日本電裝試制出了采用SiC功率元件制成的逆變器。該逆變器的特點(diǎn)是輸出功率密度高達(dá)60kW/L,這一數(shù)值達(dá)到了“全球最高水平”。
2012-05-22 08:55:46
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為了更好地理解對(duì)功率密度的關(guān)注,讓我們看看實(shí)現(xiàn)高功率密度所需的條件。即使是外行也能看出,效率、尺寸和功率密度之間的特殊關(guān)系是顯而易見的。
2020-08-20 11:12:14
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/ESL直流支撐(DC-Link)電容器,可進(jìn)一步與控制器板和液體冷卻器集成,為電機(jī)驅(qū)動(dòng)器的高功率密度和高效率SiC逆變器(見下圖)的設(shè)計(jì)提供完
2022-06-23 10:23:58
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為滿足快速發(fā)展的電動(dòng)汽車行業(yè)對(duì)高功率密度 SiC 功率模塊的需求,進(jìn)行了 1 200 V/500 A 高功率密度三相 全橋 SiC 功率模塊設(shè)計(jì)與開發(fā),提出了一種基于多疊層直接鍵合銅單元的功率模塊封裝方法來并聯(lián)更多的芯片。
2024-03-13 10:34:03
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鐵路牽引變流器作為軌道交通車輛動(dòng)力系統(tǒng)的核心部件,正朝著高可靠性、高功率密度和高效率方向發(fā)展。目前IGBT仍是鐵路牽引領(lǐng)域的主流功率半導(dǎo)體器件,但是SiC MOSFET模塊的應(yīng)用正在加速。本文重點(diǎn)介紹三菱電機(jī)SiC MOSFET模塊的高功率密度和低損耗設(shè)計(jì)。
2025-09-23 09:26:33
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? MOSFET 2000 V。這款產(chǎn)品不僅能夠滿足設(shè)計(jì)人員對(duì)更高功率密度的需求,而且即使面對(duì)嚴(yán)格的高電壓和開關(guān)頻率要求,也不會(huì)降低系統(tǒng)可靠性。CoolSiC? MOSFET具有更高的直流母線
2024-03-14 11:07:58
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? 1B模塊(F4-23MR12W1M1_B11)。該模塊可提供 超高的設(shè)計(jì)靈活性和高電流密度 。同時(shí),該模塊采用了領(lǐng)先的封裝技術(shù),與CoolSiC? MOSFET配合使用,實(shí)現(xiàn)了 低電感設(shè)計(jì)以及極小
2022-08-09 15:17:41
解決方案的功率僅為其75%。 新器件的高功率密度允許設(shè)計(jì)人員升級(jí)現(xiàn)有設(shè)計(jì),開發(fā)輸出功率提高最多25%的新平臺(tái),或者減少并聯(lián)功率器件數(shù)量,從而實(shí)現(xiàn)更緊湊的設(shè)計(jì)。獨(dú)一無二的組合封裝40 A D2PAK可以替代D3PAK或TO-247,用于表面貼裝。這可支持輕松焊接,實(shí)現(xiàn)快速且可靠的貼裝生產(chǎn)線。
2018-10-23 16:21:49
通過對(duì)同步交流對(duì)交流(DC-DC)轉(zhuǎn)換器的功耗機(jī)制進(jìn)行詳細(xì)分析,可以界定必須要改進(jìn)的關(guān)鍵金屬氧化物半導(dǎo)體場效晶體管(MOSFET)參數(shù),進(jìn)而確保持續(xù)提升系統(tǒng)效率和功率密度。分析顯示,在研發(fā)功率
2019-07-04 06:22:42
了解物聯(lián)網(wǎng)安全的八大守則
2021-01-22 06:13:42
作者:朱紅儒 齊旻鵬來源:中國移動(dòng)通信有限公司研究院物聯(lián)網(wǎng)面對(duì)的安全問題根據(jù)物聯(lián)網(wǎng)自身的特點(diǎn),物聯(lián)網(wǎng)除了面對(duì)移動(dòng)通信網(wǎng)絡(luò)的傳統(tǒng)網(wǎng)絡(luò)安全問題之外,還存在著一些與已有移動(dòng)網(wǎng)絡(luò)安全不同的特殊安全問題。這是
