在7納米、3納米等先進(jìn)芯片制造中，光刻機(jī)0.1納米級(jí)的曝光精度離不開(kāi)高精度石英壓力傳感器的支撐，其作為“隱形功臣”，是保障工藝穩(wěn)定、設(shè)備安全與產(chǎn)品良率的核心部件。本文聚焦石英壓力傳感器在光刻機(jī)中
2025-12-12 13:02:26
424 電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報(bào)道 最新消息顯示，臺(tái)積電正加速推進(jìn)其全球2納米制程產(chǎn)能布局，計(jì)劃在臺(tái)灣南部科學(xué)園區(qū)周邊增建三座2納米晶圓廠，以應(yīng)對(duì)全球AI芯片需求激增的市場(chǎng)態(tài)勢(shì)。此次新增投資總額約9000億元
2025-11-26 08:33:007669 納米技術(shù)的發(fā)展催生了從超光滑表面到復(fù)雜納米結(jié)構(gòu)表面的制備需求，這些表面的精確測(cè)量對(duì)質(zhì)量控制至關(guān)重要。然而，當(dāng)前納米尺度表面測(cè)量技術(shù)面臨顯著挑戰(zhàn)：原子力顯微鏡（AFM）測(cè)量速度慢、掃描面積有限；掃描
2025-11-24 18:02:362478 
在微觀尺度下，每一次納米級(jí)的移動(dòng)，都可能牽動(dòng)著一次技術(shù)突破。無(wú)論是修復(fù)微小的LED芯片，還是操控探針進(jìn)行納米級(jí)的定位，都需要一套能于方寸之間施展精準(zhǔn)控制的運(yùn)動(dòng)系統(tǒng)。芯明天N11系列壓電馬達(dá)位移臺(tái)
2025-11-06 10:36:49254 
聚焦離子束技術(shù)的崛起在納米科技蓬勃發(fā)展的浪潮中，納米尺度制造業(yè)正以前所未有的速度崛起，而納米加工技術(shù)則是這一領(lǐng)域的心臟。聚焦離子束（FocusedIonBeam，F(xiàn)IB）作為納米加工的代表性方法
2025-10-29 14:29:37251 
電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報(bào)道 近日，我國(guó)半導(dǎo)體材料領(lǐng)域迎來(lái)重大突破。北京大學(xué)化學(xué)與分子工程學(xué)院彭海琳教授團(tuán)隊(duì)及合作者通過(guò)冷凍電子斷層掃描技術(shù)，首次在原位狀態(tài)下解析了光刻膠分子在液相環(huán)境中的微觀三維結(jié)構(gòu)、界面
2025-10-27 09:13:046178 
光刻與刻蝕是納米級(jí)圖形轉(zhuǎn)移的兩大核心工藝，其分辨率、精度與一致性共同決定器件性能與良率上限。
2025-10-24 13:49:061668 
光子源的理想基質(zhì)。 想要在六方氮化硼中實(shí)現(xiàn)單光子源的高精度制備、穩(wěn)定篩選與性能調(diào)控，始終繞不開(kāi)微觀尺度精準(zhǔn)操控這一核心需求。芯明天壓電納米定位臺(tái)正是這一研究過(guò)程中的關(guān)鍵設(shè)備，為實(shí)驗(yàn)提供了穩(wěn)定、高精度的定位與掃
2025-10-23 10:21:58189 
臺(tái)積電2nm 制程試產(chǎn)成功 近日，晶圓代工龍頭臺(tái)積電（TSMC）正式宣布其2納米制程技術(shù)試產(chǎn)成功，這一重大里程碑標(biāo)志著全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)正式邁入全新的制程時(shí)代。隨著試產(chǎn)工作的順利推進(jìn)，2納米芯片距離量產(chǎn)
2025-10-16 15:48:271089 在精密制造與科研領(lǐng)域，納米級(jí)的定位精度往往是決定成敗的關(guān)鍵。為了滿足大行程與高精度的平衡需求，芯明天推出全新P15.XY1000壓電納米定位臺(tái)，在繼承P15系列卓越性能的基礎(chǔ)上，將單軸行程提升
2025-10-16 15:47:31270 
1. 數(shù)據(jù)中臺(tái)是一套解決方案 在數(shù)聚股份看來(lái)，數(shù)據(jù)中臺(tái)是一套可持續(xù)“讓企業(yè)數(shù)據(jù)用起來(lái)”的機(jī)制，是一套解決方案，不僅是一個(gè)平臺(tái)。讓數(shù)據(jù)更加靈活地支撐前端業(yè)務(wù)，通過(guò)持續(xù)沉淀企業(yè)數(shù)據(jù)復(fù)用能力形成數(shù)據(jù)從采集
2025-10-15 16:04:12224 
的均勻性直接影響光刻工藝中曝光深度、圖形轉(zhuǎn)移精度等關(guān)鍵參數(shù) 。當(dāng)前，如何優(yōu)化玻璃晶圓 TTV 厚度在光刻工藝中的反饋控制，以提高光刻質(zhì)量和生產(chǎn)效率，成為亟待研究的重要
