Sinitskii表示，“我們以前也研究過其它碳基材料傳感器，如
石墨烯和氧化
石墨烯。使用
石墨烯納米帶，我們確定可以看到傳感器的響應(yīng)，但是我們沒有預(yù)想到會比過去所看到的更高?！?/div>
2020-05-18 06:44:27
在觀察佩戴假肢的人如何與之交互。科學(xué)的發(fā)展，會促使這一技術(shù)更加成熟?！薄 ≡搶W(xué)院的研究人員在近兩年的時間里，一直在嘗試通過3D打印技術(shù)將石墨烯制作成化學(xué)改性涂層，探究其在高靈敏度人造皮膚上的可行性
2016-01-28 10:23:12
碳原子呈六角形網(wǎng)狀鍵合的材料“石墨烯”具有很多出色的電特性、熱特性以及機(jī)械特性。具體來說，具有在室溫下也高達(dá)20萬cm2/Vs以上的載流子遷移率，以及遠(yuǎn)遠(yuǎn)超過銅的對大電流密度的耐性。為此，石墨烯有望
2019-07-29 06:27:01
`隨著三部委《關(guān)于加快石墨烯產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新發(fā)展的若干意見》持續(xù)推進(jìn)、《戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)十三五發(fā)展規(guī)劃》的出臺和石墨烯產(chǎn)業(yè)化進(jìn)程的不斷推進(jìn)，預(yù)計2017年我國石墨烯產(chǎn)業(yè)發(fā)展的熱度仍將不減。一是低成本制備技術(shù)
2017-01-18 09:09:18
可供集成的相關(guān)現(xiàn)有技術(shù)素材的理論性能（價值）的30%以下，都還很有進(jìn)步空間，煎熬著進(jìn)步吧。二、 石墨烯：石墨烯這樣的東東全世界都比較熱，尤其在中國，熱炒，都要炒糊啦。石墨烯在各方面的性能潛力確實(shí)很誘人
2016-03-14 10:00:19
月19日消息，從青島市科技局獲悉，近日青島市儲能產(chǎn)業(yè)技術(shù)研究院成功研發(fā)出高能量密度鋰離子電容器，專家鑒定總體達(dá)到國際先進(jìn)水平。該技術(shù)突破了石墨烯復(fù)合電極設(shè)計與批量制備、可控均勻預(yù)嵌鋰、充放電脹氣
2016-01-20 14:52:37
一、引言2010年，諾貝爾物理學(xué)被兩位英國物理學(xué)家安德烈·海姆和康斯坦丁·諾沃肖諾夫奪得，他們因制備出了石墨烯而獲此殊遇。而石墨烯的成功制備，引起了學(xué)界的巨大轟動，也引發(fā)了一場石墨烯制備、理論研究、應(yīng)用開發(fā)的浪潮。石墨烯
2019-07-29 07:48:49
基于硅納米線的生物氣味傳感器是什么？硅納米線表面連接修飾OBP蛋白分子的方法有哪些？基于硅納米線的氣味識別生物傳感器的結(jié)構(gòu)是如何構(gòu)成的？
2021-07-11 07:43:02
什么是硅基CMOS技術(shù)？如何去實(shí)現(xiàn)一種石墨烯CMOS技術(shù)？
2021-06-17 07:05:17
SOI（Silicon-On-Insulator，絕緣襯底上的硅）技術(shù)是在頂層硅和背襯底之間引入了一層埋氧化層。通過在絕緣體上形成半導(dǎo)體薄膜，SOI材料具有了體硅所無法比擬的優(yōu)點(diǎn)：可以實(shí)現(xiàn)集成電路
2012-01-12 10:47:00
建議論壇中增加關(guān)于藝術(shù)文化與科學(xué)技術(shù)之間的關(guān)系的版塊，并希望從業(yè)前前輩推薦一些
2015-09-04 13:57:08
