāi)/關(guān)開(kāi)關(guān)的電子設(shè)備至關(guān)重要，其中晶體管在其截止或飽和狀態(tài)下工作。一些電子設(shè)備（如 LED
2023-02-20 16:35:09
如何去判別晶體管材料與極性？如何去檢測(cè)晶體管的性能？怎樣去檢測(cè)特殊晶體管？
2021-05-13 07:23:57
什么是微波功率晶體管？如何提高微波功率晶體管可靠性？
2021-04-06 09:46:57
為了改善晶體管的開(kāi)關(guān)特性，減小晶體管的損耗，在晶體管基極驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)上會(huì)采取一些加速措施。如下： 加速電路一 在加速電路一中，并聯(lián)在RB兩端的電容CB稱為加速電容，數(shù)值一般在1nf
2020-11-26 17:28:49
來(lái)至網(wǎng)友的提問(wèn)：如何選擇分立晶體管？
2023-11-24 08:16:54
如何采用創(chuàng)新降耗技術(shù)應(yīng)對(duì)FPGA靜態(tài)和動(dòng)態(tài)功耗的挑戰(zhàn)?
2021-04-30 07:00:17
實(shí)現(xiàn)超低功耗藍(lán)牙設(shè)計(jì)面臨的主要挑戰(zhàn)是什么？
2021-05-19 06:39:34
晶體管依照用途大致分為高頻與低頻，它們?cè)谛吞?hào)上的大致區(qū)別是什么？例如《晶體管電路設(shè)計(jì)》中列舉的：高頻（2SA****，2SC*****）、低頻（2SB****，2SD****）?，F(xiàn)在產(chǎn)品設(shè)計(jì)中最常用的型號(hào)是哪些？
2017-10-11 23:53:40
bandgap中晶體管的熱噪聲比較大，通過(guò)什么手段能解決？
2021-06-24 07:29:25
選定方法①使TR達(dá)到飽和的IC/IB的比率是IC/IB=20/1②輸入電阻：R1是±30% E-B間的電阻：R2/R1=±20%③VBE是0.55~0.75V數(shù)字晶體管具有下面的關(guān)系式。■數(shù)字晶體管
2019-04-22 05:39:52
選定方法數(shù)字晶體管的型號(hào)說(shuō)明IO和IC的區(qū)別GI和hFE的區(qū)別VI(on)和VI(off)的區(qū)別關(guān)于數(shù)字晶體管的溫度特性關(guān)于輸出電壓 - 輸出電流特性的低電流領(lǐng)域（數(shù)字晶體管的情況）關(guān)于數(shù)字晶體管
2019-04-09 21:49:36
怎樣應(yīng)對(duì)Edge技術(shù)給無(wú)線手機(jī)平臺(tái)的設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)？
2021-06-01 06:52:41
無(wú)線智能IP監(jiān)控面臨的技術(shù)挑戰(zhàn)是什么？怎么解決？
2021-05-31 06:27:15
機(jī)器開(kāi)發(fā)人員面臨哪些軟件挑戰(zhàn)以及硬件挑戰(zhàn)？如何去應(yīng)對(duì)這些挑戰(zhàn)？
2021-06-26 07:27:31
晶體管的代表形狀晶體管分類圖：按照該分類，掌握其種類1. 按結(jié)構(gòu)分類根據(jù)工作原理不同分類，分為雙極晶體管和單極晶體管。雙極晶體管雙是指Bi（2個(gè)）、極是指Polar（極性）。雙極晶體管，即流經(jīng)構(gòu)成
2019-05-05 01:31:57
模塊化儀器應(yīng)對(duì)寬帶通信測(cè)試面臨的挑戰(zhàn)有哪些？數(shù)字預(yù)失真建模流程步驟是怎樣的？
2021-05-08 07:38:56
