- 利用TRENCHSTOP5 IGBT提高焊機(jī)功率密度

還進(jìn)行了一次簡單的基準(zhǔn)測試，在100kHz時(shí)運(yùn)行全橋電焊平臺(tái)，以檢查其在高頻率運(yùn)轉(zhuǎn)時(shí)的性能。測試范圍是在保持IGBT外殼與周圍環(huán)境之間的相同溫度波動(dòng)的同時(shí)，測量最大輸出電流。與此同時(shí)還監(jiān)測系統(tǒng)效率和最大的集電極－發(fā)射極和柵極－發(fā)射極電壓過沖。為了進(jìn)行正確的比較，驅(qū)動(dòng)設(shè)置始終保持不變，直至系統(tǒng)不穩(wěn)定或引發(fā)故障。表1對測試結(jié)果進(jìn)行了總結(jié)。

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焊機(jī)(28035) 焊機(jī)(28035)
TRENCHSTOP5(1459) TRENCHSTOP5(1459)

提高功率密度的利弊權(quán)衡及所需技術(shù)

多年來，工程師和研究人員一直致力于尋找提高功率密度的方法。這是一項(xiàng)艱巨的任務(wù)。大多數(shù)公司將研究重點(diǎn)集中在減小用于能量轉(zhuǎn)換的無源組件的尺寸上。

2020-08-25 14:36:01

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英飛凌推出基于1700 V TRENCHSTOP? IGBT7芯片的EconoDUAL? 3模塊，大幅提升逆變器的功率密度

TRENCHSTOP? IGBT7模塊。憑借這項(xiàng)全新的芯片技術(shù)，EconoDUAL 3模塊可提供業(yè)界領(lǐng)先的900 A和750 A額定電流，進(jìn)一步拓展逆變器的功率范圍。該模塊可廣泛應(yīng)用于風(fēng)電、電機(jī)驅(qū)動(dòng)和靜態(tài)無功發(fā)生器

2022-05-30 15:10:15

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提高電源功率密度的主要方向

隨著電子集成化的發(fā)展，器件、設(shè)備小型化的趨勢越來越明顯，對電源而言也是如此。高功率密度、小型化、輕薄化、片式化一直是電源技術(shù)發(fā)展的方向。那么，電源的小型化主要由哪些因素決定呢？

2015-09-09 11:11:07

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德州儀器：功率密度基礎(chǔ)技術(shù)簡介

為了更好地理解對功率密度的關(guān)注，讓我們看看實(shí)現(xiàn)高功率密度所需的條件。即使是外行也能看出，效率、尺寸和功率密度之間的特殊關(guān)系是顯而易見的。

2020-08-20 11:12:14

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提高信息娛樂系統(tǒng)功率密度的設(shè)計(jì)考慮

在本文中，我們將討論一些設(shè)計(jì)技術(shù)，以在不影響性能的情況下實(shí)現(xiàn)更高的功率密度。

2021-09-13 11:29:54

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使用寬帶隙技術(shù)最大限度地提高高壓轉(zhuǎn)換器的功率密度

提高功率密度和縮小電源并不是什么新鮮事。預(yù)計(jì)這一趨勢將持續(xù)下去，從而實(shí)現(xiàn)新的市場、應(yīng)用和產(chǎn)品。這篇博客向設(shè)計(jì)工程師介紹了意法半導(dǎo)體（ST）的電源解決方案如何采用寬帶隙（WBG）技術(shù)，幫助

2023-11-16 13:28:33

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三菱電機(jī)SiC MOSFET模塊的高功率密度和低損耗設(shè)計(jì)

鐵路牽引變流器作為軌道交通車輛動(dòng)力系統(tǒng)的核心部件，正朝著高可靠性、高功率密度和高效率方向發(fā)展。目前IGBT仍是鐵路牽引領(lǐng)域的主流功率半導(dǎo)體器件，但是SiC MOSFET模塊的應(yīng)用正在加速。本文重點(diǎn)介紹三菱電機(jī)SiC MOSFET模塊的高功率密度和低損耗設(shè)計(jì)。

2025-09-23 09:26:33

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功率擴(kuò)展：TRENCHSTOP? IGBT7 Easy產(chǎn)品系列推出新的電流額定值模塊

