制造商:Vishay
產(chǎn)品種類(lèi):平面電阻器 - 底架安裝
RoHS:
電阻:100 Ohms
功率額定值:800 W
端接類(lèi)型:Solder Pad
長(zhǎng)度:48.26 mm
寬度:26.42 mm
2026-01-05 11:37:39
IRSM836 - 044MA集成功率模塊：小身材大能量，助力家電電機(jī)驅(qū)動(dòng) 在電子工程師的設(shè)計(jì)生涯中，為家電電機(jī)驅(qū)動(dòng)尋找合適的功率模塊是一項(xiàng)關(guān)鍵任務(wù)。今天，我們就來(lái)深入探討國(guó)際整流器公司
2025-12-17 16:20:02
164 W）供電：+12 VDC，靜態(tài)電流 720–1500 mA輸入/輸出：50 Ω 匹配，SMA 母頭無(wú)需外部偏置網(wǎng)絡(luò)：簡(jiǎn)化了系統(tǒng)設(shè)計(jì)，降低了成本。集成功率檢測(cè)與過(guò)壓/過(guò)流保護(hù)：提高了系統(tǒng)的安全性
2025-11-28 09:20:44
Vishay MCB HRHA充電電阻器（用于EV混合繞線技術(shù)）具有高能量/體積比，符合AEC-Q200標(biāo)準(zhǔn)。Vishay MCB HRHA充電電阻器設(shè)計(jì)用于工業(yè)和汽車(chē)電器中的預(yù)充電、放電和有源放電
2025-11-17 10:35:21348 Vishay/Sfernice PEP功率增強(qiáng)型薄膜片式電阻器具有39Ω至900kΩ寬電阻范圍，耐受溫度高達(dá)+250°C。這些電阻器設(shè)計(jì)用于大功率應(yīng)用，具有低噪聲、出色的穩(wěn)定性、低電阻溫度系數(shù)
2025-11-17 10:26:52402 
描述
H8064A 一款寬電壓范圍降壓型 DC-DC 電源管理芯片，內(nèi)部集成功率 MOS 管、使能開(kāi)關(guān)控制、基準(zhǔn)電源、誤差放大器、過(guò)熱保護(hù)、限流保護(hù)、短路保護(hù)等功能，非常適合寬電壓輸入降壓
2025-11-14 18:24:43
Vishay VCNL36828P接近傳感器集成了垂直腔面發(fā)射激光器（VCSEL）、光電二極管和特定應(yīng)用集成電路（ASIC）。Vishay VCNL36828P傳感器設(shè)計(jì)用于需要雙從地址、低功耗
2025-11-14 11:19:00468 
焊接結(jié)構(gòu)和專(zhuān)有處理技術(shù)，可實(shí)現(xiàn)400μΩ至500mΩ的低電阻值。電阻器結(jié)構(gòu)耐硫，不受高硫環(huán)境的影響。WSL2512系列包括高溫和大功率型號(hào)。Vishay/Dale WSL2512電源金屬帶電阻器是所有類(lèi)型電流傳感、脈沖和分壓應(yīng)用的理想選擇。
2025-11-14 10:50:30375 
Vishay/Sfernice RCH功率電阻器設(shè)計(jì)用于安裝到散熱器上，并承受較高的短時(shí)過(guò)載。這些電阻器采用金屬陶瓷厚膜技術(shù)制造，具有出色的特性。RCH功率電阻器為無(wú)電感電阻器，特別適合用于高頻
2025-11-13 15:57:49377 
Vishay Semicductors SiC544 40A VRPower^?^ 集成功率級(jí)專(zhuān)為大電流、高效率和高功率密度同步降壓應(yīng)用而設(shè)計(jì)。Vishay Semiconductors
2025-11-13 15:00:01348 
Vishay VSMA1094750X02大功率紅外發(fā)光二極管是星形產(chǎn)品組合的一部分，設(shè)有波長(zhǎng)為940nm的紅外發(fā)光二極管。Vishay VSMA1094750X02設(shè)計(jì)采用雙堆疊發(fā)射器芯片。該器件
2025-11-13 14:52:00385 Vishay SiRS5700DP N溝道150V（D-S）MOSFET是一款TrenchFET?第五代功率MOSFET，具有非常低的R~DS~ x Q~g~ 品質(zhì)因數(shù)（FOM）。Vishay
2025-11-13 11:21:53430 
Vishay/Dale IFDC-5050HZ屏蔽表面貼裝器件（SMD）功率電感器采用12.3mmx12.3mmx8mm封裝。這些SMD功率電感器采用屏蔽鐵氧體結(jié)構(gòu)，0A時(shí)電感范圍為3.3μH至
2025-11-13 10:19:04391 
Vishay/Dale IFSC-3232DB-01半屏蔽SMD功率電感器采用半屏蔽繞線鐵氧體結(jié)構(gòu)，采用SMD封裝，外形尺寸為8mm x 8mm x 4.2mm。 這些電感器在0A時(shí)的電感為0.9