2025-10-09 16:29:24575 
。VT6000微納米形貌測(cè)量共聚焦顯微鏡以共聚焦技術(shù)為原理結(jié)合精密Z向掃描模塊、3D 建模算法等對(duì)器件表面進(jìn)行非接觸式掃描并建立表面3D圖像，通過(guò)系統(tǒng)軟件對(duì)器件表
2025-09-18 14:02:18
中圖儀器納米形貌觀測(cè)掃描電鏡采用的鎢燈絲電子槍，發(fā)射電流大、穩(wěn)定性好，以及對(duì)真空度要求不高。臺(tái)式電鏡無(wú)需占據(jù)大量空間來(lái)容納整個(gè)電鏡系統(tǒng)，這使其甚至能夠出現(xiàn)在用戶日常工作的桌面上，在用戶手邊實(shí)時(shí)呈現(xiàn)
2025-09-17 15:25:48
光刻膠剝離工藝是半導(dǎo)體制造和微納加工中的關(guān)鍵步驟，其核心目標(biāo)是高效、精準(zhǔn)地去除光刻膠而不損傷基底材料或已形成的結(jié)構(gòu)。以下是該工藝的主要類型及實(shí)施要點(diǎn)：濕法剝離技術(shù)有機(jī)溶劑溶解法原理：使用丙酮、NMP
2025-09-17 11:01:271282 
MediaTek 今日宣布，MediaTek 首款采用臺(tái)積電 2 納米制程的旗艦系統(tǒng)單芯片（SoC）已成功完成設(shè)計(jì)流片（Tape out），成為首批采用該技術(shù)的公司之一，并預(yù)計(jì)明年底進(jìn)入量產(chǎn)。雙方
2025-09-16 16:40:31978 引言 晶圓光刻圖形是半導(dǎo)體制造中通過(guò)光刻工藝形成的微米至納米級(jí)三維結(jié)構(gòu)（如光刻膠線條、接觸孔、柵極圖形等），其線寬、高度、邊緣粗糙度等參數(shù)直接決定后續(xù)蝕刻、沉積工藝的精度，進(jìn)而影響器件性能。傳統(tǒng)
2025-09-03 09:25:20648 
PLR3000納米級(jí)精度激光尺是新一代高精度位置檢測(cè)設(shè)備，基于激光干涉測(cè)量原理，專為超精密加工、微電子制造、光刻技術(shù)、航空航天等高要求領(lǐng)域設(shè)計(jì)。 PLR3000系列0.02ppm穩(wěn)頻精度
2025-09-01 16:21:01
*附件：ATA-P2010單頁(yè)手冊(cè)V2.0.pdf
帶寬：（-3dB）DC~20kHz
電壓范圍：-20V~130V
電流：10Ap
功率：1300Wp
壓擺率：≥11.5V/μs
應(yīng)用：壓電疊堆、壓電偏轉(zhuǎn)鏡、納米定位臺(tái)、壓點(diǎn)電機(jī)、壓電馬達(dá)、壓電點(diǎn)膠閥、光纖拉伸
2025-08-29 18:22:05
*附件：ATA-P1005單頁(yè)手冊(cè)V2.0.pdf
帶寬：（-3dB）DC~10kHz
電壓范圍：0V~150V
電流：5Ap
功率：750Wp
壓擺率：≥6.7V/μs
應(yīng)用：壓電疊堆、壓電偏轉(zhuǎn)鏡、納米定位臺(tái)、壓點(diǎn)電機(jī)、壓電馬達(dá)、壓電點(diǎn)膠閥、光纖拉伸
2025-08-29 18:20:14
*附件：ATA-P0102單頁(yè)手冊(cè)V2.0.pdf
帶寬：（-3dB）DC~1kHz
電壓范圍：0V~150V
電流：2.5Ap
功率：375Wp
壓擺率：≥0.67V/μs
應(yīng)用：壓電疊堆、壓電偏轉(zhuǎn)鏡、納米定位臺(tái)、壓點(diǎn)電機(jī)、壓電馬達(dá)、壓電點(diǎn)膠閥、光纖拉伸
2025-08-29 18:19:32
的挑戰(zhàn)。壓電納米技術(shù)的突破性應(yīng)用，正在為光纖開(kāi)關(guān)帶來(lái)革命性的變革。 一、光纖開(kāi)關(guān)：光通信的智能指揮家 光纖開(kāi)關(guān)是一種在光纖通信、光網(wǎng)絡(luò)或光測(cè)試系統(tǒng)中，用于準(zhǔn)確、快速控制光信號(hào)路徑切換、通斷或路由的器件。光纖開(kāi)關(guān)直
2025-08-28 09:41:38345 
在納米技術(shù)、生物工程、半導(dǎo)體制造和光學(xué)精密測(cè)量等領(lǐng)域，移動(dòng)和定位的精度要求已經(jīng)進(jìn)入了納米（十億分之一米）尺度。在這個(gè)尺度下，傳統(tǒng)電機(jī)和絲杠的摩擦、空回、熱膨脹等誤差被無(wú)限放大，變得完全不可用。而壓電
2025-08-27 09:01:49476 在芯片制造領(lǐng)域的光刻工藝中，光刻膠旋涂是不可或缺的基石環(huán)節(jié)，而保障光刻膠旋涂的厚度是電路圖案精度的前提。優(yōu)可測(cè)薄膜厚度測(cè)量?jī)xAF系列憑借高精度、高速度的特點(diǎn)，為光刻膠厚度監(jiān)測(cè)提供了可靠解決方案。
2025-08-22 17:52:461542 
