傾佳電子（Changer Tech）銷售團隊培訓材料：功率半導體拓撲架構(gòu)與基本半導體（BASIC Semiconductor）碳化硅器件的戰(zhàn)略應(yīng)用 1. 執(zhí)行摘要與戰(zhàn)略背景 在“雙碳”戰(zhàn)略的宏觀驅(qū)動
2025-12-22 08:17:35
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【博主簡介】本人“ 愛在七夕時 ”，系一名半導體行業(yè)質(zhì)量管理從業(yè)者，旨在業(yè)余時間不定期的分享半導體行業(yè)中的：產(chǎn)品質(zhì)量、失效分析、可靠性分析和產(chǎn)品基礎(chǔ)應(yīng)用等相關(guān)知識。常言：真知不問出處，所分享的內(nèi)容
2025-12-02 08:33:06749 
在半導體設(shè)計與制造過程中，器件性能的精確測試是確保產(chǎn)品可靠性與一致性的關(guān)鍵環(huán)節(jié)。蘇州永創(chuàng)智能科技有限公司推出的 STD2000X 半導體靜態(tài)電性測試系統(tǒng) ，正是面向 Si、SiC、GaN 等材料
2025-11-21 11:16:03118 
控制：結(jié)合設(shè)備身份認證結(jié)果，芯源半導體安全芯片支持細粒度的訪問控制。物聯(lián)網(wǎng)系統(tǒng)可以根據(jù)設(shè)備的身份、權(quán)限等級等信息，限制設(shè)備對系統(tǒng)資源的訪問。例如，在工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)中，普通傳感器設(shè)備只能上傳監(jiān)測數(shù)據(jù)，而不能
2025-11-18 08:06:15
的保障，半導體器件的測試也愈發(fā)重要。 對于半導體器件而言，它的分類非常廣泛，例如二極管、三極管、MOSFET、IC等，不過這些器件的測試有共性也有差異，因此在實際的測試時測試項目也有通用項目和特殊項目，本文將為大家整
2025-11-17 18:18:372314 
HP 4145B / Agilent 4145B 半導體參數(shù)分析儀4145B 半導體參數(shù)分析儀是一款獨立的儀器，能夠?qū)?b class="flag-6" style="color: red">半導體器件和材料進行完整的直流表征。它刺激電壓和電流敏感設(shè)備，測量產(chǎn)生的電流
2025-11-03 11:20:32
一臺半導體參數(shù)分析儀抵得上多種測量儀器Keysight B1500A 半導體參數(shù)分析儀是一款一體化器件表征分析儀，能夠測量 IV、CV、脈沖/動態(tài) I-V 等參數(shù)。 主機和插入式模塊能夠表征大多數(shù)
2025-10-29 14:28:09
自由空間半導體激光器半導體激光器是以一定的半導體材料做工作物質(zhì)而產(chǎn)生激光的器件。.其工作原理是通過一定的激勵方式，在半導體物質(zhì)的能帶（導帶與價帶）之間，或者半導體物質(zhì)的能帶與雜質(zhì)（受主或施主）能級
2025-10-23 14:24:06
靜電在自然界中無處不在。從芯片制造、封裝測試、運輸存儲到組裝使用，靜電可能在任一環(huán)節(jié)對芯片造成不可逆損。半導體ESD失效的四大特征1.隱蔽性（1）人體通常需2~3KV靜電才能感知，而現(xiàn)代半導體器件
2025-10-22 14:33:21598 
今日，國內(nèi)高端電子材料領(lǐng)域迎來里程碑時刻。鉅合（上海）新材料科技有限公司（以下簡稱“鉅合新材”）宣布，其歷經(jīng)十年潛心研發(fā)的SECrosslink系列芯片燒結(jié)銀膏，已通過全球多家半導體企業(yè)的嚴格測試與評估，憑借卓越的產(chǎn)品性能與穩(wěn)定的可靠性，正式確立其在半導體封裝材料領(lǐng)域的領(lǐng)導品牌地位。
2025-10-14 17:28:16591 可靠性保駕護航！
一、嚴謹細微，鑄就精準測試之魂
BW-4022A半導體分立器件綜合測試平臺采用先進的高精度傳感器和精密的測量算法，如同擁有一雙“火眼金睛”，能夠?qū)?Si/SiC/GaN 等各類材料
2025-10-10 10:35:17
