Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布，推出新款8V N溝道TrenchFET?功率MOSFET---SiA436DJ。
2012-06-28 12:50:44
1437 前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出新款通過AEC-Q101認(rèn)證并具有ESD保護(hù)的600V標(biāo)準(zhǔn)整流器---SE20AFJ和SE30AFJ。對于空間有限的應(yīng)用，新器件可提供2A和3A的正向電流和高
2012-11-22 09:11:461355 Vishay具有業(yè)內(nèi)最低導(dǎo)通電阻的新款12V和20V 的N溝道和P溝道TrenchFET?功率MOSFET。采用業(yè)內(nèi)最小0.8mm x 0.8mm x 0.4mm MICRO FOOT?封裝的CSP規(guī)格尺寸
2012-11-29 16:37:312203 Vishay推出新款通過AEC-Q101認(rèn)證的40V N溝道TrenchFET功率MOSFET---SQM200N04-1m1L。
2012-12-07 14:08:383286 Vishay推出新的MPMA系列精密配對電阻。MPMA電阻網(wǎng)絡(luò)通過AEC-Q200認(rèn)證，采用表面模塑SOT-23貼片封裝。
2012-12-13 09:50:182147 日前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出新款100V N溝道TrenchFET?功率MOSFET---SiB456DK和SiA416DJ，將Vishay的ThunderFET?應(yīng)用到更小的封裝尺寸上。
2013-01-09 11:42:301823 在利用光來控制一個過程的應(yīng)用中，要長期保持工廠設(shè)定的發(fā)光強(qiáng)度需要一個控制電路來監(jiān)控發(fā)光狀況，并控制供給光發(fā)射器件的電流以保持輸出恒定，采用一個簡單的運(yùn)算放大器電路就可為許多應(yīng)用提供精確的光強(qiáng)度。
2015-03-19 10:43:442909 
在利用光來控制一個過程的應(yīng)用中，要長期保持工廠設(shè)定的發(fā)光強(qiáng)度需要一個控制電路來監(jiān)控發(fā)光狀況，并控制供給光發(fā)射器件的電流以保持輸出恒定，采用一個簡單的運(yùn)算放大器電路就可為許多應(yīng)用提供精確的光強(qiáng)度。
2015-03-23 11:44:423744 
Vishay Intertechnology宣布，推出新系列小型柵極驅(qū)動變壓器---MGDT，可在高功率的國防和航天、工業(yè)及醫(yī)療應(yīng)用中顯著節(jié)省空間。
2018-03-07 13:57:099670 Vishay提供PLCC-2和超小尺寸MiniLED封裝版本，器件通過AEC-Q101認(rèn)證并具有1400 mcd的發(fā)光強(qiáng)度。
2018-07-25 11:29:0512447 SMD 器件發(fā)光強(qiáng)度達(dá) 2300 mcd ， 波長分別為 525 nm 和 465 nm ，適用于心率監(jiān)測和煙霧探測 ? 美國 賓夕法尼亞 MALVER N 、中國 上海 — 2024年 4 月
2024-04-22 15:26:431016 汽車級電阻，節(jié)省電路板空間，工作電壓為450 V，公差± 0.1 %，TCR低至± 10 ppm/K Vishay 推出0805外形尺寸小型器件，擴(kuò)充其TNPV e3系列汽車級高壓薄膜扁平片式
2022-03-30 13:58:54
要求：能控制發(fā)光二極管的發(fā)光強(qiáng)度，設(shè)計(jì)由光敏三極管采集光強(qiáng)信號的電路，經(jīng)USB6009輸入給計(jì)算機(jī)顯示。
2012-12-09 21:57:46
/4）。從發(fā)光強(qiáng)度角分布圖來分有三類： ?。?）高指向性。一般為尖頭環(huán)氧封裝，或是帶金屬反射腔封裝，且不加散射劑。半值角為5°～20°或更小，具有很高的指向性，可作局部照明光源用，或與光檢出器聯(lián)用以組成
2012-10-26 10:20:22
和峰值波長從圖中可以看出，發(fā)光管發(fā)出的光中某一波長λ0的光強(qiáng)度最大，該波長為峰值波長。（2）發(fā)光強(qiáng)度IV：發(fā)光二極管的發(fā)光強(qiáng)度通常是指法線方向的發(fā)光強(qiáng)度。當(dāng)該方向的輻射強(qiáng)度為（1/683）W / sr
2023-02-08 15:57:05
新型紅外線發(fā)射器采用Avago Technologies的高功率鋁鎵砷化物(AlGaAs) LED技術(shù)，具有優(yōu)異的高發(fā)光強(qiáng)度、高速率和低正向電壓等特性。新產(chǎn)品的封裝尺寸為5mm，使用鐵質(zhì)導(dǎo)線架，在多種