2025-11-13 09:49:18381 Vishay/Dale IFSC-2020DE-01半屏蔽SMD功率電感器采用半屏蔽繞線鐵氧體結(jié)構(gòu)，采用6mmx6mmx4.5mm SMD封裝。這些半屏蔽電感器在0A時(shí)的電感為1μH至470μH
2025-11-12 16:50:51503 Vishay VLMB2332和VLMTG2332標(biāo)準(zhǔn)SMD MiniLED采用預(yù)成型 封裝，引線框架封裝在明亮的白色熱塑性塑料中。Vishay VLMB2332和VLMTG2332具有2.2mmx1.3mmx1.4mm的緊湊尺寸。迷你LED非常適用于設(shè)計(jì)用于苛刻環(huán)境的小型大功率產(chǎn)品，可靠性高。
2025-11-12 16:32:16516 Vishay/Dale IHLL-1008AB-1Z商用和IHLP-1008ABEZ-5A汽車(chē)用功率電感器采用節(jié)省空間的2.5mmx2mmx1.2mm SMD封裝，直流電阻低至12mΩ（典型值
2025-11-12 14:48:55425 
Vishay/MCB Industrie RAMK/RAME USB編碼器接口是一款設(shè)計(jì)用于Vishay MCB編碼器（AMK和RAME系列，包括霍爾效應(yīng)）的電子板。該接口板只需使用隨附的USB
2025-11-12 11:51:54549 Vishay/Sfernice D2TO35 SMD厚膜功率電阻器符合AEC-Q200標(biāo)準(zhǔn)，+25°C時(shí)的額定功率為35W。此系列無(wú)感電阻器采用表面貼裝TO-263 (D2^^PAK) 型封裝，寬
2025-11-12 10:38:47429 
Vishay/Dale WSLF1206功率金屬條電阻器采用專(zhuān)有生產(chǎn)工藝，產(chǎn)生的電阻值低至0.3mΩ 至3mΩ 。該電阻器由固態(tài)金屬錳銅和鎳鉻鋁合金制成，帶電阻元件。WSLF1206系列具有非常低
2025-11-12 10:08:01378 Vishay/Dale IFSC2020DE-02屏蔽型SMD鐵氧體功率電感器采用表面貼裝封裝，尺寸為6mmx6mmx4.5mm。IFSC2020DE-02電感器采用繞線鐵氧體磁芯，采用嵌入式鐵氧
2025-11-11 15:54:40538 
Vishay/Dale IFSC-2020BZ-01半屏蔽SMD功率電感器采用薄型緊湊設(shè)計(jì)，尺寸為5mmx5mmx2mm。這些表面貼裝電感器效率高，采用半屏蔽鐵氧體結(jié)構(gòu)。Vishay/Dale
2025-11-11 15:42:54585 
Vishay/Dale IFSC1616AH-01屏蔽型SMD鐵氧體功率電感器采用薄型設(shè)計(jì)，采用繞線鐵氧體磁芯，采用鐵嵌入環(huán)氧樹(shù)脂封裝，用于磁屏蔽。該電感器的電感范圍為0.33μH至330μH，采用
2025-11-11 15:36:24416 
Vishay/Dale IMSC1008AZ半屏蔽SMD功率電感器采用薄型封裝，最大尺寸為2.5mmx2mmx1mm。這些表面貼裝電感器采用半屏蔽、金屬基結(jié)構(gòu)，實(shí)現(xiàn)穩(wěn)定的飽和。該系列還具有低磁芯損耗
2025-11-11 15:25:04328 
Vishay/Dale IDCS3014鐵氧體功率電感器采用屏蔽、組裝的鐵氧體結(jié)構(gòu)，封裝尺寸為7.6mmx7.6mmx3.5mm。IDCS3014系列的電感范圍為3.μH至1000μH，電感容差為
2025-11-11 15:05:09391 
Vishay/Dale IFSC2020DZ-01和IFSC3232DB-02功率電感器采用表面貼裝器件（SMD）端接類(lèi)型和5mmx5mmx4mm尺寸封裝。該電感器的電感范圍為0.22μH至10μH
2025-11-11 14:22:19307 
Vishay/BLUETOOTH IHLL-0806AZ-1Z功率電感器可處理高瞬態(tài)電流尖峰而不會(huì)導(dǎo)致 電感飽和。該款電感器采用磁保護(hù)復(fù)合材料制造而成。IHLL-0806AZ-1Z功率電感器采用
2025-11-11 14:12:40358 
Vishay IHV功率電感器是大電流和徑向引線濾波電感器。這些電感器的額定電感高達(dá)200μH，最大直流電流范圍為20A至60A。IHV濾波電感器在空載條件下的工作溫度范圍為-55°C至125°C
2025-11-11 11:23:15469 
Vishay Semicductors SiC674 55A VRPower^?^ 集成功率級(jí)專(zhuān)為同步降壓應(yīng)用而設(shè)計(jì)，可提供大電流、高效率和高功率密度，并將關(guān)斷電流降至最低。Vishay
2025-11-11 10:25:45352 
