商用車電驅動SiC模塊選型返璞歸真：從DCM/HPD封裝回歸ED3封裝碳化硅功率模塊的市場報告 傾佳電子（Changer Tech）是一家專注于功率半導體和新能源汽車連接器的分銷商。主要服務于中國
2026-01-03 17:30:48
247 超級電容器具有極高的功率密度，能快速充放電，適用于需要高功率場景，如電動車、智能電網(wǎng)等。
2026-01-01 09:31:003549 
執(zhí)行環(huán)節(jié)。其本質是一個高動態(tài)的閉環(huán)功率放大系統(tǒng)，完美融合了電子控制的靈活性與液壓傳動的高功率密度、高剛性優(yōu)勢。
2025-12-31 09:46:55110 
燒結銀：3D封裝中高功率密度和高密度互連的核心材料
2025-12-29 11:16:01110 GaN、SiC等器件快速、徹底地開關，充分發(fā)揮其高頻、高效優(yōu)勢。
提升系統(tǒng)效率與功率密度：納秒級的開關速度能顯著降低開關損耗，有助于提升整體能效，并為提高電源開關頻率、減小無源元件體積創(chuàng)造條件。
確保系統(tǒng)
2025-12-26 08:20:58
1.6 kW Titanium PSU：高效服務器電源解決方案 在服務器電源設計領域，追求高功率密度、高效率以及穩(wěn)定可靠的性能是永恒的目標。今天，我們來深入探討一款符合80 PLUS
2025-12-19 11:30:06250 電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/黃山明）隨著AI需求的激增，從傳統(tǒng)數(shù)據(jù)中心變更到AIDC也帶來了新的挑戰(zhàn)，不僅是更高的功率密度、更強的可靠性、更好的能效比以及更優(yōu)的架構，而這些都離不開AIDC逆變器，相較于
2025-12-19 09:30:406543 ）兼容性。技術優(yōu)勢GaN 材料特性：高功率密度：GaN 的寬帶隙特性使其在相同尺寸下輸出功率遠高于 GaAs 或硅基器件。高頻性能優(yōu)異：在 6GHz 頻段仍能保持高效率與線性度，適合寬帶線性放大應用。高
2025-12-12 09:40:25
通過相同封裝體積和更高功率密度實現(xiàn)替代。l VTM48EF040T050B00：原用于高端計算系統(tǒng)，提供 50A 電流和 4V 輸出。MPN541382-PV 通過更高效率（>94
2025-12-11 10:02:24
在現(xiàn)代電子設計中，功率半導體器件的性能直接影響著整個系統(tǒng)的效率、可靠性和功率密度。今天，我們要介紹的是安森美（onsemi）的NXH010P90MNF1碳化硅（SiC）模塊，它以其出色的特性為多種應用場景帶來了新的解決方案。
2025-12-05 15:58:30283 達單機柜功率有望達到200kW。單柜功率密度將再創(chuàng)行業(yè)新高，對數(shù)據(jù)中心備電系統(tǒng)的可靠性、靈活性與能效提出了前所未有的挑戰(zhàn)。
2025-12-05 15:33:52415 ℃)，適用于高溫環(huán)境;此外，高禁帶寬度使 SiC 的本征載流子濃度更低，從而大幅減小了器件的漏電流。SiC 具有更高的熱導率，使 SiC 器件在相同散熱系統(tǒng)下可耗散掉更高的熱量，從而提升功率密度;同時 SiC 的高熱導率有助于優(yōu)化散熱設計，從而增強器件在高功率應用中的穩(wěn)定性。
2025-12-05 10:05:177281 
SiC器件具有低開關損耗，可以使用更小的散熱器，同時可以在更高開關頻率下運行，減小磁性元件體積。采用SiC器件的工業(yè)電源，可以實現(xiàn)高效率和高功率密度。三菱電機開發(fā)了一系列適合工業(yè)電源應用的SiC MOSFET模塊，本章節(jié)帶你詳細了解。
2025-12-02 11:28:173353 
