SK海力士10月6日宣布推出全球首款DDR5 DRAM，頻率、容量、能效和功能技術(shù)都達(dá)到了全新的高度。
2020-10-08 00:54:40
8383 Micron近日宣布將推出2GB和4GB的DDR3-2133內(nèi)存芯片，采用30nm制造工藝，這種芯片能夠進(jìn)一步融入到SoC芯片和顯卡芯片中提供“超性能”的強(qiáng)悍表現(xiàn)
2012-06-13 10:11:341791 每片DDR2存儲(chǔ)器的容量為1Gb，兩片DDR2芯片組合，得到總?cè)萘繛?b class="flag-6" style="color: red">2Gb。單DDR2存儲(chǔ)器為16bit，兩片存儲(chǔ)器共用控制線和地址線，數(shù)據(jù)線并列，即組成了32位的2Gb存儲(chǔ)模組。
2020-08-21 15:09:007432 
近日消息，SK海力士正式宣布，將在年底前量產(chǎn)并提供業(yè)界頻率達(dá)到8400MHz的DDR5存儲(chǔ)器，單顆最大密度64Gb，并且會(huì)帶有ECC錯(cuò)誤修正的功能，工作電壓僅1.1V。 根據(jù)SK海力士公布的資料顯示
2020-04-07 10:51:235823 SK海力士（或‘公司’）今日宣布，公司已開發(fā)出具備計(jì)算功能的下一代內(nèi)存半導(dǎo)體技術(shù)“PIM（processing-in-memory，內(nèi)存中處理）”1）。
2022-02-16 11:04:511957 
。但我也無法在ddr2包裝器ucf文件中找到這些信號(hào)。能告訴我如何解決這些錯(cuò)誤嗎？我已附上PAR報(bào)告和頂級(jí)模塊的ucf文件以及此郵件。等待您的回復(fù)。system.txt.ucf 33 KBpar_report.txt 20 KB
2020-06-18 10:36:34
從上表可以看出，在同等核心頻率下，DDR2的實(shí)際工作頻率是DDR的兩倍。這得益于DDR2內(nèi)存擁有兩倍于標(biāo)準(zhǔn)DDR內(nèi)存的4BIT預(yù)讀取能力。
2019-08-08 07:11:44
DDR2設(shè)計(jì)原理 DDR2 designBasic knowledge? Source Sync Bus Analysis? On-Die Terminations (ODT)? Slew Rate
2009-11-19 09:59:04
DDR4,DDR3,DDR2,DDR1及SDRAM有什么不同之處?
2021-03-12 06:22:08
DDR4H5ANAG6NAMR-TFCH5ANAG6NAMR-UHCH5AN8G8NAFR-UHCH5AN8G8NAFR-VKCH5AN8G8NCJR-VKCH5AN8G8NJJR-VKCH5AN4G6NAFR-TFCH5AN4
2020-02-28 17:04:25
效能，不會(huì)在零售市場成為技術(shù)主流）當(dāng)市場需求超過4GB的時(shí)候，64位CPU與操作系統(tǒng)就是唯一的解決方案，此時(shí)也就是DDR3內(nèi)存的普及時(shí)期。2、從外觀上說：DDR2代的是240PIN的 （中間部分有凹槽
2014-12-30 14:35:58
效能，不會(huì)在零售市場成為技術(shù)主流）當(dāng)市場需求超過4GB的時(shí)候，64位CPU與操作系統(tǒng)就是唯一的解決方案，此時(shí)也就是DDR3內(nèi)存的普及時(shí)期。2、從外觀上說：DDR2代的是240PIN的 （中間部分有凹槽
2014-12-30 14:36:44
F200E、K3QF2F20DA-QGCE、K3QF2F20EM-QGCE000K3QF7F70DM-QGCE、K3QF7F70DM-QGCF、K4E6E304ED-AGCC、K4P2E304EQ-AGC2、APQ8064-3AB、APQ8064-3AC、APQ8084、H9TKNNNAADMP，回收DDR，收購DDR。`
2021-04-27 16:10:09
128MB增加到1GB。DDR2隨著CPU處理器前端總線帶寬的不斷提高和高速率局部總線的出現(xiàn)，DDR的性能成了制約處理器性能的瓶頸。因此 2003年Intel公布了 DDR2 SDRAM的開發(fā)計(jì)劃。與上一代
2022-10-26 16:37:40
