Micron近日宣布將推出2GB和4GB的DDR3-2133內(nèi)存芯片，采用30nm制造工藝，這種芯片能夠進(jìn)一步融入到SoC芯片和顯卡芯片中提供“超性能”的強(qiáng)悍表現(xiàn)
2012-06-13 10:11:34
1791 知名拆解機(jī)構(gòu)iFixit已經(jīng)徹底解構(gòu)蘋果iPad Air 2。確認(rèn)iPad Air 2電池容量為7340毫安時，由順達(dá)（蘇州）生產(chǎn)，與前代相比減少約1500毫安時。也確認(rèn)iPad Air 2擁有2GB運(yùn)行內(nèi)存，由Elpida（爾必達(dá)）提供。
2014-10-24 18:47:542409 
每片DDR2存儲器的容量為1Gb，兩片DDR2芯片組合，得到總?cè)萘繛?b class="flag-6" style="color: red">2Gb。單DDR2存儲器為16bit，兩片存儲器共用控制線和地址線，數(shù)據(jù)線并列，即組成了32位的2Gb存儲模組。
2020-08-21 15:09:007428 
本文首先列出了DDR2布線中面臨的困難，接著系統(tǒng)的講述了DDR2電路板設(shè)計的具體方法，最后給出個人對本次電路設(shè)計的一些思考。
2020-11-20 10:28:358529 DDR內(nèi)存控制器是一個高度集成的組件，支持多種DDR內(nèi)存類型（DDR2、DDR3、DDR3L、LPDDR2），并通過精心設(shè)計的架構(gòu)來優(yōu)化內(nèi)存訪問效率。
2025-03-05 13:47:403578 
DDR內(nèi)存條經(jīng)歷了DDR內(nèi)存條、DDR2內(nèi)存條、DDR3內(nèi)存條三個時代。這里給出了DDR內(nèi)存條、DDR2內(nèi)存條、DDR3內(nèi)存條的對比分析。
2011-12-29 14:21:564584 在quartus2中創(chuàng)建了一個DDR2 控制器的ip核 ，但是在選擇 DDR型號的時候，找不到我要用的DDR芯片信號 怎么辦？選擇了一個DDR芯片將它的行列bits數(shù)改了之后 發(fā)現(xiàn) 內(nèi)存大小又不對 。求解答
2017-09-19 14:50:23
我在XPS中進(jìn)行硬件設(shè)計時添加了DDR2 ip內(nèi)核，因?yàn)榇a很大而導(dǎo)致內(nèi)存錯誤。但在未來的計劃中，我遇到了布局錯誤。我已將ddr2包裝器的ucf文件復(fù)制粘貼到system.ucf文件中以消除一些錯誤
2020-06-18 10:36:34
嗨，DDR2內(nèi)存型號的最低頻率是多少？我們可以嘗試低于125 Mhz的DDR2內(nèi)存型號嗎？問候 - sampath
2020-05-27 09:24:15
我想用s3c2450外接128MB的DDR2內(nèi)存，就是說用兩片64MB的DDR2拼一下。 請問高手應(yīng)該怎樣連接？ 謝謝
2022-06-22 12:01:49
從上表可以看出，在同等核心頻率下，DDR2的實(shí)際工作頻率是DDR的兩倍。這得益于DDR2內(nèi)存擁有兩倍于標(biāo)準(zhǔn)DDR內(nèi)存的4BIT預(yù)讀取能力。
2019-08-08 07:11:44
DDR2設(shè)計原理 DDR2 designBasic knowledge? Source Sync Bus Analysis? On-Die Terminations (ODT)? Slew Rate
2009-11-19 09:59:04
于DDR400。2、封裝和發(fā)熱量：DDR2內(nèi)存技術(shù)最大的突破點(diǎn)其實(shí)不在于用戶們所認(rèn)為的兩倍于DDR的傳輸能力，而是在采用更低發(fā)熱量、更低功耗的情況下，DDR2可以獲得更快的頻率提升，突破標(biāo)準(zhǔn)DDR
2011-02-27 16:47:17
求一DDR2接口設(shè)計代碼
2013-04-24 10:00:36
最近在做ddr2方面的東西，需要仿真ddr2，可是一直沒有頭緒。xx_example_top_tb仿真不知道是對是錯，網(wǎng)上說的外掛美光ddr2 模型的仿真方法，沒有具體講解。哪位大蝦能夠指點(diǎn)一二哇，不甚感激!