我們在設計 11kW、800V平臺OBC 時，為實現(xiàn) 4kW/L 的高功率密度目標，發(fā)現(xiàn) 傳統(tǒng)牛角電容體積過大 導致布局困難，請問 永銘LKD系列 是否有滿足 高耐壓 且 體積小 的解決方案？
2025-12-02 09:24:46
在光伏電站朝著“大型化、高功率”升級的今天，500kW-3MW級集中式逆變器已成為沙漠、荒地等大型地面光伏項目的核心設備。但很多工程師在項目落地時會發(fā)現(xiàn)，功率提升帶來的不僅是發(fā)電效率的飛躍，更有棘手
2025-11-24 10:58:45327 
在工業(yè)自動化和電力電子領域，變頻器作為電機調速的核心設備，其輸入輸出功率的精確測量直接關系到系統(tǒng)能效評估、設備選型和故障診斷。傳統(tǒng)功率測量方法在變頻環(huán)境下存在明顯局限性，而現(xiàn)代變頻功率分析技術通過
2025-11-21 07:37:00292 
在現(xiàn)代電子設備向高效、緊湊與高頻化發(fā)展的趨勢下，電路設計面臨著小空間內處理高功率負載的嚴峻挑戰(zhàn)。南山電子代理品牌光頡科技推出的TR50系列TO-220封裝功率電阻器，以其獨特的封裝、卓越的功率處理能力和高頻特性，為現(xiàn)代電源與脈沖電路提供了理想的解決方案。
2025-11-20 14:02:44277 
這款 600 kW 三相逆變器采用六組 Wolfspeed XM3 半橋功率模塊，實現(xiàn)了卓越的系統(tǒng)級功率密度與效率。XM3 模塊的重量和體積僅為標準 62 mm 模塊的一半，其設計實現(xiàn)功率密度最大化，同時降低回路電感，實現(xiàn)低損耗、高頻率工作，并簡化電源母線設計。
2025-11-20 09:16:571639 電信、工業(yè)和計算應用提供更高效率和功率密度。SiHR080N60E具有0.074Ω 的低典型導通電阻（10V時）和低至42nC的超低柵極電荷，從而降低了導通和開關損耗，因此可在電源系統(tǒng) >2kW
2025-11-14 10:32:18365 
下，電源轉換器需實現(xiàn)更高功率密度；二是第三代寬禁帶半導體的普及，雖通過極低開關損耗支撐了 MHz 級高頻運行，卻帶來更復雜的控制邏輯與更快的實時計算需求；三是高頻開關與寬禁帶器件導致 dv/dt 數(shù)量級提升，電磁干擾（EMI）強度激增，對控制器的抗干擾
2025-11-14 09:15:092078 Vishay Semicductors SiC544 40A VRPower^?^ 集成功率級專為大電流、高效率和高功率密度同步降壓應用而設計。Vishay Semiconductors
2025-11-13 15:00:01348 
Vishay Semicductors SiC674 55A VRPower^?^ 集成功率級專為同步降壓應用而設計，可提供大電流、高效率和高功率密度，并將關斷電流降至最低。Vishay
2025-11-11 10:25:45352 
自開關電源誕生以來，功率密度的提升一直是開關電源設備不斷演進的方向之一。
2025-11-07 15:56:231054 
公斤的電機實現(xiàn) 750kW（超 1000 馬力）短期峰值功率，功率密度達 59kW/kg，較今夏初 13.1 公斤版本的 42kW/kg 提升 40%。 ? 圖源:YASA ? 同時YASA預計，該
2025-11-03 03:45:008931 
隨著新能源汽車產(chǎn)業(yè)的迅猛發(fā)展，直流充電樁作為能量補給的關鍵基礎設施，其性能和效率正成為產(chǎn)業(yè)競爭的焦點。為了實現(xiàn)更高的功率密度、更高的能效以及更小的體積，SiC(碳化硅)功率器件正逐步取代傳統(tǒng)的硅器件
2025-10-30 09:44:18354 