續(xù)航能力強(qiáng)的電池又邁進(jìn)了一步。美國加利福尼亞大學(xué)洛杉磯分校段鑲鋒教授解釋，新研制出來的復(fù)合電極技術(shù)，是以多孔石墨烯為三維框架結(jié)構(gòu)、表面均勻生長納米顆粒五氧化二鈮的方式制成的，它能同時實(shí)現(xiàn)充電快和使用時間
2017-07-12 15:54:13
待技術(shù)的進(jìn)一步完善。艾邁斯作為鋰電池接插件的生產(chǎn)企業(yè)，也在時刻關(guān)注石墨烯電池發(fā)展，并將積極開發(fā)石墨烯電池適用的接頭。`
2017-02-15 08:20:03
英國劍橋大學(xué)29日發(fā)布的一項研究成果顯示，研究人員成功將石墨烯電極植入小鼠腦部，并直接與神經(jīng)元連接，這項技術(shù)未來可用于修復(fù)截肢、癱瘓甚至帕金森氏 癥患者的感知功能，協(xié)助他們更好地康復(fù)。石墨烯是從
2016-02-01 15:39:08
隨著國家對節(jié)能減排的日益重視，成都LED燈市場的逐步啟動，飛利浦、富士康等大公司涉足LED燈行業(yè)，LED概念股普漲，使得LED技術(shù)成為大眾熱點(diǎn)，下面簡要概述LED襯底技術(shù)。上圖為LED封裝結(jié)構(gòu)示意圖
2012-03-15 10:20:43
將首次亮相，另外聚碳還將對外公布其在石墨烯電池領(lǐng)域的三項前瞻性技術(shù)。據(jù)了解，此次發(fā)布會將會有三大亮點(diǎn)。第一個就是可能作為行業(yè)標(biāo)桿的石墨烯基鋰離子移動電源。它利用了石墨烯超高的導(dǎo)電和電阻率最小的特性
2017-09-02 11:42:51
計算機(jī)科學(xué)技術(shù)具有一系列特點(diǎn),諸如技術(shù)密集、知(2010-05-28 09:45:40)標(biāo)簽：教育計算機(jī)科學(xué)技術(shù)具有一系列特點(diǎn),諸如技術(shù)密集、知 識密集、應(yīng)用面廣、更新速度快等。因此計算機(jī)教育
2021-09-13 08:17:17
的科學(xué)家創(chuàng)建出一種全新的石墨烯納米帶環(huán)氧涂層，在被施加電壓后，能通過產(chǎn)生的電熱實(shí)現(xiàn)覆冰的融化?！ ?b class="flag-6" style="color: red">在James Tour教授的帶領(lǐng)下，研究人員將環(huán)氧樹脂涂層與石墨烯納米帶相結(jié)合。石墨烯納米帶是由單層碳原子
2016-01-29 11:16:41
（腦控技術(shù)叢書）太赫茲科學(xué)技術(shù)和應(yīng)用
2020-03-03 13:21:23
（腦控技術(shù)叢書）太赫茲科學(xué)技術(shù)和應(yīng)用
2020-03-06 08:02:08
中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)合肥微尺度物質(zhì)科學(xué)國家實(shí)驗室的研究人員利用原子力針尖誘導(dǎo)的局域催化還原反應(yīng)，實(shí)現(xiàn)了在單層氧化石墨烯上直接繪制納米晶體管器件。相關(guān)研究成果日前在線發(fā)
2012-11-23 09:29:30
1638 石墨烯，是當(dāng)前世界上最薄、最輕、最硬、導(dǎo)電性最好而且擁有強(qiáng)大靈活性的納米材料。
2016-11-28 10:23:20540 正中國科學(xué)家在《自然·納米技術(shù)》雜志上發(fā)表論文稱，他們在單晶石墨烯制備上取得了一項突破。
2016-12-09 09:41:072760 近日，科學(xué)家對石墨烯材料又挖掘除了新的用途，開發(fā)了一種智能石墨烯涂層用以感知房屋結(jié)構(gòu)斷裂情況。自石墨烯發(fā)現(xiàn)以來，科學(xué)家就加速挖掘其用途，從太陽能電池到建筑材料，從催化器到抗癌藥物，都能找到石墨烯的身影。