：dealic@163.com回收三星DDR，回收海力士DDR，回收南亞DDR，回收爾必達(dá)DDR，回收美光DDR，回收DDR2，回收DDR3（新舊/拆機(jī)/帶板均可）帝歐還回收帶板DDR，收購帶板DDR，回收拆機(jī)DDR，收購
2021-07-15 19:36:21
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2021-12-27 19:25:08
可能會(huì)跳過這個(gè)4Gb單位元元容量，也就是說屆時(shí)單條DDR2的DRAM模塊，容量最大可能只會(huì)到4GB。而DDR3模塊容量將從1GB起跳，目前規(guī)劃單條模塊到16GB也沒問題（注意：這里指的是零售組裝市場專用的unbuffered DIMM而言，server用的FB與Registered不在此限）。
2011-12-13 11:29:47
我正在使用帶有 ECC 芯片的 4GB DDR3 RAM 連接到 T1040 處理器 DDR 控制器。
我嘗試了這個(gè)序列，但未能成功生成 DDR 地址奇偶校驗(yàn)錯(cuò)誤：
步驟1：
ERR_INT_EN
2023-05-31 06:13:03
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2021-01-07 17:43:17
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2021-07-16 18:07:56
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2021-01-25 17:59:52
回收FLASH ！回收大量原裝FLASH芯片，回收進(jìn)口FLASH收購海力士ic??！回收以下型號(hào)電子FLASH:海力士系列：H9TU32A4GDAC-LRKGM、H9CKNNNBKTATDR-NUH
2021-08-23 18:13:52
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2021-03-17 17:59:10
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2021-01-23 17:17:35
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2021-10-15 19:16:24
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2020-11-20 16:59:46
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2021-03-13 17:46:31
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2021-07-02 19:07:56
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2021-04-13 18:51:47
高價(jià)收購海力士內(nèi)存高價(jià)回收海力士內(nèi)存，長期收購海力士內(nèi)存。深圳帝歐電子收購電子料。帝歐趙生***QQ1816233102/879821252/1714434248郵箱dealic@163.com帝歐
2021-08-02 17:44:42
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2021-01-29 17:52:55
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2021-09-22 19:20:15
我采用XC4VSX35或XC4VLX25 FPGA來連接DDR2 SODIMM和元件。SODIMM內(nèi)存條選用MT16HTS51264HY-667(4GB)，分立器件選用8片MT47H512M8。設(shè)計(jì)目標(biāo)：當(dāng)客戶使用內(nèi)存條時(shí)，8片分立器件不焊接；當(dāng)使用直接貼
2010-10-07 11:06:37
157 曙光天闊A950r-F服務(wù)器是曙光公司最新推出的一款性能優(yōu)異,穩(wěn)定可靠,配置靈活的八路64位機(jī)架式服務(wù)器。它支持8顆AMD 8000系列處理器，高達(dá)128GB DDR2內(nèi)存擴(kuò)展，海量內(nèi)部存儲(chǔ)空間為