Vishay Semicductors SiC653A 50A VRPower^?^ 集成功率級(jí)針對(duì)同步降壓應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化，可提供大電流、高效率和高功率密度。Vishay
2025-11-11 10:16:53381 
Vishay ISOA200厚膜功率電阻器是AEC-Q200合規(guī)電阻器，工作溫度范圍為-55°C至+150°C。Vishay ISOA200厚膜功率電阻器具有沒(méi)有外部輻射的冷系統(tǒng)。這些無(wú)感電
2025-11-11 09:36:33388 Vishay SiC658A 50A VRPower ^?^ 集成功率級(jí)具備高效率和出色的散熱性能，非常適合大電流應(yīng)用。Vishay SiC658A憑借先進(jìn)的MOSFET技術(shù)，可確保最佳電源轉(zhuǎn)換并
2025-11-10 11:35:58464 
Vishay/BC Components器件由焊接連接的均質(zhì)陶瓷PTC組成，封裝在UL 94V-0認(rèn)證的PPS-GF外殼中。PTCES系列包括標(biāo)準(zhǔn)240J和高能340J選項(xiàng)，可提供大量的浪涌功率循環(huán)。
2025-11-10 10:38:57361 
驗(yàn)收測(cè)試以及廣泛的規(guī)格范圍。Vishay RNC55電阻器提供350V最大工作電壓、0.5W最大額定功率，以及 ±0.1%、 ±0.5%和 ±1%公差。
2025-11-10 09:23:43394 
Vishay 汽車(chē)0201厚膜片式電阻是e3標(biāo)準(zhǔn)厚膜電阻器，符合汽車(chē)環(huán)境AEC-Q200要求。規(guī)格包括0201尺寸、10Ω 至1MΩ 電阻范圍、0.05W額定耗散功率、30V工作電壓額定值以及-55°至+155°的工作溫度范圍。Vishay汽車(chē)0201厚膜片式電阻適用于汽車(chē)、電信和工業(yè)應(yīng)用。
2025-11-09 17:32:45982 
電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報(bào)道 在全球能源結(jié)構(gòu)加速轉(zhuǎn)型的背景下，儲(chǔ)能系統(tǒng)作為支撐新能源并網(wǎng)與電力調(diào)峰的核心載體，正經(jīng)歷著從功能實(shí)現(xiàn)向高效集成的技術(shù)躍遷。 ? 其中，功率器件集成功率模塊的廣泛應(yīng)用，成為推動(dòng)儲(chǔ)能
2025-10-23 08:26:004444 電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供()高功率 （ 23 dBm） 802.11ax 超線性 WLAN 功率放大器，帶集成功率檢測(cè)器相關(guān)產(chǎn)品參數(shù)、數(shù)據(jù)手冊(cè)，更有高功率 （ 23 dBm） 802.11ax 超線性
2025-10-16 18:32:11
電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供()集成功率檢測(cè)器的高功率 802.11ac WLAN 功率放大器相關(guān)產(chǎn)品參數(shù)、數(shù)據(jù)手冊(cè)，更有集成功率檢測(cè)器的高功率 802.11ac WLAN 功率放大器的引腳圖、接線圖、封裝
2025-10-16 18:31:54
單芯片功率集成電路的數(shù)據(jù)手冊(cè)通常會(huì)規(guī)定兩個(gè)電流限值：最大持續(xù)電流限值和峰值瞬態(tài)電流限值。其中，峰值瞬態(tài)電流受集成功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FET)的限制，而持續(xù)電流限值則受熱性能影響。數(shù)據(jù)手冊(cè)中給出的持續(xù)
2025-10-11 08:35:005166 
電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供()高功率 （ 19 dBm） 802.11ac WLAN 功率放大器，帶集成功率檢測(cè)器相關(guān)產(chǎn)品參數(shù)、數(shù)據(jù)手冊(cè)，更有高功率 （ 19 dBm） 802.11ac WLAN
2025-10-10 18:33:15
電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供()高功率 （ 22 dBm） 802.11ac WLAN 功率放大器，帶集成功率檢測(cè)器相關(guān)產(chǎn)品參數(shù)、數(shù)據(jù)手冊(cè)，更有高功率 （ 22 dBm） 802.11ac WLAN