2019-07-19 06:56:18
高側(cè)逆變器開關(guān),而緊湊型六引腳 UCC27531 低側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器用于驅(qū)動(dòng)底部開關(guān)。結(jié)果用于增強(qiáng)型隔離移至 UART 通信通道。逆變器半橋橋臂電流感應(yīng)使用分流電阻器和雙路運(yùn)算放大器 TLV9062 分
2018-11-01 16:51:44
IPM模塊,設(shè)計(jì)緊湊,功率密度高,客戶也可根據(jù)實(shí)際功率需求更換不同功率等級(jí)的功率器件。在眾多半導(dǎo)體廠家提供的評(píng)估套件中,此套件是一套非常接近量產(chǎn)產(chǎn)品的實(shí)用型套件,套件的功率板部分已經(jīng)批量生產(chǎn)供貨。購買此
2018-12-11 10:47:32
采用纖巧 QFN 封裝的 42V 高功率密度降壓型穩(wěn)壓器
2019-09-12 07:35:56
高功率密度雙8AμModule穩(wěn)壓器
2019-05-17 17:25:42
傳統(tǒng)變壓器介紹高功率密度變壓器的常見繞組結(jié)構(gòu)
2021-03-07 08:47:04
驅(qū)動(dòng)器,采用基于傳感器的梯形控制。本設(shè)計(jì)采用 TI 的 MOSFET 電源塊技術(shù),將兩個(gè)采用半橋配置的 FET 集成到一個(gè) SON 5x6 封裝中,從而實(shí)現(xiàn)極高的功率密度。本設(shè)計(jì)使用兩個(gè)并聯(lián)的電源塊,可以
2018-11-01 16:34:29
功率密度在現(xiàn)代電力輸送解決方案中的重要性和價(jià)值不容忽視。為了更好地理解高功率密度設(shè)計(jì)的基本技術(shù),在本文中,我將研究高功率密度解決方案的四個(gè)重要方面:降低損耗最優(yōu)拓?fù)浜涂刂七x擇有效的散熱通過機(jī)電元件
2022-11-07 06:45:10
%的緊湊型電子變壓器?! ∵@種緊湊型變壓器的設(shè)計(jì),首先遇到的問題是要在高功率密度和高效率兩者間作折衷選擇,其研制出的主要技術(shù)是使用銅箔交疊的平面繞組結(jié)構(gòu),以增加銅箔密度的方法減小在高頻(MHz級(jí)
2016-01-18 10:27:02
克服了上述問題,可實(shí)現(xiàn)高功率密度、高效率 (達(dá) 99%) 的解決方案。這款固定比例、高電壓、高功率開關(guān)電容器控制器內(nèi)置 4 個(gè) N 溝道 MOSFET 柵極驅(qū)動(dòng)器,用于驅(qū)動(dòng)外部功率 MOSFET,以
2018-10-31 11:26:48
場景提供高性價(jià)比的全國產(chǎn)解決方案。一、功率密度提升的核心邏輯材料特性突破:
GaN(氮化鎵)作為寬禁帶半導(dǎo)體,電子遷移率(2000cm2/Vs)和飽和漂移速度(2.5×10?cm/s)遠(yuǎn)超傳統(tǒng)硅基器件
2025-10-22 09:09:58
在設(shè)計(jì)服務(wù)器和數(shù)據(jù)中心電源時(shí),設(shè)計(jì)人員除了需要考慮提升能效和功率密度,還要確保盡可能高的安全性和可靠性,這帶來一系列挑戰(zhàn),如無安全工作區(qū)(SOA)的顧慮、和診斷及響應(yīng)等功能安全等等。安森美半導(dǎo)體提供
2020-10-28 07:33:24
獵頭職位:硬件工程師(高功率密度ACDC硬件) (薪資:17-20K/月,具體面議)工作職責(zé):1、負(fù)責(zé)采用軟開關(guān)拓?fù)?kW-10kW的DCDC硬件方面設(shè)計(jì);2、負(fù)責(zé)高功率密度ACDC硬件方面的開發(fā)
2017-09-06 17:28:43
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 09:58 編輯
一種新型正激高功率密度逆變器
2012-04-08 16:29:16
一種新型正激高功率密度逆變器
2012-04-08 15:43:13
什么是功率密度?功率密度的發(fā)展史如何實(shí)現(xiàn)高功率密度?
