碳化硅 MOSFET 憑借顯著的開關性能優(yōu)勢，在許多大功率應用中得到青睞。然而它的特性要求柵極驅動電路有較高要求，以優(yōu)化碳化硅器件的開關性能。盡管碳化硅 MOSFET 并非難以驅動，但許多常見的驅動器可能會導致開關性能下降。
2025-09-03 17:54:01
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Microsemi宣布提供新一代工業(yè)溫度碳化硅（silicon carbide，SiC）標準功率模塊，它們是用于要求高性能和高可靠性的大功率開關電源、馬達驅動器、不間斷電源、太陽能逆變器、石油勘探和其它大功率、高電壓工業(yè)應用的理想選擇。
2013-01-25 11:50:121487 日前，德州儀器 (TI) 宣布推出 3 款可提高高密度隔離式電源效率與可靠性的新一代雙通道輸出柵極驅動器，進一步壯大其 MOSFET 驅動器產品陣營。
2012-01-10 09:11:327892 CMT-TIT0697柵極驅動器板被設計為可直接安裝在CAB450M12XM3 1200V/450A碳化硅MOSFET功率模塊上。憑借可提供每通道高達2.5W功率的板載隔離電源（且無需降低高達125°C的額定環(huán)境溫度），該柵極驅動器可以驅動頻率高達100KHz的XM3模塊，從而實現高功率密度。
2020-01-15 08:09:001577 與大多數其他碳化硅評估平臺不同，GDEV提供快速連接插頭引腳端子，可以快速、一致地比較不同的柵極驅動器電路。 GDEV支持800 V DC鏈接輸入電壓和高達200 kHz的開關頻率。
2020-02-07 14:33:001009 。為了滿足最新的設計和應用需求，英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）推出了新一代雙通道電氣隔
2023-06-07 15:16:561059 
2000V CoolSiCTM MOSFET的相關產品。展臺工作人員介紹，英飛凌推出新一代碳化硅技術CoolSiCTM MOSFET Gen2技術，新產品與上一代產品相比，將MOSFET的主要性能指標（如能量和電荷儲量）提高了20%，顯著提升整體能效。
2024-07-22 09:10:514802 
IGBT/功率MOSFET是一種電壓控制型器件，可用作電源電路、電機驅動器和其它系統(tǒng)中的開關元件。柵極是每個器件的電氣隔離控制端。MOSFET的另外兩端是源極和漏極，而對于IGBT，它們被稱為集電極
2021-01-27 07:59:24
應用，處理此類應用的唯一方法是使用IGBT器件。碳化硅或簡稱SiC已被證明是一種材料，可以用來構建類似MOSFET的組件，使電路具有比以往IGBT更高的效率。如今，SiC受到了很多關注，不僅因為它
2023-02-24 15:03:59
更新換代，SiC并不例外 新一代半導體開關技術出現得越來越快。下一代寬帶隙技術仍處于初級階段，有望進一步改善許多應用領域的效率、尺寸和成本。雖然，隨著碳化硅技術的進步，未來還將面臨挑戰(zhàn)，例如，晶圓
2023-02-27 14:28:47
、GaP、InP等）之后發(fā)展起來的第三代半導體材料。作為一種寬禁帶半導體材料，碳化硅具有禁帶寬度大、擊穿場強高、熱導率大、載流子飽和漂移速度高、介電常數小、抗輻射能力強、化學穩(wěn)定性良好等特點，可以用來制造
2019-10-24 14:21:23
由于碳化硅具有不可比擬的優(yōu)良性能，碳化硅是寬禁帶半導體材料的一種，主要特點是高熱導率、高飽和以及電子漂移速率和高擊場強等，因此被應用于各種半導體材料當中，碳化硅器件主要包括功率二極管和功率開關管
2020-06-28 17:30:27