2025-09-25 18:34:42
的隔離式設(shè)計(jì)中對(duì)單獨(dú)的隔離式電源的需求。如果需要額外功率，Texas Instruments ISOW7721支持多器件鏈接，在系統(tǒng)中使用兩個(gè)器件將集成功率輸出提高到>1W。
2025-09-11 15:36:48743 
Texas Instruments CSD95420RCB降壓NexFET?功率級(jí)經(jīng)過(guò)高度優(yōu)化，用于大功率、高密度同步降壓轉(zhuǎn)換器。該產(chǎn)品集成了驅(qū)動(dòng)器器件和功率MOSFET，可完成功率級(jí)開(kāi)關(guān)功能。該
2025-09-03 14:58:58679 
近日，在由elexcon深圳國(guó)際電子展暨嵌入式展和電子發(fā)燒友網(wǎng)聯(lián)合主辦的“2025半導(dǎo)體市場(chǎng)創(chuàng)新表現(xiàn)獎(jiǎng)”評(píng)選中，ADI集成功率監(jiān)控器的高功率正熱插拔控制器LTC4287榮獲“年度優(yōu)秀模擬芯片產(chǎn)品獎(jiǎng)”
2025-08-29 14:14:191692 Texas Instruments CSD96416同步降壓NexFET?功率級(jí)是高度優(yōu)化的設(shè)計(jì)，用于大功率、高密度同步降壓轉(zhuǎn)換器。該產(chǎn)品集成了驅(qū)動(dòng)器IC和功率MOSFET，可完成功率級(jí)開(kāi)關(guān)功能。該
2025-08-28 13:54:34675 
Texas Instruments CSD95411同步降壓NexFET?功率級(jí)是高度優(yōu)化的設(shè)計(jì)，用于大功率、高密度同步降壓轉(zhuǎn)換器。該器件集成了驅(qū)動(dòng)器IC和功率MOSFET以完成功率級(jí)轉(zhuǎn)換功能。該
2025-08-28 11:00:24678 
H8012A 是一款寬電壓范圍實(shí)地架構(gòu)降壓型 DC-DC 電源管理芯片，具備 100V 高耐壓，支持 2A 輸出，采用自舉供電設(shè)計(jì)，動(dòng)態(tài)負(fù)載性能優(yōu)異。
芯片采用ESOP-8 封裝，內(nèi)部集成功率
2025-08-28 10:28:41
H8012A 是一款寬電壓范圍實(shí)地架構(gòu)降壓型 DC-DC 電源管理芯片，高耐壓100V，支持 2A 輸出，自舉供電，動(dòng)態(tài)負(fù)載良好。采用ESOP-8封裝，內(nèi)部集成功率 MOS 管、使能開(kāi)關(guān)控制、基準(zhǔn)
2025-08-27 16:34:42
達(dá) 15 dB。集成功率檢測(cè)器： 方便監(jiān)測(cè)輸出功率。 CHA6551-99F 不僅擁有
2025-08-27 16:00:51
Texas Instruments CSD96415同步降壓NexFET?功率級(jí)是高度優(yōu)化的設(shè)計(jì)，用于大功率、高密度同步降壓轉(zhuǎn)換器。該產(chǎn)品集成了驅(qū)動(dòng)器IC和功率MOSFET，可完成功率級(jí)開(kāi)關(guān)功能。該
2025-08-27 14:46:48583 
H8064A 是一款寬電壓范圍實(shí)地架構(gòu)降壓型 DC-DC 電源管理芯片，耐壓 60V、支持 4A 大電流輸出，內(nèi)部集成功率 MOS 管、使能開(kāi)關(guān)控制、基準(zhǔn)電源、誤差放大器及過(guò)熱、限流、短路保護(hù)
2025-08-25 11:56:29
H8062A是一款寬電壓范圍降壓型 DC-DC 電源管理芯片，內(nèi)部集成功率 MOS 管、使能開(kāi)關(guān)控制、基準(zhǔn)電源、誤差放大器、過(guò)熱保護(hù)、限流保護(hù)、短路保護(hù)等功能，非常適合寬電壓輸入降壓使用。H8062A帶使能控制，可以大大節(jié)省外圍器件，更加適合電池場(chǎng)合使用，具有很高的方案性?xún)r(jià)比。
2025-08-15 14:14:34
H8000是一款寬電壓范圍降壓型 DC-DC 電源管理芯片，內(nèi)部集成功率 MOS 管、使能開(kāi)關(guān)控制、基準(zhǔn)電源、誤差放大器、過(guò)熱保護(hù)、限流保護(hù)、短路保護(hù)等功能，非常適合寬電壓輸入降壓使用。H8000帶使能控制，可以大大節(jié)省外圍器件，更加適合電池場(chǎng)合使用，具有很高的方案性?xún)r(jià)比。
2025-08-13 16:47:54
