高工LED了解到，國星光電基于扇出封裝技術(shù)思路，通過自主開發(fā)的巨量轉(zhuǎn)移方法，采用黑化基板與高光提取封裝路線打造了全新MIP器件，大幅提高器件光電性能，通過將引腳電極放大，使其匹配當(dāng)前機(jī)臺設(shè)備。

除了前述成本優(yōu)勢外，MIP還具有高亮度、低功耗、兼容性強(qiáng)、可混BIN提高顯示一致性等優(yōu)點(diǎn)。

利亞德研發(fā)中心技術(shù)主管馬莉博士也在此前的一次會議上表示，基于對大尺寸Micro LED顯示技術(shù)的理解，利亞德發(fā)展了自己的Micro LED技術(shù)，利亞德采用的就是MIP技術(shù)。

但值得注意的是，利亞德的MIP也分為兩類，一類是集成像素封裝，就是通常所說的Nin1，涵蓋了從P0.4到P0.9的Micro LED顯示；第二類就是獨(dú)立像素封裝，涵蓋了0808、0606、0404以及未來的0202。

據(jù)高工LED調(diào)研了解，利亞德以上兩種類型的MiP都由無錫利晶量產(chǎn)。

而芯映光電則是堅(jiān)定地走M(jìn)IP路線的代表。

芯映光電認(rèn)為，MIP封裝技術(shù)解決了Micro技術(shù)瓶頸的諸多痛點(diǎn)。

多條技術(shù)路線并舉也是眾多頭部企業(yè)的選擇。

中麒光電就堅(jiān)持全倒裝COB和MIP雙技術(shù)路線并行、互補(bǔ)融合的布局。

中麒光電認(rèn)為，這兩條技術(shù)路線最終將“殊途同歸”，預(yù)計(jì)在2023年底，將實(shí)現(xiàn)兩條技術(shù)路線的融合，共同邁入Micro LED路線。

高工LED在近日的巡回調(diào)研中了解到，目前已經(jīng)有多家封裝和顯示屏企業(yè)跟進(jìn)布局MIP封裝技術(shù)路線。

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MIP的核心在于降本和提升效率

被眾多頭部企業(yè)爭相布局的MIP到底有何獨(dú)到優(yōu)勢？

從成本角度講，MIP封裝技術(shù)可以不大幅增加設(shè)備，能夠使用當(dāng)前機(jī)臺設(shè)備進(jìn)行生產(chǎn)，這樣就大幅降低了企業(yè)的高昂的產(chǎn)線設(shè)備端投入。

同時，MIP技術(shù)將原先需要在芯片端進(jìn)行的測試后移至封裝后，從芯片測試改為對引腳的點(diǎn)測，效率得到大幅提升的同時也進(jìn)一步降低了成本。

按照國星光電的說法，MIP封裝還更易于后期的檢測和修復(fù)。

從產(chǎn)品性能上看，MIP顯示模組還具有高黑占比、特殊光學(xué)設(shè)計(jì)、兼容性強(qiáng)和應(yīng)用性強(qiáng)等優(yōu)勢。

“MIP顯示模組一致性高，黑占比超99％，同時其水平視角極大（≥174°）?！眹枪怆姺矫姹硎?，MIP封裝技術(shù)還能兼容當(dāng)前設(shè)備機(jī)臺，可完成測試分選、易檢測修復(fù)，更易于將Micro LED應(yīng)用于終端市場。

巨量轉(zhuǎn)移的良率一直是制約Micro LED發(fā)展的難題之一。

但如果采用MIP方案，對巨量轉(zhuǎn)移的良率也不再那么敏感。

“曾經(jīng)業(yè)界認(rèn)為巨量轉(zhuǎn)移良率需要達(dá)到6個9才能應(yīng)用，即在一個4K屏里面，8個不良轉(zhuǎn)移才能被接受。” 馬莉博士認(rèn)為，若采用MiP，因?yàn)閜ackage本身封裝良率就在95% - 98%左右。那巨量轉(zhuǎn)移的良率究竟是99%還是99.9%還是4個9，就不再是其不能應(yīng)用的原因。

GGII認(rèn)為，現(xiàn)階段，MIP技術(shù)更能夠及時滿足微間距LED顯示快速增長的市場需求，或?qū)⒂懈嗟钠髽I(yè)布局這一技術(shù)路線。

審核編輯：劉清