2010-10-18 01:25:5819 在高速、大容量存儲(chǔ)的系統(tǒng)設(shè)計(jì)中，DDR2 SDRAM為設(shè)計(jì)者提供了高性價(jià)比解決方案。在FPGA中實(shí)現(xiàn)DDR2 SDRAM控制器，降低了系統(tǒng)功耗并節(jié)省空間， 縮短開發(fā)周期，降低系統(tǒng)開發(fā)成本
2010-12-13 17:10:3549 是一款專為服務(wù)器和工作站設(shè)計(jì)的內(nèi)存模塊，具有高性能和高可靠性。該產(chǎn)品采用糾錯(cuò)碼（ECC）技術(shù)，有效提高數(shù)據(jù)的完整性和系統(tǒng)的穩(wěn)定性，廣泛應(yīng)用于數(shù)據(jù)中心、企業(yè)級(jí)服務(wù)器
2025-02-10 20:07:47
DDR2名詞解釋
DDR2的定義：
DDR2（Double Data Rate 2） SDRAM是由JEDEC（電子設(shè)備工程聯(lián)合委員會(huì)）進(jìn)行開發(fā)的新生代內(nèi)存技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)，它與上一代DDR內(nèi)
2009-04-26 18:02:221572 
DDR2內(nèi)存?zhèn)鬏敇?biāo)準(zhǔn) DDR2可以看作是DDR技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)的一種升級(jí)和擴(kuò)展：DDR的核心頻率與時(shí)鐘頻率相等，但數(shù)據(jù)頻率為時(shí)鐘頻率的兩倍，也
2009-04-26 18:05:401127 
什么是DDR2 SDRAM
DDR2的定義：
DDR2（Double Data Rate 2） SDRAM是由JEDEC（電子設(shè)備工程聯(lián)合委員會(huì)）進(jìn)行開發(fā)的新生代內(nèi)存技
2009-12-17 11:17:59935 DDR2的定義：
DDR2（Double Data Rate 2） SDRAM是由JEDEC（電子設(shè)備工程聯(lián)合委員會(huì)）進(jìn)行開發(fā)的新生代內(nèi)存技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)，它與上一代DDR內(nèi)存技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)最大的不
2009-12-17 16:26:191134 DDR2內(nèi)存?zhèn)鬏敇?biāo)準(zhǔn)
DDR2可以看作是DDR技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)的一種升級(jí)和擴(kuò)展：DDR的核心頻率與時(shí)鐘頻率相等，但數(shù)據(jù)頻率為時(shí)鐘頻率的兩倍，也就是說在一個(gè)時(shí)鐘周期內(nèi)必須傳輸
2009-12-24 14:53:28883 DDR2傳輸標(biāo)準(zhǔn)
DDR2可以看作是DDR技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)的一種升級(jí)和擴(kuò)展：DDR的核心頻率與時(shí)鐘頻率相等，但數(shù)據(jù)頻率為時(shí)鐘頻率的兩倍，也就是說在一個(gè)時(shí)鐘周期內(nèi)必須傳輸兩次
2009-12-25 14:12:57563 Hynix 44nm制程2Gb低功耗DDR2內(nèi)存芯片產(chǎn)品開發(fā)完成
韓國內(nèi)存廠商Hynix日前宣布他們已經(jīng)完成了2Gb密度低功耗DDR2內(nèi)存芯片產(chǎn)品的開發(fā)，這款產(chǎn)品將主要面向移動(dòng)設(shè)備，可在
2010-01-14 16:58:051547 DDR2乏人問津 DRAM廠搶轉(zhuǎn)產(chǎn)能
DDR2和DDR3 1月上旬合約價(jià)走勢迥異，DDR2合約價(jià)大跌，DDR3卻大漲，凸顯世代交替已提前來臨，將加速DDR2需求急速降溫，快速轉(zhuǎn)移到DDR3身上，
2010-01-18 16:04:441316 DDR3成主流產(chǎn)品 海力士增NAND Flash產(chǎn)能