的60%，提供高性價比的全國產(chǎn)解決方案。多領域應用的覆蓋能力：工業(yè)自動化：為PLC、傳感器、執(zhí)行器等提供穩(wěn)定直流電源，支持生產(chǎn)線高效運行。電動汽車：適配車載OBC（如比亞迪800V平臺，功率密度10kW
2025-10-22 09:09:58
在電力電子技術飛速發(fā)展的當下，SiC（碳化硅）功率器件憑借高頻、高效、耐高溫的核心優(yōu)勢，在新能源汽車、儲能系統(tǒng)、工業(yè)變頻等高端領域加速替代傳統(tǒng)硅基器件，不僅提升了系統(tǒng)的功率密度和能效，還降低了損耗
2025-10-21 16:49:411167 在30kW級工業(yè)電源、60kW直流快充樁等大功率電力電子場景中，MOSFET的電流承載能力與功率密度直接決定系統(tǒng)集成效率。MOT(仁懋)推出的MOT1126TN溝道增強型MOSFET，憑借100V
2025-10-20 16:25:43637 
近日，株式會社JERA（以下簡稱“JERA”）與株式會社電裝（以下簡稱“電裝”）在JERA火力發(fā)電廠啟動了基于電裝開發(fā)的SOEC*1（電解功率*2：200kW）水電解制氫實證試驗。該試驗旨在驗證火力發(fā)電廠環(huán)境下SOEC技術的應用效果，并推動高效水電解制氫技術的發(fā)展。
2025-10-16 14:36:37523 新品適用于10kW以下三相B6逆變器的評估板設計EVAL_10kW_B6_SiC400V使用帶有隔離柵極驅動器的B6逆變器來驅動電機，支持高達10kW的ACIM和PMSM。它采用B6配置
2025-10-15 18:33:111701 
與電流路徑解耦"的核心設計，實現(xiàn)了功率密度與散熱效率的跨越式升級，標志著我國在高功率半導體封裝技術領域成功躋身國際先進行列！ TOLT-16封裝圖 ?創(chuàng)新封裝，破解高功率散熱難題 VBGQTA1101采用的TOLT封裝，通過將散熱路徑與電流傳輸路徑分離，徹底解決了傳統(tǒng)封裝中熱管理與
2025-10-11 19:43:0019690 
MOSFET 逆變器的功率密度，探討了采用軟開關技術的碳化硅 MOSFET 逆變器。 比較了不同開關頻率下的零電壓開關三相逆變器及硬開關三相逆變器的損耗分布和關鍵無源元件的體積， 討論了逆變器效率和關鍵無源元件體積與開關頻率之間的關系。 隨著開關頻率從數(shù)十 kHz 逐漸提升至
2025-10-11 15:32:03
37 全球知名半導體制造商ROHM（總部位于日本京都市）推出二合一結構的SiC模塊“DOT-247”，該產(chǎn)品非常適合光伏逆變器、UPS和半導體繼電器等工業(yè)設備的應用場景。新模塊保留了功率元器件中廣泛使用的“TO-247”的通用性，同時還能實現(xiàn)更高的設計靈活性和功率密度。
2025-09-26 09:48:02705 
傾佳電子超越100kW：用于兆瓦級儲能直掛充電樁電源的SiC功率模塊,CLLC隔離DC-DC變換設計 傾佳電子（Changer Tech）是一家專注于功率半導體和新能源汽車連接器的分銷商。主要服務于
2025-09-24 18:13:051635 
為核心，小尺寸也能扛大電流，特別適合空間緊張的電子設備 。 LRP系列技術核心解析： 普通貼片電阻功率小，而光頡的LRP系列電阻在1206封裝尺寸下可以實現(xiàn)1W功率承載，2512封裝更可達3W，功率密度遠超同類產(chǎn)品，顯著優(yōu)化PCB空間利用率。其阻值覆
2025-09-24 16:48:39609 
方正微電子TPAK模塊FA120T003BA(1200V 3.1mΩ)是一款高性能SIC MOS功率模塊，專為新能源汽車主驅電機控制器、EVTOL電機控制器、電動船、超級充電站等高端應用需求而設計，旨在提供極致效率、極致功率密度和極致可靠性的解決方案。