CEM3000中圖掃描顯微電鏡憑借空間分辨率出色和易用性強(qiáng)，用戶能夠非?？旖莸剡M(jìn)行各項(xiàng)操作。甚至在自動(dòng)程序的幫助下，無(wú)需過(guò)多人工調(diào)節(jié)，便可一鍵得到理想的拍攝圖片。CEM3000臺(tái)式掃描電鏡無(wú)需占據(jù)
2025-08-19 14:25:32
效率卓越。標(biāo)配的高精度激光干涉樣品臺(tái)能夠滿足大行程高精度拼接和套刻需求，為復(fù)雜實(shí)驗(yàn)和生產(chǎn)任務(wù)提供可靠支持。其核心優(yōu)勢(shì)在于卓越的成像能力和靈活的掃描模式，可實(shí)現(xiàn)多種
2025-08-15 15:14:01
澤攸科技ZML10A是一款創(chuàng)新的桌面級(jí)無(wú)掩膜光刻設(shè)備，專為高效、精準(zhǔn)的微納加工需求設(shè)計(jì)。該設(shè)備采用高功率、高均勻度的LED光源，并結(jié)合先進(jìn)的DLP技術(shù)，實(shí)現(xiàn)了黃光或綠光引導(dǎo)曝光功能，真正做到
2025-08-15 15:11:55
電子束光刻（EBL）是一種無(wú)需掩模的直接寫入式光刻技術(shù)，其工作原理是通過(guò)聚焦電子束在電子敏感光刻膠表面進(jìn)行納米級(jí)圖案直寫。
2025-08-14 10:07:212552 
高精度壓電納米位移臺(tái)：AFM顯微鏡的精密導(dǎo)航系統(tǒng)為生物納米研究提供終極定位解決方案在原子力顯微鏡（AFM）研究中，您是否常被這些問(wèn)題困擾？→樣品定位耗時(shí)過(guò)長(zhǎng)，錯(cuò)過(guò)關(guān)鍵動(dòng)態(tài)過(guò)程？→掃描圖像漂移失真
2025-08-13 11:08:56924 
? 電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報(bào)道，近日，上海芯上微裝科技股份有限公司（簡(jiǎn)稱：芯上微裝，英文簡(jiǎn)稱：AMIES）第500臺(tái)步進(jìn)光刻機(jī)成功交付，并舉辦了第500臺(tái) 步進(jìn)光刻機(jī) 交付儀式。 ? ? 光刻是半導(dǎo)體器件
2025-08-13 09:41:341988 
，亟需合適的測(cè)量技術(shù)與方法。 二、測(cè)量挑戰(zhàn) 1um 以下的光刻結(jié)構(gòu)與凹槽尺寸極小，傳統(tǒng)測(cè)量方法難以滿足精度要求。一方面，測(cè)量工具的分辨率需達(dá)到亞微米甚至納米級(jí)別；另一方面，測(cè)量過(guò)程中易受外界因素干擾，如環(huán)境振動(dòng)、溫度變化等，且
2025-08-11 09:21:57586 
職期間試圖獲取與2納米芯片開(kāi)發(fā)和生產(chǎn)相關(guān)的關(guān)鍵專有信息。 對(duì)此臺(tái)積電回應(yīng)稱，近期在例行監(jiān)控中“發(fā)現(xiàn)了未經(jīng)授權(quán)的活動(dòng)，繼而察覺(jué)商業(yè)機(jī)密可能遭泄露”。臺(tái)積電8月4日表示，已對(duì)涉事人員采取“嚴(yán)格的紀(jì)律處分，并已啟動(dòng)法律程序”。臺(tái)積
2025-08-06 09:34:301724 光刻工藝是芯片制造的關(guān)鍵步驟，其精度直接決定集成電路的性能與良率。隨著制程邁向3nm及以下，光刻膠圖案三維結(jié)構(gòu)和層間對(duì)準(zhǔn)精度的控制要求達(dá)納米級(jí)，傳統(tǒng)檢測(cè)手段難滿足需求。光子灣3D共聚焦顯微鏡憑借非
2025-08-05 17:46:43944 
與成熟制程市場(chǎng)提供更多設(shè)備產(chǎn)能支持。 據(jù)介紹，這座新工廠是佳能在 2023 年開(kāi)始動(dòng)工建設(shè)的，并可能使用自家開(kāi)發(fā)的 Nanoimprint (納米壓印) 技術(shù)，總投資額超過(guò) 500 億日元，涵蓋廠房與先進(jìn)制造設(shè)備。新廠面積達(dá) 6.75 萬(wàn)平方公尺，投產(chǎn)后將使光刻設(shè)備總產(chǎn)能提
2025-08-04 17:39:28712 流轉(zhuǎn)。這家全球第三大晶圓代工廠，正以每月 3 萬(wàn)片的產(chǎn)能推進(jìn) 7 納米工藝客戶驗(yàn)證，標(biāo)志著中國(guó)大陸在先進(jìn)制程領(lǐng)域的實(shí)質(zhì)性突破。 技術(shù)突圍的底層邏輯 中芯國(guó)際的 7 納米工藝采用自主研發(fā)的 FinFET 架構(gòu)，通過(guò)引入高介電常數(shù)金屬柵極（HKMG）和極紫外光刻（EUV）預(yù)研技術(shù)，將晶體管密