2016-06-29 15:50:28
我使用 MSCale DDR 工具在基于 iMX8mq-evk 的定制板上進(jìn)行 RAM 校準(zhǔn)。Mscale DDR Tool RAM 顯示 RAM 的大小為 2GB（2GB 是正確的值）。然后我生成
2023-03-24 07:43:17
低功耗44Gb/s CDR芯片內(nèi)嵌在CMOS芯片里該芯片在數(shù)據(jù)率為40Gb/s時的功耗為0.9W，小于用SiGe、BiCMOS或其他復(fù)合半導(dǎo)體技術(shù)制成的器件的1/3。它使用了創(chuàng)新的3X過采樣構(gòu)架
2009-05-26 17:23:24
大家好，什么是spartan 3a入門套件板中DDR2內(nèi)存芯片的工作頻率？謝謝，randeel。
2019-08-22 09:18:39
效能，不會在零售市場成為技術(shù)主流）當(dāng)市場需求超過4GB的時候，64位CPU與操作系統(tǒng)就是唯一的解決方案，此時也就是DDR3內(nèi)存的普及時期。2、從外觀上說：DDR2代的是240PIN的 （中間部分有凹槽
2014-12-30 14:35:58
效能，不會在零售市場成為技術(shù)主流）當(dāng)市場需求超過4GB的時候，64位CPU與操作系統(tǒng)就是唯一的解決方案，此時也就是DDR3內(nèi)存的普及時期。2、從外觀上說：DDR2代的是240PIN的 （中間部分有凹槽
2014-12-30 14:36:44
2133MT/s，運(yùn)作電壓在1.2V，這也是史上第一條DDR4內(nèi)存。在此之前，三星電子40nm制程的DRAM芯片的成功流片，成為DDR4發(fā)展的關(guān)鍵。三個月之后，SK海力士宣布2400MT/s速率的2GB
2022-10-26 16:37:40
在第二輪12萬臺又在1分鐘內(nèi)售罄之后，華為副總裁余承東在微博上表示，2GB內(nèi)存版的榮耀3C以及5.5寸的榮耀3X會在1月份正式開賣。此外，將進(jìn)一步提升產(chǎn)量，供貨會達(dá)到百萬臺以上?！ ∽蛉?，華為榮耀在
2014-01-01 10:55:59
、DDR2與DDR3內(nèi)存的特性區(qū)別: 1、邏輯Bank數(shù)量 DDR2 SDRAM中有4Bank和8Bank的設(shè)計，目的就是為了應(yīng)對未來大容量芯片的需求。而DDR3很可能將從2Gb容量起步，因此起始
2011-12-13 11:29:47
嗨！我正在尋找Spartan-3A / 3ANFPGA入門KitBoard用戶指南（UG334）。具體來說第13章：DDR2 SDRAM和我不明白如何使用DDR2 SDRAM，因?yàn)槔邕@個內(nèi)存
2019-07-31 06:18:10
一個測試平臺嗎？一般來說，我有一些關(guān)于FPGA和外部設(shè)備之間的時序配置的信息（這里是ddr2）......（附件是ddr2 datasheet）請指導(dǎo)我......非常感謝。1Gb_DDR2.pdf 2016 KB
2019-10-28 07:46:43
你好，我正在使用MCB連接fpga到DDR2內(nèi)存。我可以從fpga端寫入內(nèi)存，但是當(dāng)我嘗試閱讀它時。數(shù)據(jù)沒有出現(xiàn)。有沒有辦法查看加載到內(nèi)存中的數(shù)據(jù)。我正在使用模擬模型，但似乎沒有任何幫助。如果有
2019-05-27 13:52:30
時。如果我查看發(fā)送的數(shù)據(jù)和數(shù)據(jù)從內(nèi)存中讀回并存儲在fifo中，chipcope cdc會導(dǎo)致時序約束失敗并且還會改變設(shè)計的時序性能，因此我無法捕獲可靠的數(shù)據(jù)。我嘗試將DDR2信號路由到另一組I / O
2019-05-10 14:25:23
FeaturesThe Agilent W2630 Series DDR2 BGA probes for logic analyzers and oscilloscopes enable
2010-08-01 12:14:42
6 DDR2 SDRAM 和 FB-DIMM的電氣檢驗(yàn):
隨著DDR2 SDRAM時鐘頻率和信號邊沿速率不斷提高，檢查電路板結(jié)構(gòu)、電氣系統(tǒng)和信令正變得越來越重要。本應(yīng)用指南介紹了電路板、電源系統(tǒng)、
2010-08-06 08:29:0139 我采用XC4VSX35或XC4VLX25 FPGA來連接DDR2 SODIMM和元件。SODIMM內(nèi)存條選用MT16HTS51264HY-667(4GB)，分立器件選用8片MT47H512M8。設(shè)計目標(biāo)：當(dāng)客戶使用內(nèi)存條時，8片分立器件不焊接；當(dāng)使用直接貼