Texas Instruments CSD95410 NexFET? 智能功率級(jí)是一種高度優(yōu)化的設(shè)計(jì)，適用于高功率、高密度同步降壓轉(zhuǎn)換器。該產(chǎn)品集成了驅(qū)動(dòng)IC和功率MOSFET來(lái)完成功率級(jí)開(kāi)關(guān)功能
2025-08-12 09:50:36809 
CSD96370Q5M NexFET 功率級(jí)經(jīng)過(guò)優(yōu)化設(shè)計(jì)，適用于高功率、高密度 同步降壓轉(zhuǎn)換器。該產(chǎn)品集成了增強(qiáng)型柵極驅(qū)動(dòng)器IC和電源模塊技術(shù)，以完成功率級(jí)開(kāi)關(guān)功能。這種組合可產(chǎn)生高電流、高效率
2025-08-08 09:48:15835 
CSD97370Q5M NexFET 功率級(jí)是一種優(yōu)化設(shè)計(jì)，適用于高功率、高密度同步降壓轉(zhuǎn)換器。該產(chǎn)品集成了增強(qiáng)型柵極驅(qū)動(dòng)器IC和電源模塊技術(shù)，以完成功率級(jí)開(kāi)關(guān)功能。這種組合可產(chǎn)生高電流、高效率
2025-08-08 09:37:49661 
CSD97370AQ5M NexFET 功率級(jí)經(jīng)過(guò)優(yōu)化設(shè)計(jì)，適用于高功率、高密度 同步降壓轉(zhuǎn)換器。該產(chǎn)品集成了增強(qiáng)型柵極驅(qū)動(dòng)器IC和電源模塊技術(shù)，以完成功率級(jí)開(kāi)關(guān)功能。這種組合可產(chǎn)生高電流、高效率
2025-08-08 09:26:30776 
CSD96371Q5M NexFET 功率級(jí)采用優(yōu)化設(shè)計(jì)，可用于高功率高密度同步降壓轉(zhuǎn)換器。該產(chǎn)品集成了柵極驅(qū)動(dòng)器IC和功率MOSFET，以完成功率級(jí)開(kāi)關(guān)功能。這種組合在小型 5 mm × 6 mm
2025-08-08 09:11:55805 
CSD95372AQ5M NexFET? 功率級(jí)是一個(gè) 高度優(yōu)化的設(shè)計(jì)，適用于高功率、高密度同步降壓轉(zhuǎn)換器。這 產(chǎn)品集成驅(qū)動(dòng)IC和NexFET技術(shù)，完成功率級(jí)開(kāi)關(guān) 功能。驅(qū)動(dòng)IC內(nèi)置可選二極管仿真
2025-08-07 15:40:23845 
CSD95373AQ5M NexFET? 功率級(jí)是一個(gè) 高度優(yōu)化的設(shè)計(jì)，適用于高功率、高密度同步降壓轉(zhuǎn)換器。這 產(chǎn)品集成驅(qū)動(dòng)IC和NexFET技術(shù)，完成功率級(jí)開(kāi)關(guān) 功能。驅(qū)動(dòng)IC內(nèi)置可選二極管仿真
2025-08-07 14:13:21818 
CSD95372BQ5M NexFET? 智能功率級(jí)是一種高度優(yōu)化設(shè)計(jì)，用于高功率、高密度同步降壓轉(zhuǎn)換器。本產(chǎn)品集成了驅(qū)動(dòng) IC 和功率 MOSFET，以完成功率級(jí)開(kāi)關(guān)功能。 這 組合可在小型封裝
2025-08-07 14:06:00842 
CSD95378BQ5M NexFET? 智能功率級(jí)是一種高度優(yōu)化的設(shè)計(jì)，適用于高功率、高密度同步降壓轉(zhuǎn)換器。該產(chǎn)品集成了驅(qū)動(dòng)IC和功率MOSFET，以完成功率級(jí)開(kāi)關(guān)功能。這種組合在小型
5 mm
2025-08-07 14:00:27884 
CSD95372BQ5MC NexFET? 智能功率級(jí)是一款高度 優(yōu)化設(shè)計(jì)，適用于高功率、高密度同步降壓轉(zhuǎn)換器。本產(chǎn)品 集成驅(qū)動(dòng)IC和功率MOSFET，完成功率級(jí)開(kāi)關(guān)功能。這 組合可在小范圍內(nèi)產(chǎn)生
2025-08-07 13:53:44786 
CSD95378BQ5MC NexFET? 智能功率級(jí)是一種高度優(yōu)化的設(shè)計(jì)，適用于高功率、高密度同步降壓轉(zhuǎn)換器。該產(chǎn)品集成了驅(qū)動(dòng) IC 和功率 MOSFET，以完成功率級(jí)開(kāi)關(guān)功能。這種組合在小型 5
2025-08-07 13:49:26784 
CSD95373BQ5M NexFET? 智能功率級(jí)是一種高度優(yōu)化的設(shè)計(jì)，適用于高功率、高密度同步降壓轉(zhuǎn)換器。該產(chǎn)品集成了驅(qū)動(dòng)IC和功率MOSFET，以完成功率級(jí)開(kāi)關(guān)功能。這種組合在小型 5 mm