圓盤的能量吸收范圍高達 122,290J，允許圓盤組件具有數十兆焦耳的極高能量吸收額定值。 電氣參數 EAK碳化硅磁盤應用來自雷電、電感或電容耦合的電源過電壓。開關帶感性負載的觸點。變壓器、電機
2024-03-08 08:37:49
進一步了解碳化硅器件是如何組成逆變器的。
2021-03-16 07:22:13
今天我們來聊聊碳化硅器件的特點
2021-03-16 08:00:04
超過40%，其中以碳化硅材料（SiC）為代表的第三代半導體大功率電力電子器件是目前在電力電子領域發(fā)展最快的功率半導體器件之一。根據中國半導體行業(yè)協會統(tǒng)計，2019年中國半導體產業(yè)市場規(guī)模達7562億元
2021-01-12 11:48:45
。如果選擇新的柵極驅動器，則值得選擇具有13 V欠壓鎖定功能的柵極驅動器，以確保在目標應用異常條件下的安全運行。SiC 的另一個好處是溫度對 25 °C 和 150 °C 之間傳輸特性的影響有限（圖
2023-02-23 17:11:32
電磁性。因碳化硅是一種共價鍵化合物，原子間結合的鍵很強，它具有以下一些獨特的性能，因而得以廣泛應用。1)高熔點。關于碳化硅熔點的數據.不同資料取法不一，有2100℃。2)高硬度。碳化硅是超硬度的材料之一
2019-07-04 04:20:22
硅與碳的唯一合成物就是碳化硅(SiC)，俗稱金剛砂。SiC 在自然界中以礦物碳硅石的形式存在，但十分稀少。不過，自1893 年以來，粉狀碳化硅已被大量生產用作研磨劑。碳化硅用作研磨劑已有一百多年
2019-07-02 07:14:52
碳化硅作為現在比較好的材料，為什么應用的領域會受到部分限制呢？
2021-08-19 17:39:39
碳化硅作為一種寬禁帶半導體材料，比傳統(tǒng)的硅基器件具有更優(yōu)越的性能。碳化硅的寬禁帶（3.26eV）、高臨界場（3×106V/cm）和高導熱系數（49W/mK）使功率半導體器件效率更高，運行速度更快
2023-02-28 16:34:16
已經成為全球最大的半導體消費國，半導體消費量占全球消費量的比重超過40%，其中以碳化硅材料（SiC）為代表的第三代半導體大功率電力電子器件是目前在電力電子領域發(fā)展最快的功率半導體器件之一。根據中國
2021-03-25 14:09:37
Sanket Sapre摘要IGBT/功率MOSFET是一種電壓控制型器件，可用作電源電路、電機驅動器和其它系統(tǒng)中的開關元件。柵極是每個器件的電氣隔離控制端。MOSFET的另外兩端是源極和漏極，而對
2018-11-01 11:35:35
新一代SiC/GaN功率轉換器的完整IC生態(tài)系統(tǒng)的最高水準。設計平臺類型眾多，既有用于高電壓、大電流SiC功率模塊的隔離式柵極驅動器板，也有完整的交流/直流雙向轉換器，其中ADSP-CM419F的軟件在
2018-10-22 17:01:41
哪位大神知道CISSOID碳化硅驅動芯片有幾款,型號是什么
2020-03-05 09:30:32
隔離電源轉換器詳解柵極驅動器解決方案選項最優(yōu)隔離柵極驅動器解決方案
2021-03-08 07:53:35
SLM341CK-DG是一款單通道、兼容光耦管腳的隔離式柵極驅動器，專為驅動IGBT和MOSFET設計。其具備3.0A峰值輸出電流和12.5V的欠壓鎖定（UVLO）功能，在共模瞬態(tài)抗擾度（CMTI
2025-09-19 09:24:19
產品尺寸，從而提升系統(tǒng)效率。而在實際應用中，我們發(fā)現：帶輔助源極管腳的TO-247-4封裝更適合于碳化硅MOSFET這種新型的高頻器件，它可以進一步降低器件的開關損耗，也更有利于分立器件的驅動
2023-02-27 16:14:19