2025-09-24 15:09:24817 鐵路牽引變流器作為軌道交通車輛動力系統(tǒng)的核心部件，正朝著高可靠性、高功率密度和高效率方向發(fā)展。目前IGBT仍是鐵路牽引領域的主流功率半導體器件，但是SiC MOSFET模塊的應用正在加速。本文重點介紹三菱電機SiC MOSFET模塊的高功率密度和低損耗設計。
2025-09-23 09:26:332066 
數(shù)據(jù)中心PSU，邁向12kW ? 電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/梁浩斌） 隨著AI算力芯片功耗不斷提高，服務器PSU（電源供應單元）需要在原有的空間內，實現(xiàn)更大功率的電源輸出。PSU的功率密度要求不斷提高
2025-09-22 02:40:007768 
Texas Instruments LMG342xR030 GaN場效應晶體管（FET）集成了驅動器和保護功能，可使設計人員在電子設備系統(tǒng)中實現(xiàn)新的功率密度和效率水平。
2025-09-19 11:06:08586 
和大功率快速充電應用量身定制。該 60 kW 雙有源橋 (DAB) 拓撲僅采用兩個全橋 GM4 功率模塊安裝于單一冷板上，充分利用無基板功率模塊的隔離襯底特性，進一步提升了功率密度。
2025-09-11 16:37:02968 ：隔離式溫度傳感器（NTC）實現(xiàn)實時溫度監(jiān)控，防止過熱失效。應用場景電動汽車與充電基礎設施l 車載充電器（OBC）：XM3 模塊支持高功率密度設計，縮小充電器體積，提升充電效率。l 直流快速充電樁
2025-09-11 09:48:08
電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供()24V、1000MHz 高輸出功率倍頻器線路放大器 MMIC相關產(chǎn)品參數(shù)、數(shù)據(jù)手冊，更有24V、1000MHz 高輸出功率倍頻器線路放大器 MMIC的引腳圖、接線圖、封裝手冊
2025-08-29 18:33:17
加大的爬電距離和電氣間隙，使用.XT焊接芯片技術。芯片同時用于62mm封裝的半橋模塊和EasyPACK3B封裝的升壓模塊。這些產(chǎn)品的性能提高了系統(tǒng)功率密度，可靠性和效
2025-08-29 17:10:021598 太陽能逆變器種類豐富，可按類型(集中式、組串式、微型)或終端應用場景(住宅、商業(yè)、公用事業(yè))進行劃分。目前，組串式逆變器因具備靈活性高、易于安裝的特點而應用最為廣泛。隨著功率器件的不斷迭代升級，單臺逆變器的功率水平與功率密度持續(xù)提升，而單價和尺寸卻不斷下降，這使其成為太陽能逆變器市場的主流產(chǎn)品。
2025-08-25 11:42:016233 
增程車的動力來源于驅動電機，具有與純電車相同的“起步加速猛”“加速響應快”等駕駛感受。但當動力電池電量不足進入虧電狀態(tài)時，不少增程車會出現(xiàn)動力輸出減弱、加速響應遲滯、行駛質感下降等問題，這些“虧電感”會嚴重影響用戶的駕乘體驗。
2025-08-22 09:17:44905 碳化硅（SiC）功率半導體技術引領者森國科，推出了采用SOT227封裝的SiC MOSFET及JBS功率模塊系列。這一突破性封裝方案結合了高功率密度與系統(tǒng)級可靠性，為新能源發(fā)電、工業(yè)電源及電動汽車等領域提供高效能解決方案。
2025-08-16 13:50:093154 
具體情況:就是我有3到4個光伏電站,總功率有120-150KW,我準備在自家門口裝臺40或60KW的充電樁,給社會車輛快速充電,想將這三到4個電站從光伏配電柜引入到能提供充電樁穩(wěn)定供電的電路板或電源
2025-08-16 10:03:48
牽引逆變器被稱為電驅系統(tǒng)的 “心臟”，為車輛行駛提供必需的扭矩與加速度。當前，很多純電動汽車和混合動力汽車均采用IGBT技術。而碳化硅(SiC)技術的引入，進一步拓展了牽引逆變器效率與性能的邊界