2025-08-04 15:22:2110988 在全球半導(dǎo)體行業(yè)中，先進(jìn)制程技術(shù)的競(jìng)爭(zhēng)愈演愈烈。目前，只有臺(tái)積電、三星和英特爾三家公司能夠進(jìn)入3納米以下的先進(jìn)制程領(lǐng)域。然而，臺(tái)積電憑借其卓越的技術(shù)實(shí)力，已經(jīng)在這一領(lǐng)域占據(jù)了明顯的領(lǐng)先地位，吸引了
2025-07-21 10:02:16756 
在半導(dǎo)體制造流程中，每一塊納米級(jí)芯片的誕生，背后都是一場(chǎng)在原子層面展開(kāi)的極致精密較量。而在這場(chǎng)微觀世界的“精密之戰(zhàn)”中，刻蝕機(jī)堪稱光刻機(jī)的最佳搭檔，二者協(xié)同發(fā)力，推動(dòng)著芯片制造的精密進(jìn)程。它們的性能
2025-07-17 10:00:29605 
厚膠量產(chǎn)到ArF浸沒(méi)式膠驗(yàn)證，從樹(shù)脂國(guó)產(chǎn)化到EUV原料突破，一場(chǎng)靜默卻浩蕩的技術(shù)突圍戰(zhàn)已進(jìn)入深水區(qū)。 ? 例如在248nm波長(zhǎng)的KrF光刻膠武漢太紫微的T150A膠以120nm分辨率和93.7%的良率通過(guò)中芯國(guó)際28nm產(chǎn)線驗(yàn)證，開(kāi)創(chuàng)了國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體光刻制造的新
2025-07-13 07:22:006081 在半導(dǎo)體芯片的制造流程中，探針可以對(duì)芯片進(jìn)行性能檢驗(yàn)；在新材料研發(fā)的實(shí)驗(yàn)室中，探針與樣品表面的納米級(jí)接觸，解鎖材料的電學(xué)、光學(xué)特性；在生物研究室中，探針正在以極快且細(xì)微的運(yùn)動(dòng)對(duì)細(xì)胞進(jìn)行穿透。這些精密
2025-07-10 08:49:29628 
圓進(jìn)行處理，將曝光形成的光刻圖案顯影出來(lái)。整個(gè)流程對(duì)設(shè)備性能要求極高，需要在毫秒級(jí)的時(shí)間內(nèi)完成響應(yīng)，同時(shí)確保納米級(jí)的操作精度，如此才能保證光刻工藝的準(zhǔn)確性與穩(wěn)定性，進(jìn)而保障半導(dǎo)體器件的制造質(zhì)量。 （注：圖片
2025-07-03 09:14:54770 
引言 在半導(dǎo)體制造與微納加工領(lǐng)域，光刻圖形線寬變化直接影響器件性能與集成度。精確控制光刻圖形線寬是保障工藝精度的關(guān)鍵。本文將介紹改善光刻圖形線寬變化的方法，并探討白光干涉儀在光刻圖形測(cè)量中
2025-06-30 15:24:55736 深入探討白光干涉儀在光刻圖形測(cè)量中的應(yīng)用。 改善光刻圖形垂直度的方法 優(yōu)化光刻膠性能 光刻膠的特性直接影響圖形垂直度。選用高對(duì)比度、低膨脹系數(shù)的光刻膠，可減少曝光和顯影過(guò)程中的圖形變形。例如，化學(xué)增幅型光刻膠具有良
2025-06-30 09:59:13489 引言 在晶圓上芯片制造工藝中，光刻膠剝離是承上啟下的關(guān)鍵環(huán)節(jié)，其效果直接影響芯片性能與良率。同時(shí)，光刻圖形的精確測(cè)量是保障工藝精度的重要手段。本文將介紹適用于晶圓芯片工藝的光刻膠剝離方法，并探討白光
2025-06-25 10:19:48815 物的應(yīng)用，并探討白光干涉儀在光刻圖形測(cè)量中的作用。 金屬低蝕刻率光刻膠剝離液組合物 配方組成 金屬低蝕刻率光刻膠剝離液組合物主要由有機(jī)溶劑、堿性助劑、緩蝕體系和添加劑構(gòu)成。有機(jī)溶劑如 N - 甲基 - 2 - 吡咯烷酮（NMP），
2025-06-24 10:58:22565 本文是A. N. BROERS關(guān)于掃描電鏡在微納加工中應(yīng)用的研究回顧，重點(diǎn)記錄了他從1960年代開(kāi)始參與電子束加工技術(shù)開(kāi)發(fā)的歷程。文章詳細(xì)記錄了EBL技術(shù)從概念萌芽到工業(yè)應(yīng)用的完整發(fā)展歷程，為理解現(xiàn)代電子束光刻技術(shù)的原理、局限性和發(fā)展方向提供了寶貴的歷史視角和技術(shù)洞察。
2025-06-20 16:11:001129 
在半導(dǎo)體芯片制造、光學(xué)元件加工以及生物醫(yī)療器件研發(fā)等領(lǐng)域，微納結(jié)構(gòu)的加工精度正朝著原子級(jí)精度不斷邁進(jìn)。傳統(tǒng)光刻技術(shù)由于受到波長(zhǎng)衍射極限的制約，當(dāng)加工尺度進(jìn)入10nm以下時(shí)，不僅面臨著成本急劇上升
2025-06-19 10:05:36767 