半導體器件清洗工藝是確保芯片制造良率和可靠性的關(guān)鍵基礎(chǔ)，其核心在于通過精確控制的物理化學過程去除各類污染物，同時避免對材料造成損傷。以下是該工藝的主要技術(shù)要點及實現(xiàn)路徑的詳細闡述：污染物分類與對應(yīng)
2025-10-09 13:40:46705 
新材料是新一輪科技革命和產(chǎn)業(yè)變革的基石與先導，是支撐現(xiàn)代化產(chǎn)業(yè)體系建設(shè)、培育新質(zhì)生產(chǎn)力的關(guān)鍵領(lǐng)域。加快發(fā)展新材料產(chǎn)業(yè)，對推動我國產(chǎn)業(yè)基礎(chǔ)高級化、產(chǎn)業(yè)鏈現(xiàn)代化，實現(xiàn)高水平科技自立自強，建設(shè)制造強國
2025-10-03 06:32:571214 
金屬-半導體界面接觸電阻是制約半導體器件微縮化的關(guān)鍵問題。傳統(tǒng)金屬（如Ni、Ti）與二維半導體接觸時，金屬誘導帶隙態(tài)（MIGS）導致費米能級釘扎，形成肖特基勢壘?，F(xiàn)有策略（如重摻雜或插入介電層）在
2025-09-29 13:45:43939 
電阻率的測試方法多樣，應(yīng)根據(jù)材料的維度（如塊體、薄膜、低維結(jié)構(gòu)）、形狀及電學特性選擇合適的測量方法。在低維半導體材料與器件的研發(fā)和生產(chǎn)中，電阻率作為反映材料導電性能的關(guān)鍵參數(shù)，其精確測量對器件性能
2025-09-29 13:43:16581 選擇合適的半導體槽式清洗機需要綜合考慮多方面因素，以下是一些關(guān)鍵的要點：明確自身需求清洗對象與工藝階段材料類型和尺寸：確定要清洗的是硅片、化合物半導體還是其他特殊材料，以及晶圓的直徑（如常見的12
2025-09-28 14:13:45442 
，其核心應(yīng)用涵蓋參數(shù)測量、可靠性評估及材料分析等多個維度。 1. 核心參數(shù)測量：精準把控器件性能 吉時利源表的核心功能在于精確測量半導體器件的電流-電壓（IV）特性。通過施加可控電壓/電流并同步采集響應(yīng)數(shù)據(jù)，可繪制伏安特性曲線（IV曲線），直觀反映
2025-09-23 17:53:27581 
隨著半導體器件特征尺寸不斷微縮，傳統(tǒng)光學檢測正面臨前所未有的精度挑戰(zhàn)，一雙更敏銳的“眼睛”已成為突破檢測瓶頸的關(guān)鍵。這一需求正推動科學相機從傳統(tǒng)的“成像工具”演進為具備精確測量能力的核心器件——它不
2025-09-17 11:36:27459 
的解決漏電流問題，在源極和漏極之間的電流路徑的溝道中控制平面的數(shù)量被增加到3個，以抑制漏電流。
GAA：結(jié)構(gòu)中有4個控制平面，與FinFET相比，漏電流問題進一步減小，在先進的邏輯半導體中實現(xiàn)高效率
2025-09-15 14:50:58
9月4日，第十三屆半導體設(shè)備與核心部件及材料展在無錫太湖國際博覽中心隆重開幕。本次展會以“半導體嘉年華”為主題，匯聚了全球半導體產(chǎn)業(yè)鏈上下游眾多企業(yè)，共同展示前沿技術(shù)、核心設(shè)備與創(chuàng)新材料，推動行業(yè)交流與合作。
2025-09-08 16:08:47754 我們知道，帶電離子穿透半導體材料的過程中，會與靶材原子發(fā)生交互作用，沿離子運動軌跡生成電子 - 空穴對，這一物理過程正是單粒子效應(yīng)的誘發(fā)根源。從作用機理來看，半導體器件及集成電路中單粒子效應(yīng)的產(chǎn)生需經(jīng)歷三個核心階段，各階段的物理行為存在顯著差異：
2025-09-08 09:48:181144 
當前，全球能源結(jié)構(gòu)加速向清潔化、電動化與智能化升級，功率半導體器件成為能源變革與電力電子創(chuàng)新的核心基石。以碳化硅（SiC）為代表的第三代半導體材料，憑借其寬禁帶、高擊穿場強、高熱導率、高頻低損耗等
2025-09-06 13:14:26735 
（電容-電壓特性測試）是通過測量半導體器件在不同偏置電壓下的電容變化，分析其介電特性、摻雜濃度及界面狀態(tài)的關(guān)鍵技術(shù)。主要應(yīng)用于功率器件（MOSFET/IGBT等）的寄生參數(shù)測量和材料特性研究。 二、核心測試內(nèi)容 ? 關(guān)鍵參數(shù)測量 ? ?