2025-08-15 16:13:022409 
在追求高效率、高功率密度的開關電源、DC-DC轉換器、逆變器及電機驅動系統(tǒng)中（尤其汽車電子領域），驅動器的性能至關重要。針對GaN、SiC等寬帶隙器件對高速、強驅動力和高驅動電壓的需求
2025-08-09 09:18:36
這款 200 kW 三相逆變器參考設計展示了基于 Wolfspeed 創(chuàng)新型的 2300 V 無基板碳化硅 (SiC) 功率模塊的設計簡潔性和可擴展性。
2025-08-04 10:39:411037 %，功率密度翻倍。 整機效率98.68% （仿真數(shù)據(jù)）：20kW焊機應用中，較IGBT方案（97.10%）年省電費超萬元。 軍工級可靠性 175℃高
2025-07-29 09:57:57511 
、預充電、保護和故障自恢復等功能。
LLC 諧振變換器拓撲具有高效率和軟開關特性，單相逆變拓撲可將直流電轉換為符合要求的交流電，兩者級聯(lián)結構可用于高工作效率、高功率密度、高可靠性的電源設計，尤其
2025-07-25 10:56:50
和故障自恢復等功能。LLC諧振變換器拓撲具有高效率和軟開關特性，單相逆變拓撲可將直流電轉換為符合要求的交流電，兩者級聯(lián)結構可用于高工作效率、高功率密度、高可靠性的電源
2025-07-25 10:49:462807 
SIC213XBER / SIC214XBER 全新高性能單相IPM模塊系列！我們以全新ESOP-9封裝與新一代技術，賦能客戶在三大核心維度實現(xiàn)飛躍性提升：效率躍升、空間減負、成本優(yōu)化與可靠性保障
2025-07-23 14:36:03
鑒于對能源可持續(xù)性和能源安全的擔憂，當前對儲能系統(tǒng)的需求不斷加速增長，尤其是在住宅太陽能裝置領域。市面上有一些功率高達 2kW 且?guī)в屑墒絻δ芟到y(tǒng)的微型逆變器。當系統(tǒng)需要更高功率時，也可以選用連接了儲能系統(tǒng)的串式逆變器或混合串式逆變器。
2025-07-16 09:51:042959 
AD9783的
輸出功率僅有-10dBm 不知道為何各位大佬幫忙看看?。?/div>
2025-07-14 07:02:41
概述SL3075是一款高性能的降壓（Buck）轉換器，專為寬輸入電壓范圍（4.5V至65V）設計，特別適用于需要高功率密度和高效率的應用場景。其集成90mΩ高側MOSFET，能夠提供高達5A的連續(xù)
2025-07-11 10:20:33
在通信與工業(yè)控制領域，穩(wěn)定、高效的電源是保障系統(tǒng)可靠運行的核心。金升陽LMR3000-4850整流模塊憑借高功率密度、智能數(shù)字化控制及多重安全防護，成為通信基站、數(shù)據(jù)中心、工業(yè)自動化及機器人等領域的理想選擇。
2025-07-10 17:30:42880 
，針對135kW/145kW工商業(yè)儲能變流器（PCS）的系統(tǒng)化設計方案，從電氣配置、均流優(yōu)化、熱管理到經(jīng)濟性進行全方位解析： ? 一、并聯(lián)方案的必要性與可行性 功率擴容需求 單模
2025-07-01 17:55:48689 
的核心“調度官”，負責光伏發(fā)電、電池儲能與電網(wǎng)電能的高效雙向流動。傳統(tǒng)硅基IGBT器件卻日益成為制約系統(tǒng)性能提升的瓶頸——開關損耗大、溫升高、功率密度有限。 碳化硅（SiC）MOSFET技術的崛起，為電力電子行業(yè)帶來了革命性突破。
2025-06-25 06:45:05693 傾佳電子力薦：BASiC 62mm封裝半橋BMF540R12KA3 SiC MOSFET模塊 —— 重新定義高功率密度與效率的邊界 關鍵詞：1200V/540A、2.5mΩ超低導通電阻、175℃高溫