2010-10-07 11:06:37157 在高速、大容量存儲的系統(tǒng)設(shè)計中，DDR2 SDRAM為設(shè)計者提供了高性價比解決方案。在FPGA中實(shí)現(xiàn)DDR2 SDRAM控制器，降低了系統(tǒng)功耗并節(jié)省空間， 縮短開發(fā)周期，降低系統(tǒng)開發(fā)成本
2010-12-13 17:10:3549 DDR2名詞解釋
DDR2的定義：
DDR2（Double Data Rate 2） SDRAM是由JEDEC（電子設(shè)備工程聯(lián)合委員會）進(jìn)行開發(fā)的新生代內(nèi)存技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)，它與上一代DDR內(nèi)
2009-04-26 18:02:221572 
DDR2內(nèi)存傳輸標(biāo)準(zhǔn) DDR2可以看作是DDR技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)的一種升級和擴(kuò)展：DDR的核心頻率與時鐘頻率相等，但數(shù)據(jù)頻率為時鐘頻率的兩倍，也
2009-04-26 18:05:401127 
什么是DDR2 SDRAM
DDR2的定義：
DDR2（Double Data Rate 2） SDRAM是由JEDEC（電子設(shè)備工程聯(lián)合委員會）進(jìn)行開發(fā)的新生代內(nèi)存技
2009-12-17 11:17:59935 DDR2的定義：
DDR2（Double Data Rate 2） SDRAM是由JEDEC（電子設(shè)備工程聯(lián)合委員會）進(jìn)行開發(fā)的新生代內(nèi)存技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)，它與上一代DDR內(nèi)存技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)最大的不
2009-12-17 16:26:191134 DDR2內(nèi)存傳輸標(biāo)準(zhǔn)
DDR2可以看作是DDR技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)的一種升級和擴(kuò)展：DDR的核心頻率與時鐘頻率相等，但數(shù)據(jù)頻率為時鐘頻率的兩倍，也就是說在一個時鐘周期內(nèi)必須傳輸
2009-12-24 14:53:28883 DDR2傳輸標(biāo)準(zhǔn)
DDR2可以看作是DDR技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)的一種升級和擴(kuò)展：DDR的核心頻率與時鐘頻率相等，但數(shù)據(jù)頻率為時鐘頻率的兩倍，也就是說在一個時鐘周期內(nèi)必須傳輸兩次
2009-12-25 14:12:57563 DDR2乏人問津 DRAM廠搶轉(zhuǎn)產(chǎn)能
DDR2和DDR3 1月上旬合約價走勢迥異，DDR2合約價大跌，DDR3卻大漲，凸顯世代交替已提前來臨，將加速DDR2需求急速降溫，快速轉(zhuǎn)移到DDR3身上，
2010-01-18 16:04:441316 廠商采取搭售策略 挽回DDR2銷售頹勢
全球DRAM市場正加速進(jìn)行世代交替，DDR3芯片因缺貨使得價格持續(xù)上漲，DDR2價格卻嚴(yán)重下跌，且累積庫存越來越多，近期韓系DRAM大
2010-01-20 09:24:18912 DDR2芯片價格有望在下半年超過DDR3
報道，威剛主席Simon Chen今天表示，隨著DRAM制造商把重點(diǎn)放在DDR3芯片生產(chǎn)上，DDR2芯片的出貨量將開始減少，其價格有望在今年下半
2010-02-05 09:56:181177 鎂光南亞合作開發(fā)出42nm制程2Gb DDR3內(nèi)存芯片
鎂光公司與其合作伙伴南亞公司最近公開展示了其合作開發(fā)的42nm制程2Gb DDR3內(nèi)存芯片產(chǎn)品，雙方并宣稱下一代30nm制程級別
2010-02-10 09:40:501422 Hynix宣布已成功開發(fā)出26nm制程NAND閃存芯片產(chǎn)品
南韓Hynix公司本周二宣布，繼半年前成功開發(fā)出基于32nm制程的NAND閃存芯片產(chǎn)品，并于去年8月份開始量產(chǎn)這種閃存芯片
2010-02-11 09:11:081491 三星首家量產(chǎn)40nm級工藝4Gb DDR3綠色內(nèi)存芯片
三星電子宣布，該公司已經(jīng)在業(yè)內(nèi)第一家使用40nm級別工藝批量生產(chǎn)低功耗的4Gb DDR3內(nèi)存芯片。
這種內(nèi)存芯片支
2010-02-26 11:33:421106 DDR2,DDR2是什么意思