2025-09-01 12:26:20930 微量摻雜元素表征的意義1.材料性能摻雜元素可改變半導體的能帶結(jié)構(gòu)和載流子行為，從而決定器件的電學特性。以硅材料為例，摻入五價砷（As）元素可為晶格引入多余電子，使本征硅轉(zhuǎn)變?yōu)閚型半導體，直接影響導電
2025-08-27 14:58:20651 
能力使得功率半導體在各種電力應(yīng)用中不可或缺，例如電力變換器、電機驅(qū)動器和電力調(diào)節(jié)器等。功率半導體的應(yīng)用領(lǐng)域功率半導體器件在多個領(lǐng)域中發(fā)揮著核心作用，尤其是在新能源
2025-08-25 15:30:17664 
在功率半導體邁向180-250 nm先進節(jié)點、SoC與SiP并行演進、扇入/扇出晶圓級封裝加速分化之際，芯片持續(xù)收縮已從單純的尺寸微縮演變?yōu)橐粓隹?b class="flag-6" style="color: red">材料-工藝-封裝-系統(tǒng)的革命：銅-釕-鉬多元金屬化
2025-08-25 11:30:581454 半導體行業(yè)中的程控電源全球半導體行業(yè)蓬勃發(fā)展，半導體生產(chǎn)商持續(xù)加大科研力度，擴建或優(yōu)化產(chǎn)線以提高產(chǎn)能和效率。半導體研發(fā)和制造過程中的多種應(yīng)用會使用程控電源，如半導體設(shè)備供電、電子器件的性能測試和老化
2025-08-22 09:28:10816 
溫控設(shè)備設(shè)計中，半導體制冷模組因無需制冷劑、零振動、精準控溫等優(yōu)勢，成為醫(yī)療、通信、工業(yè)等領(lǐng)域的核心溫控方案。半導體制冷模組的性能核心取決于功率匹配、尺寸適配與溫控精度三大參數(shù)。本文將深入對比關(guān)鍵
2025-08-20 15:37:551003 
超防新材料CFPC-01超疏水防凝露防結(jié)冰電子涂料CFPC-01涂料產(chǎn)品特點利用荷葉效應(yīng)研制的仿生涂料，具有極低的表面能和仿生荷葉的微納粗糙結(jié)構(gòu)，涂層的接觸角＞150°，具有天然的防水、防凝露、防覆
2025-08-14 10:25:49
半導體材料國產(chǎn)化進程，促進中國半導體材料行業(yè)的發(fā)展。 需求巨大 半導體是許多工業(yè)整機設(shè)備的核心，普遍應(yīng)用于計算機、通信、消費電子、汽車、工業(yè)/醫(yī)療、軍事/政府等核心領(lǐng)域。為鼓勵半導體材料產(chǎn)業(yè)發(fā)展，突破產(chǎn)業(yè)瓶頸，我國出臺等多項政策支持
2025-08-13 16:48:21663 
當您尋找可靠的國產(chǎn)半導體材料供應(yīng)商時，一家在光刻膠領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)全產(chǎn)業(yè)鏈突破的企業(yè)正脫穎而出——久日新材（688199.SH）。這家光引發(fā)劑巨頭，正以令人矚目的速度在半導體核心材料國產(chǎn)化浪潮中嶄露頭角
2025-08-12 16:45:381160 作者：錦匯資本汪建川，版權(quán)歸原作者所有?！?b class="flag-6" style="color: red">材料匯》歡迎朋友們踴躍投稿正文汪建川是錦匯天成私募基金管理（西安）有限公司投資總監(jiān)，從事私募股權(quán)投資行業(yè)十余年，主導完成了多個新材料、軍工、半導體項目的投資
2025-08-12 05:53:311341 超防新材料納米超疏水防水防短路電子保護涂料涂層CFPC-04產(chǎn)品簡介： 超防新材料納米超疏水涂料CFPC-04是一款用于電力/電子防護（常用在PCBA）行業(yè)的仿生荷葉表面的涂料，接觸角
2025-08-11 18:32:37
7月26日-27日，第十九屆中國半導體行業(yè)協(xié)會半導體分立器件年會在江蘇南京召開。會議期間，中國半導體行業(yè)協(xié)會正式發(fā)布了“2024年中國半導體行業(yè)功率器件十強企業(yè)”名單。
2025-08-01 17:58:191757 7月25日至27日，第十九屆中國半導體行業(yè)協(xié)會半導體分立器件年會暨2025年中國半導體器件技術(shù)創(chuàng)新及產(chǎn)業(yè)發(fā)展論壇在南京圓滿落幕。在備受矚目的年度評選環(huán)節(jié)中，聞泰科技憑借其持續(xù)領(lǐng)先的市場表現(xiàn)與深厚扎實
