高性能HMC1099 GaN功率放大器深度解析 在當(dāng)今的射頻通信、雷達等領(lǐng)域，功率放大器扮演著至關(guān)重要的角色。而HMC1099這款氮化鎵（GaN）寬帶功率放大器，憑借其卓越的性能指標(biāo)和廣泛的應(yīng)用前景
2026-01-05 16:25:02
22 高性能CATV反向通道驅(qū)動器ADA4320 - 1：設(shè)計與應(yīng)用解析 引言 在有線電視（CATV）系統(tǒng)的設(shè)計中，反向通道的信號傳輸質(zhì)量對于整個系統(tǒng)的性能起著至關(guān)重要的作用。今天我們要深入探討
2026-01-05 15:35:0233 探索HMC1114PM5E：高性能GaN功率放大器的魅力 在現(xiàn)代通信與雷達系統(tǒng)中，功率放大器的性能直接影響著整個系統(tǒng)的表現(xiàn)。今天，我們來深入剖析一款出色的功率放大器——HMC1114PM5E，看看它
2026-01-05 14:55:2821 探索HMC1099PM5E：高性能GaN功率放大器的卓越之選 引言 在電子工程領(lǐng)域，功率放大器作為重要的組成部分，其性能直接影響到整個系統(tǒng)的表現(xiàn)。今天，我們將深入探討一款備受關(guān)注的產(chǎn)品
2026-01-05 14:55:2426 ADPA1107：高性能GaN寬帶功率放大器的深度解析 在電子工程領(lǐng)域，功率放大器是無線通信、雷達和射頻系統(tǒng)中的關(guān)鍵組件。今天，我們聚焦于Analog Devices推出的一款高性能器件
2026-01-05 11:40:05176 ADPA1105：高性能GaN功率放大器的深度解析 在射頻功率放大器的領(lǐng)域中，氮化鎵（GaN）技術(shù)憑借其高功率密度、高效率等優(yōu)勢逐漸嶄露頭角。今天，我們就來深入探討一款高性能的GaN功率放大器
2026-01-05 11:40:02154 ADPA1122：高性能GaN功率放大器的深度解析 在射頻功率放大器領(lǐng)域，氮化鎵（GaN）技術(shù)憑借其卓越的性能表現(xiàn)，正逐漸成為眾多應(yīng)用的首選方案。今天我們要深入探討的ADPA1122，便是一款
2026-01-05 10:20:1658 探索HMC7149：6 - 18 GHz高性能GaN MMIC功率放大器 在電子工程師的日常工作中，尋找一款高性能的功率放大器是一項至關(guān)重要的任務(wù)。最近，我深入研究了Analog Devices推出
2026-01-04 16:25:1861 PCI2050B PCI-to-PCI Bridge：高性能連接解決方案 引言 在當(dāng)今的電子系統(tǒng)設(shè)計中，PCI總線的應(yīng)用極為廣泛。而PCI-to-PCI橋接器作為連接不同PCI總線的關(guān)鍵組件，對于
2025-12-30 17:05:07429 /GPU供電（VRM）、高端顯卡電源等需要高效率和精確多相控制的場景。
精密電機驅(qū)動與逆變器：可用于高性能伺服驅(qū)動器、太陽能逆變器以及需要多路同步驅(qū)動的功率模塊。
寬帶隙器件驅(qū)動：是驅(qū)動氮化鎵（GaN
2025-12-30 08:47:55
深入解析 RENESAS SLG51003 PMIC：高性能與靈活性的完美結(jié)合 在當(dāng)今的電子設(shè)備設(shè)計中，電源管理集成電路（PMIC）的性能和功能對于設(shè)備的整體表現(xiàn)起著至關(guān)重要的作用。RENESAS
2025-12-26 18:05:03940 環(huán)節(jié)拆解材料成本GaN器件：GaN外延片成本占比較高，目前主流仍采用硅或碳化硅（SiC）異質(zhì)襯底，其中硅基GaN成本較低（約50?100/片，6英寸），但性能受限；SiC基GaN性能更優(yōu)，但成本高昂
2025-12-25 09:12:32
深入剖析CC1354R10：高性能多頻段無線MCU的卓越之選 在當(dāng)今的物聯(lián)網(wǎng)（IoT）領(lǐng)域，無線微控制器（MCU）的性能和功能對于各類應(yīng)用的成功至關(guān)重要。CC1354R10作為一款高性能的多頻段無線