2018-10-24 17:06:48
LED的壽命是指發(fā)生光衰的時間，恒流驅(qū)動由于控制住了LED的電流，確保了LED芯片的結(jié)溫不會過高，防止了半導(dǎo)體芯片，封裝材料，熒光材料的異常老化。LED的發(fā)光強(qiáng)度就不會過快降低(即光衰)。采用
2021-12-28 06:36:14
（3/4）；把φ4.4mm的記作T-1（1/4）。 從發(fā)光強(qiáng)度角分布圖來分有三類： （1）高指向性。一般為尖頭環(huán)氧封裝，或是帶金屬反射腔封裝，且不加散射劑。半值角為5°～20°或更小，具有很高的指向性
2017-07-19 17:31:03
。對于一些高精密的光學(xué)測量系統(tǒng)來說，LED光源的這種譜線波動和發(fā)光強(qiáng)度變化是需要避免的。針對上述問題，項(xiàng)目擬研究一種高功率LED光源的驅(qū)動裝置，該裝置能夠?qū)崿F(xiàn)LED輻射譜線和光譜強(qiáng)度的穩(wěn)定，保證了光學(xué)測量中的準(zhǔn)確性。
2015-07-16 14:05:33
生漂移。此外，LED驅(qū)動電源的波動也會影響其發(fā)光強(qiáng)度。對于一些高精密的光學(xué)測量系統(tǒng)來說，LED光源的這種譜線波動和發(fā)光強(qiáng)度變化是需要避免的。針對上述問題，項(xiàng)目擬研究一種高功率LED光源的驅(qū)動裝置，該裝置能夠?qū)崿F(xiàn)LED輻射譜線和光譜強(qiáng)度的穩(wěn)定，保證了光學(xué)測量中的準(zhǔn)確性。
2015-07-07 09:18:15
。對于一些高精密的光學(xué)測量系統(tǒng)來說，LED光源的這種譜線波動和發(fā)光強(qiáng)度變化是需要避免的。針對上述問題，項(xiàng)目擬研究一種高功率LED光源的驅(qū)動裝置，該裝置能夠?qū)崿F(xiàn)LED輻射譜線和光譜強(qiáng)度的穩(wěn)定，保證了光學(xué)測量中的準(zhǔn)確性。
2015-07-16 14:04:27
可用做汽車的剎車燈、轉(zhuǎn)向燈、倒車燈等各個領(lǐng)域?！ ∈橙唆~發(fā)光二極管LED是一種四引腳LED，屬于散光型的LED，發(fā)光角度大于120度，具有較高發(fā)光強(qiáng)度，而且能承受極大的功率。美國人一般稱之為
2017-10-17 09:18:23
多“亮”，因?yàn)樗枪?b class="flag-6" style="color: red">功率與會聚能力的一個共同的描述。發(fā)光強(qiáng)度越大，光源看起來就越亮，同時在相同條件下被該光源 照射后的物體也就越亮，因此，早些時候描述手電都用這個參數(shù)?，F(xiàn)在LED也用這個單位來描述
2012-09-24 23:03:09
二極體的電壓與電流的關(guān)系，在正向電壓正小于某一值（叫閾值）時，電流極小，不發(fā)光。當(dāng)電壓超過某一值后，正向電流隨電壓迅速增加，發(fā)光。 發(fā)光強(qiáng)度IV：發(fā)光二極體的發(fā)光強(qiáng)度通常是指法線（對圓柱形發(fā)光管是指其
2017-09-04 10:40:43
大電流條件下芯片的輸出電容很熱，導(dǎo)致輸出電流不恒定，有波動，使LED發(fā)光強(qiáng)度緩慢變化，導(dǎo)致調(diào)制后的信號測量值偏移。求教下，有沒有其他好的方法呢, 也就是利用大功率恒流LED進(jìn)行信號調(diào)制，亟待求解啊。感謝大家。
2016-06-06 20:33:56
安國半導(dǎo)體主要是在u***主控 sd卡這方面處于領(lǐng)先地位，現(xiàn)在為擴(kuò)大經(jīng)營范圍 特推出新款觸摸按鍵 價格比義隆合泰都更有優(yōu)勢 性能方面EFT可到4.4kvcs10v也可以過要是感興趣的話可以 聯(lián)系***
2013-10-08 15:48:39
想用電池驅(qū)動紅外發(fā)光二極管，但是隨著電池電壓的降低，電流也會減低，紅外管的發(fā)光強(qiáng)度就會降低，怎樣才能避免這個情況？有沒有穩(wěn)流芯片??？？以前看到書上有一種4DH系列的芯片，現(xiàn)在在網(wǎng)上搜不到了。。
2015-11-24 19:19:13
想用電池驅(qū)動紅外發(fā)光二極管，但是隨著電池電壓的降低，電流也會減低，紅外管的發(fā)光強(qiáng)度就會降低，怎樣才能避免這個情況？有沒有穩(wěn)流芯片?。?？以前看到書上有一種4DH系列的芯片，現(xiàn)在在網(wǎng)上搜不到了。。
2015-11-24 19:18:20
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 09:48 編輯
怎樣才能使LED接在220伏的交流電上發(fā)光用，還得發(fā)光強(qiáng)度最大
2011-11-30 01:55:58