2017-04-26 08:45:181321 石墨烯高性能光學(xué)器件可用于成像、顯示、傳感器和高速通信。題為“由碳化硅襯底與微米量級石墨烯結(jié)合制成的光電晶體管的位置依賴和毫米范圍光電探測”的論文發(fā)表在《自然納米技術(shù)》雜志。該項目受到美國國家科學(xué)基金會和美國國土安全部的聯(lián)合資助。
2017-05-08 17:59:306593 石墨烯一經(jīng)發(fā)現(xiàn)，其理論力、熱、電等性能已經(jīng)可輕松超越許多常規(guī)材料數(shù)倍，同時被學(xué)者也認(rèn)為石墨烯是碳納米管、富勒烯等碳材料的基本組成單元，但石墨烯的很多實(shí)際應(yīng)用還需要利用石墨烯組裝成宏觀石墨烯組裝體，包括一維石墨烯纖維、二維石墨烯薄膜。
2017-05-10 13:58:313620 
1.石墨烯的結(jié)構(gòu)和性質(zhì) 物理結(jié)構(gòu)：石墨烯，是由碳原子組成的單原子層平面薄膜，厚度僅為0.34納米，單層厚度相當(dāng)于頭發(fā)絲直徑的十五萬分之一。是目前世界上已知的最輕薄、最堅硬的納米材料，透光性好，能折疊
2017-09-19 08:57:58
15 。納米技術(shù)可制備具有納米尺度的材料，減少Li+擴(kuò)散距離，顯著提升材料的倍率性能，但是納米材料也會帶來振實(shí)密度下降、高比表面積的問題，導(dǎo)致電極材料的副反應(yīng)增加，限制了納米技術(shù)在鋰離子電池上的應(yīng)用。 近日來自美國西北
2017-09-22 15:56:114 石墨烯材料誕生于2004年，由英國曼徹斯特大學(xué)兩位科學(xué)家安德烈·杰姆和克斯特亞·諾沃肖洛夫首次在實(shí)驗室發(fā)現(xiàn)。簡單來說，石墨烯就是把石墨中的堆疊的碳原子分離成單層或者雙層，例如，鉛筆在紙上留下的痕跡就可能是幾層甚至是單層石墨烯。
2017-10-20 17:12:3311791 離子的能量決定了石墨烯薄片表面上納米微孔的孔徑大小，可通過調(diào)節(jié)離子的轟擊能量設(shè)定所形成納米微孔孔徑的大小，使其在1-4納米之間變化。此項成果的研究成功向石墨烯材料特定結(jié)構(gòu)定向獲得邁出了重要的一步。
2017-10-26 15:12:421858 團(tuán)隊將工業(yè)多晶銅箔轉(zhuǎn)化成了單晶銅箔，得到了世界上目前最大尺寸的單晶Cu（111）箔，利用外延生長技術(shù)和超快生長技術(shù)成功在20分鐘內(nèi)制備出世界最大尺寸（5×50 cm2）的外延單晶石墨烯材料。
2017-11-23 15:22:334294 新世代高能量納米電池，亦可組成透明電極網(wǎng)絡(luò)，實(shí)現(xiàn)手機(jī)電池、屏幕元件透明化設(shè)計，有助加快新世代透明手機(jī)問市。 斯坦福大學(xué)材料科學(xué)與工程系終身教授Yi Cui表示，納米線和納米碳管（Carbon Nanotube）技術(shù)將開創(chuàng)鋰電池設(shè)計新紀(jì)元，在硅架構(gòu)中導(dǎo)入納米線、納米碳管
2017-12-07 12:20:01965 成員(麻芃、郭建楠、潘洪亮)在金智研究員和劉新宇研究員的帶領(lǐng)下，分別在采用微機(jī)械剝離方法、SiC外延生長法和化學(xué)氣相淀積(CVD)法生長出的新型石墨烯材料上，成功研制出高性能的石墨烯電子器件。
2017-12-09 11:17:121006 
獲得中國石油集團(tuán)石油管工程技術(shù)研究院認(rèn)證的石墨烯納米技術(shù)擁有，零VOC排放，高達(dá)80%干膜氟化石墨烯及氧化鋅含量等特點(diǎn)，這種黑科技為何如此厲害？