相比前幾代產(chǎn)品而言，TRENCHSTOP IGBT7芯片能帶來更高功率密度，大大降低損耗，并實(shí)現(xiàn)對電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用的高可控性。

2020-04-30 07:19:00

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Vishay推出的新款microBUCK? 穩(wěn)壓器可提高功率密度和瞬變響應(yīng)能力

日前發(fā)布的器件在小型封裝內(nèi)含有高性能n溝道溝槽式MOSFET和PWM控制器，提高了功率密度。穩(wěn)壓器靜態(tài)工作電流低，峰值效率達(dá)98 %，減少功率損耗。

2021-03-24 16:58:21

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功率密度權(quán)衡——開關(guān)頻率與熱性能

電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/李寧遠(yuǎn)）電源模塊功率密度越來越高是行業(yè)趨勢，每一次技術(shù)的進(jìn)步都可以讓電源模塊尺寸減小或者讓功率輸出能力提高。隨著技術(shù)的不斷發(fā)展，電源模塊的尺寸會(huì)越來越小。功率密度不斷提高的好處

2022-12-26 09:30:52

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650V IGBT采用表面貼裝D2PAK封裝實(shí)現(xiàn)最大功率密度

40 A 650V IGBT，它與IGBT相同額定電流的二極管組合封裝到表面貼裝TO-263-3（亦稱D2PAK）封裝中。全新D2PAK封裝TRENCHSTOP 5 IGBT可滿足電源設(shè)備對功率密度

2018-10-23 16:21:49

650V系列IGBT在家用焊機(jī)電源應(yīng)用

0前言家用逆變焊機(jī)因其體較小，操作方便，市場接受度逐步提高。因市電220V輸入的特點(diǎn)，一般采用600V/650V規(guī)格的IGBT作為逆變主功率器件。IGBT (Insulated Gate

2014-08-13 09:25:59

IGBT驅(qū)動(dòng)芯片額定輸出功率密度不足的分析

技術(shù)開始走俏起來。在本文中，小編將為大家?guī)?b class="flag-6" style="color: red">IGBT設(shè)計(jì)過程中存在的一個(gè)問題講解，那就是當(dāng)驅(qū)動(dòng)芯片的額定輸出功率密度相對不足時(shí)，這一現(xiàn)象會(huì)導(dǎo)致器件的老化加速。如果IGBT設(shè)計(jì)過程中出現(xiàn)這個(gè)問題，并且

2018-08-14 15:05:21

功率MOSFET技術(shù)提升系統(tǒng)效率和功率密度

通過對同步交流對交流(DC-DC)轉(zhuǎn)換器的功耗機(jī)制進(jìn)行詳細(xì)分析，可以界定必須要改進(jìn)的關(guān)鍵金屬氧化物半導(dǎo)體場效晶體管(MOSFET)參數(shù)，進(jìn)而確保持續(xù)提升系統(tǒng)效率和功率密度。分析顯示，在研發(fā)功率

2019-07-04 06:22:42

提高IPM系統(tǒng)級(jí)功率密度以應(yīng)對新壓力

星期二海報(bào)對話會(huì)議下午3:30- 下午5:30智能功率模塊PP013改善15A / 600V智能功率模塊的系統(tǒng)級(jí)功率密度Jonathan Harper，安森美半導(dǎo)體Toshiyuki Iimura

2018-10-18 09:14:21

BLDC功率密度大于PMSM的原因

推薦課程：張飛軟硬開源：基于STM32的BLDC直流無刷電機(jī)驅(qū)動(dòng)器（視頻+硬件）http://url.elecfans.com/u/73ad899cfd基于重量與體積，BLDC功率密度大于PMSM

2019-05-11 19:39:49

Leadway GaN系列模塊的功率密度

采用諧振電感與變壓器磁集成設(shè)計(jì)，配合GaN高頻特性，進(jìn)一步壓縮體積。例如，戴爾130W GaN電源通過類似技術(shù)實(shí)現(xiàn)體積僅120cm3，功率密度突破5W/cm3（約82W/in3），而Leadway

2025-10-22 09:09:58

【深圳】誠聘硬件工程師（高功率密度ACDC硬件）

獵頭職位：硬件工程師（高功率密度ACDC硬件）（薪資：17-20K/月，具體面議）工作職責(zé)：1、負(fù)責(zé)采用軟開關(guān)拓?fù)?kW-10kW的DCDC硬件方面設(shè)計(jì)；2、負(fù)責(zé)高功率密度ACDC硬件方面的開發(fā)

