IGD系列IGBT驅(qū)動器內(nèi)部框電路
2010-02-19 11:17:42
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日前，德州儀器 (TI) 宣布推出一款面向絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)與MOSFET的隔離式柵極驅(qū)動器，其速度比同等光學柵極驅(qū)動器快40%。
2012-10-11 14:04:332029 Power Integrations旗下子公司IGBT驅(qū)動器制造商CT-Concept Technologie AG已在德國Ense開設(shè)一家新的設(shè)計中心。該設(shè)計中心將基于其驅(qū)動核開發(fā)半定制門極驅(qū)動設(shè)計，并利用CONCEPT的SCALE-2平臺為大型項
2013-01-17 16:36:441518 中高壓逆變器應用領(lǐng)域IGBT和MOSFET驅(qū)動器技術(shù)的領(lǐng)導者Power Integrations（納斯達克股票代號：POWI）今日宣布可為其SCALE? IGBT和MOSFET驅(qū)動器出廠提供涂覆三防
2018-05-02 14:18:275870 Vishay 推出新的2.5 A IGBT和MOSFET驅(qū)動器---VOD3120A，擴展其光電產(chǎn)品組合。Vishay Semiconductors VOD3120A采用DIP-8和SMD-8封裝，低壓降輸出電流損耗僅為3.5 mA，可用于提高逆變器級工作效率。
2019-02-17 09:17:001773 ：LFUS）是一家工業(yè)技術(shù)制造公司，致力于為可持續(xù)發(fā)展、互聯(lián)互通和更安全的世界提供動力。公司隆重宣布推出IX4352NE低側(cè)SiC MOSFET和IGBT柵極驅(qū)動器。 這款創(chuàng)新的驅(qū)動器專門設(shè)計用于驅(qū)動
2024-05-23 11:23:221234 
IGBT、MOS驅(qū)動器
2019-08-09 16:28:23
MOSFET 和 IGBT 柵極驅(qū)動器電路的基本原理
2019-08-29 13:30:22
功率晶體管組成，如雙極型晶體管、 MOSFET 或絕緣柵雙極型晶體管 （ Insulated Gate Bipolar Transistor， IGBT） 。在一些小型無刷直流電機或步進電機應用中， MOSFET驅(qū)動器可用來直接驅(qū)動電機。 不過，在本應用筆記中，我們需要的電壓和功率較 MOSFET
2021-09-17 07:19:25
MOSFET驅(qū)動器的主要用途有哪些？MOSFET或IGBT哪一種驅(qū)動器最適合您的應用呢？
2021-11-08 06:11:40
概述：IRS26302DJBPF美國國家半導體公司生產(chǎn)的一款高速功率MOSFET和IGBT驅(qū)動器，它把功率MOSFET/IGBT柵極驅(qū)動器與三個高側(cè)及三個低側(cè)參考輸出通道集成在一起，在最高20V
2021-05-18 07:25:34
：POWI）今日推出適用于流行的“新型雙通道”100mm x 140mm IGBT模塊的SCALE-iFlex? Single門極驅(qū)動器。這款緊湊型新驅(qū)動器支持耐壓在3.3kV以內(nèi)的模塊，現(xiàn)可隨時供貨
2021-09-09 11:00:41
：-40°C至110°C最大低電平輸出電壓（VOL）：0.5V應用：隔離式IGBT / MOSFET柵極驅(qū)動器；交流和無刷直流電動機驅(qū)動器；電磁爐頂；工業(yè)變頻器；開關(guān)電源（SMPS）；不間斷電源（UPS）`
2019-10-30 15:23:17
大功率IGBT 在使用中驅(qū)動器至關(guān)重要，本文給出了不同功率等級IGBT 驅(qū)動器的設(shè)計計算方法，經(jīng)驗公式及有關(guān)CONCEPT 驅(qū)動板的選型標準。
2021-07-26 14:41:12