2018-05-28 09:46:034377 
據(jù)麥姆斯咨詢報道，韓國科學(xué)技術(shù)院的研究人員通過開發(fā)一種柔性、透明的超薄分層納米復(fù)合材料（HNC）薄膜，研究出了一種高性能的透明納米觸摸傳感器。
2018-10-22 15:32:223884 同時研究團(tuán)隊也詳細(xì)研究了石墨烯上氮化物生長機(jī)理，發(fā)現(xiàn)石墨烯可以改變成核密度，大幅度提高 AlN 成核島的生長速度，從而降低融合邊界的位錯密度。 DFT 計算和實(shí)驗結(jié)果也驗證了石墨烯可以顯著 改善外延
2018-11-21 16:37:186012 深紫外LED可以廣泛應(yīng)用于殺毒、消菌、印刷和通信等領(lǐng)域。最近，中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所照明研發(fā)中心與北京大學(xué)納米化學(xué)研究中心、北京石墨烯研究院劉忠范團(tuán)隊合作，開發(fā)出了石墨烯／藍(lán)寶石新型外延襯底，并提出了等離子體預(yù)處理改性石墨烯，促進(jìn)AlN薄膜生長實(shí)現(xiàn)深紫外LED的新策略。
2019-04-25 09:35:531754 中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所照明研發(fā)中心與北京大學(xué)納米化學(xué)研究中心、北京石墨烯研究院劉忠范團(tuán)隊合作，開發(fā)出了石墨烯/藍(lán)寶石新型外延襯底，并提出了等離子體預(yù)處理改性石墨烯，促進(jìn)AlN薄膜生長實(shí)現(xiàn)深紫外LED的新策略。
2019-04-26 11:06:263682 
中國院士分為中國科學(xué)院院士和中國工程院院士。中國科學(xué)院院士最初設(shè)立于 1955 年，是中國在科學(xué)技術(shù)方面的設(shè)立的最高學(xué)術(shù)稱號，而中國工程院院士則是中國工程科學(xué)技術(shù)方面的最高學(xué)術(shù)稱號，本次最終確定有
2019-05-05 15:05:3012003 石墨烯（Graphene）是一種由碳原子以sp雜化軌道組成六角型呈蜂巢晶格的二維碳納米材料?；?b class="flag-6" style="color: red">石墨烯材料的靈感，EOS創(chuàng)始人Daniel Larimer帶領(lǐng)Cryptonomex 公司團(tuán)隊一起研發(fā)了石墨烯區(qū)塊鏈底層技術(shù)架構(gòu)，并使該架構(gòu)成為了區(qū)塊鏈領(lǐng)域優(yōu)秀的核心底層架構(gòu)。
2019-05-31 11:20:185694 11月22日，2019年新當(dāng)選科學(xué)院院士名單正式公布。硅襯底LED技術(shù)發(fā)明人、晶能光電創(chuàng)始人、南昌大學(xué)副校長江風(fēng)益教授赫列其中，這是國家對其科學(xué)成就的最高榮譽(yù)，也是繼硅襯底LED技術(shù)獲得2015年國家技術(shù)發(fā)明獎一等獎以來，我國LED照明領(lǐng)域的又一件大喜事。
2019-11-23 10:57:433419 科學(xué)家們研究了一個真正的單層，即大面積石墨烯薄膜覆蓋在大面積銅箔上。改進(jìn)了化學(xué)氣相沉積(CVD)生長方法，消除了石墨烯生長在銅箔上的所有碳雜質(zhì)。
2020-04-02 17:47:103617 上海微系統(tǒng)所研究人員利用分子束外延技術(shù)，成功制備出大面積、高密度且高長寬比的Ge納米線，并利用其作為模板，通過二次沉積法獲得了Sn組分可達(dá)~10%的GeSn/Ge雙層納米線結(jié)構(gòu)。