2017-09-06 17:28:43

一種新型正激高功率密度逆變器

本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 09:58 編輯一種新型正激高功率密度逆變器

2012-04-08 16:29:16

中科君芯1200V系列IGBT在工業(yè)焊機(jī)電源中的應(yīng)用

前言相對傳統(tǒng)工頻焊機(jī)，逆變焊機(jī)在變壓器體積、有效功率輸出及焊機(jī)輸出電壓、電流穩(wěn)定性方面都具先天優(yōu)勢，在可預(yù)見的未來將逐步占領(lǐng)焊機(jī)行業(yè)的主導(dǎo)地位。IGBT (Insulated Gate

2014-08-13 09:01:33

什么是功率密度？如何實(shí)現(xiàn)高功率密度？

什么是功率密度？功率密度的發(fā)展史如何實(shí)現(xiàn)高功率密度？

2021-03-11 06:51:37

什么是功率密度？限制功率密度的因素有哪些？

什么是功率密度？限制功率密度的因素有哪些？

2021-03-11 08:12:17

借助高能效GaN轉(zhuǎn)換器，提高充電器和適配器設(shè)計(jì)的功率密度

漏感能量損耗，限制了QR反激式轉(zhuǎn)換器的最大開關(guān)頻率，從而限制了功率密度。在QR反激式轉(zhuǎn)換器中采用GaN HEMT和平面變壓器，有助于提高開關(guān)頻率和功率密度。然而，為了在超薄充電器和適配器設(shè)計(jì)中實(shí)現(xiàn)更高

2022-04-12 11:07:51

借助高能效GaN轉(zhuǎn)換器，提高充電器和適配器設(shè)計(jì)的功率密度

2022-06-14 10:14:18

在PFC電路中使用升壓轉(zhuǎn)換器提高功率密度

在PFC電路中使用升壓轉(zhuǎn)換器提高功率密度

2022-11-02 19:16:13

基于GaN電源集成電路的超高效率、高功率密度140W PD3.1 AC-DC適配器

了功率密度本設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)35W/in3功率密度，滿載94.5%效率@ 90Vac，并通過CE和RE標(biāo)準(zhǔn)足夠的保證金。

2023-06-16 09:04:37

基于德州儀器GaN產(chǎn)品實(shí)現(xiàn)更高功率密度

在現(xiàn)有空間內(nèi)繼續(xù)提高功率，但同時(shí)又不希望增大設(shè)備所需的空間，”德州儀器產(chǎn)品經(jīng)理Masoud Beheshti說，“如果不能增大尺寸，那么只能提升功率密度?！?了解如何利用德州儀器的GaN產(chǎn)品系列實(shí)現(xiàn)

2019-03-01 09:52:45

如何利用CPLD實(shí)現(xiàn)直流固態(tài)功率控制器的設(shè)計(jì)

本文充分利用CPLD的特點(diǎn)，設(shè)計(jì)了具有集成度高、速度快、抗干擾能力強(qiáng)和可靠性高等優(yōu)點(diǎn)的28V直流SSPC。在一塊電路板上集成多個(gè)SSPC，各個(gè)功率開關(guān)問相互獨(dú)立工作，進(jìn)一步提高了功率密度。

2021-04-30 06:08:29

如何在高功率密度模塊電源中實(shí)現(xiàn)低損耗設(shè)計(jì)

，高功率密度的電源模塊多采用國際流行的工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)封裝，產(chǎn)品兼容性更廣。其次，產(chǎn)品的同等功率體積重量大大縮小，只有傳統(tǒng)產(chǎn)品的四分之一。第三，技術(shù)指標(biāo)有重大改善，特別是效率提高到90%.第四，產(chǎn)品本身優(yōu)異的熱