在發(fā)光強(qiáng)度分布圖形中，發(fā)光強(qiáng)度等于最大強(qiáng)度一半構(gòu)成的角度稱為半值角。如圖中所示。圖中，沿LED法向?yàn)闄C(jī)械軸方向，最大發(fā)光強(qiáng)度方向 為光軸方向，機(jī)械軸與光軸之間的夾角成為偏差角。芯片的厚度、封裝模條
2017-07-18 11:02:45
`下面佑澤小編帶你了解;在發(fā)光強(qiáng)度分布圖形中，發(fā)光強(qiáng)度等于最大強(qiáng)度一半構(gòu)成的角度稱為半值角。如圖中所示。圖中，沿LED法向?yàn)闄C(jī)械軸方向，最大發(fā)光強(qiáng)度方向 為光軸方向，機(jī)械軸與光軸之間的夾角成為偏差角
2017-12-13 11:43:13
如何測量不同光源的光強(qiáng)度？
2021-06-17 11:42:19
自動控制發(fā)光時間電路:
2007-08-15 13:18:24777 
Vishay推出新的QPL系列Bulk Metal箔超高精度Accutrim微調(diào)電位器
日前，Vishay Intertechnology, Inc. 宣布，推出新的QPL系列Bulk M
2009-07-01 09:29:54938 Vishay推出新款鉭外殼液鉭電容器136D
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出采用glass-to-tantalum新型密封的新系列鉭外殼液鉭電容器——136D。對于高可靠性應(yīng)用，136D器件
2009-11-06 08:38:411235 Vishay推出新款高速PIN光敏二極管
日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出VBPW34x和VBP104x系列高速SMD PIN光敏二極管，新器件采用鷗翼和倒鷗翼型封裝
2009-11-13 09:21:28917 亮度mcd知識簡介LED的亮度單位：mcd描述光的常用物理量有4個，它們是：1、發(fā)光強(qiáng)度，為一光源在給定方向上的發(fā)光強(qiáng)度，單位candela，即坎德拉，
2009-11-20 15:59:096579 Vishay Siliconix推出業(yè)界性能最先進(jìn)的P溝道功率MOSFET
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布推出新款20V P溝道功率MOSFET --- SiA433EDJ。器件采用緊湊的2mm x 2mm占位面積的熱增強(qiáng)Pow
2009-11-23 17:10:23930 Vishay Siliconix推出業(yè)內(nèi)最低導(dǎo)通電阻功率MOSFET
Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出新款20V P溝道功率MOSFET --- SiA433EDJ。器件采用緊湊的2mm x 2mm占位
2009-11-25 09:51:011361 Vishay推出的P溝道功率MOSFET SiA433EDJ
日前，VishayIntertechnology,Inc.宣布，推出新款20VP溝道功率MOSFET——SiA433EDJ。器件采用緊湊的2mm×2mm占位面積的熱增強(qiáng)PowerPAKSC-70封裝，具
2009-11-25 17:56:521012 資料名稱：九段發(fā)光二極管 2680-0031
型 號：
說 明：公司：Siemens Akt發(fā)光強(qiáng)度IV (cd)：440μ發(fā)
2009-12-19 17:59:24710 安捷倫推出新款LTE測試解決方案
安捷倫科技公司宣布推出新款 LTE 測試解決方案。該解決方案結(jié)合了市場上領(lǐng)先的 Agilent 89600 VSA LTE FDD 和 LTE TDD 分析軟件，以及 Agilent X
2009-12-28 17:07:291136 Vishay推出新款ESD保護(hù)陣列VBUS053BZ-HNH-G-08
Vishay推出具有低容值和低漏電流的新款ESD保護(hù)陣列VBUS053BZ-HNH-G-08，可保護(hù)USB-OTG端口免受瞬態(tài)電壓信號的損害
2010-03-23 11:53:111452 Vishay發(fā)布新款集成功率光敏
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出兩款新的集成功率光敏，分別是輸出電流為0.9A的VO2223和輸出電流為1A的VO2223A，擴(kuò)
2010-03-26 11:38:56973 Vishay推出500V N溝道功率MOSFET：SiHF8N50L-E3
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款500V N溝道功率MOSFET——SiHF8N50L-E3。與前一代器件相比，該器件的
2010-04-07 10:52:521102 Vishay推出新款薄膜貼片電阻