在 MEMS（微機(jī)電系統(tǒng)）制造領(lǐng)域，光刻工藝是決定版圖中的圖案能否精確 “印刷” 到硅片上的核心環(huán)節(jié)。光刻 Overlay（套刻精度），則是衡量光刻機(jī)將不同層設(shè)計(jì)圖案對(duì)準(zhǔn)精度的關(guān)鍵指標(biāo)。光刻 Overlay 指的是芯片制造過(guò)程中，前后兩次光刻工藝形成的電路圖案之間的對(duì)準(zhǔn)精度。
2025-06-18 11:30:491557 
引言 在顯示面板制造的 ARRAY 制程工藝中，光刻膠剝離是關(guān)鍵環(huán)節(jié)。銅布線在制程中廣泛應(yīng)用，但傳統(tǒng)光刻膠剝離液易對(duì)銅產(chǎn)生腐蝕，影響器件性能。同時(shí)，光刻圖形的精準(zhǔn)測(cè)量對(duì)確保 ARRAY 制程工藝精度
2025-06-18 09:56:08693 引言 在半導(dǎo)體制造過(guò)程中，光刻膠剝離液是不可或缺的材料。N - 甲基 - 2 - 吡咯烷酮（NMF）雖在光刻膠剝離方面表現(xiàn)出色，但因其高含量使用帶來(lái)的成本、環(huán)保等問(wèn)題備受關(guān)注。同時(shí)，光刻圖形的精準(zhǔn)
2025-06-17 10:01:01678 進(jìn)入過(guò)無(wú)塵間光刻區(qū)的朋友，應(yīng)該都知道光刻區(qū)里用的都是黃燈，這個(gè)看似很簡(jiǎn)單的問(wèn)題的背后卻蘊(yùn)含了很多鮮為人知的道理，那為什么實(shí)驗(yàn)室光刻要用黃光呢？ 光刻是微流控芯片制造中的重要工藝之一。簡(jiǎn)單來(lái)說(shuō)，它是
2025-06-16 14:36:251070 介紹白光干涉儀在光刻圖形測(cè)量中的作用。 金屬低刻蝕的光刻膠剝離液 配方設(shè)計(jì) 金屬低刻蝕光刻膠剝離液需平衡光刻膠溶解能力與金屬保護(hù)性能。其核心成分包括有機(jī)溶劑、堿性物質(zhì)和緩蝕劑。有機(jī)溶劑（如 N - 甲基吡咯烷酮）負(fù)責(zé)溶
2025-06-16 09:31:51586 干涉儀在光刻圖形測(cè)量中的應(yīng)用。 ? 減少光刻膠剝離工藝對(duì)器件性能影響的方法 ? 優(yōu)化光刻膠材料選擇 ? 選擇與半導(dǎo)體襯底兼容性良好的光刻膠材料，可增強(qiáng)光刻膠與襯底的粘附力，減少剝離時(shí)對(duì)襯底的損傷風(fēng)險(xiǎn)。例如，針對(duì)特定的硅基襯
2025-06-14 09:42:56736 中圖儀器納米級(jí)表面形貌臺(tái)階儀單拱龍門式設(shè)計(jì)，結(jié)構(gòu)穩(wěn)定性好，而且降低了周圍環(huán)境中聲音和震動(dòng)噪音對(duì)測(cè)量信號(hào)的影響，提高了測(cè)量精度。線性可變差動(dòng)電容傳感器（LVDC），具有亞埃級(jí)分辨率，13μm量程下可達(dá)
2025-06-10 16:30:17
的基礎(chǔ)，直接決定了這些技術(shù)的發(fā)展水平。 二、顯影在光刻工藝中的位置與作用 位置：顯影是光刻工藝中的一個(gè)重要步驟，在曝光之后進(jìn)行。 作用：其作用是將曝光產(chǎn)生的潛在圖形，通過(guò)顯影液作用顯現(xiàn)出來(lái)。具體而言，是洗去光刻
2025-06-09 15:51:162127 在量子計(jì)算、生物傳感、精密測(cè)量等前沿領(lǐng)域，金剛石中的氮-空位（NV）色心正成為顛覆性技術(shù)的核心材料，其獨(dú)特的量子特性為科技突破提供了無(wú)限可能，更因其卓越的性質(zhì)和廣泛的應(yīng)用而成為納米級(jí)研究的有力工具
2025-06-05 09:30:54990 
引言 在半導(dǎo)體制造與微納加工領(lǐng)域，光刻膠剝離液是光刻膠剝離環(huán)節(jié)的核心材料，其性能優(yōu)劣直接影響光刻膠去除效果與基片質(zhì)量。同時(shí)，精準(zhǔn)測(cè)量光刻圖形對(duì)把控工藝質(zhì)量意義重大，白光干涉儀為此提供了有力的技術(shù)保障
2025-05-29 09:38:531103 
在芯片制造中，光刻技術(shù)在硅片上刻出納米級(jí)的電路圖案。然而，當(dāng)制程進(jìn)入7納米以下，傳統(tǒng)光刻的分辨率已逼近物理極限。這時(shí)， 自對(duì)準(zhǔn)雙重圖案化（SADP） 的技術(shù)登上舞臺(tái)， 氧化物間隔層切割掩膜 ，確保數(shù)十億晶體管的精確成型。
2025-05-28 16:45:031425 
近期，臺(tái)積電(TSMC)執(zhí)行副總經(jīng)理暨共同營(yíng)運(yùn)長(zhǎng)秦永沛在一次公開(kāi)活動(dòng)中表示，公司的2納米制程研發(fā)進(jìn)展順利，未來(lái)將進(jìn)一步推動(dòng)技術(shù)創(chuàng)新與市場(chǎng)需求的匹配。為了實(shí)現(xiàn)這一目標(biāo)，臺(tái)積電計(jì)劃對(duì)位于高雄的晶圓22廠