2016-01-25 11:29:20

如何實(shí)現(xiàn)功率密度非常高的緊湊型電源設(shè)計(jì)？

實(shí)現(xiàn)功率密度非常高的緊湊型電源設(shè)計(jì)的方法

2020-11-24 07:13:23

如何用PQFN封裝技術(shù)提高能效和功率密度？

如何用PQFN封裝技術(shù)提高能效和功率密度？

2021-04-25 07:40:14

怎么測量空間中某點(diǎn)的電磁功率（功率密度）？

怎么測量天線輻射下空間中某點(diǎn)的電磁功率（功率密度）？

2013-10-16 16:32:02

權(quán)衡功率密度與效率的方法

整個(gè)壽命周期成本時(shí)，逐步減少能量轉(zhuǎn)換過程中的小部分損失并不一定會(huì)帶來總體成本或環(huán)境效益的大幅提升。另一方面，將更多能量轉(zhuǎn)換設(shè)備集成到更小的封裝中，即提高“功率密度”，可以更有效地利用工廠或數(shù)據(jù)中心

2020-10-27 10:46:12

氮化鎵GaN技術(shù)怎么實(shí)現(xiàn)更高的功率密度

在現(xiàn)有空間內(nèi)繼續(xù)提高功率，但同時(shí)又不希望增大設(shè)備所需的空間，”德州儀器產(chǎn)品經(jīng)理Masoud Beheshti說，“如果不能增大尺寸，那么只能提升功率密度?！?/div>

2019-08-06 07:20:51

用什么方法提高功率密度？

適配器。此外，不同的便攜式設(shè)備內(nèi)部的電池?cái)?shù)串聯(lián)節(jié)數(shù)也有可能不同。這就要求電池充電器集成電路（IC）采用降壓-升壓拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，去適應(yīng)輸入電壓和電池電壓的這些任意的變化。具有高功率密度的降壓-升壓充電芯片

2020-10-27 08:10:42

英飛凌第四代IGBT—T4在軟開關(guān)逆變焊機(jī)中的應(yīng)用

工作可靠性大大提高，并且有進(jìn)一步提升功率密度的可能。FF300R12KS4FF300R12KT4圖9FF300R12KS4和FF300R12KT4散熱器表面溫度場分布仿真圖5 結(jié)論軟開關(guān)逆變焊機(jī)正成為逆

2018-12-03 13:47:57

設(shè)計(jì)精選：18 W/in3 功率密度的AC-DC 電源技巧

分立式電源解決方案和預(yù)先設(shè)計(jì)好的模塊之間最常見的折衷之處就是，占據(jù)的空間和提供的相關(guān)功率密度的折衷。 功率密度衡量的是單位占用體積所轉(zhuǎn)換功率的瓦數(shù)；通常表示為瓦特每立方英寸。如今大多數(shù)行業(yè)不斷對設(shè)備

2018-12-03 10:00:34

逆變和可控硅和igbt焊機(jī)用途的區(qū)別有哪些

本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 10:01 編輯常見的逆變焊機(jī)有mos管逆變焊機(jī)，igbt逆變焊機(jī)，可控硅逆變焊機(jī)等等?？煽毓?b class="flag-6" style="color: red">焊機(jī)是指機(jī)器內(nèi)使用可控硅的電焊機(jī)，（因?yàn)榭煽毓枘?/div>

2012-07-09 14:12:10

逆變和可控硅和igbt焊機(jī)用途的區(qū)別有哪些

本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 10:02 編輯常見的逆變焊機(jī)有mos管逆變焊機(jī)，igbt逆變焊機(jī)，可控硅逆變焊機(jī)等等?？煽毓?b class="flag-6" style="color: red">焊機(jī)是指機(jī)器內(nèi)使用可控硅的電焊機(jī)，（因?yàn)榭煽毓枘?/div>

2012-07-09 10:21:16

集成MOSFET如何提升功率密度

集成是固態(tài)電子產(chǎn)品的基礎(chǔ)，將類似且互補(bǔ)的功能匯集到單一器件中的能力驅(qū)動(dòng)著整個(gè)行業(yè)的發(fā)展。隨著封裝、晶圓處理和光刻技術(shù)的發(fā)展，功能密度不斷提高，在物理尺寸和功率兩方面都提供了更高能效的方案。對產(chǎn)品

2020-10-28 09:10:17

高功率密度變壓器的常見繞組結(jié)構(gòu)？

傳統(tǒng)變壓器介紹高功率密度變壓器的常見繞組結(jié)構(gòu)

2021-03-07 08:47:04

高功率密度的解決方案

功率密度在現(xiàn)代電力輸送解決方案中的重要性和價(jià)值不容忽視。為了更好地理解高功率密度設(shè)計(jì)的基本技術(shù)，在本文中，我將研究高功率密度解決方案的四個(gè)重要方面：降低損耗最優(yōu)拓?fù)浜涂刂七x擇有效的散熱通過機(jī)電元件