2025-12-22 09:50:07350 CoolSiC? 1400 V SiC MOSFET G2：高性能碳化硅MOSFET的卓越之選 在當(dāng)今電子技術(shù)飛速發(fā)展的時代，功率半導(dǎo)體器件的性能對于各類電子系統(tǒng)的效率、可靠性和性能表現(xiàn)起著至關(guān)重要
2025-12-18 13:50:06202 電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報道 小米公布GaN射頻器件研發(fā)新進展！在近期舉行的第 71 屆國際電子器件大會（IEDM 2025）上，小米集團手機部與蘇州能訊高能半導(dǎo)體有限公司、香港科技大學(xué)合作的論文
2025-12-18 10:08:201760 
GT-BGA-2002高性能BGA測試插座GT-BGA-2002是Ironwood Electronics 的GT Elastomer系列的高性能BGA測試插座，專為高頻高速信號測試設(shè)計，兼容多數(shù)
2025-12-18 10:00:10
著越來越重要的作用。今天我們要詳細探討的是muRata公司推出的一款高性能HF RFID Tag——LXTBKYSCNN - 018，它憑借小巧的尺寸和出色的性能，在眾多應(yīng)用場景中展現(xiàn)出了獨特的優(yōu)勢。 文件
2025-12-16 17:20:06402 AMD UltraScale架構(gòu)：高性能FPGA與SoC的技術(shù)剖析 在當(dāng)今的電子設(shè)計領(lǐng)域，高性能FPGA和MPSoC/RFSoC的需求日益增長。AMD的UltraScale架構(gòu)憑借其創(chuàng)新的技術(shù)和卓越
2025-12-15 14:35:09245 INSTABEND TM 086高性能微波組件：靈活互聯(lián)的理想之選 在電子工程領(lǐng)域，微波組件的性能和特性對于整個系統(tǒng)的運行至關(guān)重要。今天，我們就來詳細探討一下INSTABEND TM 086高性能
2025-12-15 09:40:06258 INSTABEND TM 086高性能微波組件：設(shè)計與應(yīng)用全解析 在微波組件的設(shè)計領(lǐng)域，高性能、靈活性與可靠性是工程師們始終追求的目標(biāo)。今天，就來和大家詳細探討一款名為INSTABEND TM
2025-12-12 15:55:05334 
）兼容性。技術(shù)優(yōu)勢GaN 材料特性：高功率密度：GaN 的寬帶隙特性使其在相同尺寸下輸出功率遠高于 GaAs 或硅基器件。高頻性能優(yōu)異：在 6GHz 頻段仍能保持高效率與線性度，適合寬帶線性放大應(yīng)用。高
2025-12-12 09:40:25
太陽能系統(tǒng)的發(fā)展勢頭越來越強，光伏逆變器的性能是技術(shù)創(chuàng)新的核心。設(shè)計該項光伏逆變器旨在盡可能高效地利用太陽能。 其中一項創(chuàng)新涉及使用氮化鎵 (GaN)。氮化鎵正在快速取代硅 (Si) 和絕緣柵
2025-12-11 15:06:214308 
Amphenol HD Express?：滿足PCIe? Gen 6需求的高性能互連系統(tǒng) 在當(dāng)今高速發(fā)展的電子科技領(lǐng)域，對于高性能、高密度互連系統(tǒng)的需求日益增長。Amphenol的HD
2025-12-11 14:10:19259 Amphenol Hyper Cool Edge Connectors：高性能連接解決方案 在電子設(shè)備不斷追求高速、高效傳輸?shù)慕裉?，連接器的性能對設(shè)備整體表現(xiàn)起著至關(guān)重要的作用。Amphenol
2025-12-10 14:15:06268 在電子工程領(lǐng)域，高性能的電纜組件對于確保設(shè)備的穩(wěn)定運行至關(guān)重要。Amphenol RF 推出的一系列 SMPM 插頭到插頭電纜組件，為眾多應(yīng)用場景提供了可靠的解決方案。
2025-12-09 14:58:21222 AMEYA360代理品牌：上海永銘第三代半導(dǎo)體落地關(guān)鍵，如何為GaN/SiC系統(tǒng)匹配高性能電容解決方案 ? 引言：氮化鎵(GaN)與碳化硅(SiC)技術(shù)正推動功率電子革命，但真正的場景落地，離不開