，利用SiC MOSFET來作為永磁同步電機控制系統(tǒng)中的功率器件，可以降低驅動器損耗，提高開關頻率，降低電流諧波和轉矩脈動。本項目中三相逆變器擬打算使用貴公司的SiC MOSFET，驗證碳化硅功率器件
2020-04-21 16:04:04
什么是碳化硅（SiC）？它有哪些用途？碳化硅（SiC）的結構是如何構成的？
2021-06-18 08:32:43
具有決定性的影響。因此，深入理解柵極氧化層的特性，并掌握其可靠性測試方法，對于推動碳化硅 MOSFET的應用和發(fā)展具有重要意義。今天的“SiC科普小課堂”將聚焦于“柵極氧化層”這一新話題：“什么是柵極
2025-01-04 12:37:34
多半仍以機械結構為主，造價高昂，且產品相當笨重，更需要經常維修。為了改良這些缺點，以電力電子為基礎的新一代大功率電力設備應運而生。碳化硅等新世代組件，則是在背后促成這股電力設備電子化不可或缺的功臣
2021-09-23 15:02:11
電機驅動。碳化硅器件和碳化硅模組可用于太陽能發(fā)電、風力發(fā)電、電焊機、電力機車、遠距離輸電、服務器、家電、電動汽車、充電樁等用途。創(chuàng)能動力于2015年在國內開發(fā)出6英寸SiC制造技術，2017年推出基于6
2023-02-22 15:27:51
復雜的設計，功率模塊的集成能力使其成為首選。但是哪些封裝適用于快速開關碳化硅器件？ 當傳統(tǒng)硅器件在功率損耗和開關頻率方面達到極限時，碳化硅可能是合適的半導體選擇。高達 30 至 40kHz，最新一代
2023-02-20 16:29:54
通時由電容驅動的柵極 - 源極電壓，其源于半橋配置中第二個碳化硅MOSFET的高dv/dt開關?！ 」鐼OSFET設計中在此類問題一般可以通過柵極驅動器和硅MOSFET柵極之間插入一個高阻值電阻，或找到
2023-03-14 14:05:02
本方案利用新一代1000V、65毫歐4腳TO247封裝碳化硅(SiC)MOSFET(C3M0065100K)實現了高頻LLC諧振全橋隔離變換器，如圖所示。由于碳化硅的高阻斷電壓, 快速開關及低損耗等
2016-08-05 14:32:43
，能夠在 MOSFET 關斷狀態(tài)下為柵極提供負電壓、高充電/放電脈沖電流，并且足夠快以在納秒范圍內操作柵極。IC IX6611是一款智能高速柵極驅動器，可輕松用于驅動碳化硅（SiC）MOSFET以及標準
2023-02-27 09:52:17
用碳化硅MOSFET設計一個雙向降壓-升壓轉換器
2021-02-22 07:32:40
分流器需要具有特殊數據流的單獨數字隔離IC，但直流分流器無法檢測所有接地故障。本文重點介紹一種基于數字的新型交流電流傳感器。它具有電氣隔離和快速短路檢測功能，符合工業(yè)驅動器標準IEC
2023-02-22 16:42:00
關閉，第二個開關開啟前的停滯時間。圖1. 高壓半橋柵極驅動器如圖所示，這種功能的一種常規(guī)實現方式是用一個光耦合器進行隔離，其后用一個高壓柵極驅動器IC。這種電路的一個潛在不足，就是單隔離輸入通道依賴
2018-10-23 11:49:22
的一個潛在問題是，僅有一個隔離輸入通道，而且依賴高壓驅動器來提供通道間所需的時序匹配以及應用所需的死區(qū)。另一問題是，高壓柵極驅動器并無電流隔離，而是依賴結隔離來分離同一IC中的上橋臂驅動電壓和下橋臂驅動
2018-10-16 16:00:23
開啟前的停滯時間?！ D1. 高壓半橋柵極驅動器 如圖所示，這種功能的一種常規(guī)實現方式是用一個光耦合器進行隔離，其后用一個高壓柵極驅動器IC.這種電路的一個潛在不足，就是單隔離輸入通道依賴高壓驅動器
2018-09-26 09:57:10