電機驅(qū)動設(shè)計中MOSFET驅(qū)動器與MOSFET的匹配設(shè)計相關(guān)文章資料，大家可以看看，對大家很有幫助！
2021-03-29 16:18:09
柵極驅(qū)動器的 +16V/-8V 電壓，能夠通過具有外部 BJT/MOSFET 緩沖器的單極或雙極電源為柵極驅(qū)動器供電可針對反相/非反相工作情況配置柵極驅(qū)動器輸入可選擇通過如下方式評估系統(tǒng)：柵極驅(qū)動器和 IGBT 之間的雙絞線電纜柵極和發(fā)射極之間的外部電容
2018-12-27 11:41:40
什么是MOSFET驅(qū)動器？MOSFET驅(qū)動器功耗包括哪些部分？如何計算MOSFET的功耗？
2021-04-12 06:53:00
我需要從英飛凌推出MOSFET IPW90R120C3這里的MOSFET規(guī)格VDS @ TJ=25°C 900 VRdson @ TJ=25°C: 0.12ohmQg = 270nC驅(qū)動器
2018-09-01 09:53:17
`最近我在做D類放大。要放大1Mhz正弦波信號，比較用的三角波為10Mhz。需要開關(guān)頻率能大于20Mhz的mosfet驅(qū)動器。請問mosfet驅(qū)動器的最高工作頻率是由什么參數(shù)決定的？有能達到20Mhz以上的mosfet驅(qū)動器嗎？`
2018-04-11 23:31:46
極驅(qū)動器的優(yōu)勢和期望，開發(fā)了一種測試板，其中測試了分立式IGBT和SiC-MOSFET。標準電壓源驅(qū)動器也在另一塊板上實現(xiàn)，見圖3?！ D3.帶電壓源驅(qū)動器（頂部）和電流源驅(qū)動器（底部）的半橋
2023-02-21 16:36:47
求教大佬們?nèi)绾斡肈SP產(chǎn)生PWM波驅(qū)動IGBT的驅(qū)動器？代碼應該怎么寫??？
2019-01-08 09:15:35
IGBT/功率MOSFET是一種電壓控制型器件，可用作電源電路、電機驅(qū)動器和其它系統(tǒng)中的開關(guān)元件。柵極是每個器件的電氣隔離控制端。MOSFET的另外兩端是源極和漏極，而對于IGBT，它們被稱為集電極
2021-01-27 07:59:24
本文通過故意損壞IGBT/MOSFET功率開關(guān)來研究柵極驅(qū)動器隔離柵的耐受性能。
2021-06-17 07:24:06
最近在逛PIC官網(wǎng)的時候，查找相關(guān)應用手冊的時候挖到的一篇文章。根據(jù)電機控制應用需求選擇合適的MOSFET 驅(qū)動器.pdf (589.89 KB )
2019-05-30 22:17:43
管子開關(guān)影響。 2）低傳輸延遲 通常情況下，硅IGBT的應用開關(guān)頻率小于40kHZ，碳化硅MOSFET推薦應用開關(guān)頻率大于100kHz，應用頻率的提高使得碳化硅MOSFET要求驅(qū)動器提供更低的信號
2023-02-27 16:03:36
如何實現(xiàn)IGBT模塊的驅(qū)動設(shè)計？在設(shè)計驅(qū)動電路時，需要考慮哪些問題？IGBT下橋臂驅(qū)動器件HCPL-316J的主要特征有哪些？上橋臂驅(qū)動器HCPL-3120的主要特征有哪些？
2021-04-20 06:24:18
本文介紹了在步進電機驅(qū)動器中利用IR2110S完成mosfet驅(qū)動的設(shè)計，并給出試驗結(jié)果。關(guān)鍵詞 步進電機；mosfet 驅(qū)動器
2009-03-31 23:29:46
56 IGBT和MOSFET器件的隔離驅(qū)動技術(shù):介紹了絕緣柵大功率器件各種不同的驅(qū)動技術(shù)以及當前市場上的各類成品驅(qū)動器的性能特點。關(guān)鍵詞院MOSFET IGBT 隔離驅(qū)動 光電耦合器 脈沖變壓器
2009-06-20 08:37:4656 摘要：IR2117是美國IR公司專為驅(qū)動單個MoSFET或IGBT而設(shè)計的柵極驅(qū)動器集成電路。文中介紹了它的引腳排列、功能特點和參數(shù)限制，同時剖析了它的內(nèi)部結(jié)構(gòu)和工作原理，最后給出了