2025-08-07 13:44:07882 
CSD95377Q4M NexFET? 功率級(jí)是一種高度優(yōu)化的設(shè)計(jì)，適用于高功率、高密度同步降壓轉(zhuǎn)換器。該產(chǎn)品集成了驅(qū)動(dòng)IC和功率MOSFET，以完成功率級(jí)開(kāi)關(guān)功能。驅(qū)動(dòng)IC內(nèi)置可選二極管仿真功能
2025-08-07 10:54:14845 
CSD95472Q5MC NexFET? 智能功率級(jí)是一款高度 優(yōu)化設(shè)計(jì)，適用于高功率、高密度同步降壓轉(zhuǎn)換器。本產(chǎn)品 集成驅(qū)動(dòng)IC和功率MOSFET，完成功率級(jí)開(kāi)關(guān)功能。這 組合可在小范圍內(nèi)產(chǎn)生
2025-08-07 10:33:41831 
CSD96497 NexFET? 功率級(jí)是一種高度優(yōu)化的設(shè)計(jì)，適用于高功率、高密度同步降壓轉(zhuǎn)換器。該產(chǎn)品集成了驅(qū)動(dòng)IC和功率MOSFET，以完成功率級(jí)開(kāi)關(guān)功能。這種組合在小型 5 mm × 6 mm
2025-08-07 10:19:06876 
CSD95410NexFET? 功率級(jí)是一種高度優(yōu)化的設(shè)計(jì)，適用于高功率、高密度同步降壓轉(zhuǎn)換器。該產(chǎn)品集成了驅(qū)動(dòng)IC和功率MOSFET，以完成功率級(jí)開(kāi)關(guān)功能。這種組合在小型 5 mm × 6 mm
2025-08-07 09:54:52863 
CSD95420RCBNexFET? 功率級(jí)針對(duì)高功率、高密度同步降壓轉(zhuǎn)換器進(jìn)行了高度優(yōu)化。該產(chǎn)品集成了驅(qū)動(dòng)器件和功率 MOSFET，以完成功率級(jí)開(kāi)關(guān)功能。這種組合在 4 mm × 5 mm 的小型
2025-08-07 09:48:00839 
CSD96415RWJ NexFET? 功率級(jí)是一種高度優(yōu)化的設(shè)計(jì)，適用于高功率、高密度同步降壓轉(zhuǎn)換器。該產(chǎn)品集成了驅(qū)動(dòng)器件和功率 MOSFET，以完成功率級(jí)開(kāi)關(guān)功能。這種組合在 5 mm × 6
2025-08-07 09:40:33834 
CSD96416 NexFET? 功率級(jí)是一種高度優(yōu)化的設(shè)計(jì)，適用于高功率、高密度同步降壓轉(zhuǎn)換器。該產(chǎn)品集成了驅(qū)動(dòng)器和功率MOSFET，以完成功率級(jí)開(kāi)關(guān)功能。這種組合在小型 5 mm × 6 mm
2025-08-07 09:33:14809 
CSD95411 NexFET? 功率級(jí)是一種高度優(yōu)化的設(shè)計(jì)，可與高功率、高密度同步降壓轉(zhuǎn)換器配合使用。該器件集成了驅(qū)動(dòng)IC和功率MOSFET，以完成功率級(jí)開(kāi)關(guān)功能。這種組合在小型 5 mm × 6
2025-08-07 09:21:11907 
之際，晶豐明源推出革新Smart DrMOS智能集成功率器件芯片，在高效率、高密度與智能化電源管理領(lǐng)域取得關(guān)鍵性突破，憑借其全集成設(shè)計(jì)、卓越的高性能表現(xiàn)以及低靜態(tài)功耗等核心優(yōu)勢(shì)，顯著提升了系統(tǒng)能效，為核心處理器打造了高效可靠的電源管理系統(tǒng)。
2025-06-10 09:22:521476 
你知道嗎？把設(shè)計(jì)好的芯片圖紙變成實(shí)物，這個(gè)關(guān)鍵步驟叫“流片”。但最近行業(yè)曝出一個(gè)驚人數(shù)據(jù)：2025年，芯片第一次流片的成功率只有14%！相比兩年前的24%，幾乎“腰斬”。這背后，作為深耕分立器件封測(cè)
2025-06-03 17:50:22850 近日，索尼（中國(guó)）有限公司正式發(fā)布新款雙芯超旗艦頭戴降噪耳機(jī)——WH-1000XM6。
2025-05-20 09:47:351797 AT2401C高度集成射頻前端芯片，支持2.4GHz頻段，集成功率放大器和低噪聲放大器等模塊，適用于智能家居、工業(yè)傳感和醫(yī)療設(shè)備，具備低功耗、高性能和抗干擾特性，助力快速開(kāi)發(fā)與成本優(yōu)化。"