電子的發(fā)展趨勢，但瓷片電容、傳感器、柵極驅動等還無法完全匹配碳化硅的高溫高頻性能、散熱和電磁兼容問題；開發(fā)高溫電容、功率芯片片內集成傳感器、研究 SiC CMOS 驅動芯片或者采用 SOI
2023-02-22 16:06:08
有源米勒鉗位選配，提升高速開關抗干擾能力中國，2018年8月3日——意法半導體的STGAP2S單路電氣隔離柵極驅動器提供26V的最大柵極驅動輸出電壓，準許用戶選擇獨立的導通/關斷輸出或內部有源米勒鉗
2018-08-06 14:37:25
管子開關影響?！ ?）低傳輸延遲 通常情況下，硅IGBT的應用開關頻率小于40kHZ，碳化硅MOSFET推薦應用開關頻率大于100kHz，應用頻率的提高使得碳化硅MOSFET要求驅動器提供更低的信號
2023-02-27 16:03:36
全球半導體解決方案供應商瑞薩電子今日宣布，推出一款全新柵極驅動IC——RAJ2930004AGM，用于驅動電動汽車（EV）逆變器的IGBT（絕緣柵雙極型晶體管和SiC（碳化硅）MOSFET等高壓功率
2023-02-15 11:19:05
碳化硅（SiC）等寬帶隙技術為功率轉換器設計人員開辟了一系列新的可能性。與現有的IGBT器件相比，SiC顯著降低了導通和關斷損耗，并改善了導通和二極管損耗。對其開關特性的仔細分析表明，SiC
2023-02-22 16:34:53
面向電動汽車的全新碳化硅功率模塊 碳化硅在電動汽車應用中代表著更高的效率、更高的功率密度和更優(yōu)的性能，特別是在800 V 電池系統(tǒng)和大電池容量中，它可提高逆變器的效率，從而延長續(xù)航里程或降低電池成本
2021-03-27 19:40:16
是寬禁帶半導體材料的一種，主要特點是高熱導率、高飽和以及電子漂移速率和高擊場強等，因此被應用于各種半導體材料當中，碳化硅器件主要包括功率二極管和功率開關管。功率二極管包括結勢壘肖特基（JBS）二極管
2023-02-20 15:15:50
輸入電壓：1000V,輸出12V/2A
要把此電源做成反激電源，用碳化硅MOS來驅動的話，請問去驅動IC用哪個？要怎么處理？有專門的IC嗎？
2023-07-31 17:36:47
最近需要用到干法刻蝕技術去刻蝕碳化硅，采用的是ICP系列設備，刻蝕氣體使用的是SF6+O2，碳化硅上面沒有做任何掩膜，就是為了去除SiC表面損傷層達到表面改性的效果。但是實際刻蝕過程中總是會在碳化硅
2022-08-31 16:29:50
描述此款碳化硅 (SiC) FET 和 IGBT 柵極驅動器參考設計為驅動 UPS、交流逆變器和電動汽車充電樁（電動汽車充電站）應用的功率級提供了藍圖。此設計基于 TI 的 UCC53xx
2018-09-30 09:23:41
IGBT 的三相電機半橋的高側和低側功率級，并能夠監(jiān)控和保護各種故障情況。圖1：電動汽車牽引逆變器框圖碳化硅 MOSFET 米勒平臺和高強度柵極驅動器的優(yōu)勢特別是對于SiC MOSFET，柵極驅動器IC
2022-11-02 12:02:05
碳化硅（SiC）MOSFET 是基于寬禁帶半導體材料碳化硅（SiC）制造的金屬氧化物半導體場效應晶體管，相較于傳統(tǒng)硅（Si）MOSFET，具有更高的擊穿電壓、更低的導通電阻、更快的開關速度以及更優(yōu)
2025-04-08 16:00:57
意法半導體的STGAP2S單路電氣隔離柵極驅動器提供26V的最大柵極驅動輸出電壓，準許用戶選擇獨立的導通/關斷輸出或內部有源米勒鉗位功能，可用于各種開關拓撲控制碳化硅（SiC）或硅MOSFET和IGBT功率晶體管。
2018-08-04 09:20:001180 。PCIM 2019是全球領先的電力電子、智能傳動、可再生能源和能源管理展覽及會議。 CISSOID公司推出了一款新型柵極驅動器板，該板針對額定溫度為125°C（環(huán)境溫度）的62mm碳化硅MOSFET功率模塊進行了優(yōu)化。