2010-05-05 09:03:4656 MOSFET驅(qū)動器與MOSFET的匹配設(shè)計本應用筆記將詳細討論與MOSFET 柵極電荷和工作頻率相關(guān)的MOSFET 驅(qū)動器功耗。還將討論如何根據(jù)MOSFET 所需的導通和截止時間將MOSFET 驅(qū)動器的
2010-06-11 15:23:20214 lVO3120 IGBT/MOSFET驅(qū)動器：這些2.5A和0.5A的驅(qū)動器的供電電壓范圍為15V～32V，工作溫度范圍為+40℃～+110℃。
2010-07-02 17:18:43115 SCALE驅(qū)動是瑞士Concept公司生產(chǎn)的IGBT智能化驅(qū)動板，可用于驅(qū)動和保護IGBT。文中介紹了該IGBT智能化驅(qū)動板的主要功能、工作模式和引腳功能，給出該器件的典型應用電路。
2010-10-16 17:29:3144 摘要：SCALE驅(qū)動是瑞士Concept公司生產(chǎn)的IGBT智能化驅(qū)動板，可用于驅(qū)動和保護IGBT。文中介紹了該IGBT智能化驅(qū)動板的主要功能、工作模式和引腳功能，給出該器件的典
2006-03-11 13:02:112552 
單通道MOSFET或IGBT柵極驅(qū)動器集成電路IR2117
IR2117是美國IR公司專為驅(qū)動單個MOSFET或IGBT而設(shè)計的柵極驅(qū)動器集成電路。文中介紹了它的引腳排列、功能
2009-12-08 10:21:008772 
針對應用選擇正確的MOSFET驅(qū)動器
目前，現(xiàn)有的MOSFET技術(shù)和硅工藝種類繁多，這使得選擇合適的MOSFET驅(qū)動器成了一個富有挑戰(zhàn)性的過程。
從功能上講，MOSFET
2010-01-22 11:37:371977 
SCALE驅(qū)動器的半橋接線電路
2010-02-18 21:55:541756 
SCALE驅(qū)動器接線電路
2010-02-18 22:03:141769 
SCALE系列集成驅(qū)動器的內(nèi)部結(jié)構(gòu)框電路
2010-02-18 22:30:561358 
大功率IGBT 在使用中驅(qū)動器至關(guān)重要，本文給出了不同功率等級IGBT 驅(qū)動器的設(shè)計計算方法，經(jīng)驗公式及有關(guān)CONCEPT 驅(qū)動板的選型標準。
2011-09-20 11:55:03249 高壓MOSFET驅(qū)動器電路的LTC1154被用作電荷泵，從而來驅(qū)動一個高壓側(cè)功率MOSFET的柵極。
2011-12-17 00:02:005529 
日前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出用于電機驅(qū)動、太陽能逆變器、新能源和焊接設(shè)備，以及其他高工作電壓應用的新款IGBT和MOSFET驅(qū)動器VOW3120-X017T，擴充其光電子產(chǎn)品組合。
2014-03-25 10:19:44981 Diodes公司 （Diodes Incorporated） 新推出的DGD21xx系列包括六款半橋柵極驅(qū)動器及六款高/低側(cè)600V柵極驅(qū)動器，可在半橋或全橋配置下輕易開關(guān)功率MOSFET與IGBT。
2016-03-14 18:13:231789 中等電壓和高壓逆變器應用領(lǐng)域IGBT和MOSFET驅(qū)動器技術(shù)的領(lǐng)導者Power Integrations今日推出一系列輸出電流介于2.5A和8 A之間的電氣絕緣的單通道門極驅(qū)動器IC，SCALE-iDriver IC不僅采用加強絕緣技術(shù)，而且還提供最大8 A的驅(qū)動電流。
2016-05-10 17:39:341626 隨著電力電子器件技術(shù)的發(fā)展，大功率器件在軌道交通、直流輸電、風力發(fā)電等領(lǐng)域的市場迅猛發(fā)展，其中以IGBT器件表現(xiàn)尤為突出，在具體的應用工況中，每一個IGBT模塊都需要一個專門的驅(qū)動器，IGBT驅(qū)動器對IGBT的運行性能有著重大影響