2025-04-24 17:48:501278 新聞亮點(diǎn)： ·新款發(fā)布的具有電源路徑保護(hù)功能的 48V 集成式熱插拔電子保險(xiǎn)絲簡(jiǎn)化了數(shù)據(jù)中心設(shè)計(jì)，助力設(shè)計(jì)人員達(dá)到 6kW 以上的功率水平。 ·新型集成式氮化鎵 (GaN) 功率級(jí)采用行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)
2025-04-09 14:38:46516 
近日，2025三星家電新品發(fā)布會(huì)成功舉行，煥新推出2025 Neo QLED 8K/4K、OLED與新款The Frame畫(huà)壁藝術(shù)電視，以及AI神系列生活家電、顯示器旗艦新品等全系生態(tài)產(chǎn)品。三星以
2025-03-25 14:42:281160 HMC8142是一款集成溫度補(bǔ)償片內(nèi)功率檢波器的E頻段砷化鎵(GaAs)、假晶(pHEMT)、單芯片微波集成電路(MMIC)、中等功率放大器，工作頻率范圍為81 GHz至86 GHz
2025-03-12 14:55:50902 
HMC7543是一款集成式E波段的砷化鎵(GaAs)、假晶(pHEMT)、單芯片微波集成電路(MMIC)中等功率放大器，集成溫度補(bǔ)償型片上功率檢波器，工作頻率范圍為71 GHz至76 GHz
2025-03-12 14:42:351052 
HMC952ALP5GE是一款集成溫度補(bǔ)償片內(nèi)功率檢波器的四級(jí)GaAs pHEMT MMIC中等功率放大器，工作頻率范圍為8至14 GHz。該放大器提供32 dB增益，+34.5 dBm飽和輸出功率
2025-03-12 10:53:17864 
HMC7229CHIPS是一款集成溫度補(bǔ)償片內(nèi)功率檢波器的四級(jí)、砷化鎵(GaAs)、假晶高電子遷移率(pHEMT)、單芯片微波集成電路(MMIC)、1 W功率放大器，工作頻率范圍為33 GHz至40
2025-03-12 09:38:47852 
服務(wù)成功率：指用戶(hù)所請(qǐng)求的服務(wù)成功完成的幾率。
2025-02-13 09:55:271453 
蘋(píng)果公司即將迎來(lái)其智能手機(jī)產(chǎn)品線的新成員——新款iPhone SE。據(jù)消息透露，這款新設(shè)備最早將于下周在蘋(píng)果官方網(wǎng)站上發(fā)布，并計(jì)劃在本月晚些時(shí)候正式上市銷(xiāo)售。
2025-02-08 16:52:271503 HMC7543是一款集成式E波段的砷化鎵(GaAs)、假晶(pHEMT)、單芯片微波集成電路(MMIC)中等功率放大器，集成溫度補(bǔ)償型片上功率檢波器，工作頻率范圍為71 GHz至76 GHz
2025-02-07 10:56:11
一、光敏電阻的工作原理 光敏電阻，又稱(chēng)光導(dǎo)管，是一種基于光電效應(yīng)的電子元件，其工作原理是利用光敏材料對(duì)光的敏感性來(lái)改變其電阻值。光敏電阻通常由一塊半導(dǎo)體材料制成，例如硫化鎘（CdS）或硒化鎘
2025-01-31 16:21:003489 的功率輸出和更優(yōu)的音質(zhì)表現(xiàn)。本文將深入探討功放變壓器換成功率更大的可行性、具體更換步驟以及需要注意的事項(xiàng)，旨在為相關(guān)領(lǐng)域的工程師和愛(ài)好者提供有價(jià)值的參考。
2025-01-29 16:37:0033391 Flex Power Modules推出了BMR510兩相集成功率級(jí)模塊的升級(jí)版本。新款BMR5101041/002不僅提升了效率，還將峰值電流從140A增加至160A，而且還包含了528μF板載
2025-01-24 14:42:411095 XS2100S 為用電設(shè)備(PD)提供符合以太網(wǎng)供電(PoE)系統(tǒng) IEEE802.3af/at 標(biāo)準(zhǔn)的完整接口。XS2100S為 PD 提供檢測(cè)信號(hào)、分級(jí)信號(hào)以及帶有浪涌電流控制的集成隔離功率開(kāi)關(guān)
2025-01-23 16:17:221244 
型的光敏電阻 硫化鎘（CdS）光敏電阻 優(yōu)點(diǎn) ： 靈敏度高，對(duì)可見(jiàn)光和近紅外光有良好的響應(yīng)。 價(jià)格相對(duì)便宜，適合大規(guī)模生產(chǎn)。 體積小，易于集成到各種設(shè)備中。 缺點(diǎn) ： 穩(wěn)定性較差，長(zhǎng)時(shí)間暴露在光照下可能會(huì)發(fā)生性能退化。 對(duì)溫度變化敏感，需
2025-01-13 09:43:352103 光敏電阻的安裝方法 1. 選擇合適的光敏電阻 在安裝光敏電阻之前，首先要根據(jù)應(yīng)用需求選擇合適的光敏電阻。不同的光敏電阻對(duì)不同波長(zhǎng)的光有不同的響應(yīng)，因此需要根據(jù)具體應(yīng)用場(chǎng)景選擇合適的光敏電阻。 2.