日前，VishayIntertechnology,Inc.（NYSE股市代號：VSH）宣布，推出為鉆井和航空等極端高溫環(huán)境優(yōu)化的新系列打線式、裸芯片貼片式
2010-04-17 16:12:54877 Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新系列4接線端、牛角式功率鋁電容器 --- 095 PLL-4TSI。電容器具有17種大尺寸外形，電壓等級從350V至450V，在85℃下的使用壽命長達(dá)10,000小時。
新款0
2010-07-21 08:58:441120 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出一款新型白光、無散射的3mm LED --- VLHW4100，該LED針對高端應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化，可滿足應(yīng)用對極高發(fā)光強(qiáng)度的要求。VLHW4100使用超亮InGaN技術(shù)，在20mA
2010-09-06 08:58:361131 流明，光通量的單位。發(fā)光強(qiáng)度為1坎德拉(cd)的點(diǎn)光
2010-11-02 17:30:354050 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款600V、47A N溝道功率MOSFET --- SiHG47N60S，該MOSFET在10V柵極驅(qū)動下具有0.07Ω的
2010-11-09 08:59:572028 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新系列螺絲端子功率鋁電容器 --- 500 PGP-ST。這些高效電容器具有1,000μF、450V
2010-12-06 09:16:49859 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款8V P溝道TrenchFET 功率MOSFET---SiA427DJ。新器件采用2mm x 2mm占位面積的熱增強(qiáng)型PowerPAK SC-70封裝，具有迄今為止P溝道器件所能達(dá)到的最低導(dǎo)通電阻。
2011-01-26 09:04:081830 日前，Vishay 推出新的PHP系列精密高功率薄膜貼片電阻。這些器件具有低至±25ppm/℃的絕對TCR，低至±0.1%的容差
2011-02-14 09:12:021430 Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款雙芯片20V P溝道第三代TrenchFET功率MOSFET---SiA923EDJ。新器件采用2mm x 2mm占位面積的熱增強(qiáng)型PowerPAK SC-70封裝，
2011-03-02 10:19:301778 Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款表面貼裝Hi-Rel COTS系列固鉭貼片電容器。這些電容器提供威布爾分級、符合per MIL PRF 55365標(biāo)準(zhǔn)的浪涌電流測試選項(xiàng)
2011-03-21 09:32:501686 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出可在-55℃～+215℃寬溫范圍內(nèi)工作的新款精密低TCR薄膜電阻---PLTT
2011-03-28 11:04:301730 日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布，推出新款IHLP?低外形、高電流電感器--- IHLP-3232DZ-11，該器件在同類器件當(dāng)中首次采用3232外形尺寸
2011-03-31 09:39:021756 Vishay Intertechnology, Inc.推出采用GSIB-5S封裝的新款單相直排橋式整流器--- LVB1560和LVB2560。
2011-04-13 10:52:351762 利用摻鉺硅基發(fā)光材料實(shí)現(xiàn)硅基光電子集成的可行性，隨著對摻鉺硅基發(fā)光材料的深入研究，硅基光電子集成的實(shí)現(xiàn)不再遙遠(yuǎn)。
2011-08-18 11:52:364523 
Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出采用2726和4026外形尺寸的新款表面貼裝Power Metal Strip電阻——WSLP2726和WSLP4026
2011-08-30 08:43:171685 Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款表面貼裝Power Metal Strip電阻--- WSK0612。該電阻是業(yè)內(nèi)首個4接頭、1W的檢流電阻，采用小尺寸的0612封裝，具有0.5 mΩ～5mΩ的低阻值。