2022-11-07 06:45:10

高功率密度高頻電源變壓器的應(yīng)用方案

，上世紀(jì)80年代即出現(xiàn)了分布式電源系統(tǒng)，致使可以采用小型電源組件供給單個(gè)電路板安裝。例如，提供桌面?zhèn)€人計(jì)算機(jī)的開關(guān)電源具備了200W功率，輸出電壓為5V和12V，效率為80%，封裝功率密度為1W/in3

2016-01-18 10:27:02

中紅外激光功率密度探測單元的研制

中紅外激光功率密度探測單元的研制摘要:采用室溫光導(dǎo)型ＨｇＣｄＴｅ探測器，研制了可用于中紅外激光功率密度測量的探測單元，主要包括衰減片、探測器

2010-04-28 16:05:36

PQFN封裝技術(shù)提高能效和功率密度

用改進(jìn)的PQFN器件一對一替換標(biāo)準(zhǔn)SO-8 MOSFET可提升總體工作效率。電流處理能力也能夠得以增強(qiáng)，并實(shí)現(xiàn)更高的功率密度。在以并聯(lián)方式使用的傳統(tǒng)MOSFET應(yīng)用中，采用增強(qiáng)型封裝(如PQFN和DirectFET)的最新一代器件可用單個(gè)組件代替一個(gè)并聯(lián)的組件對。

2011-03-09 09:13:02

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電裝展出輸出功率密度高達(dá)60kW/L的SiC逆變器

電裝在汽車展會(huì)“人與車科技展2012”（2012年5月23～25日）上展出了輸出功率密度高達(dá)60kW/L的逆變器，并公開了其性能參數(shù)等。該逆變器的體積為0.5L，輸出功率為30kW時(shí)，輸出功率密度為

2012-05-28 10:08:56

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Infineon新一代TRENCHSTOP 5系列產(chǎn)品S5系列IGBT率先登陸Mouser

貿(mào)澤電子（Mouser Electronics）為首家分銷Infineon TRENCHSTOP? 5 S5絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）的全球分銷商。此新一代超薄晶圓TRENCHSTOP

2015-12-14 17:47:34

2932

高功率密度逆變電源研制

高功率密度逆變電源研制，有需要的下來看看

2016-03-25 13:57:20

英飛凌IGBT芯片技術(shù)又升級(jí)換代了？

基于最新的微溝道溝槽柵芯片技術(shù)，英飛凌推出全新1200 V TRENCHSTOP? IGBT7 ，針對工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用進(jìn)行芯片優(yōu)化，實(shí)現(xiàn)更高功率密度與更優(yōu)的開關(guān)特性。

2018-06-21 10:10:44

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關(guān)于高功率密度電源的散熱問題講解（1）

TI高功率密度電源設(shè)計(jì)中的散熱解決方案-上篇

2018-08-24 00:10:00

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高功率密度的小功率AC-DC電源模塊特點(diǎn)介紹

設(shè)計(jì)超高功率密度的小功率AC-DC電源

2018-08-16 01:30:00

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高效高功率密度電源設(shè)計(jì)的注意事項(xiàng)

設(shè)計(jì)超高功率密度的小功率AC-DC電源

2019-05-13 06:21:00

5835

提高開關(guān)電源功率密度和效率的方法

開關(guān)型電源（SMPS）在通常便攜式計(jì)算機(jī)中占總重量的10%以上，因此，廠商們致力于提高功率密度和效率。

2020-10-02 16:23:00

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功率密度的基礎(chǔ)技術(shù)簡介

功率密度在現(xiàn)代電力輸送解決方案中的重要性和價(jià)值不容忽視。為了更好地理解高功率密度設(shè)計(jì)的基本技術(shù)，在本文中，我將研究高功率密度解決方案的四個(gè)重要方面：降低損耗最優(yōu)拓?fù)浜涂刂七x擇有效的散熱通過

2020-10-20 15:01:15

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功率密度的解決方案詳細(xì)說明

功率密度在現(xiàn)代電力輸送解決方案中的重要性和價(jià)值不容忽視。為了更好地理解高功率密度設(shè)計(jì)的基本技術(shù)，在本文中，我將研究高功率密度解決方案的四個(gè)重要方面：降低損耗，最優(yōu)拓?fù)浜涂刂七x擇，有效的散熱，通過機(jī)電