DDR2（Double Data Rate 2） SDRAM是由JEDEC（電子設(shè)備工程聯(lián)合委員會）進(jìn)行開發(fā)的新生代內(nèi)存技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)，它與上一代DDR內(nèi)
2010-03-24 16:06:361644 金士頓：DDR2/DDR3價格可能會繼續(xù)上漲
據(jù)報道，存儲大廠金士頓亞太地區(qū)副總裁Scott Chen近日表示，雖然1Gb DDR2/DDR3的芯片價格已經(jīng)超過了3美元大關(guān)，
2010-04-09 09:11:05904 DDR2內(nèi)存瘋狂演繹 2G版沖破350元近一年間，市場主流的DDR2內(nèi)存一直演繹著瘋狂，在200元與300元之間幾經(jīng)反復(fù)。近日，DDR2內(nèi)存的瘋狂更進(jìn)一步，2G的DDR2內(nèi)存的售價最高竟然已達(dá)35
2010-04-13 09:29:35604 據(jù)報道，存儲芯片調(diào)研公司inSpectrum近日表示，7月份下半個月的主流DDR3內(nèi)存期貨價格已經(jīng)出現(xiàn)了小幅度下滑，這也反映出了市場的低需求。逐步退出內(nèi)存市場的DDR2內(nèi)
2010-07-26 10:09:021003 
IDT公司推出針對DDR2和DDR3內(nèi)存模塊、固態(tài)硬盤 (SSD) 和電腦主板的低功耗、高精度溫度傳感器產(chǎn)品系列。
2011-05-12 08:30:101437 從那時起，采用DDR2、甚至最新的DDR3 SDRAM的新設(shè)計讓DDR SDRAM技術(shù)黯然失色。DDR內(nèi)存主要以IC或模塊的形式出現(xiàn)。如今，DDR4雛形初現(xiàn)。但是在我們利用這些新技術(shù)前，設(shè)計人員必須了解如何
2011-07-11 11:17:146408 
This document defines the DDR2 SDRAM specification, including features, functionalities, ACand DC
2011-07-12 09:53:15203 海力士開發(fā)出采用“晶圓級封裝（WLP, Wafer Level Package）”技術(shù)的4GB DDR2微型服務(wù)器專用模塊，在全球尚屬首例。
2011-08-28 11:15:131113 SDRAM, DDR, DDR2, DDR3 是RAM 技術(shù)發(fā)展的不同階段, 對于嵌入式系統(tǒng)來說, SDRAM 常用在低端, 對速率要求不高的場合, 而在DDR/DDR2/DDR3 中，目前基本上已經(jīng)以DDR2 為主導(dǎo)，相信不久DDR3 將全面取代
2012-01-16 14:53:010 使用功能強(qiáng)大的FPGA來實(shí)現(xiàn)一種DDR2 SDRAM存儲器的用戶接口。該用戶接口是基于XILINX公司出產(chǎn)的DDR2 SDRAM的存儲控制器，由于該公司出產(chǎn)的這種存儲控制器具有很高的效率，使用也很廣泛，
2013-01-08 18:15:50239 ISS 的DDR2 的設(shè)計指導(dǎo)，雖是英文，但很有用。
2015-10-29 10:53:380 總結(jié)了DDR和DDR2，DDR3三者的區(qū)別，對于初學(xué)者有很大的幫助
2015-11-10 17:05:3736 DDR2 SDRAM操作時序規(guī)范，中文版規(guī)范
2015-11-10 17:42:440 帶自測功能的DDR2控制器設(shè)計，感興趣的可以看看。
2016-01-04 15:23:320 Xilinx FPGA工程例子源碼：DDR2 Controller
2016-06-07 11:44:1424 Xilinx FPGA工程例子源碼：Xilinx DDR2存儲器接口調(diào)試代碼
2016-06-07 14:54:5727 本文首先列出了DDR2布線中面臨的困難，接著系統(tǒng)的講述了DDR2電路板設(shè)計的具體方法，最后給出個人對本次電路設(shè)計的一些思考。
2017-09-19 11:27:2122 SDRAM）：DDR4提供比DDR3/ DDR2更低的供電電壓1.2V以及更高的帶寬，DDR4的傳輸速率目前可達(dá)2133～3200 MT/s。
2017-11-17 13:15:4928010 提出一種便于用戶操作并能快速運(yùn)用到產(chǎn)品的DDR2控制器IP核的FPGA實(shí)現(xiàn)，使用戶不需要了解DDR2的原理和操作方式的情況下，依然可以通過IP核控制DDR2。簡單介紹了DDR2的特點(diǎn)和操作原理，并
2017-11-22 07:20:505930 
