。 它擁有 100 萬系統(tǒng)門的邏輯容量，并專門針對 ARM Cortex-M1 軟處理器進(jìn)行了優(yōu)化（器件編號以 M1A3P 開頭）。它采用基于閃存的非易失性技術(shù)，
2026-01-05 16:41:46
和RAM的長處，不僅具備電子可擦除可編程（EEPROM）的功能，還可以快速讀取數(shù)據(jù)，具有NVRAM的優(yōu)勢（NVRAM：Non-Volatile Random Access Memory，非易失性隨機(jī)訪問
2026-01-04 07:10:12
eMMC全稱為 embedded Multi Media Card，主要用于非易失性存儲，它彌補(bǔ)了 FPGA 芯片自身存儲能力的不足，為 FPGA 提供一個高集成度、大容量、低成本、且易于使用的“硬盤”或“固態(tài)硬盤”解決方案。
2025-12-23 14:19:28
3972 
在存儲技術(shù)快速迭代的今天，MRAM芯片（磁阻隨機(jī)存取存儲器）以其獨(dú)特的性能，逐漸成為業(yè)界關(guān)注焦點(diǎn)。它不同于傳統(tǒng)的閃存或DRAM，利用磁性而非電荷來存儲數(shù)據(jù)，兼具高速、耐用與非易失性特點(diǎn)。
2025-12-15 14:39:04242 在電子設(shè)備設(shè)計(jì)中，數(shù)據(jù)存儲是一個關(guān)鍵環(huán)節(jié)，EEPROM（電可擦可編程只讀存儲器）因其非易失性和可重復(fù)編程的特性，成為了眾多應(yīng)用的理想選擇。今天，我們就來深入探討 ON Semiconductor
2025-12-05 15:12:42438 
在鋰電池的生產(chǎn)與應(yīng)用領(lǐng)域，安全始終是重中之重。鋰電池外殼的氣密性直接關(guān)系到電池的性能、壽命以及使用安全。傳統(tǒng)的檢測方法往往存在一定的局限性，而如今，非破壞性檢測新選擇——鋰電池外殼氣密性檢測儀
2025-12-02 14:31:48134 
在電子設(shè)計(jì)領(lǐng)域，EEPROM（電可擦可編程只讀存儲器）一直是數(shù)據(jù)存儲的關(guān)鍵組件。onsemi推出的NV25080LV、NV25160LV、NV25320LV和NV25640LV系列EEPROM，以其
2025-11-27 13:52:36236 
在各類電子設(shè)備與嵌入式系統(tǒng)中，存儲器的性能與功耗表現(xiàn)直接影響著整體設(shè)計(jì)的穩(wěn)定與效率。低功耗SRAM，特別是異步SRAM系列，憑借其出色的能效比與高可靠性，正成為越來越多工業(yè)控制、通信設(shè)備及便攜終端中的關(guān)鍵部件。
2025-11-25 15:42:56271 
在各類存儲設(shè)備中，SRAM（靜態(tài)隨機(jī)存儲器）因其高速、低功耗和高可靠性，被廣泛應(yīng)用于高性能計(jì)算、通信和嵌入式系統(tǒng)中。其中，雙口SRAM靜態(tài)隨機(jī)存儲器憑借其獨(dú)特的雙端口設(shè)計(jì)，在高帶寬和多任務(wù)場景中表現(xiàn)尤為出色，成為提升系統(tǒng)效率的重要組件。
2025-11-25 14:28:44273 在存儲技術(shù)快速演進(jìn)的今天，一種名為STT-MRAM（自旋轉(zhuǎn)移矩磁阻隨機(jī)存取存儲器）的新型非易失存儲器，正逐步走入產(chǎn)業(yè)視野。它不僅繼承了MRAM的高速讀寫能力與非易失特性，更通過“自旋電流”技術(shù)實(shí)現(xiàn)了信息寫入方式的突破，被視為第二代MRAM技術(shù)的代表。