2025-06-24 07:58:29460 
傾佳電子推廣基于SiC碳化硅的125kW工商業(yè)儲能PCS解決方案：效率躍升1% 隨著全球工商業(yè)儲能市場向高功率密度、高效率方向快速演進，傳統(tǒng)IGBT方案已難以滿足新一代儲能變流器（PCS）的嚴苛需求
2025-06-23 11:20:25830 
Semiconductor推出的 BMS065MR12EP2CA2 碳化硅(SiC)MOSFET模塊，憑借其低損耗、高耐溫及高功率密度等特性，為商空熱泵的能效升級提供了創(chuàng)新解決方案。
2025-06-19 16:44:44676 
25 kW 雙向 T-型逆變器展示了 Wolfspeed 650 V 和 1200 V 碳化硅 (SiC) MOSFET 在光伏逆變器、不間斷電源 (UPS)、電動汽車快速充電樁、高壓
2025-06-14 09:54:571047 一、新能源汽車高功率密度電驅動系統(tǒng)關鍵技術趨勢開發(fā)超高功率密度電機驅動系統(tǒng)的驅動力在于：相同體積或質量下，輸出功率更大，超車加速能力和高速持續(xù)行駛能力更強，獲得優(yōu)異的動力性能和駕駛體驗；相同輸出功率
2025-06-14 07:07:10949 
頻率范圍500MHz~6GHz適用于Wi-Fi、5G或雷達應用
輸出功率10dBm~30dBm取決于增益和線性度需求
增益20dB~30dB信號放大能力
供電電壓3.3V/5V低功耗設計常見電壓
封裝QFN/SOT-89小型化表面貼裝封裝
2025-06-06 09:06:46
隨著電力電子技術向高頻、高效、高功率密度方向發(fā)展，碳化硅（SiC）和絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）等功率器件在眾多領域得到廣泛應用。在這些功率器件的封裝與連接技術中，銀燒結技術憑借其獨特的優(yōu)勢逐漸
2025-06-03 15:43:331152 
技術挑戰(zhàn)的解決還需確保成本控制在限定范圍內。OBC用于交流充電，需接入電網(wǎng)單相或三相電壓。單相充電功率限制在3.6kW至7.5kW之間，三相充電則可支持11kW至
2025-05-29 11:30:52941 
近日，納微半導體宣布推出專為超大規(guī)模AI數(shù)據(jù)中心設計的最新12kW量產(chǎn)電源參考設計，可適配功率密度達120kW的高功率服務器機架。
2025-05-27 16:35:011288 10KW車載逆變器OBC原理圖
2025-05-19 17:59:129 近年來，為實現(xiàn)無碳社會，電動汽車的普及速度進一步加快。在電動汽車領域，為延長車輛的續(xù)航里程并提升充電速度，所采用的電池正在往更高電壓等級加速推進，同時，提升OBC和DC-DC轉換器輸出功率的需求也
2025-05-16 10:54:58850 
的問題。 來源：Fraunhofer IZM ? 據(jù)介紹，Dauerpower逆變器可以提供可持續(xù)輸出的強大動力，在長時間運行時可以保持約600kW的穩(wěn)定輸出，而在短時間爆發(fā)模式下甚至可以輸出高達720kW
2025-05-12 09:31:176102 
顯示總損耗降低20%~30%）。 高頻性能：支持40kHz開關頻率，減少無源器件體積，提升功率密度25%。 模塊封裝與設計 E2B封裝技術：
2025-04-27 16:37:41664 
主導著逆變器設計領域。然而，碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)等寬禁帶(WBG)功率器件的出現(xiàn)正在重塑行業(yè)格局。這些器件具有更高效率、更大功率密度、更快開關頻率和更
2025-04-25 11:34:35800 