2020-11-19 15:14:00

通過新拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)和功率器件提高系統(tǒng)效率和功率密度

基于系統(tǒng)效率和功率密度發(fā)展趨勢示意圖，我們可以清晰的看出，在最近的十年間系統(tǒng)的效率和功率密度有了巨大的提升，尤其以服務(wù)器和通信電源為顯著。這一巨大的提升是如何實(shí)現(xiàn)的呢？它主要是通過嘗試新的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)

2021-03-12 09:46:34

3467

最大限度地提高高壓轉(zhuǎn)換器的功率密度

電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《最大限度地提高高壓轉(zhuǎn)換器的功率密度.doc》資料免費(fèi)下載

2023-12-06 14:39:00

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探究功率密度基礎(chǔ)技術(shù)

功率密度在現(xiàn)代電力輸送解決方案中的重要性和價(jià)值不容忽視。為了更好地理解高功率密度設(shè)計(jì)的基本技術(shù)，在本文中，我將研究高功率密度解決方案的四個(gè)重要方面：降低損耗最優(yōu)拓?fù)浜涂刂七x擇有效

2022-01-14 17:10:26

2448

實(shí)現(xiàn)更高功率密度的轉(zhuǎn)換器拓?fù)?/a>

在QR反激式轉(zhuǎn)換器中采用GaN HEMT和平面變壓器，有助于提高開關(guān)頻率和功率密度。然而，為了在超薄充電器和適配器設(shè)計(jì)中實(shí)現(xiàn)更高功率密度，軟開關(guān)和變壓器漏感能量回收變得不可或缺。

2022-03-31 09:26:45

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如何提高器件和系統(tǒng)的功率密度

功率半導(dǎo)體注定要承受大的損耗功率、高溫和溫度變化。提高器件和系統(tǒng)的功率密度是功率半導(dǎo)體重要的設(shè)計(jì)目標(biāo)。

2022-05-31 09:47:06

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基于GaN功率器件的大功率和高功率密度EV逆變器

提高功率密度的路線圖從降低傳導(dǎo)動(dòng)態(tài)損耗開始。與碳化硅相比，氮化鎵可以顯著降低動(dòng)態(tài)損耗，因此可以降低整體損耗。因此，這是未來實(shí)現(xiàn)高功率密度的一種方法。

2022-07-26 10:18:46

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240W高功率密度高效LLC電源

電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《240W高功率密度高效LLC電源.zip》資料免費(fèi)下載

2022-08-09 14:21:54

功率密度基礎(chǔ)技術(shù)簡介

功率密度基礎(chǔ)技術(shù)簡介

2022-10-31 08:23:24

如何實(shí)現(xiàn)電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)功率密度

一般電驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)以質(zhì)量功率密度指標(biāo)評價(jià)，電機(jī)本體以有效比功率指標(biāo)評價(jià)，逆變器以體積功率密度指標(biāo)評價(jià)；一般乘用車動(dòng)力系統(tǒng)以功率密度指標(biāo)評價(jià)，而商用車動(dòng)力系統(tǒng)以扭矩密度指標(biāo)評價(jià)。

2022-10-31 10:11:21

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用氮化鎵重新考慮功率密度

用氮化鎵重新考慮功率密度

2022-11-01 08:27:30

功率密度權(quán)衡——開關(guān)頻率與熱性能

2022-12-26 07:15:02

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功率器件的功率密度

功率半導(dǎo)體注定要承受大的損耗功率、高溫和溫度變化。提高器件和系統(tǒng)的功率密度是功率半導(dǎo)體重要的設(shè)計(jì)目標(biāo)。

2023-02-06 14:24:20

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功率密度基礎(chǔ)技術(shù)簡介

對于電源管理應(yīng)用程序而言，功率密度的定義似乎非常簡單：它指的是轉(zhuǎn)換器的額定（或標(biāo)稱）輸出功率除以轉(zhuǎn)換器所占體積，如圖1所示。