2011-09-06 09:43:072551 日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布， Vishay Siliconix推出新款n溝道功率MOSFET通過JAN認(rèn)證的，分別是60V 2N6660JANTX/JANTXV和90V 2N6661JANTX/JANTXV
2011-11-01 09:26:351923 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出新款金屬陶瓷面板式電位計(jì)---Sfernice P13L，這種電位計(jì)的壽命長達(dá)2百萬次，全I(xiàn)P67密封使其能夠在極端的環(huán)境條件下可靠工作
2011-11-05 01:11:001113 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出采用新型超小尺寸LLP2510封裝的新款4線ESD保護(hù)陣列---VBUS54ED-FBL。VBUS54ED-FBL的占位面積只有2.5mmx1.0mm，高度低至0.55mm，其低電容
2011-11-08 09:14:11710 本文為脈沖LED的生產(chǎn)廠家研制一套簡單適用、性能價格比相對較高并且能同時測試脈沖LED發(fā)光強(qiáng)度的時間特性和光譜特性的測試系統(tǒng)，用于產(chǎn)品的研制和檢驗(yàn)。
2011-11-11 11:00:322705 日前，Vishay 宣布，推出新款采用2512外形尺寸的表面貼裝Power Metal Strip?電阻--- WSLP2512，這種電阻具有高達(dá)3W的功率和0.0005Ω的極低阻值。
2012-02-07 11:43:062943 Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布，發(fā)布采用2906尺寸封裝的新款Power Metal Strip?儀表分流電阻--- WSMS2906，該電阻具有3W的功率和最低300μΩ的極低阻值。
2012-02-20 11:55:18683 Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號：VSH)宣布，推出新款采用鐵粉材料，符合WPC(無線充電聯(lián)盟)標(biāo)準(zhǔn)的接收線圈--- IWAS-3827EC-50
2012-07-13 18:42:57954 Vishay 推出新款8V和20V N溝道和P溝道TrenchFET?功率MOSFET---Si8424CDB、Si8425DB。
2013-01-15 09:05:541792 更高的驅(qū)動電流，從而提高發(fā)光強(qiáng)度。新款VLM.334…系列LED在Vishay的VLM.31…系列基礎(chǔ)上進(jìn)行了大幅改進(jìn)，可搭配更大尺寸的芯片，能夠承受70mA的驅(qū)動電流。
2013-12-18 13:36:322382 賓夕法尼亞、MALVERN — 2014 年 9 月17 日 — 日前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出新款、符合WPC（無線充電聯(lián)盟）標(biāo)準(zhǔn)的新款無線充電接收線圈---IWAS-4832FE-50，適用于10W應(yīng)用的。
2014-09-18 11:32:101766 賓夕法尼亞、MALVERN — 2015 年 2 月27 日 — 日前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出新的全集成接近和環(huán)境光傳感器---VCNL4040。
2015-03-02 16:17:483290 日前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出新系列厚膜片式電阻---RCV e3，以滿足工業(yè)和醫(yī)療應(yīng)用對高電壓器件的需求，同時節(jié)省寶貴
2015-05-07 16:15:121580 賓夕法尼亞、MALVERN — 2015 年 5 月18 日 — 日前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，針對高功率混合裝配、SiC和GaN應(yīng)用中的使用環(huán)境，推出新的薄膜條MOS電容器。
2015-05-18 14:21:261031 gy-30,光強(qiáng)度資料。
2016-03-21 17:18:02
270 1967 年法國第十1三屆國際計(jì)量大會規(guī)定了以坎德拉、坎德拉/平方米、流明、勒克斯分別作為發(fā)光強(qiáng)度、光亮度、光通量和光照度等的單位，為統(tǒng)一工程技術(shù)中使用的光學(xué)度量單位有重要意義。為了解和使用便利
2017-10-23 14:57:2521 1、發(fā)光強(qiáng)度(光度)的含義是什么?