2025-12-04 15:34:17217 采用高通八核高性能AI處理器QCS8550，集成48TOPSNPU，支持多種主流AI大模型和深度學(xué)習(xí)框架。內(nèi)置Adreno740GPU，支持光線追蹤技術(shù)、8K視頻編解碼。搭載認知ISP，支持1億像素
2025-12-03 17:47:42712 
搜索和調(diào)用外部 AI 模型的 SQL 原生 API。NVIDIA 與微軟共同將 SQL Server 2025 與 NVIDIA Nemotron RAG 開放模型集合無縫連接，這使您能夠在云端或本地環(huán)境中基于自己的數(shù)據(jù)構(gòu)建高性能、安全的 AI 應(yīng)用。
2025-12-01 09:31:13578 
LMG3410R070RWHR高性能GaN功率器件產(chǎn)品型號：LMG3410R070RWHR產(chǎn)品品牌：TI/德州儀器產(chǎn)品封裝：VQFN32產(chǎn)品功能：高性能GaN功率器件LMG3410R070RWHR
2025-11-29 11:25:34186 
可控核聚變、粒子加速器、智能電網(wǎng)、先進艦艇推進等重大科技基礎(chǔ)設(shè)施的突破，離不開高性能高可靠性電源系統(tǒng)的核心保障。但這類特種電源進行實物驗證成本高昂、風(fēng)險巨大且不可復(fù)用。近年來，高性能實時仿真技術(shù)為重
2025-11-20 17:50:00932 
智能穿戴、物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備和端側(cè)AI應(yīng)用快速發(fā)展，PSRAM偽靜態(tài)隨機存儲器，正成為越來越多嵌入式系統(tǒng)的優(yōu)選方案，如何選擇一個高性能、小尺寸與低功耗的psram芯片是一個值得思考的問題。由EMI自主研發(fā)
2025-11-18 17:24:35255 中的性能差異源于材料物理特性，具體優(yōu)劣勢如下： 1. GaN（氮化鎵）功放芯片 優(yōu)勢： 功率密度高：GaN 的擊穿電場強度（3.3 MV/cm）是硅的 10 倍以上，相同面積下可承受更高電壓（600V+）和電流，功率密度可達硅基的 3-5 倍（如 100W 功率下，GaN 芯片體積僅為硅基的 1/3）。 高
2025-11-14 11:23:573098 ，模塊的寬溫特性確保散熱系統(tǒng)壓力降低，延長設(shè)備壽命。
與傳統(tǒng)方案的對比參數(shù)Leadway GaN模塊傳統(tǒng)硅基IGBT模塊
工作溫度范圍-40℃至+85℃（部分+93℃）-40℃至+125℃
功率密度
2025-11-12 09:19:03
云鎵半導(dǎo)體應(yīng)用指導(dǎo)CGAN003:GaNswitchingbehavioranalysis眾所周知，GaN功率器件具有傳統(tǒng)功率器件無可比擬的性能優(yōu)勢，如大幅提升的開關(guān)速度和顯著降低的開關(guān)損耗，從而
2025-11-11 13:45:04193 
云鎵半導(dǎo)體應(yīng)用指導(dǎo)CGAN005:GaNFETSPICEmodel&simulation1.前言眾所周知，GaN功率器件具有傳統(tǒng)功率器件無可比擬的性能優(yōu)勢，如大幅提升的開關(guān)速度和顯著降低
2025-11-11 13:44:41242 電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報道 近日，安森美發(fā)布器垂直GaN功率半導(dǎo)體技術(shù)，憑借 GaN-on-GaN 專屬架構(gòu)與多項性能突破，為全球高功率應(yīng)用領(lǐng)域帶來革命性解決方案，重新定義了行業(yè)在能效、緊湊性與耐用性上
2025-11-10 03:12:005650 其性能十分低下。
對于乘法操作，為了減少乘法操作所需的周期數(shù)， MDV 對乘法采用基 (Radix-4 ) 的Booth 編碼，進行一次乘法操作需要17個時鐘周期。
對于除法操作，采用普通的加減交替法
2025-10-27 07:16:56