2025-05-27 11:18:06855 
中圖納米成像掃描電鏡無(wú)需占據(jù)大量空間來(lái)容納整個(gè)電鏡系統(tǒng)，這使其甚至能夠出現(xiàn)在用戶日常工作的桌面上，在用戶手邊實(shí)時(shí)呈現(xiàn)所得結(jié)果。此外，該系列臺(tái)式電鏡也可以進(jìn)入手套箱、車廂還是潛水器等狹小空間內(nèi)大顯身手
2025-05-23 14:31:58
傳統(tǒng)顯微鏡受限于可見(jiàn)光波長(zhǎng)，放大極限止步于200納米。而掃描電鏡利用高能電子束作為"探針"，通過(guò)電磁透鏡操控電子軌跡，突破衍射極限，分辨率可達(dá)1納米以下。
2025-05-23 14:22:24616 
超聲波指紋模組靈敏度飛升！低溫納米燒結(jié)銀漿立大功
在科技飛速發(fā)展的今天，指紋識(shí)別技術(shù)已經(jīng)成為我們生活中不可或缺的一部分，宛如一位忠誠(chéng)的安全小衛(wèi)士，時(shí)刻守護(hù)著我們的信息與財(cái)產(chǎn)安全。當(dāng)你早上睡眼惺忪
2025-05-22 10:26:27
定向自組裝光刻技術(shù)通過(guò)材料科學(xué)與自組裝工藝的深度融合，正在重構(gòu)納米制造的工藝組成。主要內(nèi)容包含圖形結(jié)構(gòu)外延法、化學(xué)外延法及圖形轉(zhuǎn)移技術(shù)。
2025-05-21 15:24:251948 
產(chǎn)品簡(jiǎn)介CEM3000系列中圖儀器臺(tái)式掃描電鏡儀器是一款用于對(duì)樣品進(jìn)行微觀尺度形貌觀測(cè)和分析的緊湊型設(shè)備。不同于立式電鏡，CEM3000系列臺(tái)式掃描電鏡無(wú)需占據(jù)大量空間來(lái)容納整個(gè)電鏡系統(tǒng)，這使
2025-05-21 14:27:34
CEM3000系列中圖儀器掃描電鏡設(shè)備用于對(duì)樣品進(jìn)行微觀尺度形貌觀測(cè)和分析。無(wú)需占據(jù)大量空間來(lái)容納整個(gè)電鏡系統(tǒng)，這使其甚至能夠出現(xiàn)在用戶日常工作的桌面上，在用戶手邊實(shí)時(shí)呈現(xiàn)所得結(jié)果。在工業(yè)領(lǐng)域展現(xiàn)出
2025-05-19 10:37:20
中圖儀器NS系列納米級(jí)臺(tái)階儀線性可變差動(dòng)電容傳感器（LVDC），具有亞埃級(jí)分辨率，13μm量程下可達(dá)0.01埃。高信噪比和低線性誤差，使得產(chǎn)品能掃描到幾納米至幾百微米臺(tái)階的形貌特征。 NS
2025-05-15 14:41:51
CEM3000系列中圖國(guó)產(chǎn)鎢燈絲掃描電鏡用于對(duì)樣品進(jìn)行微觀尺度形貌觀測(cè)和分析。采用的鎢燈絲電子槍控制相對(duì)簡(jiǎn)單，操作容易上手，不需要專業(yè)的、長(zhǎng)時(shí)間的培訓(xùn)即可掌握其基本操作技能，適合廣大用戶使用，尤其是
2025-05-14 14:02:03
隨著極紫外光刻（EUV）技術(shù)面臨光源功率和掩模缺陷挑戰(zhàn)，X射線光刻技術(shù)憑借其固有優(yōu)勢(shì)，在特定領(lǐng)域正形成差異化競(jìng)爭(zhēng)格局。
2025-05-09 10:08:491370 
電子直寫光刻機(jī)駐極體圓筒聚焦電極
隨著科技進(jìn)步，對(duì)電子顯微鏡的精度要求越來(lái)越高。電子直寫光刻機(jī)的精度與電子波長(zhǎng)和電子束聚焦后的焦點(diǎn)直徑有關(guān)，電子波長(zhǎng)可通過(guò)增加加速電極電壓來(lái)減小波長(zhǎng)，而電子束聚焦后
2025-05-07 06:03:45
中圖SEM掃描電鏡憑借其簡(jiǎn)便的操作系統(tǒng)，讓復(fù)雜的掃描電鏡使用過(guò)程變得簡(jiǎn)單快捷。樣品一鍵裝入，自動(dòng)導(dǎo)航和一鍵出圖能力（自動(dòng)聚焦+自動(dòng)消像散+自動(dòng)亮度對(duì)比度）幫助用戶在短短幾十秒內(nèi)就可獲取高清圖像，大大
2025-05-06 17:48:47
光刻圖形轉(zhuǎn)化軟件可以將gds格式或者gerber格式等半導(dǎo)體通用格式的圖紙轉(zhuǎn)換成如bmp或者tiff格式進(jìn)行掩模版加工制造，在掩膜加工領(lǐng)域或者無(wú)掩膜光刻領(lǐng)域不可或缺，在業(yè)內(nèi)也被稱為矢量圖形光柵化軟件
2025-05-02 12:42:10
光刻膠類型及特性光刻膠（Photoresist），又稱光致抗蝕劑，是芯片制造中光刻工藝的核心材料。其性能直接影響芯片制造的精度、效率和可靠性。本文介紹了光刻膠類型和光刻膠特性。
2025-04-29 13:59:337823 