效率和功率密度。GaN功率晶體管作為一種成熟的晶體管技術(shù)在市場(chǎng)上確立了自己的地位，但在軟開(kāi)關(guān)應(yīng)用中通常不被考慮使用。雖然在硬開(kāi)關(guān)應(yīng)用中使用GaN可以顯著提高效率，但軟開(kāi)關(guān)轉(zhuǎn)換器（如LLC）對(duì)效率和頻率
2023-02-27 09:37:29
高速串行總線的特點(diǎn)是什么？測(cè)試高速串行總線面臨哪些挑戰(zhàn)？如何應(yīng)對(duì)這些測(cè)試挑戰(zhàn)？
2021-05-10 07:00:10
設(shè)計(jì)工程師可以考慮的選項(xiàng)之一。應(yīng)用晶體管并聯(lián)技術(shù)在最大限度提升變換器輸出功率的同時(shí)，也帶來(lái)了電路設(shè)計(jì)層面的挑戰(zhàn)。 并聯(lián)晶體管的設(shè)計(jì)挑戰(zhàn) 在應(yīng)用晶體管并聯(lián)技術(shù)時(shí)，首先需要考慮的是并聯(lián)晶體管的通態(tài)電阻
2021-01-19 16:48:15
請(qǐng)問(wèn)如何應(yīng)對(duì)功耗挑戰(zhàn)？
2021-06-18 06:47:35
來(lái)至網(wǎng)友的提問(wèn)：如何選擇分立晶體管？
2018-12-12 09:07:55
這個(gè)達(dá)林頓晶體管廠家是哪家
2022-05-30 16:36:56
傳統(tǒng)晶體管噪聲理論存在缺陷？新發(fā)現(xiàn)揭示低功耗瓶頸所在
美國(guó)國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)與技術(shù)研究院的研究人員近日發(fā)出警告稱，傳統(tǒng)上對(duì)晶體管噪聲的理解存在根本上的缺陷，并
2009-05-27 09:27:431150 晶體管出現(xiàn)的意義
晶體管的出現(xiàn)，是電子技術(shù)之樹(shù)上綻開(kāi)的一朵絢麗多彩的奇葩?！ ⊥娮?b class="flag-6" style="color: red">管相比，晶體管具有諸多優(yōu)越性： ①晶體管的構(gòu)
2009-11-05 10:46:473960 晶體管分類
按半導(dǎo)體材料和極性分類 按晶體管使用的半導(dǎo)體材料可分為硅材料晶體管和鍺材料晶體管。按晶體
2009-11-05 10:48:534989 PNP晶體管,PNP晶體管是什么意思
PNP晶體管是另一種類型晶體管.它的結(jié)構(gòu)如圖1所示。
2010-03-05 11:18:056814 雙極晶體管,雙極晶體管是什么意思
雙極晶體管
雙極型晶體管內(nèi)部電流由兩種載流子形成，它是利用電流來(lái)控制。場(chǎng)效應(yīng)管是電壓控制器
2010-03-05 11:48:466586 電力晶體管(GTR),電力晶體管(GTR)是什么意思
電力晶體
電力晶體管管按英文GiantTransistor直譯為巨型晶體
2010-03-05 13:32:3014825 CMOS晶體管,CMOS晶體管是什么意思
金屬-氧化物-半導(dǎo)體(Metal-Oxide-Semiconductor)結(jié)構(gòu)的晶體管簡(jiǎn)稱MOS晶體管，有P型MOS管和N型MOS管之分
2010-03-05 15:22:514129 晶體管耗散功率,晶體管耗散功率是什么意思
晶體管耗散功率也稱集電極最大允許耗散功率PCM，是指晶體管參數(shù)變化不超過(guò)規(guī)定允許值時(shí)的最大
2010-03-05 17:34:108979 《晶體管精華集錦》技術(shù)專題主要介紹了晶體管新品資訊、晶體管原理、晶體管手冊(cè)、晶體管電路圖、晶體管電路設(shè)計(jì)、晶體管應(yīng)用（主要含晶體管收音機(jī)、晶體管測(cè)試儀）以及常見(jiàn)的晶體管（如：場(chǎng)效應(yīng)晶體管,mos晶體管,絕緣柵雙極晶體管等）。本專題內(nèi)容豐富、包羅萬(wàn)象，希望對(duì)各位有所幫助！
2012-08-03 09:12:48