場景提供高性價比的全國產(chǎn)解決方案。一、功率密度提升的核心邏輯材料特性突破：
GaN（氮化鎵）作為寬禁帶半導(dǎo)體，電子遷移率（2000cm2/Vs）和飽和漂移速度（2.5×10?cm/s）遠超傳統(tǒng)硅基器件
2025-10-22 09:09:58
自從氮化鎵（GaN）器件問世以來，憑借其相較于傳統(tǒng)硅基半導(dǎo)體的多項關(guān)鍵優(yōu)勢，GaN 被廣泛認為是快速充電與工業(yè)電源應(yīng)用領(lǐng)域中的變革性技術(shù)。
2025-10-21 14:56:442575 
運行時會產(chǎn)生巨大的熱損耗。在相同條件下，并聯(lián)MOSFET并不能節(jié)省空間或提升效率，因此GaN FET成為一種頗具吸引力的技術(shù)。業(yè)界對GaN器件性能表現(xiàn)的關(guān)注，相應(yīng)地催生了對各種GaN器件進行準(zhǔn)確仿真以優(yōu)化應(yīng)用性能的需求。LTspice包含ADI最新DC-DC控制器的IC模型，針對GaN FET驅(qū)動進
2025-10-15 11:27:0221888 
?我們合作十多年的Sensortek致力于開發(fā)高性能、高性價比的傳感器產(chǎn)品，產(chǎn)品覆蓋光學(xué)傳感器、MEMS傳感器、壓力傳感器和SAR傳感器，適用于智能手機、TWS耳機、可穿戴設(shè)備等廣泛應(yīng)用場景。 你說
2025-10-15 09:39:024487 
GaN-MOSFET 的結(jié)構(gòu)設(shè)計中，p-GaN gate(p 型氮化鎵柵) 和Cascode(共源共柵) 是兩種主流的柵極控制方案，分別適用于不同的應(yīng)用場景，核心差異體現(xiàn)在結(jié)構(gòu)設(shè)計、性能特點和適用范圍上。
2025-10-14 15:28:15676 
作者： Pete Bartolik 工具 在電力應(yīng)用中，氮化鎵 (GaN) 器件比傳統(tǒng)硅 MOSFET 器件具有顯著的性能和效率優(yōu)勢。氮化鎵器件能夠滿足各行各業(yè)的需求，具有更高的密度、更快的切換
2025-10-04 18:25:001526 
隨著人工智能（AI）在高性能計算中發(fā)揮越來越重要的作用，為能耗巨大的AI服務(wù)器提供高效、高性能的電源解決方案，變得至關(guān)重要。
2025-09-29 16:50:451463 ，使得載流子輸運機制趨于復(fù)雜，傳統(tǒng)仿真手段難以精準(zhǔn)再現(xiàn)其正向?qū)ㄌ匦?。能否深度解析缺陷物理并?jù)此構(gòu)建高精度模型，成為優(yōu)化器件性能的關(guān)鍵。 圖1. Si基GaN肖特基二極管截面示意圖 ? ? ? ?針對這一難題，天津賽米卡爾科技有限公司技術(shù)團隊獨辟蹊徑，成
2025-09-26 16:48:581017 
可以使得電機驅(qū)動電路使用體積更小的無源器件，讓整體系統(tǒng)功率密度得到提升。 ? 根據(jù)TI的白皮書，GaN FET的損耗相比硅基IGBT和MOSFET更低，原因包括： ? l?GaN 提供零反向恢復(fù)。通過零反向恢復(fù)，可以非常高的電流壓擺率 (di/dt) 和電壓壓擺
2025-09-21 02:28:007546 告表示： GaN(氮化鎵)正在取代傳統(tǒng)硅基方案，成為下一代電機驅(qū)動系統(tǒng)的核心技術(shù)。 這一轉(zhuǎn)變不僅提升了機器人、電動車和家電的性能，也在重新定義產(chǎn)業(yè)競爭格局。 01機器人行業(yè)：高效、緊湊，智能自動化的下一步 如果說上一代工業(yè)機器人靠機械臂的靈
2025-08-14 15:38:19925 在現(xiàn)代生活中，氮化鎵（GaN）基LED應(yīng)用廣泛，其性能受GaN緩沖層厚度顯著影響。科研人員通過HVPE與MOCVD結(jié)合技術(shù)，在藍寶石襯底上制備了不同緩沖層厚度的LED。美能顯示作為專注顯示行業(yè)精密
2025-08-11 14:27:334942 
在半導(dǎo)體照明與光電子領(lǐng)域，氮化鎵（GaN）基發(fā)光二極管（LED）憑借其卓越性能，長期占據(jù)研究焦點位置。它廣泛應(yīng)用于照明、顯示、通信等諸多關(guān)鍵領(lǐng)域。在6英寸藍寶石基板上，基于六方氮化硼（h-BN）模板