據(jù)彭博(Bloomberg)報(bào)導(dǎo)，海力士執(zhí)行長金鐘甲(Jong-Kap Kim)表示，2010年第1季DDR3將取代DDR2成為存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)的主流產(chǎn)品，同時(shí)，海力士
2010-01-20 09:25:34856 鎂光南亞合作開發(fā)出42nm制程2Gb DDR3內(nèi)存芯片
鎂光公司與其合作伙伴南亞公司最近公開展示了其合作開發(fā)的42nm制程2Gb DDR3內(nèi)存芯片產(chǎn)品，雙方并宣稱下一代30nm制程級(jí)別
2010-02-10 09:40:501422 三星首家量產(chǎn)40nm級(jí)工藝4Gb DDR3綠色內(nèi)存芯片
三星電子宣布，該公司已經(jīng)在業(yè)內(nèi)第一家使用40nm級(jí)別工藝批量生產(chǎn)低功耗的4Gb DDR3內(nèi)存芯片。
這種內(nèi)存芯片支
2010-02-26 11:33:421106 DDR2,DDR2是什么意思
DDR2（Double Data Rate 2） SDRAM是由JEDEC（電子設(shè)備工程聯(lián)合委員會(huì)）進(jìn)行開發(fā)的新生代內(nèi)存技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)，它與上一代DDR內(nèi)
2010-03-24 16:06:361644 金士頓：DDR2/DDR3價(jià)格可能會(huì)繼續(xù)上漲
據(jù)報(bào)道，存儲(chǔ)大廠金士頓亞太地區(qū)副總裁Scott Chen近日表示，雖然1Gb DDR2/DDR3的芯片價(jià)格已經(jīng)超過了3美元大關(guān)，
2010-04-09 09:11:05904 從那時(shí)起，采用DDR2、甚至最新的DDR3 SDRAM的新設(shè)計(jì)讓DDR SDRAM技術(shù)黯然失色。DDR內(nèi)存主要以IC或模塊的形式出現(xiàn)。如今，DDR4雛形初現(xiàn)。但是在我們利用這些新技術(shù)前，設(shè)計(jì)人員必須了解如何
2011-07-11 11:17:146408 
宇瞻科技此款最新推出的DDR3-1333低負(fù)載服務(wù)器專用內(nèi)存模塊，可支持DDR3標(biāo)準(zhǔn)1.5V電壓外，亦可以在業(yè)界最低的1.35V電壓運(yùn)作。
2011-09-21 09:39:302740 SDRAM, DDR, DDR2, DDR3 是RAM 技術(shù)發(fā)展的不同階段, 對(duì)于嵌入式系統(tǒng)來說, SDRAM 常用在低端, 對(duì)速率要求不高的場合, 而在DDR/DDR2/DDR3 中，目前基本上已經(jīng)以DDR2 為主導(dǎo)，相信不久DDR3 將全面取代
2012-01-16 14:53:010 ISS 的DDR2 的設(shè)計(jì)指導(dǎo)，雖是英文，但很有用。
2015-10-29 10:53:380 總結(jié)了DDR和DDR2，DDR3三者的區(qū)別，對(duì)于初學(xué)者有很大的幫助
2015-11-10 17:05:3736 DDR2 SDRAM操作時(shí)序規(guī)范，中文版規(guī)范
2015-11-10 17:42:440 帶自測功能的DDR2控制器設(shè)計(jì)，感興趣的可以看看。
2016-01-04 15:23:320 Xilinx FPGA工程例子源碼：DDR2 Controller
2016-06-07 11:44:1424 Xilinx FPGA工程例子源碼：Xilinx DDR2存儲(chǔ)器接口調(diào)試代碼
2016-06-07 14:54:5727 SK 海力士周一發(fā)布全球最高密度、低耗能移動(dòng) DRAM，將應(yīng)用于未來智能手機(jī)上。 海力士運(yùn)用雙通道 16 Gigabit 雙通道芯片打造出低耗電 DDR4X 移動(dòng) DRAM，容量達(dá) 8GB。以 LPDDR4X 標(biāo)準(zhǔn)而言，SK 海力士新內(nèi)存芯片密度是全球最高，功效則較現(xiàn)有 LPDDR4 提高兩成。
2017-01-10 11:55:12941 本文首先列出了DDR2布線中面臨的困難，接著系統(tǒng)的講述了DDR2電路板設(shè)計(jì)的具體方法，最后給出個(gè)人對(duì)本次電路設(shè)計(jì)的一些思考。