2025-07-30 17:50:241182 功率變換器是電能利用的重要裝置，其性能主要取決于其核心—功率半導體器件，常見類型有 MOSFET、IGBT 和二極管。傳統(tǒng) Si 器件已逼近材料極限，成為進一步提升效率和功率密度的瓶頸。
2025-07-29 11:15:202250 
半導體產(chǎn)業(yè)作為現(xiàn)代科技的基石，其技術(shù)的發(fā)展日新月異。半導體器件從設(shè)計到生產(chǎn)，每個環(huán)節(jié)都對測試設(shè)備的精度、效率提出了嚴苛要求。示波器作為關(guān)鍵的測試測量儀器，在半導體器件測試中發(fā)揮著不可或缺的作用。是德
2025-07-25 17:34:52652 
項目同臺競技，涵蓋半導體芯片材料、石墨烯材料等多個前沿領(lǐng)域，最終評選出企業(yè)組、創(chuàng)業(yè)組各級獎項。東莞市工業(yè)和信息化局相關(guān)負責人在致辭中表示，新材料產(chǎn)業(yè)是制造業(yè)轉(zhuǎn)型升
2025-07-21 07:21:19853 點膠加固焊接好的PCB板上的器件是一個常見的工藝，主要用于提高產(chǎn)品在振動、沖擊、跌落等惡劣環(huán)境下的可靠性。操作時需要謹慎，選擇合適的膠水、位置和用量至關(guān)重要。以下是詳細的步驟和注意事項：漢思新材料
2025-07-18 14:13:172037 
項目同臺競技，涵蓋半導體芯片材料、石墨烯材料等多個前沿領(lǐng)域，最終評選出企業(yè)組、創(chuàng)業(yè)組各級獎項。東莞市工業(yè)和信息化局相關(guān)負責人在致辭中表示，新材料產(chǎn)業(yè)是制造業(yè)轉(zhuǎn)型升
2025-07-18 06:19:34712 目錄
第1章?半導體中的電子和空穴第2章?電子和空穴的運動與復合
第3章?器件制造技術(shù)
第4章?PN結(jié)和金屬半導體結(jié)
第5章?MOS電容
第6章?MOSFET晶體管
第7章?IC中的MOSFET
2025-07-12 16:18:42
本書較全面地講述了現(xiàn)有各類重要功率半導體器件的結(jié)構(gòu)、基本原理、設(shè)計原則和應(yīng)用特性，有機地將功率器件的設(shè)計、器件中的物理過程和器件的應(yīng)用特性聯(lián)系起來。
書中內(nèi)容由淺入深，從半導體的性質(zhì)、基本的半導體
2025-07-11 14:49:36
區(qū)間，在對散熱要求較高的工業(yè)生產(chǎn)和實驗環(huán)境中，可實現(xiàn)熱量快速散發(fā)，維持溫度穩(wěn)定。而半導體高低溫實驗設(shè)備，如 SFP 光模塊測試盒，針對 10G、25G、100G 等不同速率的光模塊進行測試，其控溫范圍
2025-06-25 14:44:54
在半導體制造的精密鏈條中，半導體清洗機設(shè)備是確保芯片良率與性能的關(guān)鍵環(huán)節(jié)。它通過化學或物理手段去除晶圓表面的污染物（如顆粒、有機物、金屬離子等），為后續(xù)制程提供潔凈的基底。本文將從設(shè)備定義、核心特點
2025-06-25 10:31:51
半導體中電子和空穴運動方式有很多種，比如熱運動引起的布朗運動、電場作用下的漂移運動和由濃度梯度引起的擴散運動等等。它們都對半導體的導電性造成不同的影響，但最終在半導體中產(chǎn)生電流的只有漂移運動和擴散運動。在此匯總集中介紹一下半導體中載流子的運動。
2025-06-23 16:41:132108 
第三代半導體材料，以碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）為代表，因其在高頻、高效率、耐高溫和耐高壓等性能上的卓越表現(xiàn)，正在成為半導體領(lǐng)域的重要發(fā)展方向。在這些材料的制程中，電鏡技術(shù)發(fā)揮著不可或缺的作用
2025-06-19 14:21:46552 
半導體藥液單元（Chemical Delivery Unit, CDU）是半導體前道工藝（FEOL）中的關(guān)鍵設(shè)備，用于精準分配、混合和回收高純化學試劑（如蝕刻液、清洗液、顯影液等），覆蓋光刻、蝕刻
2025-06-17 11:38:08
碳化硅材料主要包括單晶和陶瓷2大類，無論是作為單晶還是陶瓷，碳化硅材料目前已成為半導體、新能源汽車、光伏等三大千億賽道的關(guān)鍵材料之一。圖片來源：Pixabay、Pexels單晶方面，碳化硅作為目前