2025-08-11 14:27:241615 在于更高的能效性能。這主要取決于單位性能的提升，以及先進工藝帶來的PPA優(yōu)化。只有出現(xiàn)標(biāo)桿性的產(chǎn)品才能真正引領(lǐng)整個RISC-V高性能計算軟硬件生態(tài)的繁榮。 單位性能方面，RISC-V對于整個性能的分析迭代和優(yōu)化的速度和效率有很高要求。目前RISC-V國際基金會每年發(fā)布幾個新的
2025-07-18 14:17:312542 
隨著物聯(lián)網(wǎng)技術(shù)的不斷發(fā)展，無線通信模塊在各種應(yīng)用場景中扮演著越來越重要的角色。近日，藍科迅通科技宣布推出一款基于Nordic Semiconductor的Wi-Fi 6芯片nRF7002和高性能雙核
2025-06-28 21:42:03
在這篇文章中，我將分享我嘗試使用樹莓派構(gòu)建Slurm高性能計算集群的經(jīng)歷。一段時間前，我開始使用這個集群作為測試平臺，來創(chuàng)建一個更大的、支持GPU計算的高性能計算集群。我獲得了高性能計算設(shè)置各個組件
2025-06-17 16:27:181498 
范圍的應(yīng)用場景，SL3065無疑是一個更加出色的替代選擇。本文將詳細介紹SL3065的特點及其相對于RT7272B的優(yōu)勢。
SL3065概述SL3065是由深圳市森利威爾電子有限公司推出的一款高性能
2025-06-17 15:50:50
高性能的同步降壓DC/DC控制器，在替換RT2949等傳統(tǒng)型號時展現(xiàn)出顯著優(yōu)勢。其高效率、高負載能力、全面保護功能和靈活配置等特點，使其成為現(xiàn)代電子設(shè)備電源管理的優(yōu)選方案。隨著電子技術(shù)的不斷發(fā)展，SL3065必將在更多領(lǐng)域發(fā)揮其重要作用。
原理圖 樣品測試 技術(shù)支持
2025-06-16 16:18:21
一種用于重摻雜n型接觸的選擇性刻蝕工藝實現(xiàn)了AlN/GaN HEMT的縮小 上圖：原位SiN/AlN/GaN HEMT外延堆疊示意圖 俄亥俄州立大學(xué)的工程師們宣稱，他們已經(jīng)打開了一扇大門，有望制備出
2025-06-12 15:44:37800 
過程中嚴格遵守最大柵極電壓限制至關(guān)重要。
此外，連接高側(cè)與低側(cè)開關(guān)的開關(guān)節(jié)點會發(fā)生快速切換，這一現(xiàn)象不容忽視。這種快速切換不應(yīng)導(dǎo)致GaN開關(guān)意外導(dǎo)通，而這種失效模式對于傳統(tǒng)硅基開關(guān)來說并不常見。要緩解這一
2025-06-11 10:07:24
近日，中國農(nóng)業(yè)大學(xué)國家生物育種產(chǎn)教融合創(chuàng)新平臺高性能計算機系統(tǒng)，經(jīng)過驗收投入使用。該系統(tǒng)由中科曙光依托“超智融合”技術(shù)方案建設(shè)，集生物信息分析、大數(shù)據(jù)分析、AI數(shù)據(jù)挖掘、育種模型訓(xùn)練等能力，為生物育種等科研項目等提供算力支撐。
2025-06-07 09:20:47918 團隊開發(fā)了 GaN基VCSEL的動態(tài)物理模型 ，揭示了器件內(nèi)部載流子輸運行為對激光器動態(tài)特性的影響規(guī)律。 GaN材料固有的極化特性導(dǎo)致GaN基VCSEL有源區(qū)中產(chǎn)生了量子限制斯塔克效應(yīng)（QCSE），這一效應(yīng)不僅會降低器件的受激復(fù)合效率，還會引發(fā)嚴重
2025-06-05 15:58:20440 
??在人工智能蓬勃發(fā)展的時代，大模型憑借其強大的學(xué)習(xí)與泛化能力，已成為眾多領(lǐng)域創(chuàng)新變革的核心驅(qū)動力。而數(shù)據(jù)標(biāo)注作為大模型訓(xùn)練的基石，為大模型性能提升注入關(guān)鍵動力，是模型不可或缺的“養(yǎng)料。大模型則憑借
2025-06-04 17:15:561762 