2017-09-19 11:27:2122 SDRAM）：DDR4提供比DDR3/ DDR2更低的供電電壓1.2V以及更高的帶寬，DDR4的傳輸速率目前可達(dá)2133～3200 MT/s。
2017-11-17 13:15:4928010 對(duì)DDR2控制器的IP核進(jìn)行了模塊化的劃分，分析了每個(gè)模塊的功能。強(qiáng)調(diào)了用戶接口功能的完善，并介紹了IP核的操作流程，使每個(gè)用戶都能輕松的使用該IP核。
2017-11-22 07:20:505930 
數(shù)據(jù)的基本方式，但DDR2卻擁有2倍的DDR預(yù)讀取能力(即4位預(yù)存取技術(shù))。此外，DDR2還增加ODT(內(nèi)建核心終結(jié)電阻器)功能，內(nèi)建合適的端接電阻，避免了以往因片外連接大片終結(jié)電阻帶來的制板成本增加。
2017-11-25 01:41:014527 
SK海力士近日悄然在其產(chǎn)品目錄中增加了16Gb(2GB)容量的單Die DDR4內(nèi)存顆粒，不僅可以使用更少的芯片打造大容量內(nèi)存條，還為單條256GB內(nèi)存條鋪平了道路。
2018-03-09 16:06:004586 國產(chǎn)紫光內(nèi)存DDR3顆粒的性能如何呢？值得入手嗎？為了解決大家的疑問，我們?yōu)榇蠹規(guī)砹俗瞎?b class="flag-6" style="color: red">DDR3 4GB*2 1600內(nèi)存的評(píng)測，幫助大家了解紫光內(nèi)存的真實(shí)性能。
2018-03-12 13:56:0012354 
Crucial近日推出服務(wù)器內(nèi)存產(chǎn)品系列新品--128GB DDR4 LRDIMM。 其為該公司至今以來所推出的產(chǎn)品中密度最高的服務(wù)器內(nèi)存模塊，新的DDR4服務(wù)器內(nèi)存具備從2666MTbit/s起跳的速度，可提升每部服務(wù)器所安裝的內(nèi)存容量，以充分運(yùn)用CPU和服務(wù)器硬件效能。
2018-06-25 10:34:002644 突發(fā)長度，由于DDR3的預(yù)期為8bit,所以突發(fā)傳輸周期（BL，Burst Length）也固定位8，而對(duì)于DDR2和早期的DDR架構(gòu)的系統(tǒng)，BL=4也是常用的，DDR3為此增加了一個(gè)
2018-06-21 09:20:5416120 
11月12日消息，SK Hynix（SK海力士）宣布研發(fā)完成基于1Ynm工藝的8Gb（1GB）容量DDR4 DRAM芯片。
2018-11-13 09:50:358288 SK海力士官方宣布，公司已經(jīng)研發(fā)出單顆容量16Gb（2GB）的下一代DDR5 DRAM內(nèi)存顆粒，且是首款滿足JEDEC標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范的DDR5。
2018-11-17 11:47:495459 為了在低迷的環(huán)境中實(shí)現(xiàn)逆勢增長，SK海力士未來將持續(xù)專注于高附加值產(chǎn)品和技術(shù)，以應(yīng)對(duì)瞬息萬變的市場環(huán)境。比如，擴(kuò)大16Gb DDR4產(chǎn)品的客戶應(yīng)用，以增加服務(wù)器客戶對(duì)高密度DRAM模塊的采用。同時(shí)
2019-01-29 14:32:258442 
據(jù)外媒消息，第二大DRAM芯片廠商SK海力士已著手第六代DDR內(nèi)存即DDR6的研發(fā)，預(yù)期速率12Gb/s，也就是DDR6-12000。
2019-01-30 15:06:561098 FCI開發(fā)了一系列垂直內(nèi)存插槽，可接受標(biāo)準(zhǔn)DDR2（雙倍數(shù)據(jù)速率）內(nèi)存模塊組件，以便在臺(tái)式機(jī)和服務(wù)器中實(shí)現(xiàn)內(nèi)存擴(kuò)展。 240位DDR2垂直連接器提供用于焊接端接的直通式引線或用于壓配端接的“針眼”引線。
2019-10-06 15:56:003665 H5TQ4G43AFR-xxC， H5TQ4G83AFR-xxC和H5TQ4G63AFR xxC是4GB CMOS雙數(shù)據(jù)速率III（DDR3）同步DRAM，非常適合需要大內(nèi)存密度和高帶寬的主內(nèi)存