答：發(fā)光強(qiáng)度(光度，I)定義為：點(diǎn)光源在某一方向上的發(fā)光強(qiáng)度，即是發(fā)光體在單位時間內(nèi)所射出的光量，也簡稱為光度，常用單位為燭光(cd，坎德拉)，一個國際燭光的定義為以鯨魚油脂制成的蠟燭每小時燃燒120格冷(grain)所發(fā)出的光度，一格冷等于0.0648克。
2017-11-17 16:12:042912 將LED用于液晶面板背照燈時，最理想的情況是LED的光譜在紅色、綠色和藍(lán)色三個領(lǐng)域出現(xiàn)發(fā)光強(qiáng)度的峰值。這是因?yàn)長ED的光最終將經(jīng)由液晶面板的彩色濾光片（紅色、綠色、藍(lán)色）輸出到外部。
2017-12-21 11:46:5118297 
過強(qiáng)會引起LED的衰減，電流過弱會影響LED的發(fā)光強(qiáng)度，因此LED的驅(qū)動需要提供恒流電源，以保證大功率LED使用的安全性，同時達(dá)到理想的發(fā)光強(qiáng)度。PT4115具有動態(tài)溫度調(diào)節(jié)的功能，并且可以在此功能的基礎(chǔ)上實(shí)現(xiàn)過溫保護(hù)。
2018-04-03 09:52:4543879 
日前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出新的陶瓷/石英基材的UVC（短波紫外線）發(fā)光二極管---VLMU60CL.。-280-125
2018-05-09 18:02:001899 Vishay針對用于紅外遙控應(yīng)用的TSOP33xxx和TSOP53xxx系列小型Minimold紅外接收器模塊，推出新款側(cè)開金屬支架，擴(kuò)大了其光電子產(chǎn)品組合。Vishay
2018-05-14 11:54:001381 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出新款雙路單刀雙擲/四路單刀雙擲模擬開關(guān)---DG2788A。該開關(guān)在2.7V下的電阻低至
2018-08-03 11:45:001069 據(jù)悉，來自美國國家標(biāo)準(zhǔn)與技術(shù)研究所（NIST）的納米線開發(fā)科學(xué)家成功開發(fā)出了紫外發(fā)光二極管（LED），由于采用了特殊類型的外殼，其發(fā)光強(qiáng)度是基于更簡單外殼的同類LED產(chǎn)生的光強(qiáng)度的五倍。
2019-03-27 14:45:031470 美國國家標(biāo)準(zhǔn)與技術(shù)研究所（NIST）科學(xué)家成功開發(fā)出納米線UV LED，由于采用了特殊類型的外殼，其發(fā)光強(qiáng)度是基于更簡單外殼的同類LED產(chǎn)生的光強(qiáng)度的五倍。
2019-04-01 16:03:054742 Vishay推出新款2020外形尺寸器件---IHLP-2020BZ-5A，擴(kuò)展其汽車級IHLP薄形大電流電感器。Vishay Dale IHLP-2020BZ-5A工作溫度+155 C，高度2mm
2019-05-16 14:26:463855 現(xiàn)有基于環(huán)境亮度實(shí)現(xiàn)自身亮度自動調(diào)節(jié)的燈具，是根據(jù)光傳感器感知局部環(huán)境亮度以簡單的數(shù)字邏輯對燈具的發(fā)光強(qiáng)度進(jìn)行調(diào)整，這種燈具存在亮度調(diào)節(jié)反應(yīng)速度慢，環(huán)境適應(yīng)性差，照明效果不理想等情況。并且現(xiàn)有亮度
2019-05-27 16:33:279313 Vishay 宣布，推出新型短波紫外線（UVC）發(fā)光二極管小型表面貼器件--- VLMU35CL.。