2021-03-11 06:51:37
什么是功率密度?限制功率密度的因素有哪些?
2021-03-11 08:12:17
過載、短路、接地故障、直流總線欠壓和過壓以及 IGBT 模塊硬件過熱問題來提高系統(tǒng)的可靠性。主要特色增強(qiáng)型隔離式逆變器,適合額定功率高達(dá) 10kW 的 200V-690V 交流驅(qū)動(dòng)器增強(qiáng)型隔離式半橋柵極
2018-12-06 14:17:15
描述 PMP20978 參考設(shè)計(jì)是一種高效率、高功率密度和輕量化的諧振轉(zhuǎn)換器參考設(shè)計(jì)。此設(shè)計(jì)將 390V 輸入轉(zhuǎn)換為 48V/1kW 輸出。PMP20637 功率級(jí)具有超過 140W/in^3
2022-09-23 07:12:02
;第二,工程師可以通過減小各部件體積的方式使其適應(yīng)新型的封裝形式,利用緊湊型工藝結(jié)構(gòu)有效縮小其體積;第三個(gè)方法是改進(jìn)熱設(shè)計(jì),使高功率密度條件下達(dá)成散熱平衡成為可能?! 〕酥?,在電路的設(shè)計(jì)中我們還可
2016-01-25 11:29:20
實(shí)現(xiàn)功率密度非常高的緊湊型電源設(shè)計(jì)的方法
2020-11-24 07:13:23
如何用PQFN封裝技術(shù)提高能效和功率密度?
2021-04-25 07:40:14
隨著物聯(lián)網(wǎng)(IoT)的發(fā)展,近年來所部署的連接設(shè)備也與日俱增,這促使針對(duì)物聯(lián)網(wǎng)的攻擊數(shù)量急劇上升。這些攻擊凸顯了一個(gè)非?,F(xiàn)實(shí)的需求:為互聯(lián)設(shè)備的整個(gè)價(jià)值鏈提供更有效的安全措施。這個(gè)價(jià)值鏈包括了如
2019-07-22 07:41:58
怎么測量天線輻射下空間中某點(diǎn)的電磁功率(功率密度)?
2013-10-16 16:32:02
Murata 的 MYC0409 降壓 DC/DC 電荷泵采用薄型 PSiP 封裝,可提供 72 W 的功率,效率高達(dá) 96.5%。48V IN 4 分頻器件實(shí)現(xiàn)了 5.4 kW/in 的功率密度
2022-04-01 16:03:21
高級(jí)電阻器工程師Stephen Oxley說?!癟T是唯一一家提供該技術(shù)以應(yīng)對(duì)高功率密度設(shè)計(jì)中熱不穩(wěn)定性的全球電阻器制造商。”TJC系列具有比70μ銅等效面積更大的導(dǎo)熱性,因此比不間斷的跡線具有更好的熱
2019-05-05 10:27:10
從“磚頭”手機(jī)到笨重的電視機(jī),電源模塊曾經(jīng)在電子電器產(chǎn)品中占據(jù)相當(dāng)大的空間,而且市場對(duì)更高功率密度的需求仍是有增無減。硅電源技術(shù)領(lǐng)域的創(chuàng)新曾一度大幅縮減這些應(yīng)用的尺寸,但卻很難更進(jìn)一步。在現(xiàn)有尺寸
2019-08-06 07:20:51
/in3 的功率密度。 圖 1:CUI VMS-365 是一款開放框架 AC-DC 電源,可提供高達(dá) 18 W/in3 的功率密度。 另一種截然不同的方法是,使用分立元器件將電源直接設(shè)計(jì)到系統(tǒng)
2018-12-03 10:00:34
采用微型QFN封裝的42V高功率密度降壓穩(wěn)壓器
2019-09-17 08:43:00
集成是固態(tài)電子產(chǎn)品的基礎(chǔ),將類似且互補(bǔ)的功能匯集到單一器件中的能力驅(qū)動(dòng)著整個(gè)行業(yè)的發(fā)展。隨著封裝、晶圓處理和光刻技術(shù)的發(fā)展,功能密度不斷提高,在物理尺寸和功率兩方面都提供了更高能效的方案。對(duì)產(chǎn)品
2020-10-28 09:10:17
高抗沖突物聯(lián)網(wǎng)安全芯片。產(chǎn)品兼容ISO 18000-3 mode 3 /EPC Class-1無源電子標(biāo)簽標(biāo)準(zhǔn),內(nèi)部提供240位的EPC存儲(chǔ)區(qū),512位的用戶存儲(chǔ)區(qū)
2022-05-11 11:53:09
中紅外激光功率密度探測單元的研制