2016-08-12 15:49:212231 雙路智能大功率IGBT驅(qū)動器
2017-03-04 17:50:193 美國加利福尼亞州圣何塞，2017年5月16日 – 中高壓逆變器應用領(lǐng)域IGBT和MOSFET驅(qū)動器技術(shù)的領(lǐng)導者（納斯達克股票代號：POWI）今天推出SCALE-iDriver?系列電磁隔離的單通道
2017-05-19 15:45:093412 的柵極驅(qū)動要求等。與在這種設(shè)計中正式使用的雙極晶體管相比，IGBT在驅(qū)動電路的尺寸和復雜度上都有相當大的降低。最近在IGBT開關(guān)速度的改進取得了設(shè)備適用于電源的應用，因此IGBT將與某些高電壓MOSFET以及應用。許多設(shè)計者因此轉(zhuǎn)向MOSFET驅(qū)動器以滿足其
2017-07-04 10:51:0522 高壓MOSFET驅(qū)動器電路的LTC1154被用作電荷泵，從而來驅(qū)動一個高壓側(cè)功率MOSFET的柵極。高壓MOSFET驅(qū)動器電路：
2017-10-19 16:02:3723 目前有許多MOSFET技術(shù)和硅工藝，每天都有新的進展?；陔妷?電流額定值或芯片尺寸來對MOSFET驅(qū)動器與MOSFET進行匹配作出概括說明是非常困難的，如果不是不可能的話。
2018-11-01 16:19:3562 通過故意損壞IGBT/MOSFET功率開關(guān)來研究柵極驅(qū)動器隔離柵的耐受性能。
2019-04-16 17:07:396332 
耐用介于1.7 kV至4.5 kV的IGBT、混合型和碳化硅(SiC) MOSFET功率模塊。該系統(tǒng)由一個中央絕緣主控制(IMC)和一到四個模塊適配型門極驅(qū)動器(MAG)組成。IMC提供4.5 kV
2019-07-02 16:57:325694 Power Integrations最新的SCALE-iFlex?門極驅(qū)動器系統(tǒng)可輕松實現(xiàn)業(yè)界最新的耐受電壓介于1.7 kV至4.5 kV的IGBT、混合型和碳化硅(SiC) MOSFET雙通道功率模塊的并聯(lián)。
2019-08-01 16:06:133144 等廠商的新款4500V壓接式IGBT (PPI)模塊而開發(fā)。新的門極驅(qū)動器基于Power Integrations廣泛使用的SCALE-2芯片組設(shè)計而成，非常適合HVDC VSC、STATCOM/FACTS和MVD等高可靠性應用。
2020-03-05 14:27:584622 SCALE-2單通道+15/-10V即插即用型門極驅(qū)動器，新產(chǎn)品專為東芝、Westcode和ABB等廠商的新款4500V壓接式IGBT (PPI)模塊而開發(fā)。新的門極驅(qū)動器基于Power
2020-03-08 10:27:072675 近期 Vulkan 勢頭不小，游戲引擎 Godot 計劃年中發(fā)布的 4.0 大版本中將支持 Vulkan，Raspberry Pi 也即將迎來 Vulkan 的支持?，F(xiàn)在我們還可以看到 FFmpeg 也將支持 Vulkan。
2020-03-16 09:38:552792 IR2104（S）是高壓、高速功率MOSFET和IGBT驅(qū)動器，具有獨立的高、低壓側(cè)參考輸出通道。專有的HVIC和鎖存免疫CMOS技術(shù)使加固單片結(jié)構(gòu)成為可能。邏輯輸入與標準CMOS或LSTTL輸出
2020-04-28 08:00:0052 當今多種 MOSFET 技術(shù)和硅片制程并存，而且技術(shù)進步日新月異。要根據(jù) MOSFET 的電壓 / 電流或管芯尺寸，對如何將 MOSFET 驅(qū)動器與 MOSFET 進行匹配進行一般說明，實際上顯得
2020-06-16 08:00:0028 PI的SIC1182K和汽車級SIC118xKQ SCALE-iDriver IC是單通道SiC MOSFET門極驅(qū)動器，可提供最大峰值輸出門極電流且無需外部推動級。 SCALE-2門極驅(qū)動核和其他SCALE-iDriver門極驅(qū)動器IC還支持不同SiC架構(gòu)中的不同電壓，允許使用SiC MOSFET進行安全有效的設(shè)計。
