IGBT（絕緣柵雙極型晶體管），是由BJT（雙極型三極管）和MOS（絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管）組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件，兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅(qū)動(dòng)電流較大；MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小，開關(guān)速度快，但導(dǎo)通壓降大，載流密度小。

1、IGBT結(jié)構(gòu)

下圖所示為一個(gè)N溝道增強(qiáng)型絕緣柵雙極晶體管結(jié)構(gòu)，N+區(qū)稱為源區(qū)，附于其上的電極稱為源極（即發(fā)射極E）。N基極稱為漏區(qū)。器件的控制區(qū)為柵區(qū)，附于其上的電極稱為柵極（即門極G）。溝道在緊靠柵區(qū)邊界形成。在C、E兩極之間的P型區(qū)（包括P+和P-區(qū)）（溝道在該區(qū)域形成），稱為亞溝道區(qū)。而在漏區(qū)另一側(cè)的P+區(qū)稱為漏注入?yún)^(qū)，它是IGBT特有的功能區(qū)，與漏區(qū)和亞溝道區(qū)一起形成PNP雙極晶體管，起發(fā)射極的作用，向漏極注入空穴，進(jìn)行導(dǎo)電調(diào)制，以降低器件的通態(tài)電壓。附于漏注入?yún)^(qū)上的電極稱為漏極（即集電極C）。

IGBT的開關(guān)作用是通過加正向柵極電壓形成溝道，給PNP（原來為NPN）晶體管提供基極電流，使IGBT導(dǎo)通。反之，加反向門極電壓消除溝道，切斷基極電流，使IGBT關(guān)斷。IGBT的驅(qū)動(dòng)方法和MOSFET基本相同，只需控制輸入極N-溝道MOSFET，所以具有高輸入阻抗特性。當(dāng)MOSFET的溝道形成后，從P+基極注入到N-層的空穴（少子），對(duì)N-層進(jìn)行電導(dǎo)調(diào)制，減小N-層的電阻，使IGBT在高電壓時(shí)，也具有低的通態(tài)電壓。

2、IGBT的工作原理

由圖可知，若在IGBT的柵極和發(fā)射極之間加上驅(qū)動(dòng)正電壓，則MOSFET導(dǎo)通，這樣PNP晶體管的集電極與基極之間成低阻狀態(tài)而使得晶體管導(dǎo)通；若IGBT的柵極和發(fā)射極之間電壓為0V，則MOSFET截止，切斷PNP晶體管基極電流的供給，使得晶體管截止。

IGBT的理想等效電路及實(shí)際等效如圖所示：

用萬用表判斷igbt的好壞#e#

3、如何用萬用表判斷igbt的好壞

IGBT管的好壞可用指針萬用表的Rxlk擋來檢測(cè)，或用數(shù)字萬用表的“二極管”擋來測(cè)量PN結(jié)正向壓降進(jìn)行判斷。

檢測(cè)前先將IGBT管三只引腳短路放電，避免影響檢測(cè)的準(zhǔn)確度;然后用指針萬用表的兩枝表筆正反測(cè)G、e兩極及G、c兩極的電阻，對(duì)于正常的IGBT管（正常G、C兩極與G、c兩極間的正反向電阻均為無窮大;內(nèi)含阻尼二極管的IGBT管正常時(shí)，e、C極間均有4kΩ正向電阻），上述所測(cè)值均為無窮大;

最后用指針萬用表的紅筆接c極，黑筆接e極，若所測(cè)值在3.5kΩl左右，則所測(cè)管為含阻尼二極管的IGBT管，若所測(cè)值在50kΩ左右，則所測(cè)IGBT管內(nèi)不含阻尼二極管。對(duì)于數(shù)字萬用表，正常情況下，IGBT管的C、C極間正向壓降約為0.5V。

綜上所述，內(nèi)含阻尼二極管的IGBT管檢測(cè)示意圖如圖所示，表筆連接除圖中所示外，其他連接檢測(cè)的讀數(shù)均為無窮大。

如果測(cè)得IGBT管三個(gè)引腳間電阻均很小，則說明該管已擊穿損壞;若測(cè)得IGBT管三個(gè)引腳間電阻均為無窮大，說明該管已開路損壞。實(shí)際維修中IGBT管多為擊穿損壞.