安森美推出了一款基于GaNFETNCP58921與次級控制芯片NCL38046的智能工業(yè)電源解決方案，支持通過Analog與PWM方式調整輸出功率，最大功率可達1KW。這一設計結合了多種先進架構與技術，旨在實現(xiàn)高效率、高功率密度的小型化電源應用。
2025-04-23 08:02:00803 
? ? ? NS4815 是由內置電荷泵升壓模塊供電的一款高效可免輸出濾波器的K類音頻功率放大器。芯片內置的電荷泵升壓模塊可以將 VDD 電壓抬高至最大6.3V 供給音頻橋式輸出模塊，增加輸出功率
2025-04-09 16:56:070 33V，適合驅動 Si 或 SiC MOSFET 和 IGBT 功率開關。集成的 UVLO 保護確保在異常情況下輸出保持在低電平。輸入側供電電壓 VCC1 在2.5V 到 5.5V 之間工作，支持大多數(shù)
2025-04-03 14:23:02
CAB450M12XM3工業(yè)級SiC半橋功率模塊CREE
CAB450M12XM3是Wolfspeed（原CREE）精心打造的一款工業(yè)級全碳化硅（SiC）半橋功率模塊，專為高功率密度、極端高溫環(huán)境
2025-03-17 09:59:21
：Driving-Electric-Motors-with-GaN-Power-ICs.pdf 挑戰(zhàn)與變革 ：使用GaN功率IC的電機逆變器可降低系統(tǒng)成本，如去除散熱器、提高集成度、實現(xiàn)自動化裝配，同時提升效率、降低能耗、改善產(chǎn)品評級。但傳統(tǒng)硅開關解決方案在行業(yè)內更為人熟知，且部分應用對高功率密度需求不高。 電機逆變器中的關鍵優(yōu)勢 性能卓越 ：開關損耗極低，
2025-03-12 18:47:172081 
??氮化鎵功率芯片 進入長城電源供應鏈 ，成功助力其打造 AI數(shù)據(jù)中心專用的超高功率密度2.5kW模塊電源。 AI的迅猛發(fā)展對數(shù)據(jù)中心提出了更高的算力要求，為了容納更多的GPUs進行計算，400V獨立機柜的架構將成為數(shù)據(jù)中心的全新發(fā)展趨勢。小體積、高效率、更獨立的模塊電源將釋放出寶
2025-03-12 11:02:36726 
，高壓驅動電路輸入是直流 360V輸出交 流有效值約 250V，功率 60KW，效率>95%。在控制電路和驅動電路上做了一些優(yōu)化， 超過了預期的設計目標要求關
2025-03-07 14:34:3310 Integrations（納斯達克股票代號：POWI）今日推出新款HiperLCS?-2芯片組，可實現(xiàn)輸出功率翻倍。新器件采用更高級的半橋開關技術和創(chuàng)新封裝，可提供高達1650W的連續(xù)輸出功率，效率超過98%。該產(chǎn)品系列的這一新品主要面向工業(yè)電源以及電動踏板車和戶外電動工具的充電器，其高效率和
2025-03-06 15:32:11729 
樁電源模塊的功率等級正從當前的 40kW-60kW 向更高水平發(fā)展。根據(jù)行業(yè)趨勢和技術測試數(shù)據(jù)（如文件中提到的40kW模塊測試及更高功率方案設計），未來主流充電樁模塊將向 150kW-350kW 甚至更高功率邁進。例如： 超快充場景 ：特斯拉V4超充站支持 350k
2025-03-05 16:50:451050 
日前，瞻芯電子正式推出3B封裝的2000V 碳化硅(SiC) 4相升壓功率模塊產(chǎn)品(IV3B20023BA2)，為光伏等領域提供了高電壓、高功率密度的解決方案。該產(chǎn)品已通過工業(yè)級可靠性測試，并在光伏客戶導入驗證。
2025-03-01 09:27:101306 
法拉電容具有高能量密度和高功率密度的特點，廣泛應用于以下領域：1.電子設備：法拉電容可用于移動設備、電子手表、智能手機等電子產(chǎn)品中，用于儲存短時間內需要大量能量供應的場景，如高峰電流要求的充電和放電
2025-02-26 13:28:531028 