2025-11-20 14:04:35244 在高端電源的設(shè)計(jì)與制造中，維愛普非晶磁環(huán)作為一種關(guān)鍵材料，越來越受到工程師和設(shè)計(jì)師的青睞。與傳統(tǒng)的鐵氧體或硅鋼磁芯相比，非晶磁環(huán)在性能上展現(xiàn)出顯著的優(yōu)勢。這些優(yōu)勢并非偶然，而是源于其獨(dú)特的材料特性
2025-11-19 14:08:52253 在嵌入式存儲應(yīng)用中，串口MRAM芯片憑借其非易失性、高速度及高耐用性受到廣泛關(guān)注。作為磁性隨機(jī)存儲器技術(shù)的代表，Everspin磁性隨機(jī)存儲器在工業(yè)控制、數(shù)據(jù)中心和汽車電子等領(lǐng)域表現(xiàn)優(yōu)異。
2025-11-19 11:51:41146 TPL0102配備兩個線性錐形數(shù)字電位器（DPOT），共有256個擦拭位置。 每個電位器既可作為三端子電位器，也可以作為兩端子電阻器使用。這 TPL0102-100的端到端電阻為100 kΩ。
TPL0102配備非易失性存儲器（EEPROM），可用于存儲擦刷 位置。這很有好處，因?yàn)橛晁⑽恢眉词乖跀嚯姇r也會被存儲，且 開機(jī)后會自動恢復(fù)?？梢栽L問TPL0102的內(nèi)部寄存器 使用 I^2^C接口。
2025-11-19 11:33:38623 
在現(xiàn)代高性能電子系統(tǒng)中，存儲器的讀寫速度往往是影響整體性能的關(guān)鍵因素之一。同步SRAM（Synchronous Static Random Access Memory）正是在這一需求下發(fā)展起來的重要
2025-11-18 11:13:01242 ，都屬于集成電路里的核心成員。要是按“斷電后數(shù)據(jù)能不能留在器件里”來分，存儲芯片能分成易失性和非易失性兩種。易失性存儲芯片就像電腦的內(nèi)存（像SRAM、DRAM這類
2025-11-17 16:35:402722 
羅氏線圈基于電磁感應(yīng)原理，具有高精度、寬頻帶、易安裝等優(yōu)勢，廣泛應(yīng)用于電力測量和智能電網(wǎng)。
2025-11-17 10:52:0614603 EEPROM是一項(xiàng)成熟的非易失性存儲（NVM）技術(shù)，其特性對當(dāng)今尖端應(yīng)用的發(fā)展具有非常重要的意義。意法半導(dǎo)體（ST）是全球EEPROM芯片知名廠商和存儲器產(chǎn)品和工藝創(chuàng)新名企之一，其連接安全產(chǎn)品部綜合
2025-11-17 09:30:101633 在處理器性能持續(xù)攀升的今天，存儲系統(tǒng)的速度已成為制約整體算力的關(guān)鍵瓶頸之一。作為最接近CPU核心的存儲單元，SRAM（靜態(tài)隨機(jī)存取存儲器）承擔(dān)著高速緩存的重要角色，其性能直接影響數(shù)據(jù)處理效率。當(dāng)前
2025-11-12 13:58:08455 PSRAM（偽靜態(tài)隨機(jī)存儲器）是一種兼具SRAM接口協(xié)議與DRAM內(nèi)核架構(gòu)的特殊存儲器。它既保留了SRAM無需復(fù)雜刷新控制的易用特性，又繼承了DRAM的高密度低成本優(yōu)勢。這種獨(dú)特的設(shè)計(jì)使PSRAM在嵌入式系統(tǒng)和移動設(shè)備領(lǐng)域獲得了廣泛應(yīng)用。
2025-11-11 11:39:04497 的壓力膜片易被粘稠介質(zhì)、含顆粒介質(zhì)（如污水、泥漿）堵塞。