摘要:采用室溫光導(dǎo)型HgCdTe探測器,研制了可用于中紅外激光功率密度測量的探測單元,主要包括衰減片、探測器
2010-04-28 16:05:36
11 工業(yè)電源必需滿足一些特殊的要求,如低功耗(以減輕機(jī)箱冷卻方面的負(fù)擔(dān))、高功率密度(以減小空間要求)、高可靠性和高耐用性,以及其它在普通電源中不常見的特性
2011-04-06 10:57:14
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提出一種新型正激隔離式高功率密度逆變器,該變換器前級(jí)為正激變換器,只是副邊二極管換成了開關(guān)管使其具備能量雙向傳遞的功能。分析了它的工作原理,給出了仿真波形。
2011-05-19 17:28:43
71 電裝在汽車展會(huì)“人與車科技展2012”(2012年5月23~25日)上展出了輸出功率密度高達(dá)60kW/L的逆變器,并公開了其性能參數(shù)等。該逆變器的體積為0.5L,輸出功率為30kW時(shí),輸出功率密度為
2012-05-28 10:08:56
2455 工業(yè)電源必需滿足一些特殊的要求,如低功耗(以減輕機(jī)箱冷卻方面的負(fù)擔(dān))、高功率密度(以減小空間要求)、高可靠性和高耐用性,以及其它在普通電源中不常見的特性,如易于并
2012-10-11 20:42:57
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高功率密度逆變電源研制,有需要的下來看看
2016-03-25 13:57:20
20 高功率密度蒸發(fā)冷卻ECR離子源磁體線圈研制_熊斌
2017-01-08 13:26:49
0 ,需要開發(fā)出高效可靠的LED專用驅(qū)動(dòng)電源與之配套。當(dāng)前LED驅(qū)動(dòng)電源存在功率密度、功率因數(shù)和效率較低等問題,因此開展高功率密度LED驅(qū)動(dòng)電源的研究意義深遠(yuǎn)。
2017-10-23 14:36:28
9 TI高功率密度電源設(shè)計(jì)中的散熱解決方案-上篇
2018-08-24 00:10:00
3829 MOSFET 逆變器的功率密度,探討了采用軟開關(guān)技術(shù)的碳化硅 MOSFET 逆變器。 比較了不同開關(guān)頻率下的零電壓開關(guān)三相逆變器及硬開關(guān)三相逆變器的損耗分布和關(guān)鍵無源元件的體積, 討論了逆變器效率和關(guān)鍵無源元件體積與開關(guān)頻率之間的關(guān)系。 隨著開關(guān)頻率從數(shù)十 kHz 逐漸提升至
2025-10-11 15:32:03
37 設(shè)計(jì)超高功率密度的小功率AC-DC電源
2019-05-13 06:21:00
5835 
TI集成度最高的線性穩(wěn)壓器可提供75%的效率,且功率密度是其他線性穩(wěn)壓器的兩倍。
2019-03-19 17:31:06
1645 金脈新一代高功率密度電機(jī)控制器,采用英飛凌Aurix TC275作為主控芯片,功能安全監(jiān)控芯片采用英飛凌TLF35584QVVS1,驅(qū)動(dòng)適配英飛凌HP Drive模塊,預(yù)驅(qū)芯片采用英飛凌1ED2002AS,采用松下的三合一電流傳感器和DC Link電容器。
2019-09-23 16:02:58
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威世的SiSS12DN 40V N-Channel MOSFET是為提高功率轉(zhuǎn)換拓?fù)渲械?b class="flag-6" style="color: red">功率密度和效率而設(shè)計(jì)。它們采用3.3x3.3mm緊湊型PowerPAK 1212-8S封裝,可提供低于2mΩ級(jí)別中的最低輸出電容(Coss)。儒卓力在電子商務(wù)網(wǎng)站上供應(yīng)這款MOSFET器件。
2020-02-20 10:27:38
3581 帶有降壓穩(wěn)壓器的Recom RPX-2.5電源模塊采用集成的倒裝芯片技術(shù),提供高功率密度和優(yōu)化的散熱管理功能。
2020-05-22 11:24:51