2019-05-16 09:10:564616 緊湊的印制電路板（PCB）設計。這些柵極驅動器所取得的新進展可以幫助電源轉換器設計人員滿足甚至超越日益提高的能效標準及尺寸限制，同時支持使用碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）和快速Si FET等新興技術。 ? ? ? ? ?Silicon Labs 的Si825xx系列產品為強健的柵極驅動器，
2020-12-29 10:32:382967 ，Microchip Technology Inc.（美國微芯科技公司）宣布推出一款全新的1200V可直接用于生產的數字柵極驅動器，為系統(tǒng)開發(fā)人員提供多層級的控制和保護，以實現安全、可靠的運行并滿足嚴格的運輸要求。 對于基于碳化硅的電源轉換設備的設計人 員
2021-10-09 16:17:462154 意法半導體新推出的兩款雙通道電隔離IGBT和碳化硅（SiC） MOSFET柵極驅動器在高壓電力變換和工業(yè)應用中節(jié)省空間，簡化電路設計。
2022-02-15 14:23:261809 
意法半導體新推出的兩款雙通道電隔離IGBT和碳化硅(SiC) MOSFET柵極驅動器在高壓電力變換和工業(yè)應用中節(jié)省空間，簡化電路設計。
2022-02-17 10:06:142849 摘 要 基于進一步提升電驅動總成系統(tǒng)效率和功率密度的需求,設計了一款碳化硅三合一電驅動總成系統(tǒng),介紹了碳化硅控制器和驅動電機的結構設計方案,并詳細闡述了碳化硅三合一電驅動總成的冷卻系統(tǒng)設計方案
2022-12-21 14:05:033003 碳化硅具備耐高溫、耐高壓、高頻率、高效率等特性，發(fā)展勢頭迅猛?；?b class="flag-6" style="color: red">碳化硅特性，碳化硅驅動器相較于硅器件驅動器有其特殊要求，面臨不同的設計挑戰(zhàn)。青銅劍技術針對碳化硅的應用特點，推出了2CP0335V33-LV100等碳化硅驅動器，可滿足多樣化需求。
2022-12-29 11:34:262136 (onsemi) 的隔離柵極驅動器針對SiC（碳化硅）和GaN（氮化鎵）等技術所需的最高開關速度和系統(tǒng)尺寸限制而設計，為 MOSFET 提供可靠控制。電力電子行業(yè)的許多設計人員對于在諸多類型的電力電子應用中使用Si MOSFET、SiC和GaN MOSFET 具有豐富的經驗，
2023-02-05 05:55:012039 經濟型光耦兼容的單通道隔離式柵極驅動器納芯微全新推出第二代產品NSi6801x系列，包含NSi68010B和NSi68011C兩款產品。NSi6801x系列產品基于第一代產品NSi6801優(yōu)秀性能而
2022-10-31 13:54:55
4 報告內容包含：
效率和功率密度推動變革
基本的 MOSFET 柵極驅動器功能
驅動器演進以支持 IGBT（絕緣柵雙極晶體管）
驅動器進化以支持 SiC（碳化硅）
2023-12-18 09:39:571045 
光耦仿真器與業(yè)內最常見的光耦合器引腳對引腳兼容，有助于無縫集成到現有設計中，同時提供相同的信號行為。
2024-01-30 15:07:281446 在電力電子領域持續(xù)創(chuàng)新的英飛凌科技股份公司近日宣布，其已成功推出新一代碳化硅（SiC）MOSFET溝槽柵技術——CoolSiC? MOSFET Generation 2。這一創(chuàng)新技術的推出，標志著功率系統(tǒng)和能量轉換領域迎來了新的里程碑，為行業(yè)的低碳化進程注入了強大動力。