2020-06-01 14:23:563055 
在半導(dǎo)體科學(xué)技術(shù)的發(fā)展中，氣相外延發(fā)揮了重要作用，該技術(shù)已廣泛用于Si半導(dǎo)體器件和集成電路的工業(yè)化生產(chǎn)。
2020-08-28 14:24:316737 
今日上午，小米集團(tuán)副總裁、手機(jī)部總裁曾學(xué)忠解讀了石墨烯在電池技術(shù)上的應(yīng)用突破。 據(jù)了解到，小米 10 至尊紀(jì)念版內(nèi)置 4500mAh 電池，支持 120W 有線充電。據(jù)介紹，大功率充電下，小米 10
2020-10-22 10:16:032897 2020年，我國石墨烯研究熱度依舊不減，各高校、研究機(jī)構(gòu)、科研院所等石墨烯科技創(chuàng)新成果不斷涌現(xiàn)。其中中國科學(xué)院大學(xué)聯(lián)合大連理工大學(xué)，在高質(zhì)量、大面積、單層石墨烯的可控合成及其生長激勵研究方面取得重要進(jìn)展
2021-02-19 09:26:527182 圖形化藍(lán)寶石襯底已經(jīng)在可見光LED領(lǐng)域得到廣泛的應(yīng)用，其優(yōu)勢在于它不僅能有效改善外延生長質(zhì)量，還可以提高LED的光提取效率?；谙冗M(jìn)的半導(dǎo)體仿真設(shè)計平臺，我司技術(shù)人員開發(fā)出了納米圖形襯底（NPSS
2021-02-23 11:01:281116 
摘要 相比單層石墨烯，特定構(gòu)型的石墨烯納米結(jié)構(gòu)具有更加新奇的物理性質(zhì)，被認(rèn)為是構(gòu)筑基于石墨烯功能納米器件的基本單元。由于納米結(jié)構(gòu)的性質(zhì)對其局域原子構(gòu)型非常敏感，可控制備高質(zhì)量的、原子級精確的石墨烯
2021-06-17 16:22:594502 
溝道層，在GOI或絕緣體上硅鍺(SGOI)襯底上外延生長鍺是一種很有前途的技術(shù)。GOI和SGOI襯底的表面清潔是獲得所需溝道層的最重要問題之一。
2021-12-10 17:25:061339 基于此，在本文中，研究了一種基于硅納米線陣列/石墨烯異質(zhì)結(jié)的高靈敏度近紅外光探測器，并對其電性能與光學(xué)特性進(jìn)行了研究。
2022-11-24 11:20:562613 為制備出具有離子輸運(yùn)調(diào)節(jié)功能的石墨烯納米孔，科研人員利用重離子輻照的方法在石墨烯上制備出單個納米孔，并通過與PET錐形支撐孔相結(jié)合、在石墨烯納米孔周圍構(gòu)建柵極實(shí)現(xiàn)對石墨烯納米孔周圍電勢及離子輸運(yùn)行為的調(diào)控（圖1）。
2022-12-02 10:19:451074 SiC納米線是一種徑向上尺寸低于100nm，長度方向上遠(yuǎn)高于徑向尺寸的單晶纖維。SiC納米線生產(chǎn)技術(shù)一直都是全球研究的中
心及難點(diǎn)。SiC納米線在全球產(chǎn)量不高，一般為實(shí)驗室水平生產(chǎn)（每次產(chǎn)量約幾十微克）。
2023-02-21 09:24:050 迄今為止， 石墨烯的制備方法主要有機(jī)械剝離法、液相剝離法、碳化硅外延法、化學(xué)氣相沉積法 （Chemical vapor deposition，CVD）等。其中， CVD法制備的石墨烯薄膜，尤其是在銅等金屬襯底上生長的石墨烯薄膜，具有質(zhì)量高和可控性好的優(yōu)點(diǎn)，越發(fā)受到科學(xué)界和產(chǎn)業(yè)界的關(guān)注。