計算公式 ： Pcond?=Irms2??RDS(on)??N?D 母線電壓 Vdc?=800V，輸出功率 P=225kW，直流電流 Idc?=281.25A。 有效值電流 Irms?=199A
2025-02-25 06:58:421063 
此參考設計是基于 GaN 的 45W 有源鉗位反激式 （ACF），旨在實現(xiàn)最大功率密度。該電源旨在為服務器和電信電源單元 （PSU） 提供輔助電源。UCC28782 ACF 控制器和 LMG2610
2025-02-24 16:03:03872 
此參考設計展示了一款具有儲能功能的基于 GaN 的四輸入雙向 1.6kW 微型逆變器。
2025-02-21 10:11:571227 
請問在波長為370nm脈沖激光下的DMD的峰值功率密度是多少？如何查看？
2025-02-20 07:49:07
針對傳統(tǒng)高功率封裝產(chǎn)品在應用中的諸多痛點，瑞豐光電憑借創(chuàng)新技術和卓越工藝，成功推出了行業(yè)突破性的大功率封裝新品——金剛石基超大功率密度封裝。這一新品不僅解決了傳統(tǒng)封裝產(chǎn)品的局限性，更為高功率LED
2025-02-19 14:44:211078 傾佳電子楊茜介紹全國產(chǎn)碳化硅SiC功率器件（如BASiC基本股份）50kW光伏逆變器設計方案： 傾佳電子楊茜致力于推動國產(chǎn)SiC碳化硅模塊在電力電子應用中全面取代進口IGBT模塊，助力電力電子行業(yè)
2025-02-13 12:17:11731 
針對工業(yè)控制領域客戶對小型化、高效率電源模塊的迫切需求，金升陽公司近日推出了全新的URB24xxLN-10/15WR3G系列DC/DC模塊電源。該系列產(chǎn)品憑借超小的體積和高功率密度設計，成為市場上
2025-02-06 10:59:491264 。 ? 創(chuàng)新單級拓撲，6.1kW/L功率密度，96.2%全電壓充電效率 ? OBC一般集成了DC-DC和AC-DC功能，過去主流的OBC是采用PFC+DC/DC兩級式拓撲設計，因為需要經(jīng)過兩個階段的轉換，效率受到限制；其次是在電路上設計復雜，元器件數(shù)量多，導致體積和重量較高，同時
2025-02-05 07:55:0011356 
請問DAC輸出功率怎么計算，輸出電流為2~20mA，輸出功率為多少dbm？
2025-01-22 06:24:09
/前言/功率半導體熱設計是實現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎，只有掌握功率半導體的熱設計基礎知識，才能完成精確熱設計，提高功率器件的利用率，降低系統(tǒng)成本，并保證系統(tǒng)的可靠性。功率器件熱
2025-01-13 17:36:111819 隨著DC/DC電源轉換器、電動汽車車載充電器(OBC)、工業(yè)電機驅動器、太陽能逆變器以及牽引逆變器等應用對功率密度的需求日益提高，系統(tǒng)的工作溫度也隨之增加。這需要使用能夠在高達175°C溫度下安全
2025-01-13 11:40:271151 
近日，株式會社電裝（以下簡稱“電裝”）與富士電機株式會社（以下簡稱“富士電機”）共同推出的“半導體供應保障計劃”獲得批準并正式啟動。該計劃總投資規(guī)模達2,116億日元，其中包含705億日元的專項補助
2025-01-06 17:09:051342 /前言/功率半導體熱設計是實現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎，只有掌握功率半導體的熱設計基礎知識，才能完成精確熱設計，提高功率器件的利用率，降低系統(tǒng)成本，并保證系統(tǒng)的可靠性。功率器件熱
2025-01-06 17:05:481328 已全部加載完成
電子發(fā)燒友App
工商網(wǎng)監(jiān)
評論