2023-03-23 09:27:49

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您知道超高功率密度的電源怎么設(shè)計(jì)嗎？

點(diǎn)擊藍(lán)字?關(guān)注我們隨著科技發(fā)展和環(huán)境保護(hù)的要求，電力轉(zhuǎn)換系統(tǒng)效率變得越來越重要。圖騰柱PFC作為提高大功率單相輸入電源的效率和功率密度的重要拓?fù)湟彩艿搅嗽S多人的關(guān)注。那么利用圖騰柱PFC如何在

2023-04-13 00:30:04

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如何提高系統(tǒng)功率密度

在功率器件領(lǐng)域，除了圍繞傳統(tǒng)硅器件本身做文章外，材料的創(chuàng)新有時(shí)也會(huì)帶來巨大的性能提升。比如，在談?wù)?b class="flag-6" style="color: red">功率密度時(shí)，GaN（氮化鎵）憑借零反向復(fù)原、低輸出電荷和高電壓轉(zhuǎn)換率等突出優(yōu)勢，能夠幫助廠商大幅提升系統(tǒng)密度，而另一種主流的寬帶隙半導(dǎo)體材料SiC（碳化硅）也是提升功率密度的上佳選擇。

2023-05-18 10:56:27

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碳化硅模塊提高電機(jī)驅(qū)動(dòng)器的功率密度

800 V 架構(gòu)降低了損耗，該行業(yè)還需要尺寸縮小但輸出功率增加的逆變器，實(shí)現(xiàn)遠(yuǎn)超硅（Si）基技術(shù)（如 IGBT）能力的功率密度。

2023-05-20 16:00:23

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利用GaN的帶寬和功率密度優(yōu)勢對抗RCIED

氮化鎵（GaN）是用于在干擾器中構(gòu)建RF功率放大器（PA）的主要技術(shù)。GaN 具有獨(dú)特的電氣特性 – 3.4 eV 的帶隙使 GaN 的擊穿場比其他射頻半導(dǎo)體技術(shù)高 20 倍。這不僅是GaN的高溫可靠性的原因，也是功率密度能力的原因。因此，GaN使干擾設(shè)備能夠滿足上述所有要求。

2023-05-24 10:48:09

2071

用于提高功率密度的無源元件創(chuàng)新

為什么提高功率密度是轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)人員的重要目標(biāo)？不論是數(shù)據(jù)中心服務(wù)器等能源密集型系統(tǒng)，還是道路上越來越智能的車輛，為其供電的電源轉(zhuǎn)換電路需要能夠在更小的空間內(nèi)處理更大的功率。真的就是那么簡單。

2023-07-08 11:14:00

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IGBT功率模塊散熱基板的作用及種類車規(guī)級(jí)IGBT功率模塊的散熱方式

IGBT功率模塊失效的主要原因是溫度過高導(dǎo)致的熱應(yīng)力，良好的熱管理對于IGBT功率模塊穩(wěn)定性和可靠性極為重要。新能源汽車電機(jī)控制器是典型的高功率密度部件，且功率密度隨著對新能源汽車性能需求的提高仍在

2023-08-23 09:33:23

3280

搭載1200V P7芯片的PrimePACK?刷新同封裝功率密度

封裝的功率密度上限。目標(biāo)應(yīng)用領(lǐng)域：1200VP7模塊首發(fā)型號(hào)有以下兩個(gè)：相比于以前的IGBT4或IGBT5產(chǎn)品，新的IGBT7產(chǎn)品進(jìn)一步拓展了PrimePACK封

2023-09-14 08:16:10

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寬帶隙技術(shù)能極大提高高壓 LED 照明的效率和功率密度

和功率密度方面有了很大的提高，但效率已成為一個(gè)有待解決的重要問題。另外，早期應(yīng)用的故障率遠(yuǎn)高于預(yù)期。高壓LED 照明面臨的主要挑戰(zhàn)是繼續(xù)提高功率密度和效率，并提升可靠性和經(jīng)濟(jì)性，以滿足未來應(yīng)用需求。本文將介紹寬帶隙（GaN）技術(shù)，以及該技

2023-10-03 14:26:00

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高功率密度電機(jī)的設(shè)計(jì)方案

主體結(jié)構(gòu)采用SPM的結(jié)構(gòu)，極槽布置布置采用：12極18槽，最高轉(zhuǎn)速20000rpm，功率密度52.43kW/L，磁鋼型蛤采用：N50，硅鋼材料采用：Arnon 5