2020-08-13 15:31:283280 本應用筆記涵蓋了計算柵極驅(qū)動光耦合器 IC 的柵極驅(qū)動器功率和熱耗散的主題。柵極驅(qū)動光耦合器用于驅(qū)動、導通和關(guān)斷、功率半導體開關(guān)、MOSFET/IGBT。柵極驅(qū)動功率計算可分為三部分；驅(qū)動器內(nèi)部電路
2021-06-14 03:51:005321 
本應用筆記介紹了MOSFET / IGBT驅(qū)動器理論及其應用。該文檔介紹了MOSFET和IGBT技術(shù)，驅(qū)動器的類型，隔離技術(shù)以及MOSFET / IGBT驅(qū)動器的IXYS系列以及一些實際考慮因素
2021-05-26 17:04:024024 
根據(jù)英偉達官方的消息，英偉達新發(fā)布的 Game Ready 驅(qū)動正式支持 Vulkan 光線追蹤，另外英偉達還更新了《雷神之錘 II》RTX 版游戲 Demo ，支持全新的行業(yè)標準。 英偉達表示
2020-12-25 09:03:583279 Bernhard Strzalkowski博士 ADI公司
本文通過故意損壞IGBT/MOSFET功率開關(guān)來研究柵極驅(qū)動器隔離柵的耐受性能。
在高度可靠、高性能的應用中，如電動/混合動力汽車
2021-01-20 15:00:2413 摘要
IGBT/功率MOSFET是一種電壓控制型器件，可用作電源電路、電機驅(qū)動器和其它系統(tǒng)中的開關(guān)元件。柵極是每個器件的電氣隔離控制端。MOSFET的另外兩端是源極和漏極，而對于IGBT，它們被稱為
2021-01-28 08:13:3821 1SP0350V SCALE?-2 單通道即插即用柵極驅(qū)動器可靠、安全地驅(qū)動 4500 V 壓裝 IEGT 和 IGBT 以及其他 IEGT 和 IGBT 外形尺寸。它非常適合高壓直流輸電和鐵路行業(yè)的高可靠性應用。
2021-06-26 18:15:453270 的SCALE-iFlex Single門極驅(qū)動器和新型即插即用型SCALE-iFlex LT雙通道門極驅(qū)動器。 SCALE-iFlex Single SCALE-iFlex Single緊湊型新驅(qū)動器支持耐壓
2021-09-22 16:09:464804 MOSFET和IGBT柵極驅(qū)動器電路的基本原理
2021-11-29 16:29:1773 ，其應用范圍包括電動汽車、混合動力和燃料電池汽車（包括巴士和卡車）以及建筑、采礦和農(nóng)用設(shè)備的大功率汽車和牽引逆變器。 SCALE EV板級門極驅(qū)動器內(nèi)部集成了兩個增強型門極驅(qū)動通道、相關(guān)供電電源和監(jiān)控遙測電路。新驅(qū)動板已通過汽車級認證和ASIL B認證，可實現(xiàn)ASIL C牽引逆變器設(shè)計。第一個發(fā)布的
2022-05-10 19:30:485123 MOSFET及
IGBT柵極驅(qū)動電路的引腳排列內(nèi)部結(jié)構(gòu)、工作原理、主要技術(shù)參數(shù)和應用
技術(shù)。書中不但給出多種以這些驅(qū)動器集成電路為核心單元的典型電力電
子變流系統(tǒng)專用驅(qū)動控制板的應用實例而且對這些具
2022-08-13 09:21:390 采用 IGBT 的電機驅(qū)動器中的噪聲管理
2022-11-15 20:27:513 對于IGBT/MOSFET驅(qū)動器電氣過應力測試（EOS測試），設(shè)置了一個非常接近真實條件的電路。該電路包括適合功率范圍為5 kW至20 kW的逆變器的電容器和電阻器。對于軸向型柵極電阻Rg，使用2 W額定功率金屬電阻器。
2022-12-22 15:59:252353 
IGBT/功率MOSFET是一種電壓控制器件，用作電源電路和電機驅(qū)動器等系統(tǒng)中的開關(guān)元件。柵極是每個設(shè)備的電氣隔離控制端子。 MOSFET的其他端子是源極和漏極，對于IGBT，它們被稱為集電極
2023-01-30 17:17:122922 