2023-02-22 11:28:293586 外延層是在晶圓的基礎(chǔ)上，經(jīng)過外延工藝生長出特定單晶薄膜，襯底晶圓和外延薄膜合稱外延片。其中在導(dǎo)電型碳化硅襯底上生長碳化硅外延層制得碳化硅同質(zhì)外延片，可進(jìn)一步制成肖特基二極管、MOSFET、 IGBT 等功率器件，其中應(yīng)用最多的是4H-SiC 型襯底。
2023-05-31 09:27:098486 
襯底上實(shí)現(xiàn)高質(zhì)量的外延生長GaN基材料。GaN材料的生長是在高溫下，通過TMGa分解出的Ga與NH3的化學(xué)反應(yīng)實(shí)現(xiàn)的，生長GaN需要一定的生長溫度，且需要一定的NH3分壓。
2023-06-10 09:43:442359 HVPE（氫化物氣相外延法）與上述兩種方法的區(qū)別還是在于鎵源，此方法通常以鎵的氯化物GaCl3為鎵源，NH3為氮源，在襯底上以1000 ℃左右的溫度生長出GaN晶體。
2023-06-11 11:11:321206 的原理、應(yīng)用、優(yōu)點(diǎn)和未來發(fā)展趨勢。 1. 石墨烯電池技術(shù)的原理 石墨烯電池技術(shù)是利用石墨烯材料的優(yōu)良特性，包括高電導(dǎo)性、高表面積、高可充放電速率等，來實(shí)現(xiàn)高能量密度和高功率密度的電池技術(shù)。其原理是在石墨烯電極上形成
2023-08-22 17:06:077604 “石墨烯”又名“單層石墨片”，是指一層密集的、包裹在蜂巢晶體點(diǎn)陣上的碳原子，碳原子排列成二維結(jié)構(gòu)，與石墨的單原子層類似。Geim 等利用納米尺寸的金制“鷹架”，制造出懸掛于其上的單層石墨烯薄膜，發(fā)現(xiàn)
2023-08-28 14:58:073920 
CVD因具有可控、高質(zhì)量生長石墨烯的優(yōu)點(diǎn)而引起國內(nèi)外關(guān)注，據(jù)報道石墨烯薄膜可在多個襯底上生長，如Fe、Cu和Ni、 Pt等。研究表明，采用CVD工藝生長單層石墨烯，可實(shí)現(xiàn)晶粒可調(diào)、降低石墨烯固有強(qiáng)度、降低碳原料分解的能量屏障，一定條件下，CVD工藝能帶來可擴(kuò)展、經(jīng)濟(jì)、可重復(fù)且易于使用的優(yōu)點(diǎn)。
2023-09-01 11:12:531884 
12月11日，外媒消息，韓國首爾國立大學(xué)與成均館大學(xué)的研究團(tuán)隊聯(lián)合開發(fā)了一種在石墨烯層上生長柔性GaN LED陣列的方法，通過該技術(shù)研究團(tuán)隊生長出了LED微型陣列
2023-12-13 16:06:031313 
外媒消息，韓國首爾國立大學(xué)與成均館大學(xué)的研究團(tuán)隊聯(lián)合開發(fā)了一種在石墨烯層上生長柔性GaN LED陣列的方法，通過該技術(shù)研究團(tuán)隊生長出了LED微型陣列，并稱作微盤陣列（Microdisks arrays）。
2023-12-18 10:07:151686 特異的二維材料石墨烯，由于其狄拉克錐能帶結(jié)構(gòu)呈現(xiàn)為零帶隙特性，至今仍是諸多科學(xué)家們面對的挑戰(zhàn)。然而，馬雷教授領(lǐng)軍的科研團(tuán)隊，在對外延石墨烯生長過程進(jìn)行精密調(diào)整后，成功構(gòu)筑了新型穩(wěn)定半導(dǎo)體石墨烯。
2024-01-08 10:40:311525 石墨烯電子學(xué)發(fā)展的關(guān)鍵技術(shù)難關(guān)攻克
2024-01-09 09:45:491239 