電容式傳感器的優(yōu)勢：接觸式電容傳感器可通過電極材質(zhì)優(yōu)化（如鈦合金、聚四氟乙烯涂層），適配導(dǎo)電液體、絕緣液體、腐蝕性液體（酸堿溶液、化工廢液）；非
2025-11-11 11:37:00
在要求高性能與高可靠性的電子系統(tǒng)中，存儲器的選擇往往成為設(shè)計(jì)成敗的關(guān)鍵。Netsol推出的高速異步SRAM系列，憑借其出色的性能表現(xiàn)與獨(dú)有的錯誤校正（ECC）能力，為工業(yè)控制、通信設(shè)備及高精度計(jì)算等應(yīng)用提供了值得信賴的存儲解決方案。
2025-11-05 16:21:39284 創(chuàng)飛芯作為國內(nèi)一站式非易失存儲 IP 供應(yīng)商 ，獨(dú)立開發(fā)存儲 IP 及 IC ，為客戶提供一站式定制服務(wù)，擁有多項(xiàng)國內(nèi)外發(fā)明專利。
2025-10-30 16:51:43807 一、并行NAND閃存的基本概念 并行NAND閃存（Parallel NAND）是一種通過多條數(shù)據(jù)線同時傳輸多位數(shù)據(jù)的非易失性存儲芯片。不同于串行NAND依靠單線傳輸數(shù)據(jù)，并行NAND通過多個數(shù)據(jù)引腳
2025-10-30 08:37:07410 
非揮發(fā)性存儲器，如NAND、NOR Flash，數(shù)據(jù)在掉電后不會丟失。這類存儲器通常速度比較慢，可以做資料和大數(shù)據(jù)存儲。
2025-10-27 15:14:39310 在存儲解決方案中，外置SRAM通常配備并行接口。盡管并口SRAM在數(shù)據(jù)傳輸率方面表現(xiàn)卓越，但其原有的局限性也日益凸顯。最明顯的挑戰(zhàn)在于物理尺寸：不論是占用的電路板空間或是所需的引腳數(shù)量，并行接口都
2025-10-26 17:25:18835 MRAM是一種利用電子的自旋磁性來存儲信息的非易失性存儲器。它完美結(jié)合了SRAM的高速讀寫特性與閃存（Flash）的非易失性，能夠在斷電后永久保存數(shù)據(jù)，同時具備無限次擦寫、無磨損的卓越耐用性。MRAM將磁性材料集成于硅電路中，在單一芯片上實(shí)現(xiàn)了高速、可靠與長壽命的統(tǒng)一，是存儲技術(shù)的一次重大飛躍。
2025-10-24 15:48:44411 本篇將詳細(xì)介紹如何利用Verilog HDL在FPGA上實(shí)現(xiàn)SRAM的讀寫測試。SRAM是一種非易失性存儲器，具有高速讀取和寫入的特點(diǎn)。在FPGA中實(shí)現(xiàn)SRAM讀寫測試，包括設(shè)計(jì)SRAM接口模塊
2025-10-22 17:21:384118 
一次性可編程（OTP）非易失性存儲器問世已久。與其他非易失性存儲技術(shù)相比，OTP的占用面積更小，且無需額外的制造工序，因此成為存儲啟動代碼、加密密鑰等內(nèi)容的熱門選擇。盡管聽起來簡單，但隨著人工智能（AI）的大規(guī)模部署和對更先進(jìn)技術(shù)的需求日益增長，平衡OTP的各項(xiàng)需求變得極具挑戰(zhàn)性。
2025-10-21 10:38:111440 
近日，兆易創(chuàng)新（GigaDevice）與南京南瑞繼保電氣有限公司（以下簡稱“南瑞繼?！保┻_(dá)成戰(zhàn)略合作伙伴關(guān)系。此舉旨在充分聚合雙方優(yōu)勢，將兆易創(chuàng)新在國產(chǎn)MCU、存儲及模擬器件領(lǐng)域的產(chǎn)品技術(shù)經(jīng)驗(yàn)，與南