以DeepSeek模型為代表的MoE技術(shù)路線，正不斷突破通用大模型的效果上限。其創(chuàng)新的PD優(yōu)化與大EP推理方案，推動大模型邁向“高性能、低成本、強普惠”的新階段。
2025-06-04 10:15:401200 目錄
1，整機線路架構(gòu)
2，初次極安規(guī)Y電容接法
3，PFC校正電路參數(shù)選取及PCB布具注意事項
4，LLC環(huán)路設(shè)計注意事項
5，GaN驅(qū)動電路設(shè)計走線參考
6，變壓器輸出整流注意事項
一，整體線路圖
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2025-05-28 16:15:01
現(xiàn)在搞大模型，GPU 芯片就是命根子，沒有高性能的 GPU 芯片，大模型跑不動，大模型的應(yīng)用也玩不轉(zhuǎn)。所以高性能芯片的研發(fā)就變得非常關(guān)鍵，就拿一個 7nm 芯片的仿真來說，每分鐘能噴涌出，幾千個甚至
2025-05-27 15:18:18897 GaN技術(shù)正迎來其高光時刻——這絕非偶然。這種材料具備快速開關(guān)、低能耗和優(yōu)異熱性能等優(yōu)勢，完美契合當(dāng)今AI基礎(chǔ)設(shè)施、電動汽車平臺、可再生能源和工業(yè)控制等領(lǐng)域?qū)Ω咝Ц呙芏入娫聪到y(tǒng)的需求。但對于試圖將
2025-05-27 11:15:00802 
高性能計算（簡稱HPC）聽起來像是科學(xué)家在秘密實驗室里才會用到的東西，但它實際上是當(dāng)今世界上最重要的技術(shù)之一。從預(yù)測天氣到研發(fā)新藥，甚至訓(xùn)練人工智能，高性能計算系統(tǒng)都能幫助解決普通計算機無法
2025-05-27 11:08:32910 
在全球汽車產(chǎn)業(yè)向智能化、網(wǎng)聯(lián)化加速轉(zhuǎn)型的浪潮中，大模型技術(shù)的崛起為汽車領(lǐng)域帶來了前所未有的變革機遇。黑芝麻智能在高性能芯片和基礎(chǔ)軟件架構(gòu)領(lǐng)域的持續(xù)創(chuàng)新，正全力推動汽車智能化的發(fā)展，為行業(yè)注入新的活力。
2025-05-16 17:27:421104 
LMH6522包含四個高性能數(shù)控可變增益放大器（DVGA）。它被設(shè)計用于窄帶和寬帶中頻采樣應(yīng)用。通常，LMH6522在廣泛的混合信號和數(shù)字通信應(yīng)用中驅(qū)動高性能ADC，例如需要自動增益控制（AGC）來增加系統(tǒng)動態(tài)范圍的移動無線電和蜂窩基站。
2025-05-09 09:37:29770 
ZYSJ-2476B 高性能智能主板，采用瑞芯微 RK3576 高性能 AI 處理器、神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)處理器 NPU，
Android 14.0/debian11/ubuntu20.04 操作系統(tǒng)
2025-04-23 10:55:27
超低功耗、超高性能，Wi-Fi 6雙頻物聯(lián)網(wǎng)模塊；多核處理器解決方案，支持BLE+Wi-Fi雙透傳
2025-04-21 13:50:00
電子發(fā)燒友綜合報道 最近多家GaN廠商推出雙向GaN功率開關(guān)，即GaN BDS（Bidirectional Switch，雙向開關(guān)）。這是一種較為新型的GaN功率器件產(chǎn)品，顧名思義，雙向GaN主要
2025-04-20 09:15:001348 RAKsmart高性能服務(wù)器集群憑借其創(chuàng)新的硬件架構(gòu)與全棧優(yōu)化能力，成為支撐大語言模型開發(fā)的核心算力引擎。下面，AI部落小編帶您了解RAKsmart如何為AI開發(fā)者提供從模型訓(xùn)練到落地的全鏈路支持。
2025-04-15 09:40:37584 ZS82XGaN系列產(chǎn)品是內(nèi)置專用的電流模式脈寬調(diào)制（PWM）控制器于DMOSGaN.她針對40W以下的高性能。低待機以及經(jīng)濟高效的反激式轉(zhuǎn)換器應(yīng)用進行了優(yōu)化。提供全面的保護覆蓋。包括OCP.