2019-07-17 16:37:311445 按發(fā)光強(qiáng)度和工作電流分 有普通亮度的LED（發(fā)光強(qiáng)度10mcd）；把發(fā)光強(qiáng)度在10——100mcd間的叫高亮度發(fā)光二極管。
2019-10-25 17:15:292166 大功率LED是低電壓、大電流的驅(qū)動器件，其發(fā)光的強(qiáng)度由流過LED的電流決定，電流過強(qiáng)會引起LED的衰減，電流過弱會影響LED的發(fā)光強(qiáng)度，因此，LED的驅(qū)動需要提供恒流電源，以保證大功率LED使用的安全性，同時達(dá)到理想的發(fā)光強(qiáng)度。
2019-09-23 16:30:492012 據(jù)technews報道，韓國科學(xué)技術(shù)高級研究院（KAIST）的研究團(tuán)隊(duì)近日研發(fā)出一款內(nèi)部結(jié)構(gòu)類似爆米花的發(fā)光材料，結(jié)合量子點(diǎn)以及聚合媒介物，發(fā)光強(qiáng)度是傳統(tǒng)純量子點(diǎn)薄膜的21倍，且耐用度提升45%。
2019-11-08 17:12:356129 發(fā)光角度，又稱功率角度，通常我們使用半功率角度，即50%發(fā)光強(qiáng)度的角度記作發(fā)光角度。對于LED燈珠，透鏡的大小、散射劑的多少和支架的傾斜角度等等都影響著燈珠的發(fā)光角度。燈珠的發(fā)光角度影響著LED
2021-11-29 11:14:2511976 
Vishay 推出六款新型 3.4 mm×3.4 mm 表面貼裝 850 nm 和 940 nm 高功率紅外(IR)發(fā)射器，輻照強(qiáng)度達(dá)到同類器件先進(jìn)水平，進(jìn)一步擴(kuò)充其光電產(chǎn)品組合。新款 Vishay
2022-02-21 13:31:352653 
Vishay 推出兩款新型陶瓷/石英基材 UVC(短波紫外線)發(fā)光二極管，用于醫(yī)療、工業(yè)和消費(fèi)電子應(yīng)用殺菌。
2022-09-16 10:50:15753 （1.6mm×0.8mm）LED“CSL1901系列”。 近年來，隨著LED產(chǎn)品的技術(shù)發(fā)展，發(fā)光效率得到飛躍性提升，LED的發(fā)光強(qiáng)度也不斷提高。隨著發(fā)光強(qiáng)度的提高，在一些必須考慮相鄰發(fā)光單元的干擾等問題的應(yīng)用中，設(shè)計(jì)時就需要做出相應(yīng)的調(diào)整，使發(fā)光強(qiáng)度*3和發(fā)光波長
2022-09-25 22:32:12663 
直插式LED的電壓影響著發(fā)光強(qiáng)度，工作電壓越高發(fā)光強(qiáng)度 越高，也可已根據(jù)芯片的材料進(jìn)行類別，不同類別產(chǎn)品發(fā)光電壓不同。
2024-01-13 10:16:222502 外形尺寸為 2.2 mm x 1.3 mm x 1.4 mm，采用先進(jìn)的超亮 InGaN 芯片技術(shù)，典型發(fā)光強(qiáng)度分別達(dá)到 440 mcd 和 2300 mcd，比上一代 PLCC-2 封裝解決方案提高四倍。
2024-04-19 14:24:161806 
Vishay 推出一款采用透明無色引線型塑料封裝的新型 890 nm 高速紅外 ( IR ) 發(fā)光二極管，擴(kuò)充其光電子產(chǎn)品組合。Vishay Semiconductors ?TSHF5211 ?基于表面發(fā)射器芯片技術(shù)，優(yōu)異的 VF 溫度系數(shù)達(dá) -1.0 mV/K，輻照強(qiáng)度和升降時間優(yōu)于前代器件。
2024-07-19 09:22:511353
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