2025-01-13 09:41:192565 測(cè)試光敏電阻的性能是一個(gè)系統(tǒng)而細(xì)致的過(guò)程，涉及多個(gè)方面的參數(shù)測(cè)量與評(píng)估。以下是對(duì)光敏電阻性能測(cè)試的詳細(xì)步驟和方法： 一、基礎(chǔ)測(cè)試 暗阻檢測(cè) ：在無(wú)光照條件下測(cè)量光敏電阻的阻值。這通常使用萬(wàn)用表進(jìn)行
2025-01-13 09:34:133208 光敏電阻在環(huán)境監(jiān)測(cè)中具有廣泛的應(yīng)用，主要得益于其能夠?qū)⒐庹諒?qiáng)度轉(zhuǎn)化為電阻值變化的特性。以下是對(duì)光敏電阻在環(huán)境監(jiān)測(cè)中應(yīng)用的介紹： 一、光敏電阻的工作原理 光敏電阻是一種基于內(nèi)光電效應(yīng)的半導(dǎo)體元件，其
2025-01-13 09:31:371849 1. 引言 在現(xiàn)代電子技術(shù)中，傳感器扮演著至關(guān)重要的角色。它們能夠?qū)⑽锢砹哭D(zhuǎn)換為電信號(hào)，從而實(shí)現(xiàn)對(duì)環(huán)境的監(jiān)測(cè)和控制。光敏電阻和電壓傳感器是兩種常見(jiàn)的傳感器，它們各自在不同的應(yīng)用場(chǎng)景中發(fā)
2025-01-13 09:19:571280 在現(xiàn)代工業(yè)自動(dòng)化和控制系統(tǒng)中，傳感器技術(shù)扮演著至關(guān)重要的角色。光敏電阻作為一種經(jīng)濟(jì)且響應(yīng)迅速的光電傳感器，被廣泛應(yīng)用于各種工業(yè)控制場(chǎng)景中。 光敏電阻的定義 光敏電阻是一種電阻值隨入射光強(qiáng)度變化而變化
2025-01-13 09:18:381639 隨著科技的發(fā)展，LED照明因其高效節(jié)能、壽命長(zhǎng)、環(huán)保等優(yōu)點(diǎn)被廣泛應(yīng)用于各種場(chǎng)合。光敏電阻作為感光元件，其在LED照明系統(tǒng)中扮演著重要角色，能夠?qū)崿F(xiàn)自動(dòng)調(diào)光、節(jié)能和提高照明質(zhì)量等功能。 光敏
2025-01-13 09:17:172116 光敏電阻是一種光電傳感器，其電阻值會(huì)隨著光照強(qiáng)度的變化而變化。它們廣泛應(yīng)用于自動(dòng)控制、光強(qiáng)度測(cè)量、光通信等領(lǐng)域。選擇合適的光敏電阻對(duì)于確保系統(tǒng)性能至關(guān)重要。 1. 光敏電阻的工作原理 光敏電阻主要
2025-01-10 18:11:042350 近日，優(yōu)恩半導(dǎo)體(UNSEMI)成功研發(fā)并推出了其最新款固態(tài)繼電器——UNRD0610。這款固態(tài)繼電器集成了浪涌保護(hù)功能，為電路安全提供了更為可靠的保障。 UNRD0610固態(tài)繼電器采用了先進(jìn)
2025-01-08 14:12:551094 由于傳統(tǒng)插件機(jī)引腳歪斜，導(dǎo)致拋料率高，減低插件成功率，提高了拋料率。環(huán)球儀器的Omni 插件機(jī)，則采用兩項(xiàng)技術(shù)，提高插件成功率，減低拋料率。
2025-01-07 09:12:421549 
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