中圖儀器CEM3000系列納米級(jí)成像掃描電鏡空間分辨率出色和易用性強(qiáng)，用戶能夠非?？旖莸剡M(jìn)行各項(xiàng)操作。甚至在自動(dòng)程序的幫助下，無(wú)需過(guò)多人工調(diào)節(jié)，便可一鍵得到理想的拍攝圖片。CEM3000系列上還運(yùn)用
2025-04-29 11:17:41
中圖儀器CEM3000系列納米尺度觀測(cè)掃描電子顯微鏡用于對(duì)樣品進(jìn)行微觀尺度形貌觀測(cè)和分析。在工業(yè)領(lǐng)域展現(xiàn)出廣泛的應(yīng)用價(jià)值，標(biāo)配有高性能二次電子探頭和多象限背散射探頭、并可選配能譜儀、低真空系統(tǒng)，能
2025-04-23 18:07:59
中圖儀器CEM3000系列納米級(jí)成像高分辨掃描電鏡高易用性快速成像、一鍵成片，無(wú)需過(guò)多人工調(diào)節(jié)。超高分辨率優(yōu)于4nm(SE)，優(yōu)于8nm(BSE)@20kV，超大景深毫米級(jí)別景深，具有高空間分辨率
2025-04-15 10:30:49
需求——多自由度、高精度、快速響應(yīng)的精密運(yùn)動(dòng)。H64A.XYZTR2S/K-C系列壓電納米偏擺臺(tái)為六自由度運(yùn)動(dòng)高精度壓電偏擺臺(tái)，利用壓電驅(qū)動(dòng)技術(shù)，為光學(xué)、半導(dǎo)體、生物醫(yī)療、微納制造等領(lǐng)域提供納米級(jí)精密運(yùn)動(dòng)解決方案。 H64A.XYZTR2S/
2025-04-10 09:22:03707 
聚焦離子束技術(shù)的崛起近年來(lái)，F(xiàn)IB技術(shù)憑借其獨(dú)特的優(yōu)勢(shì)，結(jié)合掃描電鏡（SEM）等高倍數(shù)電子顯微鏡的實(shí)時(shí)觀察功能，迅速成為納米級(jí)分析與制造的主流方法。它在半導(dǎo)體集成電路的修改、切割以及故障分析等
2025-03-26 15:18:56712 
隨著科技的不斷進(jìn)步，全球芯片產(chǎn)業(yè)正在進(jìn)入一個(gè)全新的競(jìng)爭(zhēng)階段，2納米制程技術(shù)的研發(fā)和量產(chǎn)成為了各大芯片制造商的主要目標(biāo)。近期，臺(tái)積電、三星、英特爾以及日本的Rapidus等公司紛紛加快了在2納米
2025-03-25 11:25:481285 
靜電透鏡將離子束聚焦至極小尺寸，最小束斑直徑可小于10納米，是一種高精度的顯微加工工具。當(dāng)前商用系統(tǒng)中，離子源種類豐富，涵蓋鎵（Ga）、氙（Xe）、氦（He）等。在
2025-02-25 17:29:36935 
在半導(dǎo)體功率模塊封裝領(lǐng)域，互連技術(shù)一直是影響模塊性能、可靠性和成本的關(guān)鍵因素。近年來(lái)，隨著納米技術(shù)的快速發(fā)展，納米銀燒結(jié)和納米銅燒結(jié)技術(shù)作為兩種新興的互連技術(shù)，備受業(yè)界關(guān)注。然而，在眾多應(yīng)用場(chǎng)景中
2025-02-24 11:17:061760 
光源技術(shù)方面 EUV光源的波長(zhǎng)僅為13.5納米，遠(yuǎn)遠(yuǎn)小于可見(jiàn)光，因此產(chǎn)生和維持如此短波長(zhǎng)光源的難度極大。 目前，最成熟的EUV光源是由高純度錫產(chǎn)生的高溫等離子體產(chǎn)生的。固體錫在液滴發(fā)生器內(nèi)熔化，該儀器在真空室中每分鐘連續(xù)產(chǎn)生超過(guò)300萬(wàn)個(gè)27μm的液滴。平均功率為
2025-02-18 09:31:242256 
在芯片制造的復(fù)雜流程中，光刻工藝是決定晶體管圖案能否精確“印刷”到硅片上的核心環(huán)節(jié)。而光刻Overlay(套刻精度)，則是衡量光刻機(jī)將不同層電路圖案對(duì)準(zhǔn)精度的關(guān)鍵指標(biāo)。簡(jiǎn)單來(lái)說(shuō)，它就像建造摩天大樓
2025-02-17 14:09:254467 
中圖儀器掃描電鏡通過(guò)加裝各類探頭和附件，滿足用戶的拓展性需求，這使其在材料科學(xué)、生命科學(xué)、納米技術(shù)、能源等多個(gè)領(lǐng)域得到了廣泛應(yīng)用。
2025-02-14 09:47:14
0 光刻技術(shù)對(duì)芯片制造至關(guān)重要，但傳統(tǒng)紫外光刻受衍射限制，摩爾定律面臨挑戰(zhàn)。為突破瓶頸，下一代光刻（NGL）技術(shù)應(yīng)運(yùn)而生。本文將介紹納米壓印技術(shù)（NIL）的原理、發(fā)展、應(yīng)用及設(shè)備，并探討其在半導(dǎo)體制造中
2025-02-13 10:03:503708 