3603 Horizon的VLS-II電堆在耐久性和長運(yùn)行壽命方面進(jìn)行了優(yōu)化,以應(yīng)對(duì)商用車輛的使用場景,同時(shí)提供每升4.2kW的高功率密度。到目前為止,重型車輛中使用的大多數(shù)燃料電池組件功率都在80kW或更低,峰值功率密度在每升3kW以下。較高的功率密度和優(yōu)化平衡將提供最低的系統(tǒng)成本。
2020-06-15 15:11:26
4564 功率密度在現(xiàn)代電力輸送解決方案中的重要性和價(jià)值不容忽視。 為了更好地理解高功率密度設(shè)計(jì)的基本技術(shù),在本文中,我將研究高功率密度解決方案的四個(gè)重要方面: 降低損耗 最優(yōu)拓?fù)浜涂刂七x擇 有效的散熱 通過
2020-10-20 15:01:15
1461 功率密度在現(xiàn)代電力輸送解決方案中的重要性和價(jià)值不容忽視。為了更好地理解高功率密度設(shè)計(jì)的基本技術(shù),在本文中,我將研究高功率密度解決方案的四個(gè)重要方面:降低損耗,最優(yōu)拓?fù)浜涂刂七x擇,有效的散熱,通過機(jī)電
2020-11-19 15:14:00
11 10A DC/DC 微型模塊在一個(gè)緊湊封裝內(nèi)提供了新的功率密度級(jí)
2021-03-19 08:07:57
7 高功率密度系統(tǒng)需要大電流轉(zhuǎn)換器
2021-03-21 12:38:38
10 高功率密度雙8Aμ模塊穩(wěn)壓器
2021-04-14 10:39:51
9 LTM4600-10A DC/DC uModule在緊湊的封裝中提供更高的功率密度
2021-05-10 12:28:17
5 采用小型QFN封裝的42V高功率密度降壓穩(wěn)壓器
2021-05-18 20:00:35
10 小型QFN封裝的DN1038-42V高功率密度降壓穩(wěn)壓器
2021-05-24 17:58:08
17 高效率高功率密度電力電子技術(shù)及案例分析
2021-07-22 09:59:28
5 (IGBT)——它們都是傳統(tǒng)開關(guān)模式逆變器(現(xiàn)代電機(jī)控制的重要組成部分)的基礎(chǔ)——正在努力應(yīng)對(duì)這些工作需求。有限的功率密度和擊穿電壓閾值限制了驅(qū)動(dòng)電壓,而高頻工作所需的快速開關(guān)又推高了功率損耗,產(chǎn)生的結(jié)果就是效率低下、熱量
2021-10-11 17:22:36
3124 功率密度在現(xiàn)代電力輸送解決方案中的重要性和價(jià)值不容忽視。
為了更好地理解高功率密度設(shè)計(jì)的基本技術(shù),在本文中,我將研究高功率密度解決方案的四個(gè)重要方面:
降低損耗
最優(yōu)拓?fù)浜涂刂七x擇
有效
2022-01-14 17:10:26
2448 高功率密度雙向車載充電器規(guī)格書
2021-12-07 10:00:33
3 提高功率密度的路線圖從降低傳導(dǎo)動(dòng)態(tài)損耗開始。與碳化硅相比,氮化鎵可以顯著降低動(dòng)態(tài)損耗,因此可以降低整體損耗。因此,這是未來實(shí)現(xiàn)高功率密度的一種方法。
2022-07-26 10:18:46
1154 該芯片組提供完整、易于使用的高功率密度 AC/DC 充電解決方案、高達(dá) 94% 的效率和先進(jìn)的保護(hù)功能,可在小物理充電器尺寸中以安全、涼爽的操作實(shí)現(xiàn)大功率充電。iW709 將 USB 供電 (USB
2022-08-03 09:28:39
1103 
提高功率密度的路線圖從降低傳導(dǎo)動(dòng)態(tài)損耗開始。氮化鎵甚至比碳化硅更能顯著降低動(dòng)態(tài)損耗,從而降低整體損耗。因此,這是未來實(shí)現(xiàn)高功率密度的一種方法。 第二個(gè)參數(shù)是整個(gè)逆變器堆棧的厚度;具有扁平薄型逆變器
2022-08-03 10:16:55
1271 V 阻斷電壓的六組全橋模塊,針對(duì)電動(dòng)汽車 (EV) 中的牽引逆變器進(jìn)行了優(yōu)化。該功率模塊建立在英飛凌的 CoolSiC 溝槽 MOSFET 技術(shù)之上,能夠在高性能應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)高功率密度,并保持高可靠
2022-08-04 17:09:47
2100 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《240W高功率密度高效LLC電源.zip》資料免費(fèi)下載