2025-04-08 15:20:39
0 電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報道 3月22日，九峰山實驗室首次公布了GaN相關(guān)的研究成果，包括國際首創(chuàng)8英寸硅基氮極性氮化鎵襯底（N-polar GaNOI）；全國首個100nm高性能氮化鎵流片PDK平臺；動態(tài)
2025-03-25 00:21:001267 垂直腔面發(fā)射激光器 （VCSEL） 是一種特定的微型化半導(dǎo)體激光二極管。諧振腔通常由布拉格反射鏡（分布式布拉格反射器DBR）構(gòu)成，激光束發(fā)射垂直于頂部的表面。本教程案例展示了如何設(shè)置復(fù)雜
2025-03-24 09:03:31
DPC（Direct Plating Copper）陶瓷基覆銅板，作為一種結(jié)合薄膜線路與電鍍制程的技術(shù)，在高性能電子封裝領(lǐng)域展現(xiàn)出了獨特的優(yōu)勢。
2025-03-20 14:26:581261 
特性，在高速通信、高性能計算、數(shù)據(jù)中心等領(lǐng)域展現(xiàn)出巨大的應(yīng)用潛力。本文將深入探討硅基光子芯片制造技術(shù)，從其發(fā)展背景、技術(shù)原理、制造流程到未來展望，全方位解析這一前沿
2025-03-19 11:00:022673 
介紹了氮化鎵（GaN）功率IC在電機逆變器中的應(yīng)用，對比傳統(tǒng)硅基解決方案，闡述了其優(yōu)勢、實際應(yīng)用案例、設(shè)計考量及結(jié)論。 *附件
2025-03-12 18:47:172081 
GaN Systems提供RC熱阻模型，使客戶能夠使用SPICE進行詳細的熱模擬。 模型基于有限元分析（FEA）熱模擬創(chuàng)建，并已由GaN Systems驗證。 選擇了考爾（Cauer）模型，使客戶
2025-03-11 18:32:031433 
GaN HEMT的SPICE模型使用指南及示例總結(jié) 本文檔基于GaN HEMT的實測特性描述了當(dāng)前版本的模型。該模型專為與PSpice和LTspice配合使用而開發(fā)。本文檔首先介紹該模型，然后提供將
2025-03-11 17:43:112141 
高速GaN E-HEMT的測量技巧總結(jié) 一、概述 ? 重要性 ?：GaN E-HEMT（氮化鎵增強型高電子遷移率晶體管）具有極高的開關(guān)速度，因此準(zhǔn)確的測量技術(shù)對評估其性能至關(guān)重要。 ? 內(nèi)容概覽
2025-02-27 18:06:411061 硅基半導(dǎo)體經(jīng)過多年發(fā)展，其性能逐漸接近極限，在進一步降本增效的背景下，第三代寬禁帶半導(dǎo)體氮化鎵功率器件GaN HEMT被寄予厚望。
2025-02-27 09:38:48903 
隨著AI應(yīng)用的爆發(fā)，算力基礎(chǔ)設(shè)施的需求不斷增加。高性能服務(wù)器和集群技術(shù)在數(shù)據(jù)中心、科研機構(gòu)和高校等領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用前景?。未來，高性能計算將繼續(xù)推動技術(shù)創(chuàng)新和應(yīng)用拓展。
2025-02-27 08:49:46724 什么是氮化鎵（GaN）充電頭？氮化鎵充電頭是一種采用氮化鎵（GalliumNitride,GaN）半導(dǎo)體材料制造的新型電源適配器。相比傳統(tǒng)硅基（Si）充電器，GaN材料憑借其物理特性顯著提升了功率
2025-02-27 07:20:334530 
高功率放大器采用堅固的帶狀線電路架構(gòu)，并精選GaN器件，確保了卓越的操作可靠性。憑借高功率、高效率、高頻率覆蓋及寬帶性能，CNP GaN系列窄帶高功率放大器已成為現(xiàn)代射頻系統(tǒng)的關(guān)鍵組件，廣泛應(yīng)用
2025-02-21 10:39:06
近日，熵基科技宣布了一項重大技術(shù)突破。該公司自主研發(fā)的“BioCV TinyML模型”已成功與全球知名的LLM大模型DeepSeek實現(xiàn)接入與融合。 這一融合成果不僅彰顯了熵基科技在智能物聯(lián)和智慧
2025-02-19 16:15:441156 在混合式氮化鎵?VCSEL?的研究，2010年本研究團隊優(yōu)化制程達到室溫連續(xù)波操作電激發(fā)氮化鎵?VCSEL，此元件是以磊晶成長?AlN/GaN DBR?以及?InGaN MQW?發(fā)光層再搭配
2025-02-19 14:20:431084 
上述實驗結(jié)果為近年來局限在光激發(fā)的氮化鎵?VCSEL?的結(jié)果，一直到2008年，作者實驗室首次在77 K?下成功制作出第一個電激發(fā)氮化鎵VCSEL，其雷射結(jié)構(gòu)為混合式DBR VCSEL?結(jié)構(gòu)，如圖
2025-02-18 11:25:361389 