2025-06-15 07:30:57973 的“守門人”。關(guān)于光電子器件光電子器件是一類基于半導體材料光電效應(yīng)等物理機制，實現(xiàn)光信號與電信號相互轉(zhuǎn)換的電子器件。當光線照射半導體材料時，電子吸收光子能量產(chǎn)生電子-
2025-06-12 19:17:281516 
引線框架（Lead Frame）是一種金屬結(jié)構(gòu)，主要用于半導體芯片的封裝中，作用就像橋梁——它連接芯片內(nèi)部的電信號到外部電路，實現(xiàn)電氣連接，同時還承擔機械支撐和散熱任務(wù)。它廣泛應(yīng)用于中低引腳數(shù)的封裝形式中，比如DIP、QFP、SOP、DFN等，是半導體封裝的基礎(chǔ)材料之一。
2025-06-09 14:55:171513 的核心奧秘。不追逐華而不實的噱頭，而是實實在在地依據(jù)市場需求和行業(yè)走向，精心打磨每一個技術(shù)細節(jié)。
其半導體清洗機，堪稱匠心之作。在清洗技術(shù)方面，融合了超聲波清洗、噴淋清洗與化學濕法清洗等多元手段，針對
2025-06-05 15:31:42
半導體硅作為現(xiàn)代電子工業(yè)的核心材料，其表面性質(zhì)對器件性能有著決定性影響。表面氧化處理作為半導體制造工藝中的關(guān)鍵環(huán)節(jié)，通過在硅表面形成高質(zhì)量的二氧化硅（SiO?）層，顯著改善了硅材料的電學、化學和物理
2025-05-30 11:09:301781 
化合物半導體器件以Ⅲ-Ⅴ族、Ⅱ-Ⅵ族元素通過共價鍵形成的材料為基礎(chǔ)，展現(xiàn)出獨特的電學與光學特性。以砷化鎵（GaAs）為例，其電子遷移率高達8500cm2/V·s，本征電阻率達10?Ω·cm，是制造高速、高頻、抗輻射器件的理想材料。
2025-05-28 14:37:382339 
近日，由中國汽車工程學會、汽車輕量化技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟、蕪湖市人民政府、奇瑞汽車股份有公司共同主辦的2025年國際汽車新材料大會在安徽省蕪湖市盛大開幕。本屆大會以“智能新材料·高能效新材料”為主
2025-05-27 16:32:42765 漢思膠水在半導體封裝中的應(yīng)用概覽漢思膠水在半導體封裝領(lǐng)域的應(yīng)用具有顯著的技術(shù)優(yōu)勢和市場價值，其產(chǎn)品體系覆蓋底部填充、固晶粘接、圍壩填充、芯片包封等關(guān)鍵工藝環(huán)節(jié)，并通過材料創(chuàng)新與工藝適配性設(shè)計，為
2025-05-23 10:46:58850 
與定義，他在半導體功率器件領(lǐng)域堅守了18年，也積累豐富實戰(zhàn)經(jīng)驗。工作角色轉(zhuǎn)變后，張大江開始更加注重以客戶需求為導向，從市場角度思考問題。想要在市場中脫穎而出，做好品牌宣傳是很關(guān)鍵的一步。在張大江的布局下
2025-05-19 10:16:02
運行。合科泰作為深耕半導體領(lǐng)域的專業(yè)器件制造商，始終以硅基技術(shù)為核心，在消費電子、汽車電子、工業(yè)控制等場景中，持續(xù)驗證著第一代半導體的持久生命力。
2025-05-14 17:38:40884 
日前，2025中國浙江（海寧）半導體裝備及材料博覽會在海寧會展中心拉開帷幕。本次展會匯聚了全球多家產(chǎn)業(yè)鏈上下游企業(yè)，聚焦芯片制造、封裝測試、材料研發(fā)等核心領(lǐng)域。浙江海納半導體股份有限公司（以下簡稱
2025-05-13 16:07:201596 電子束半導體圓筒聚焦電極
在傳統(tǒng)電子束聚焦中，需要通過調(diào)焦來確保電子束焦點在目標物體上。要確認是焦點的最小直徑位置非常困難，且難以測量。如果焦點是一條直線，就可以免去調(diào)焦過程，本文將介紹一種能把
2025-05-10 22:32:27
摘要：1、細分領(lǐng)域呈現(xiàn)差異化增長：半導體材料增速50%、新能源材料52%、生物醫(yī)用材料87%構(gòu)成三大增長極，而傳統(tǒng)結(jié)構(gòu)材料增速穩(wěn)定在8-10%。2、新興領(lǐng)域快速崛起：AI服務(wù)器-高頻高速材料增速60
2025-05-08 18:31:34681 微量摻雜元素在半導體器件的發(fā)展中起著至關(guān)重要的作用，可以精準調(diào)控半導體的電學、光學性能。對器件中微量摻雜元素的準確表征和分析是深入理解半導體器件特性、優(yōu)化器件性能的關(guān)鍵步驟，然而由于微量摻雜元素含量極低，對它的檢測和表征也面臨很多挑戰(zhàn)。