2022-08-09 14:21:54
68 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《PMP11328高功率密度30A PMBus電源設(shè)計(jì).zip》資料免費(fèi)下載
2022-09-08 10:07:10
1 功率密度基礎(chǔ)技術(shù)簡介
2022-10-31 08:23:24
3 一般電驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)以質(zhì)量功率密度指標(biāo)評(píng)價(jià),電機(jī)本體以有效比功率指標(biāo)評(píng)價(jià),逆變器以體積功率密度指標(biāo)評(píng)價(jià);一般乘用車動(dòng)力系統(tǒng)以功率密度指標(biāo)評(píng)價(jià),而商用車動(dòng)力系統(tǒng)以扭矩密度指標(biāo)評(píng)價(jià)。
2022-10-31 10:11:21
6554 基于WAYON維安MOSFET高功率密度應(yīng)用于USB PD電源
2023-01-06 12:51:35
1525 
功率半導(dǎo)體注定要承受大的損耗功率、高溫和溫度變化。提高器件和系統(tǒng)的功率密度是功率半導(dǎo)體重要的設(shè)計(jì)目標(biāo)。
2023-02-06 14:24:20
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的三相碳化硅(SiC)功率堆棧。該功率堆棧結(jié)合了
CISSOID的1200VSiC智能功率模塊和Advanced Conversion的6組低ESR/ESL直流支撐(DC-Link)電容器,可進(jìn)一步與控制器板和液體冷卻器集成,
為電機(jī)驅(qū)動(dòng)器的高功率密度和高效率SiC逆變器(見下圖)的設(shè)計(jì)提供完整的硬件
2023-02-21 09:12:19
0 交通應(yīng)用中電氣化的趨勢導(dǎo)致了高功率密度電力電子轉(zhuǎn)換器的快速發(fā)展。高開關(guān)頻率和高溫操作是實(shí)現(xiàn)這一目標(biāo)的兩個(gè)關(guān)鍵因素。
2023-03-30 17:37:53
1899 在功率器件領(lǐng)域,除了圍繞傳統(tǒng)硅器件本身做文章外,材料的創(chuàng)新有時(shí)也會(huì)帶來巨大的性能提升。比如,在談?wù)?b class="flag-6" style="color: red">功率密度時(shí),GaN(氮化鎵)憑借零反向復(fù)原、低輸出電荷和高電壓轉(zhuǎn)換率等突出優(yōu)勢,能夠幫助廠商大幅提升系統(tǒng)密度,而另一種主流的寬帶隙半導(dǎo)體材料SiC(碳化硅)也是提升功率密度的上佳選擇。
2023-05-18 10:56:27
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主體結(jié)構(gòu)采用SPM的結(jié)構(gòu),極槽布置布置采用:12極18槽,最高轉(zhuǎn)速20000rpm,功率密度52.43kW/L,磁鋼型蛤采用:N50,硅鋼材料采用:Arnon 5
2023-10-08 10:48:51
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采用IGBT7高功率密度變頻器的設(shè)計(jì)實(shí)例
2023-12-05 15:06:06
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功率半導(dǎo)體冷知識(shí):功率器件的功率密度
2023-12-05 17:06:45
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電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《PMP22648.1-汽車車聯(lián)網(wǎng) (V2X) 電源高功率密度 PCB layout 設(shè)計(jì).pdf》資料免費(fèi)下載
2024-05-19 15:55:25