2023-10-08 10:48:51

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如何提高4.5 kV IGBT模塊的功率密度

未來對電力電子變流器的要求不斷提高。功率密度和變流器效率須進(jìn)一步提高。輸出功率應(yīng)適應(yīng)不同終端客戶的不同項(xiàng)目。同時(shí)，變流器仍需具有成本競爭力。本文展示了新型4.5kV功率模塊如何在鐵路、中壓驅(qū)動(dòng)或電力系統(tǒng)等應(yīng)用中滿足這些變流器要求。

2023-10-17 10:50:31

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提高4.5kV IGBT模塊的功率密度

提高4.5kV IGBT模塊的功率密度

2023-11-23 15:53:38

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通過GaN電機(jī)系統(tǒng)提高機(jī)器人的效率和功率密度

通過GaN電機(jī)系統(tǒng)提高機(jī)器人的效率和功率密度

2023-11-29 15:16:27

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使用集成 GaN 解決方案提高功率密度

使用集成 GaN 解決方案提高功率密度

2023-12-01 16:35:28

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采用IGBT7高功率密度變頻器的設(shè)計(jì)實(shí)例

采用IGBT7高功率密度變頻器的設(shè)計(jì)實(shí)例

2023-12-05 15:06:06

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功率半導(dǎo)體冷知識(shí)：功率器件的功率密度

功率半導(dǎo)體冷知識(shí)：功率器件的功率密度

2023-12-05 17:06:45

1652

功率設(shè)備提升功率密度的方法

在電力電子系統(tǒng)的設(shè)計(jì)和優(yōu)化中，功率密度是一個(gè)不容忽視的指標(biāo)。它直接關(guān)系到設(shè)備的體積、效率以及成本。以下提供四種提高電力電子設(shè)備功率密度的有效途徑。

2023-12-21 16:38:07

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AP9523高功率密度5V/2.5A模塊電源方案

AP9523高功率密度5V/2.5A模塊電源方案

2023-12-25 13:36:42

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激光功率密度計(jì)算公式

? 在處理激光光學(xué)時(shí)，功率和能量密度是需要理解的兩個(gè)重要概念。這兩個(gè)術(shù)語經(jīng)常互換使用，但含義不同。表1定義了與激光光學(xué)相關(guān)的功率密度、能量密度和其他相關(guān)術(shù)語。表1：用于描述激光束和其他電磁輻射

2024-03-05 06:30:22

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IGBT焊機(jī)驅(qū)動(dòng)波形的正常表現(xiàn)及影響因素

）是一種功率電子器件，具有高輸入阻抗、低導(dǎo)通壓降和快速開關(guān)特性。IGBT焊機(jī)利用IGBT器件的這些特性，通過精確控制電流和電壓，實(shí)現(xiàn)對焊接過程的高效控制。二、IGBT焊機(jī)驅(qū)動(dòng)波形的重要性焊接質(zhì)量：驅(qū)動(dòng)波形直接影響焊接電流的穩(wěn)定性和一致性，從而影響焊

2024-07-25 10:37:07

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利用SLC技術(shù)改善熱導(dǎo)率，增強(qiáng)IGBT模塊功率密度

第七代工業(yè)IGBT模塊已成功開發(fā)用于650V和1200V級(jí)，以滿足高效率、高功率密度和高可靠性等重要電力電子系統(tǒng)要求。與低損耗第七代芯片組結(jié)合的SLC技術(shù)在熱循環(huán)能力、無“泵出故障”封裝和低熱阻

2024-08-01 10:58:01

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igbt焊機(jī)驅(qū)動(dòng)電壓怎樣測量

Transistor）是一種絕緣柵雙極型晶體管，具有高輸入阻抗、低導(dǎo)通壓降、快速開關(guān)速度等特點(diǎn)，廣泛應(yīng)用于電力電子領(lǐng)域。IGBT焊機(jī)是一種利用IGBT作為主要功率器件的焊接設(shè)備，具有高效、節(jié)能、環(huán)保等優(yōu)點(diǎn)。二、IGBT焊機(jī)驅(qū)動(dòng)電壓的作用 IGBT焊機(jī)的驅(qū)動(dòng)電壓是指控制IGBT開關(guān)狀態(tài)的電壓信號(hào)。驅(qū)動(dòng)電壓的高低、

2024-08-07 15:58:12

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