2025-04-25 14:29:531706 
從鍺晶體管到 5G 芯片，半導體材料的每一次突破都在重塑人類科技史。
2025-04-24 14:33:371214 
個N型材料構(gòu)成二、 種類：一般二極體、蕭特基、橋整、穩(wěn)壓管三、 作用：整流、檢波、穩(wěn)壓等四、 特性：單向?qū)щ娦?，把交流電變成直流電，正向?qū)?，反向截?即電流只能內(nèi)P流向N)五、 電路符號： 六、 按
2025-04-22 15:17:19
。 第1章 半導體產(chǎn)業(yè)介紹 第2章 半導體材料特性 第3章 器件技術(shù) 第4章 硅和硅片制備 第5章 半導體制造中的化學品 第6章 硅片制造中的沾污控制 第7章 測量學和缺陷檢查 第8章 工藝腔內(nèi)的氣體控制
2025-04-15 13:52:11
半導體元素是芯片制造的主要材料，芯片運算主要是用二進制進行運算。所以在電流來代表二進制的0和1，即0是不通電，1是通電。正好半導體通過一些微觀的構(gòu)造與參雜可以這種性質(zhì)。
2025-04-15 09:32:291642 
漢思新材料HS711是一種專為板卡級芯片底部填充封裝設(shè)計的膠水。HS711填充膠主要用于電子封裝領(lǐng)域，特別是在半導體封裝中，以提供機械支撐、應(yīng)力緩沖和保護芯片與基板之間的連接免受環(huán)境因素的影響。漢思
2025-04-11 14:24:01785 
半導體材料是現(xiàn)代信息技術(shù)的基石，其發(fā)展史不僅是科技進步的縮影，更是人類對材料性能極限不斷突破的見證。從第一代硅基材料到第四代超寬禁帶半導體，每一代材料的迭代都推動了電子器件性能的飛躍。 1 第一代
2025-04-10 15:58:562601 有機半導體材料是具有半導體性質(zhì)的有機材料，1986年第一個聚噻吩場效應(yīng)晶體管發(fā)明以來，有機場效應(yīng)晶體管（OFET）飛速發(fā)展。有機物作為半導體甚至是導體制備電子器件來代替以部分硅為主的傳統(tǒng)電子產(chǎn)品，利用有機物可以大規(guī)模低成本合成的優(yōu)勢，市場前景是巨大的。
2025-04-09 15:51:551064 
半導體精密劃片機在光電子器件制造中扮演著至關(guān)重要的角色，其高精度、高效率與多功能性為光通信、光電傳感等領(lǐng)域帶來了革命性的技術(shù)突破。一、技術(shù)特性：微米級精度與多維適配精度突破劃片機可實現(xiàn)微米級（甚至
2025-03-31 16:03:34792 
中圖儀器NS系列半導體臺階高度測量儀器是一款專為高精度微觀形貌測量設(shè)計的超精密接觸式儀器，廣泛應(yīng)用于半導體、光伏、MEMS、光學加工等領(lǐng)域。通過2μm金剛石探針與LVDC傳感器的協(xié)同工作，結(jié)合亞埃級
2025-03-31 15:08:10
NS系列半導體臺階儀應(yīng)用場景適應(yīng)性強，其對被測樣品的反射率特性、材料種類及硬度等均無特殊要求，可測量沉積薄膜的臺階高度、抗蝕劑（軟膜材料）的臺階高度等。 NS系列臺階儀采用了線性可變
2025-03-27 16:24:51
【DT半導體】獲悉，隨著人工智能（AI）技術(shù)的進步，對半導體性能的提升需求不斷增長，同時人們對降低半導體器件功耗的研究也日趨活躍，替代傳統(tǒng)硅的新型半導體材料備受關(guān)注。石墨烯、過渡金屬二硫化物（TMD
2025-03-08 10:53:061188 (MOSFET)、IGBT、SCR
(4)光電耦合器
(5)MEMS
(6)聲表面波器件(SAW Device)
(7)集成電路
BW-AH-5520半導體高精度自動溫度實驗系統(tǒng)具備風冷式，水冷式，液氮制冷式冷卻方式；主要是用來對各種元器件及芯片等性能參數(shù)在全溫度范圍內(nèi)、實現(xiàn)精密在線測試。
2025-03-06 10:48:56
（Yamatake Semiconductor）
領(lǐng)域 ：半導體設(shè)備
亮點 ：全球領(lǐng)先的晶圓加工設(shè)備供應(yīng)商，產(chǎn)品包括干法去膠、刻蝕設(shè)備等，2024年科創(chuàng)板IPO已提交注冊，擬募資30億元用于研發(fā)中心建設(shè)，技術(shù)
2025-03-05 19:37:43
近日，華大半導體與湖南大學在上海舉辦SiC功率半導體技術(shù)研討會，共同探討SiC功率半導體在設(shè)計、制造、材料等領(lǐng)域的最新進展及挑戰(zhàn)。