2024-03-12 09:43:291515 在全球電力電子領域，英飛凌科技以其卓越的技術創(chuàng)新能力和領先的產品質量贏得了廣泛贊譽。近日，該公司宣布推出新一代碳化硅（SiC）MOSFET溝槽柵技術，標志著功率系統(tǒng)和能量轉換領域邁入了新的發(fā)展階段。
2024-03-12 09:53:521409 英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX/OTCQX代碼：IFNNY）推出新一代碳化硅（SiC）MOSFET溝槽柵技術，開啟功率系統(tǒng)和能量轉換的新篇章。與上一代產品相比，英飛凌全新
2024-03-12 08:13:021191 
英飛凌科技股份公司推出的新一代碳化硅（SiC）MOSFET溝槽柵技術，無疑為功率系統(tǒng)和能量轉換領域帶來了革命性的進步。與上一代產品相比，全新的CoolSiC? MOSFET 650V和1200V
2024-03-20 10:32:361779 英飛凌科技推出新一代碳化硅（SiC）MOSFET溝槽柵技術，開啟功率系統(tǒng)和能量轉換的新篇章。與上一代產品相比，英飛凌全新的 CoolSiC? MOSFET 650 V 和 1200 V
2024-04-20 10:41:202096 
半導體領域的創(chuàng)新者英飛凌科技近日發(fā)布了一款革命性的數字驅動評估板——EVAL-FFXMR20KM1HDR，專為2kV碳化硅MOSFET模塊設計。這款評估板為工程師們提供了一個快速、便捷的測試平臺，以評估基于2kV碳化硅MOSFET樣機的性能特性。
2024-05-11 11:33:451426 英飛凌繼推出市面首款擊穿電壓達到2000V的CoolSiCMOSFET分立器件，再次推出首個應用于2000VCoolSiCMOSFET的評估板。本次IPAC直播間特邀評估板開發(fā)團隊，免費教學，帶您深入了解兩款評估板設計精髓與測試要點，領略英飛凌2000VCoolSiC碳化硅產品的高效與可靠
2024-08-02 08:14:501015 利用集成負偏壓來關斷柵極驅動在設計電動汽車、不間斷電源、工業(yè)驅動器和泵等高功率應用時，系統(tǒng)工程師更傾向于選擇碳化硅 (SiC) MOSFET，因為與 IGBT 相比，SiC 技術具有更高的效率
2024-08-20 16:19:071370 
電子發(fā)燒友網站提供《隔離認證標準揭秘：光耦合器與光耦仿真器.pdf》資料免費下載
2024-08-27 10:49:350 電子發(fā)燒友網站提供《光耦仿真器簡介.pdf》資料免費下載
2024-08-28 11:45:440 英飛凌近期推出的EiceDRIVER? 2ED314xMC12L系列，是一款專為驅動Si MOSFET、IGBT及SiC MOSFET而設計的雙通道隔離柵極驅動器IC。該系列以緊湊的14引腳DSO封裝形式呈現，不僅節(jié)省空間，還確保了設計的靈活性。
2024-09-03 14:55:581582 電子發(fā)燒友網站提供《光兼容隔離式柵極驅動器的輸入電阻選擇指南.pdf》資料免費下載
2024-10-14 09:41:320 電隔離式（GI）柵極驅動器在優(yōu)化碳化硅（SiC）MOSFET性能方面扮演著至關重要的角色，特別是在應對電氣化系統(tǒng)日益增長的需求時。隨著全球對電力在工業(yè)、交通和消費產品中依賴性的加深，SiC技術憑借其
2024-11-11 17:12:321595 電隔離式 (GI) 柵極驅動器在優(yōu)化碳化硅 (SiC) MOSFET性能方面扮演著至關重要的角色，特別是在應對電氣化系統(tǒng)日益增長的需求時。隨著全球對電力在工業(yè)、交通和消費產品中依賴性的加深，SiC