MOSFET和IGBT等的開關(guān)損耗問題，那就是帶有驅(qū)動器源極引腳（所謂的開爾文源極引腳）的新封裝。在本文——“通過驅(qū)動器源極引腳改善開關(guān)損耗”中，將介紹功率開關(guān)產(chǎn)品具有驅(qū)動器源極引腳的效果以及使用注意事項。
2023-02-09 10:19:181670 
它更容易為系統(tǒng)工程師支持不同的系統(tǒng)額定功率使用一個硬件平臺通過交換MOSFET管套和電源IGBT/MOSFET開關(guān)。這個概念最大化了門驅(qū)動器設(shè)計的可伸縮性電機控制和功率轉(zhuǎn)換的應用范圍從低到高額定功率。
2023-02-22 14:54:521 在電機驅(qū)動系統(tǒng)中，柵極驅(qū)動器或“預驅(qū)動器” IC常與N溝道功率MOSFET一起使用，以提供驅(qū)動電機所需的大電流。在選擇驅(qū)動器IC、MOSFET以及某些情況下用到的相關(guān)無源元件時，有很多需要考量的設(shè)計因素。如果對這個過程了解不透徹，將導致實現(xiàn)方式的差強人意。
2023-08-02 18:18:342087 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《600V三相MOSFET/IGBT驅(qū)動器.pdf》資料免費下載
2023-09-25 11:27:500 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《現(xiàn)代IGBT/MOSFET柵極驅(qū)動器 提供隔離功能的最大功率限制.pdf》資料免費下載
2023-11-22 16:48:150 IGBT7與IGBT4在伺服驅(qū)動器中的對比測試
2023-12-14 11:31:081456 
基于國內(nèi)外新能源行業(yè)發(fā)展態(tài)勢，半導體應用市場持續(xù)擴大；對于新能源充電樁、光伏SVG行業(yè)，IGBT/SiC MOSFET的應用廣泛，而驅(qū)動電源作為專為IGBT/SiC MOSFET驅(qū)動器提供驅(qū)動能力的來源，市場潛力巨大。
2023-12-01 09:47:421459 
報告內(nèi)容包含：
效率和功率密度推動變革
基本的 MOSFET 柵極驅(qū)動器功能
驅(qū)動器演進以支持 IGBT（絕緣柵雙極晶體管）
驅(qū)動器進化以支持 SiC（碳化硅）
2023-12-18 09:39:57998 
意法半導體（下文為ST）的功率MOSFET和IGBT柵極驅(qū)動器旨在提供穩(wěn)健性、可靠性、系統(tǒng)集成性和靈活性的完美結(jié)合。
2024-02-27 09:05:361814 
意法半導體（ST）近日推出了一系列功率MOSFET和IGBT柵極驅(qū)動器，這些產(chǎn)品不僅在設(shè)計上追求穩(wěn)健性和可靠性，還致力于提供高度的系統(tǒng)集成性和靈活性，以滿足不同應用場景的需求。
2024-03-12 10:54:431512 電橋電路柵驅(qū)動器和MOSFET柵驅(qū)動器產(chǎn)品介紹
2024-03-19 09:43:361485 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《用于IGBT和MOSFET的5.7 kVRMS增強型隔離柵極驅(qū)動器ISO5852S數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費下載
2024-03-29 09:11:360 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《用于IGBT和MOSFET的 5.7 kVRMS 增強型隔離柵極驅(qū)動器ISO5452數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費下載
2024-03-29 09:10:220 Littelfuse宣布推出IX4352NE低側(cè)SiC MOSFET和IGBT柵極驅(qū)動器。這款創(chuàng)新的驅(qū)動器專門設(shè)計用于驅(qū)動工業(yè)應用中的碳化硅（SiC）MOSFET和高功率絕緣柵雙極晶體管（IGBT）。