在電費(fèi)占運(yùn)營(yíng)成本 (OPEX) 很大一部分，而運(yùn)營(yíng)成本則占總成本約70%的情況下，降低功耗對(duì)運(yùn)營(yíng)商來(lái)說(shuō)已刻不容緩。以前，芯片提供商想辦法通過(guò)晶體管和工藝技術(shù)來(lái)降低功耗。雖然晶體管是產(chǎn)生功耗
2017-11-24 18:37:331938 晶體管原理及應(yīng)用 晶體管全稱雙極型三極管(Bipolar junction transistor，BJT)又稱晶體三極管，簡(jiǎn)稱三極管，是一種固體半導(dǎo)體器件，可用于檢波、整流、放大、開(kāi)關(guān)、穩(wěn)壓、信號(hào)
2019-01-16 13:45:164296 本文首先闡述了晶體管的概念，其次介紹了晶體管的優(yōu)越性，最后闡述了晶體管的控制方式。
2020-03-14 09:47:1213941 當(dāng)傳感器監(jiān)測(cè)到選定的壓力信號(hào)傳遞到晶體管時(shí)會(huì)產(chǎn)生響應(yīng)，隨后傳導(dǎo)并放大這些信號(hào)進(jìn)行檢測(cè)。近來(lái)，一種被稱為有機(jī)電化學(xué)晶體管（OECT）的新型晶體管技術(shù)，在低電壓和低功耗下展現(xiàn)出了優(yōu)越的信號(hào)放大能力。
2021-03-17 13:59:5815032 晶體管簡(jiǎn)介
晶體管（transistor）是一種固體半導(dǎo)體器件，具有檢波、整流、放大、開(kāi)關(guān)、穩(wěn)壓、信號(hào)調(diào)制等多種功能。晶體管作為一種可變電流開(kāi)關(guān)，能夠基于輸入電壓控制輸出電流。與普通機(jī)械開(kāi)關(guān)（如
2022-02-09 12:34:23
2 盡管有機(jī)半導(dǎo)體已經(jīng)在顯示技術(shù)中找到了應(yīng)用，但到目前為止，該技術(shù)所實(shí)現(xiàn)的晶體管只有有機(jī)場(chǎng)效應(yīng)晶體管(OFET)。雖然自O(shè)FET誕生以來(lái)的幾十年里，這項(xiàng)技術(shù)已經(jīng)取得了顯著的發(fā)展，但仍有一些挑戰(zhàn)阻礙了它們被主流采用。
2022-07-22 09:49:322478 如今芯片設(shè)計(jì)面臨著諸多挑戰(zhàn)，成本與良率、晶體管效率、裸片尺寸限制以及功耗與性能的取舍等等。
2022-09-07 09:43:331881 芯片上集成晶體管的方法有很多，其中最常用的是封裝技術(shù)，即將晶體管封裝在芯片上，使其成為一個(gè)整體，從而實(shí)現(xiàn)晶體管的集成。另外，還可以使用芯片上的晶體管模塊，將晶體管模塊連接到芯片上，從而實(shí)現(xiàn)晶體管的集成。
2023-02-19 14:02:155730 NMOS晶體管和PMOS晶體管是兩種常見(jiàn)的金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOSFET）類型，它們?cè)诙鄠€(gè)方面存在顯著的差異。以下將從結(jié)構(gòu)、工作原理、性能特點(diǎn)、應(yīng)用場(chǎng)景等方面詳細(xì)闡述NMOS晶體管和PMOS晶體管的區(qū)別。
2024-09-13 14:10:009544 通過(guò)改變溝道中的電場(chǎng)來(lái)控制源極和漏極之間的電流。 輸入阻抗 ： 晶體管 ：輸入阻抗相對(duì)較低，因?yàn)榛鶚O需要電流來(lái)控制。 場(chǎng)效應(yīng)管 ：輸入阻抗非常高，因?yàn)闁艠O控制是通過(guò)電壓實(shí)現(xiàn)的，不需要電流。 功耗 ： 晶體管 ：在開(kāi)關(guān)應(yīng)用中，晶體管的功耗
2024-12-03 09:42:522013 
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