2024-11-11 17:16:131524 
川土微電子CA-IS3211SCWG單通道超寬體光耦輸入型隔離柵極驅動器新品發(fā)布！
2024-11-27 16:32:072095 
英飛凌科技股份公司近日推出了一款新型MOTIX? TLE9189柵極驅動器IC，專為12V無刷直流（BLDC）電機的安全關鍵型應用而設計。這款三相柵極驅動器IC的推出，旨在滿足線控解決方案對電機控制IC日益增長的市場需求。
2024-12-02 11:03:461880 意法半導體的STGAP3S系列碳化硅（SiC）和 IGBT功率開關柵極驅動器集成了意法半導體最新的穩(wěn)健的電隔離技術、優(yōu)化的去飽和保護功能和靈活的米勒鉗位架構。
2025-01-09 14:48:331396 關鍵作用。本文介紹了一種用于碳化硅升壓轉換器的氮化鎵諧振柵極驅動器。該方案不僅能實現高效率，還能在高開關頻率下保持良好控制的開關轉換特性。諧振柵極驅動器原理轉換器
2025-05-08 11:08:401284 
ADuM4146是一款單通道柵極驅動器，專門針對驅動碳化硅(SiC)、金屬氧化物半導體場效應晶體管(MOSFET)進行了優(yōu)化。ADI公司的*i*Coupler ^?^ 技術在輸入信號與輸出柵極驅動器之間實現隔離。
2025-05-29 15:31:35871 
Texas Instruments ISOM8610光耦仿真器開關是一款80V單極常開開關，具有光耦仿真器輸入。此光耦仿真器開關的輸入可控制背對背MOSFET，在次級側無需使用任何電源
2025-07-28 14:01:42777 
EiceDRIVER? 2EDR8259H等雙通道隔離柵極驅動器IC：設計與應用詳解 作為一名電子工程師，在設計電源轉換系統(tǒng)時，選擇合適的柵極驅動器IC至關重要。今天就來詳細聊聊英飛凌
2025-12-20 20:35:051252 基于隔離驅動IC兩級關斷技術的碳化硅MOSFET伺服驅動器短路保護研究報告 傾佳電子（Changer Tech）是一家專注于功率半導體和新能源汽車連接器的分銷商。主要服務于中國工業(yè)電源、電力電子設備
2025-12-23 08:31:10547 
柵極驅動器，看看它究竟有哪些獨特的魅力。 文件下載： ucc21738-q1.pdf 一、UCC21738-Q1概述 UCC21738-Q1是一款專為碳化硅（SiC）MOSFET和絕緣柵雙極型晶體管
2026-01-07 11:20:12292 前言在追求極致效率與可靠性的高功率電子領域，從新能源汽車電驅到萬億參數的AI服務器電源，每一次能源的高效轉換都依賴于一顆“強健的心臟”——隔離柵極驅動器。傳統(tǒng)方案在應對碳化硅（SiC）等新一代功率
2026-01-16 14:09:51224 
UCC21717-Q1：汽車用碳化硅/IGBT高端單通道柵極驅動器 在電力電子設計領域，柵極驅動器是不可或缺的關鍵組件。今天，我們來深入探討一款高性能的汽車級柵極驅動器——UCC21717-Q1，它
2026-01-20 16:45:08341 德州儀器UCC21750-Q1：碳化硅/IGBT隔離柵極驅動器的卓越之選 在功率電子應用領域，可靠且高性能的柵極驅動器是確保系統(tǒng)穩(wěn)定運行的關鍵。德州儀器（TI）的UCC21750-Q1隔離式單通道
2026-01-21 17:30:02578 碳化硅（SiC）MOSFET和絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）設計的單通道隔離柵極驅動器，具備一系列先進的保護和傳感功
2026-01-21 17:30:12549
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