DDR2(Double Data Rate2)SDRAM是由JEDEC(電子設(shè)備工程聯(lián)合委員會)制定的新生代內(nèi)存技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)，它與上一代DDR內(nèi)存技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)最大的不同：雖然采用時鐘的上升／下降沿同時傳輸
2017-11-25 01:41:014527 
三月份首次公開展示之后，三星電子今天宣布，已經(jīng)全球第一個開始量產(chǎn)基于16Gb(2GB) Die顆粒的新一代64GB DDR4 RDIMM內(nèi)存條，主要面向企業(yè)和云服務(wù)應(yīng)用。
2018-06-13 15:09:004819 SK海力士近日悄然在其產(chǎn)品目錄中增加了16Gb(2GB)容量的單Die DDR4內(nèi)存顆粒，不僅可以使用更少的芯片打造大容量內(nèi)存條，還為單條256GB內(nèi)存條鋪平了道路。
2018-03-09 16:06:004586 國產(chǎn)紫光內(nèi)存DDR3顆粒的性能如何呢？值得入手嗎？為了解決大家的疑問，我們?yōu)榇蠹規(guī)砹俗瞎?b class="flag-6" style="color: red">DDR3 4GB*2 1600內(nèi)存的評測，幫助大家了解紫光內(nèi)存的真實(shí)性能。
2018-03-12 13:56:0012354 
本文檔提供了對c6474 DSP包含DDR2接口的實(shí)現(xiàn)說明。
2018-04-16 16:03:377 本文檔介紹了在tms320c6474數(shù)字信號處理器的DDR2內(nèi)存控制器（DSPs）。
2018-04-16 16:16:048 本文檔介紹了DDR2內(nèi)存控制器在tms320dm646x數(shù)字媒體片上系統(tǒng)（dmsoc）的DDR2內(nèi)存控制器。
DDR2內(nèi)存控制器是用來與jesd79d-2a標(biāo)準(zhǔn)兼容的DDR2 SDRAM接口
2018-04-18 10:45:104 突發(fā)長度，由于DDR3的預(yù)期為8bit,所以突發(fā)傳輸周期（BL，Burst Length）也固定位8，而對于DDR2和早期的DDR架構(gòu)的系統(tǒng)，BL=4也是常用的，DDR3為此增加了一個
2018-06-21 09:20:5416120 
安卓手機(jī)起步都是2GB內(nèi)存，高端或頂配機(jī)型會配備3GB甚至4GB內(nèi)存，不過大多都是LPDDR3，而非最新的LPDDR4。
2018-07-19 09:00:008939 三星宣布推出基于10nm級（指10~18nm）的DDR4 SO-DIMM內(nèi)存模組，用于高性能筆記本產(chǎn)品。新的內(nèi)存模組容量達(dá)到32GB單條，頻率2666MHz，結(jié)構(gòu)上是由16個16Gb DDR
2018-08-06 16:38:015722 DDR2 設(shè)備概述：DDR2 SDRAM接口是源同步、支持雙速率傳輸。比如DDR SDRAM ,使用SSTL 1.8V/IO電氣標(biāo)準(zhǔn)，該電氣標(biāo)準(zhǔn)具有較低的功耗。與TSOP比起來，DDR2 SDRAM的FBGA封裝尺寸小得多。
2019-06-22 10:05:013987 
FCI開發(fā)了一系列垂直內(nèi)存插槽，可接受標(biāo)準(zhǔn)DDR2（雙倍數(shù)據(jù)速率）內(nèi)存模塊組件，以便在臺式機(jī)和服務(wù)器中實(shí)現(xiàn)內(nèi)存擴(kuò)展。 240位DDR2垂直連接器提供用于焊接端接的直通式引線或用于壓配端接的“針眼”引線。
2019-10-06 15:56:003664 在這個智能手機(jī)16GB內(nèi)存超過大部分PC的時代，2GB內(nèi)存的電腦還能干什么？
2020-03-10 09:47:437685 MXIC 19nm SLC NAND 1Gb/2Gb/4Gb/8Gb 可滿足工控市場小容量FLASH短缺需求 一、MXIC 19nm SLC NAND 介紹： MX30LF/MX60LF系列由
2020-03-23 11:06:282503 DDR2 SDRAM采用雙數(shù)據(jù)速率結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)高速運(yùn)行。雙數(shù)據(jù)速率體系結(jié)構(gòu)本質(zhì)上是4n預(yù)取體系結(jié)構(gòu)，其接口設(shè)計為在I/O球處每個時鐘周期傳輸兩個數(shù)據(jù)字。DDR2 SDRAM的單次讀寫操作有效地包括在內(nèi)部