0 在電力電子系統(tǒng)的設(shè)計(jì)和優(yōu)化中,功率密度是一個(gè)不容忽視的指標(biāo)。它直接關(guān)系到設(shè)備的體積、效率以及成本。以下提供四種提高電力電子設(shè)備功率密度的有效途徑。
2023-12-21 16:38:07
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英飛凌科技股份公司(FSE代碼:IFX/OTCQX代碼:IFNNY)推出采用TO-247PLUS-4-HCC封裝的全新CoolSiCMOSFET2000V。這款產(chǎn)品不僅能夠滿足設(shè)計(jì)人員對(duì)更高功率密度
2024-03-20 08:13:05
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電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《TPS25981-提高功率密度.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-08-26 09:34:04
1 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《高功率密度降壓轉(zhuǎn)換器的熱性能優(yōu)化應(yīng)用報(bào)告.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-09-13 10:44:49
2 【2025年3月12日, 德國慕尼黑訊】全球功率系統(tǒng)和物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域的半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)者英飛凌科技股份公司(FSE代碼:IFX/OTCQX代碼:IFNNY)宣布推出新一代高密度功率模塊,該模塊將在實(shí)現(xiàn)AI
2025-03-19 16:53:22
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:IFNNY)又推出E型混合反激控制器系列。專為高性能應(yīng)用設(shè)計(jì)的全新XDP混合反激數(shù)字控制器系列,采用先進(jìn)的不對(duì)稱半橋(AHB)拓?fù)浣Y(jié)構(gòu),將反激轉(zhuǎn)換器的簡易性和諧振轉(zhuǎn)換器的效率相結(jié)合,從而實(shí)現(xiàn)高功率密度設(shè)計(jì)。因此,該控制器系列適用于各類AC/DC應(yīng)用,包括二級(jí)市場和原廠充電器、
2025-03-28 16:42:13
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的CoolSiCMOSFET1200VG2。這款新型半導(dǎo)體器件能夠提供更加出色的熱性能、系統(tǒng)效率和功率密度,專為應(yīng)對(duì)工業(yè)應(yīng)用的高性能和高可靠性要求而設(shè)計(jì),例如電動(dòng)汽車充電
2025-08-01 17:05:09
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隨著市場對(duì)緊湊型、高效且可靠的電源解決方案的需求持續(xù)增長,對(duì)可提供更高功率密度并簡化系統(tǒng)設(shè)計(jì)的電源管理器件的需求也隨之增加。Microchip Technology Inc.(微芯科技公司)今日宣布
2025-09-17 15:45:45
921 風(fēng)力發(fā)電實(shí)現(xiàn)穩(wěn)定可靠的電力傳輸。英飛凌將為金風(fēng)科技提供搭載.XT技術(shù)的XHP? 2 1700 V IGBT5功率模塊,提升金風(fēng)科技GW 155-4.5 MW構(gòu)網(wǎng)型風(fēng)機(jī)的能源效率。英飛凌的功率模塊憑借其高功率密度、高可靠性和高穩(wěn)定性優(yōu)勢,確保風(fēng)能系統(tǒng)長久運(yùn)行。通過優(yōu)化能源效率,這些模塊有助于
2025-09-18 16:42:53
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評(píng)論