在氮化鎵藍光?VCSEL?發(fā)展方面，1996年?Redwing?等人成功制作了第一個室溫下光激發(fā)的氮化鎵?VCSEL，其元件結(jié)構(gòu)由10?μm?厚的GaN?主動層與30?對?Al0.12Ga0.88N
2025-02-18 09:56:041102 
摘要
垂直腔面發(fā)射激光器(VCSEL)二極管陣列在許多領(lǐng)域都有廣泛的應(yīng)用，如分束器和圖案的生成。為了能夠研究包含該光源的光學(xué)系統(tǒng)，需要一個合適的光源模型。本文檔展示了如何在VirtualLab
2025-02-18 08:54:14
）現(xiàn)象等。而藍光?VCSEL?除了必須考量到上述的困難之外，DBR的制作對于藍光VCSEL?而言更是一大挑戰(zhàn)，一般而言以氮化鎵為材料系統(tǒng)的?DBR?可以分成三種，包含AlN/GaN、AlGaN/AlGaN
2025-02-14 17:06:461020 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《Nexperia共源共柵氮化鎵(GaN)場效應(yīng)晶體管的高級SPICE模型.pdf》資料免費下載
2025-02-13 15:23:257 中的未來前景。 如今，電源管理設(shè)計工程師常常會問道： 現(xiàn)在應(yīng)該從硅基功率開關(guān)轉(zhuǎn)向GaN開關(guān)了嗎？ 氮化鎵(GaN)技術(shù)相比傳統(tǒng)硅基 MOSFET 有許多優(yōu)勢。GaN 是寬帶隙半導(dǎo)體，可以讓功率開關(guān)在高溫下工作并實現(xiàn)高功率密度。這種材料的擊穿電壓較高
2025-02-11 13:44:551177 
Pro模型進行了深度優(yōu)化。 這一優(yōu)化舉措使得AI開發(fā)者能夠以更低的成本和更高的效率實現(xiàn)復(fù)雜任務(wù)的部署與優(yōu)化。英特爾Gaudi 2D AI加速器通過其卓越的計算能力和高度優(yōu)化的軟件棧，為Janus Pro模型提供了強大的推理算力支持。這不僅滿足了行業(yè)應(yīng)用對于高性能推理算力的迫切需求，
2025-02-10 11:10:20971 DeepSeek憑“以小博大”火爆全球，為AI大模型賽道開辟了一條低成本實現(xiàn)高性能訓(xùn)練的新路徑，撬動巨大的模型推訓(xùn)需求?？v觀算力戰(zhàn)場，不同段位玩家需求各有不同。
2025-02-10 10:34:361440 和推理的高性能計算技術(shù)。今天，我們就來聊一聊高性能計算。計算機科學(xué)的“皇冠”初次涉及高性能計算，可能許多人會按照字面意思理解為計算性能較好的算法，從而將其列入眾多算
2025-02-08 14:27:561359 在現(xiàn)代通信系統(tǒng)中，數(shù)據(jù)傳輸?shù)目煽啃院托适呛饬肯到y(tǒng)性能的關(guān)鍵指標(biāo)。信道預(yù)測模型作為通信系統(tǒng)中的一個核心組件，其作用在于預(yù)測信道條件的變化，從而優(yōu)化數(shù)據(jù)傳輸策略，提高通信質(zhì)量。 信道預(yù)測模型的定義
2025-01-22 17:16:401408 系列產(chǎn)品，B3M040065H,B3M040065L,B3M040065Z高性能，高可靠性和易用性，高性價比，同時提供驅(qū)動電源和驅(qū)動IC解決方案！
*附件
2025-01-22 10:43:28
? OpenAI 最近推出了其新的推理模型 o3，該模型在 ARC 數(shù)據(jù)集上大幅超越了之前的最佳性能（SOTA），并在具有挑戰(zhàn)性的 FrontierMath 數(shù)據(jù)集上取得了令人驚嘆的結(jié)果。很明顯，該
2025-01-15 14:32:211022 
重復(fù)項或使用編輯距離算法比較文本相似度。數(shù)據(jù)標(biāo)注：高質(zhì)量的數(shù)據(jù)標(biāo)注直接影響模型的性能。標(biāo)注過程應(yīng)遵循明確標(biāo)注規(guī)則、選擇合適的標(biāo)注工具、進行多輪審核和質(zhì)量控制等原則。數(shù)據(jù)增強：提高模型泛化能力的有效方法
2025-01-14 16:51:12
當(dāng)前，一個令人振奮的趨勢是，人工智能 (AI) 應(yīng)用和功能正在各種邊緣側(cè)設(shè)備上快速擴展和普及。隨著 AI 的不斷發(fā)展和進步，對于 AI 研究員、數(shù)據(jù)科學(xué)家、開發(fā)者和學(xué)生而言，獲取高性能算力以開發(fā)或
2025-01-13 11:11:57912 在工業(yè)自動化技術(shù)不斷迭代的當(dāng)下，一款具備卓越性能與多樣接口的工控機，對于提升生產(chǎn)效率、確保產(chǎn)品質(zhì)量具有至關(guān)重要的作用。英康仕推出的RK3568高性能工控機，憑借其強大的處理能力、全面
2025-01-06 14:40:11
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