2019-08-20 08:00:0028 10月21日，SK海力士宣布開發(fā)適用第三代1Z納米的16Gb（Gigabits）DDR4（Double Data Rate 4） DRAM。
2019-10-21 16:10:363786 SK 海力士公司宣布，其已成功開發(fā)出 1Znm 16GB DDR4 動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器（DRAM），創(chuàng)下了業(yè)內(nèi)單芯最大密度的紀(jì)錄。與上一代 1Y nm 產(chǎn)品相比，其產(chǎn)能提升約 27%，因其無需昂貴的極紫外（EUV）光刻加持，因此更具成本競爭優(yōu)勢。
2019-11-19 11:08:21941 CES 2020展會(huì)上，存儲(chǔ)大廠SK海力士拿出了不少有趣的產(chǎn)品，包括DDR5內(nèi)存、LPDDR5內(nèi)存、4D NAND SSD固態(tài)盤。
2020-01-13 10:07:235789 IT之家了解到，SK海力士表示，他們的新品牌“黑珍珠”已經(jīng)開發(fā)了4個(gè)新的CMOS圖像傳感器，已開始向智能手機(jī)制造商供應(yīng)其中三款，并將于本月開始批量生產(chǎn)第四款。
2020-03-09 10:24:161037 盡管JEDEC固態(tài)協(xié)會(huì)尚未敲定DDR5內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)的最終細(xì)節(jié)，但作為聯(lián)合制定者的韓國SK海力士率先將自家產(chǎn)品細(xì)節(jié)公之于眾。
2020-04-03 15:58:483511 韓國存儲(chǔ)器大廠SK海力士在2020年的CES上曾經(jīng)展出過64GB的DDR5-4800存儲(chǔ)器，其頻寬和容量均比現(xiàn)在的DDR4高出不少，因此備受業(yè)界的期待。如今，SK海力士正式宣布，將在年底前量產(chǎn)并提
2020-04-07 14:34:271210 本文檔的主要內(nèi)容詳細(xì)介紹的是DDR和DDR2與DDR3的設(shè)計(jì)資料總結(jié)包括了：一、DDR的布線分析與設(shè)計(jì)，二、DDR電路的信號(hào)完整性，三、DDR Layout Guide，四、DDR設(shè)計(jì)建議，六、DDR design checklist，七、DDR信號(hào)完整性
2020-05-29 08:00:000 SK海力士今天宣布，已經(jīng)開始量產(chǎn)18GB LPDDR5移動(dòng)版內(nèi)存，存儲(chǔ)密度、容量都是世界第一。
2021-03-08 14:41:543203 韓國SK海力士公司剛剛正式宣布已經(jīng)成功開發(fā)出業(yè)界第一款HBM3 DRAM內(nèi)存芯片，可以實(shí)現(xiàn)24GB的業(yè)界最大的容量。HBM3 DRAM內(nèi)存芯片帶來了更高的帶寬，每秒處理819GB的數(shù)據(jù)，相比上一代速度提高了78%。
2021-10-20 16:22:142672 DDR,DDR2,DDR3,DDR4,LPDDR區(qū)別作者：AirCity 2019.12.17Aircity007@sina.com 本文所有權(quán)歸作者Aircity所有1 什么是DDRDDR
2021-11-10 09:51:03163 本文檔定義了DDR4 SDRAM規(guī)范，包括特性、功能、交流和直流特性、封裝和球/信號(hào)分配。本標(biāo)準(zhǔn)旨在定義符合JEDEC 2 Gb的最低要求x4、x8和x16 DDR4 SDRAM設(shè)備通過16 Gb
2022-11-29 10:00:1727 * 業(yè)界最快的DDR5服務(wù)器，實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)傳輸速率高達(dá)8Gbps? * 與英特爾、瑞薩電子合作，SK海力士領(lǐng)航MCR DIMM開發(fā)? * 努力尋求技術(shù)突破，鞏固在服務(wù)器DRAM市場的領(lǐng)導(dǎo)地位 韓國首爾