2024-05-23 11:26:301656 近日，Littelfuse公司發(fā)布了IX4352NE低側(cè)SiC MOSFET和IGBT柵極驅(qū)動器，這款新型驅(qū)動器在業(yè)界引起了廣泛關(guān)注。
2024-05-23 11:34:211466 即插即用！作為新一代驅(qū)動器產(chǎn)品，看SCALE-iFlex? XLT如何以其獨特的設(shè)計和出色的性能，在市場中脫穎而出！ 在電力電子領(lǐng)域，高效、緊湊且安全的門極驅(qū)動器產(chǎn)品設(shè)計一直是研發(fā)的焦點。隨著儲能
2024-05-27 14:55:47899 
MOSFET驅(qū)動器是一種用于驅(qū)動MOSFET（金屬氧化物半導體場效應晶體管）的電路設(shè)備。MOSFET作為一種重要的半導體器件，在電子工業(yè)中有著廣泛的應用，特別是在需要高頻、高電壓、大電流控制的場合
2024-07-24 16:21:071853 MOSFET驅(qū)動器功耗 MOSFET驅(qū)動器的功耗包含三部分： 由于MOSFET柵極電容充電和放電產(chǎn)生的功耗。 由于 MOSFET 驅(qū)動器吸收靜態(tài)電流而產(chǎn)生的功耗。 MOSFET 驅(qū)動器交越導通（穿通
2024-10-29 10:45:212504 
的最新 IGBT 和 MOSFET 驅(qū)動器。 VOFD341A 和? VOFD343A 的峰值輸出電流分別達?3 A?和?4 A，工作溫度高達?+125 °C，傳播延遲低至?200 ns。 新發(fā)布的光耦合器
2024-11-03 13:42:001015 
MT8006是一款基于P_SUB P_EPI工藝的高壓、高速功率MOSFET和IGBT驅(qū)動器。浮動溝道驅(qū)動器可用于獨立驅(qū)動兩個N溝道功率MOSFET或IGBT，工作電壓最高可達300 V。邏輯輸入
2025-03-18 16:37:020 MS30517SA 是單通道、高速、低側(cè)柵極驅(qū)動器器件，能夠有效地驅(qū)動 MOSFET 和 IGBT 開關(guān) 。提供FAE支持，歡迎咨詢了解。單通道、高速、低側(cè)柵極驅(qū)動器
2024-12-20 17:44:511386 
電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供()密封光隔離高速功率 MOSFET 驅(qū)動器相關(guān)產(chǎn)品參數(shù)、數(shù)據(jù)手冊，更有密封光隔離高速功率 MOSFET 驅(qū)動器的引腳圖、接線圖、封裝手冊、中文資料、英文資料，密封光隔離高速功率
2025-07-09 18:30:34
Texas Instruments UCC5871-Q1 IGBT/SiC MOSFET柵極驅(qū)動器是一款隔離式、高度可配置的單通道柵極驅(qū)動器，設(shè)計用于驅(qū)動EV/HEV應用中的大功率SiC
2025-08-29 09:28:22741 
在電力電子設(shè)計領(lǐng)域，IGBT和MOSFET作為關(guān)鍵的功率開關(guān)器件，其驅(qū)動電路的性能直接影響著整個系統(tǒng)的效率和可靠性。今天，我們就來深入探討一下安森美（onsemi）推出的NCx57080y和NCx57081y系列高電流單通道IGBT/MOSFET柵極驅(qū)動器。
2025-12-01 14:29:16470 
在電力電子領(lǐng)域，IGBT和MOSFET作為關(guān)鍵的功率開關(guān)器件，其驅(qū)動電路的性能對整個系統(tǒng)的效率和可靠性起著至關(guān)重要的作用。今天，我們就來詳細探討一下安森美（onsemi）推出的NCx57090y, NCx57091y系列高電流單通道IGBT/MOSFET門驅(qū)動器。
2025-12-09 09:37:551566 
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