2025-02-28 17:33:531172 半導體塑封工藝是半導體產(chǎn)業(yè)中不可或缺的一環(huán)，它通過將芯片、焊線、框架等封裝在塑料外殼中，實現(xiàn)對半導體器件的保護、固定、連接和散熱等功能。隨著半導體技術(shù)的不斷發(fā)展，塑封工藝也在不斷演進，以適應(yīng)更高性能、更小尺寸、更高可靠性的半導體器件的需求。
2025-02-20 10:54:412565 
半導體濕法清洗工藝?? 隨著半導體器件尺寸的不斷縮小和精度要求的不斷提高，晶圓清洗工藝的技術(shù)要求也日益嚴苛。晶圓表面任何微小的顆粒、有機物、金屬離子或氧化物殘留都可能對器件性能產(chǎn)生重大影響，進而
2025-02-20 10:13:134063 
世界的一切活動皆基于材料，未來絢麗多彩的世界更需要魅力無限的材料，看看有哪些材料讓我們的未來的世界變得那么神奇？以下是有材大數(shù)據(jù)預測的十種未來最具成長的新材料： 人類這個物種始終走在發(fā)明創(chuàng)造的道路上
2025-02-19 11:56:091992 
新材料/半導體/新能源/光伏/顯示材料等正文半導體晶圓制造材料（11種）先進封裝材料（12種）半導體零部件材料（3種）顯示材料（11種）高性能纖維（12種）工程塑料（13種）高性能膜材（6種）先進陶瓷材料（9種）高性能合金（4種）一、半導體晶圓制造材料1、
2025-02-16 07:54:047695 一、引言隨著科技的不斷發(fā)展，功率半導體器件在電力電子系統(tǒng)、電動汽車、智能電網(wǎng)、新能源并網(wǎng)等領(lǐng)域發(fā)揮著越來越重要的作用。近年來，第三代寬禁帶功率半導體器件以其獨特的高溫、高頻、高耐壓等特性，逐漸
2025-02-15 11:15:301611 
2025 亞洲國際功率半導體、材料及裝備技術(shù)展覽會將于2025年11月20-22日在廣州保利世貿(mào)博覽館舉辦；展會將匯聚全球優(yōu)質(zhì)品牌廠商齊聚現(xiàn)場，打造功率半導體全產(chǎn)業(yè)鏈創(chuàng)新展示、一站式采購及技術(shù)交流平臺，集中展示半導體器件、功率模塊、第三代半導體、材料、封裝技術(shù)、測試技術(shù)、生產(chǎn)設(shè)備、散熱管理等熱門產(chǎn)品
2025-02-13 11:49:01742 
半導體常用器件的介紹
2025-02-07 15:27:21
0 近年來，隨著電力電子技術(shù)的快速發(fā)展，功率半導體器件在風力發(fā)電、光伏發(fā)電、電動汽車等戶外工況中的應(yīng)用日益廣泛。然而，這些戶外環(huán)境往往伴隨著較高的濕度，這對功率半導體器件的運行可靠性構(gòu)成了嚴峻挑戰(zhàn)
2025-02-07 11:32:251527 
在《意法半導體新能源功率解決方案：從產(chǎn)品到應(yīng)用，一文讀懂（上篇）》文章中，我們著重介紹了ST新能源功率器件中的傳統(tǒng)IGBT和高壓MOSFET器件，讓大家對其在相關(guān)領(lǐng)域的應(yīng)用有了一定了解。接下來，本文將聚焦于ST的SiC、GaN等第三代半導體產(chǎn)品以及其新能源功率解決方案。
2025-02-07 10:38:501640 
在半導體技術(shù)飛速發(fā)展的今天，大尺寸晶圓的高效制備成為推動行業(yè)進步的關(guān)鍵因素。而在眾多半導體材料中，金剛石憑借其超寬禁帶、高擊穿電場、高熱導率等優(yōu)異電學性質(zhì)，被視為 “終極半導體”，在電真空器件、高頻
2025-02-07 09:16:061038 
在半導體設(shè)備防震基座制造中，品管部對原材料檢驗流程質(zhì)量風險的控制至關(guān)重要，可從檢驗前規(guī)劃、檢驗過程把控、檢驗后處理等環(huán)節(jié)采取措施：一：檢驗前的規(guī)劃與準備1，明確質(zhì)量標準：與研發(fā)、生產(chǎn)等部門共同制定
2025-02-05 16:47:15717 
半導體激光器常用工作物質(zhì)有砷化鎵、硫化鎘等，激勵方式有電注入、電子束激勵和光抽運三種方式。 半導體激光器主要優(yōu)點是體積小、效率高、能耗低，以電注入式半導體激光器為例，半導體材料中通常會添加GaAS
2025-01-27 17:43:001042 
碳化硅（SiC）在半導體中扮演著至關(guān)重要的角色，其獨特的物理和化學特性使其成為制作高性能半導體器件的理想材料。以下是碳化硅在半導體中的主要作用及優(yōu)勢： 一、碳化硅的物理特性 碳化硅具有高禁帶寬度、高