2020-05-21 08:00:003 本文檔的主要內(nèi)容詳細(xì)介紹的是DDR和DDR2與DDR3的設(shè)計資料總結(jié)包括了：一、DDR的布線分析與設(shè)計，二、DDR電路的信號完整性，三、DDR Layout Guide，四、DDR設(shè)計建議，六、DDR design checklist，七、DDR信號完整性
2020-05-29 08:00:000 EE-349：用于DDR2內(nèi)存的ADSP-2146x板設(shè)計指南
2021-04-18 16:17:531 EE-387：將DDR3/DDR2/LPDDR內(nèi)存連接到ADSP-SC5xx/ADSP-215xx處理器
2021-04-20 15:44:562 Jetson Nano 2GB 開發(fā)工具包提供了一個隨時可用的平臺的開發(fā)體驗(yàn)，而不會限制您使用各種相機(jī)、傳感器和外圍設(shè)備親自探索人工智能的好奇心。
2022-04-18 15:48:171927 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《DDR2 SODIMM封裝中的Arduino DUE.zip》資料免費(fèi)下載
2022-08-19 09:42:323 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《Gowin DDR2 Memory Interace IP用戶指南.pdf》資料免費(fèi)下載
2022-09-15 14:55:080 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《具有最大1Gb DDR2 SDRAM的SAMA5D2 SIP MPU.pdf》資料免費(fèi)下載
2023-09-25 10:11:120 5片DDR2設(shè)計分享
2022-12-30 09:19:265 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《DDR2與DDR的區(qū)別.doc》資料免費(fèi)下載
2024-03-07 14:58:520 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《完整的DDR、DDR2和DDR3內(nèi)存電源解決方案同步降壓控制器數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-03-13 10:16:451 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《具有同步降壓控制器、2A LDO和緩沖基準(zhǔn)的TPS51716完整DDR2、DDR3、DDR3L、LPDDR3和DDR4內(nèi)存電源解決方案數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-03-13 11:13:440 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《完整的DDR2、DDR3和DDR3L內(nèi)存電源解決方案同步降壓控制器TPS51216數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-03-13 13:58:120 據(jù)悉，現(xiàn)有的南亞科技已投入8/4Gb DDR4內(nèi)存以及16Gb DDR5內(nèi)存的1B nm制程試生產(chǎn)中。他們計劃下半年少量推出DDR5產(chǎn)品并逐步提高產(chǎn)量，預(yù)計明年產(chǎn)量將會進(jìn)一步增加。
2024-05-30 15:41:092438 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《TMS320C6474 DDR2實(shí)施指南.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-10-14 09:26:511 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《在DSP上實(shí)現(xiàn)DDR2 PCB布局布線.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-10-15 09:16:493 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《TMS320DM644x DMSoC DDR2內(nèi)存控制器用戶指南.pdf》資料免費(fèi)下載
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