掃描電鏡作為一種用于微觀結(jié)構(gòu)分析的重要儀器，在材料科學(xué)、生命科學(xué)、地質(zhì)科學(xué)、電子信息等多個(gè)領(lǐng)域都有重要作用。它具有以下顯著特征：1.高分辨率成像：能夠清晰呈現(xiàn)樣品表面的細(xì)微結(jié)構(gòu)，分辨率可達(dá)納米
2025-02-12 14:42:101957 
尺寸的器件中，壓電納米電機(jī)可以實(shí)現(xiàn)極高的精度和效率。壓電納米電機(jī)的應(yīng)用領(lǐng)域非常廣泛，其中Aigtek安泰電子功率放大器在壓電納米電機(jī)領(lǐng)域也有著重要的應(yīng)用。 功率放大器在壓電納米電機(jī)中起到了提升輸出功率的作用。納米級(jí)別的
2025-02-11 10:54:29654 
光刻機(jī)用納米位移系統(tǒng)設(shè)計(jì)
2025-02-06 09:38:031028 
光刻是芯片制造過(guò)程中至關(guān)重要的一步，它定義了芯片上的各種微細(xì)圖案，并且要求極高的精度。以下是光刻過(guò)程的詳細(xì)介紹，包括原理和具體步驟。?? 光刻原理?????? 光刻的核心工具包括光掩膜、光刻
2025-01-28 16:36:003589 
數(shù)值孔徑 EUV 光刻中的微型化挑戰(zhàn) 晶體管不斷小型化，縮小至 3 納米及以下，這需要完美的執(zhí)行和制造。在整個(gè) 21 世紀(jì)，這種令人難以置信的縮小趨勢(shì)（從 90 納米到 7 納米及更?。╅_(kāi)創(chuàng)了技術(shù)進(jìn)步的新時(shí)代。 在過(guò)去十年中，我們見(jiàn)證了將50
2025-01-22 14:06:531152 
、sources.jcmt、materials.jcmt、project.jcmpt)。 請(qǐng)注意，在這種情況下，JCMsuite是在Daemon模式下使用的，它允許同時(shí)執(zhí)行各種波長(zhǎng)的波長(zhǎng)掃描。 有了適當(dāng)?shù)挠布驮S可證，所有波長(zhǎng)響應(yīng)可以同時(shí)計(jì)算，允許快速計(jì)算整個(gè)參數(shù)掃描。 襯底頂部納米球基于波長(zhǎng)的吸收和散射
2025-01-22 08:57:00
不同于立式電鏡，中圖儀器鎢燈絲掃描電鏡CEM3000系列無(wú)需占據(jù)大量空間來(lái)容納整個(gè)電鏡系統(tǒng)，這使其甚至能夠出現(xiàn)在用戶日常工作的桌面上，在用戶手邊實(shí)時(shí)呈現(xiàn)所得結(jié)果。此外，該系列臺(tái)式電鏡也可以進(jìn)入手套箱
2025-01-17 14:57:11
本文主要介紹光刻機(jī)的分類與原理。 ? 光刻機(jī)分類 光刻機(jī)的分類方式很多。按半導(dǎo)體制造工序分類，光刻設(shè)備有前道和后道之分。前道光刻機(jī)包括芯片光刻機(jī)和面板光刻機(jī)。面板光刻機(jī)的工作原理和芯片光刻機(jī)相似
2025-01-16 09:29:456356 
近日，據(jù)最新報(bào)道，全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體制造公司臺(tái)積電已正式在美國(guó)亞利桑那州的工廠啟動(dòng)了先進(jìn)的4納米芯片的生產(chǎn)。這一舉措標(biāo)志著臺(tái)積電在美國(guó)市場(chǎng)的進(jìn)一步拓展，也預(yù)示著全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)格局的深刻變化。 1月11
2025-01-13 14:42:16934 來(lái)源：John Boyd IEEE電氣電子工程師學(xué)會(huì) 9月，佳能交付了一種技術(shù)的首個(gè)商業(yè)版本，該技術(shù)有朝一日可能顛覆最先進(jìn)硅芯片的制造方式。這種技術(shù)被稱為納米壓印光刻技術(shù)（NIL
2025-01-09 11:31:181280 ，其電子束光刻設(shè)備在芯片制造的光刻工藝中起著關(guān)鍵作用。然而，企業(yè)所在園區(qū)周邊存在眾多工廠，日常生產(chǎn)活動(dòng)產(chǎn)生復(fù)雜的振動(dòng)源，包括重型機(jī)械運(yùn)轉(zhuǎn)、車輛行駛以及建筑物內(nèi)部的機(jī)
2025-01-07 15:13:21
? 本文介紹了組成光刻機(jī)的各個(gè)分系統(tǒng)。 光刻技術(shù)作為制造集成電路芯片的重要步驟，其重要性不言而喻。光刻機(jī)是實(shí)現(xiàn)這一工藝的核心設(shè)備，它的工作原理類似于傳統(tǒng)攝影中的曝光過(guò)程，但精度要求極高，能夠達(dá)到
2025-01-07 10:02:304525 
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