Si上 AIN 和 GaN 的濺射外延(111) 濺射外延是一種低成本工藝，適用于沉積III族氮化物半導(dǎo)體，并允許在比金屬-有機(jī)氣相外延（MOVPE）更低的生長溫度下在大襯底區(qū)域上沉積。介紹了用反應(yīng)
2024-01-12 17:27:131093 
近日，廣東致能科技團(tuán)隊與西安電子科技大學(xué)廣州研究院/廣州第三代半導(dǎo)體創(chuàng)新中心郝躍院士、張進(jìn)成教授團(tuán)隊等等合作攻關(guān)，通過采用廣東致能科技有限公司的薄緩沖層AlGaN / GaN外延片，基于廣州第三代半導(dǎo)體創(chuàng)新中心中試平臺，成功在6英寸藍(lán)寶石襯底上實(shí)現(xiàn)了1700V GaN HEMTs器件。
2024-01-25 10:17:242253 
當(dāng)?shù)潞諣柡退膱F(tuán)隊弄清楚如何使用特殊熔爐在碳化硅晶圓上生長石墨烯時，他取得了突破。他們生產(chǎn)了外延石墨烯，這是在碳化硅晶面上生長的單層。
2024-02-21 15:26:501045 異質(zhì)外延是一種先進(jìn)的晶體生長技術(shù)，它指的是在一個特定的襯底材料上生長出與襯底材料具有不同晶體結(jié)構(gòu)或化學(xué)組成的薄膜或外延層的過程，即：在一種材料的基片上生長出另一種材料。
2024-04-17 09:39:421714 
、導(dǎo)電性、導(dǎo)熱性以及機(jī)械強(qiáng)度。單層石墨烯的厚度僅為0.335納米，是頭發(fā)直徑的二十萬分之一，且?guī)缀跬耆该鳎晃占s2.3%的光。這些特性使得石墨烯在多個領(lǐng)域具有廣泛
2024-09-30 08:02:161697 
SiC外延生長技術(shù)是SiC功率器件制備的核心技術(shù)之一，外延質(zhì)量直接影響SiC器件的性能。目前應(yīng)用較多的SiC外延生長方法是化學(xué)氣相沉積（CVD），本文簡要介紹其生產(chǎn)過程及注意事項。
2024-11-14 14:46:302351 
本文介紹SiGe外延工藝及其在外延生長、應(yīng)變硅應(yīng)用以及GAA結(jié)構(gòu)中的作用。 ? 在現(xiàn)代半導(dǎo)體技術(shù)中，隨著器件尺寸的不斷縮小，傳統(tǒng)的硅基材料逐漸難以滿足高性能和低功耗的需求。SiGe（硅鍺）作為一種
2024-12-20 14:17:496653 
襯底的關(guān)鍵組件，其結(jié)構(gòu)和性能對外延片的質(zhì)量具有決定性影響。本文將詳細(xì)介紹一種用于半導(dǎo)體外延片生長的CVD石墨托盤結(jié)構(gòu)，探討其設(shè)計特點(diǎn)、工作原理及在半導(dǎo)體制造中的應(yīng)
2025-01-08 15:49:10364 
引言
在半導(dǎo)體材料領(lǐng)域，碳化硅（SiC）因其出色的物理和化學(xué)特性，如高硬度、高熱導(dǎo)率、高擊穿電場強(qiáng)度等，成為制造高功率、高頻電子器件的理想材料。然而，在大尺寸SiC外延生長過程中，襯底應(yīng)力問題一直是
2025-02-08 09:45:00268 ，石墨烯在非金屬基板上的生長面臨著一系列的挑戰(zhàn)，特別是高密度的成核和低質(zhì)量的薄膜問題。 ? 鑒于此，北京大學(xué)劉忠范院士團(tuán)隊提出了一種創(chuàng)新的“預(yù)熔基板促進(jìn)選擇性刻蝕”（PSE）策略，成功解決了這些問題，使得石墨烯在玻璃
2025-02-08 10:50:14772 本文從多個角度分析了在晶圓襯底上生長外延層的必要性。
2025-04-17 10:06:39870 
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