2025-01-23 17:09:352664 近日，荷蘭特文特大學科學家開發(fā)出一種新工藝，能在室溫下制造出晶體結(jié)構(gòu)高度有序的半導體材料。他們表示，通過精準控制這種半導體材料的晶體結(jié)構(gòu)，大幅降低了內(nèi)部納米級缺陷的數(shù)量，可顯著提升光電子學效率，進而
2025-01-23 09:52:54686 
激光錫焊中，不同的波長適合不同的焊接材料，在實際的生產(chǎn)應(yīng)用中，半導體激光器的波長應(yīng)該如何選擇呢?松盛光電來給大家詳細的介紹分享。半導體激光器的波長選擇至關(guān)重要，需綜合考慮焊件材料、焊料特性、焊接要求等多方面因素。來了解一下吧。
2025-01-22 11:49:361412 
近年來，我國加快發(fā)展新一代信息技術(shù)、高端裝備制造、新能源等戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)，實施國民經(jīng)濟和國防建設(shè)重大工程，需要新材料產(chǎn)業(yè)提供支撐和保障，新材料產(chǎn)業(yè)未來發(fā)展空間廣闊。據(jù)統(tǒng)計，我國新材料產(chǎn)業(yè)產(chǎn)值從
2025-01-21 07:21:451419 /前言/功率半導體熱設(shè)計是實現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎(chǔ)，只有掌握功率半導體的熱設(shè)計基礎(chǔ)知識，才能完成精確熱設(shè)計，提高功率器件的利用率，降低系統(tǒng)成本，并保證系統(tǒng)的可靠性。功率器件熱
2025-01-13 17:36:111819 
? ? 1月8日，江蘇省發(fā)改委發(fā)布2025年江蘇省重大項目名單、2025年江蘇省民間投資重點產(chǎn)業(yè)項目名單，共計700個項目。 項目涵蓋半導體、新材料、高端裝備、新能源等多個領(lǐng)域，涉及寧德時代、中石油
2025-01-13 17:22:391399 
摘要新材料是指具有優(yōu)異性能和特殊功能的材料，涵蓋高性能結(jié)構(gòu)材料、先進功能材料、生物醫(yī)用材料、智能制造材料等多個領(lǐng)域。這些材料在高新技術(shù)、傳統(tǒng)產(chǎn)業(yè)改造、國防實力提升等方面發(fā)揮著關(guān)鍵作用，被視為硬
2025-01-12 07:21:461589 半導體濕法刻蝕過程中殘留物的形成，其背后的機制涵蓋了化學反應(yīng)、表面交互作用以及側(cè)壁防護等多個層面，下面是對這些機制的深入剖析： 化學反應(yīng)層面 1 刻蝕劑與半導體材料的交互：濕法刻蝕技術(shù)依賴于特定
2025-01-08 16:57:451468 隨著新能源汽車、5G通信、高端裝備制造等領(lǐng)域的蓬勃發(fā)展，功率半導體器件作為其核心組件，正面臨著前所未有的挑戰(zhàn)與機遇。在這些領(lǐng)域中，功率半導體器件不僅需要有更高的效率和可靠性，還要滿足壽命長、制造步驟
2025-01-08 13:06:132115 
/前言/功率半導體熱設(shè)計是實現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎(chǔ)，只有掌握功率半導體的熱設(shè)計基礎(chǔ)知識，才能完成精確熱設(shè)計，提高功率器件的利用率，降低系統(tǒng)成本，并保證系統(tǒng)的可靠性。功率器件熱
2025-01-06 17:05:481328 隨著半導體行業(yè)的新材料、新工藝、新器件的不斷發(fā)展，人工神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)作為一種替代方法已經(jīng)被引入器件建模領(lǐng)域。本文介紹了ANN神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)建模的起源、優(yōu)勢、實現(xiàn)方式和應(yīng)用場景。 ? 隨著半導體行業(yè)的新材料
2025-01-06 13:41:211792 
在半導體器件的實際部署中，它們會因功率耗散及周圍環(huán)境溫度而發(fā)熱，過高的溫度會削弱甚至損害器件性能。因此，熱測試對于驗證半導體組件的性能及評估其可靠性至關(guān)重要。然而，半導體熱測試過程中常面臨諸多挑戰(zhàn)
2025-01-06 11:44:391580
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