2022-12-09 20:40:312118 服務(wù)器客戶 韓國首爾2023年1月12日 /美通社/ --?SK海力士12日宣布，公司研發(fā)的第四代10納米級(jí)（1a）DDR5服務(wù)器DRAM獲得了英特爾（Intel?）近期上市的全新第四代Xeon?服務(wù)器
2023-01-12 21:32:261496 meta是SK海力士的主要顧客之一，正在購買為構(gòu)建和擴(kuò)張數(shù)據(jù)中心的企業(yè)用ssd （ssd）和服務(wù)器dram。據(jù)悉，對(duì)ai服務(wù)器投入大量資金的meta還要求sk海力士追加提供高性能、高效率的ddr5服務(wù)器dram。
2023-08-30 10:03:331393 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《具有最大1Gb DDR2 SDRAM的SAMA5D2 SIP MPU.pdf》資料免費(fèi)下載
2023-09-25 10:11:120 SK海力士同樣也在籌備提高DDR5產(chǎn)品比重。其已在今年5月開發(fā)出10nm級(jí)第5代（1b）DDR5，供應(yīng)給英特爾。韓國投資證券分析師預(yù)計(jì)，由于DDR5需求高漲，拉動(dòng)產(chǎn)品平均銷售單價(jià)，SK海力士DRAM業(yè)務(wù)有望加快轉(zhuǎn)虧為盈，公司整體業(yè)績也有望提前擺脫虧損。
2023-10-24 14:50:16899 5片DDR2設(shè)計(jì)分享
2022-12-30 09:19:265 SK海力士提供優(yōu)質(zhì)的產(chǎn)品和服務(wù)。從DDR4世代跨越到DDR5世代，瀾起科技與SK海力士合作的產(chǎn)品涵蓋DDR4、DDR5內(nèi)存接口芯片及DDR5內(nèi)存模組配套芯片。 隨著人工智能、機(jī)器學(xué)習(xí)等異構(gòu)計(jì)算飛速發(fā)展，CXL作為一種全新的高速互連協(xié)議迅速崛起，吸引業(yè)界各大廠商爭
2023-12-04 09:02:372065 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《DDR2與DDR的區(qū)別.doc》資料免費(fèi)下載
2024-03-07 14:58:520 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《全套DDR、DDR2、DDR3、DDR3L、LPDDR3 和 DDR4 電源解決方案同步降壓控制器數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-04-09 09:51:219 近日，韓國上市PCB制造商TLB (KOSDAQ:356860)成功開發(fā)出CXL內(nèi)存模塊PCB，并已獨(dú)家向三星電子和SK海力士提供了6款以上的首批樣品。
2024-05-30 11:30:342156 SK海力士近日宣布了一項(xiàng)重要計(jì)劃，即開發(fā)采用4F2結(jié)構(gòu)（垂直柵）的DRAM。這一決策緊跟其競爭對(duì)手三星的步伐，標(biāo)志著SK海力士在DRAM制造領(lǐng)域的新探索。SK海力士研究員表示，隨著極紫外（EUV
2024-08-14 17:06:431670 SK海力士宣布了一項(xiàng)重大技術(shù)突破，成功開發(fā)出全球首款采用第六代10納米級(jí)（1c）工藝的16Gb DDR5 DRAM。這一里程碑式的成就標(biāo)志著SK海力士在半導(dǎo)體存儲(chǔ)技術(shù)領(lǐng)域的領(lǐng)先地位。
2024-08-29 16:39:151255 和卓越的研發(fā)能力，已經(jīng)提前開發(fā)出48GB 16層HBM3E產(chǎn)品。這一舉措不僅展現(xiàn)了SK海力士的技術(shù)實(shí)力，更凸顯了其對(duì)市場趨
2024-11-05 15:01:201231 近日，SK海力士正逐步調(diào)整其生產(chǎn)策略，降低DDR4的生產(chǎn)比重。在今年第三季度，DDR4的生產(chǎn)比重已從第二季度的40%降至30%，并計(jì)劃在第四季度進(jìn)一步降至20%。這一調(diào)整或?qū)⒁馕吨鳶K海力士將有
2024-11-07 11:37:181276
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