2025-10-14 18:05:52718 CMOS bq3285E/L 是一款低功耗微處理器外設(shè)，提供時間時鐘和 100 年日歷，具有鬧鐘功能和電池供電功能。bq3285L 支持 3V 系統(tǒng)。bq3285E/L 的其他特性包括三個可屏蔽中斷源、方波輸出和 242 字節(jié)的通用非易失性存儲。
2025-09-23 10:40:06698 
博維邏輯MC62W12816是一款2M低功耗SRAM，采用55ns高速訪問設(shè)計(jì)，為VR設(shè)備提供高性能非易失性存儲解決方案，顯著提升圖像處理與數(shù)據(jù)讀寫效率。
2025-09-22 09:55:00525 
在此前的文章《SRAM PUF：為每顆芯片注入“不可復(fù)制的物理指紋”，守護(hù)芯片安全》中，我們探討了基于SRAM的物理不可克隆功能（PUF）的基本原理，并介紹了SRAM PUF作為一種安全可靠、經(jīng)濟(jì)
2025-09-05 10:46:161152 ISSI IS62WV51216BLL-55TLI是一款8Mb（512K×16）高速異步SRAM，采用55ns訪問速度、2.5V~3.6V寬電壓設(shè)計(jì)，支持-40℃~85℃工業(yè)級溫度范圍，適用于車載導(dǎo)航、工業(yè)控制及通信設(shè)備等高可靠性場景。
2025-09-04 10:00:00533 
功能，并展示如何利用它提升營銷效果。通過本文，您將學(xué)會如何通過數(shù)據(jù)驅(qū)動的方法，讓您的店鋪會員營銷更高效、更個性化。 一、什么是蘇寧易購API？ API是應(yīng)用程序接口的縮寫，它允許不同軟件系統(tǒng)之間進(jìn)行數(shù)據(jù)交換和功能調(diào)用。蘇寧易
2025-08-29 11:01:30577 
隨著工業(yè)自動化技術(shù)的快速發(fā)展，伺服電機(jī)作為核心執(zhí)行元件，其位置檢測精度和可靠性直接影響系統(tǒng)性能。傳統(tǒng)光電編碼器存在易受污染、抗震性差等固有缺陷，而磁性編碼器憑借非接觸式測量、抗干擾能力強(qiáng)等優(yōu)勢，正
2025-08-16 14:15:311124 珠海創(chuàng)飛芯科技有限公司在非易失性存儲技術(shù)領(lǐng)域再獲突破——基于40nm標(biāo)準(zhǔn)工藝平臺開發(fā)的eNT嵌入式eFlash IP已通過可靠性驗(yàn)證！這一成果進(jìn)一步展現(xiàn)了創(chuàng)飛芯科技有限公司在先進(jìn)工藝節(jié)點(diǎn)上的技術(shù)實(shí)力與工程化能力。
2025-08-14 11:52:592245 在芯片工藝不斷演進(jìn)的今天，材料的物理特性與器件層面的可靠性測試正變得前所未有的重要。近日，在泰克云上大講堂關(guān)于《芯片的物理表征和可靠性測試》的直播中，大家就新型存儲技術(shù)、先進(jìn)材料電學(xué)表征等話題展開了熱烈討論。相變存儲作為新一代非易失性存儲的代表，其器件性能的測試與優(yōu)化自然也成為了焦點(diǎn)之一。
2025-08-11 17:48:371171 
NAND閃存芯片是一種非易失性存儲技術(shù)，廣泛應(yīng)用于現(xiàn)代電子設(shè)備中。以下是其核心功能、特點(diǎn)和應(yīng)用場景的詳細(xì)分析： 1. 核心功能 數(shù)據(jù)存儲：以電信號形式長期保存數(shù)據(jù)，斷電后數(shù)據(jù)不丟失。 快速讀寫：支持
2025-08-11 10:43:441645 ，是不是正在你的智能家居產(chǎn)品生產(chǎn)線上演？廣州九芯電子的NV080COTP語音播放芯片，正是為解決這些痛點(diǎn)而來。這款看似小巧的8腳芯片，以"低功耗、高音質(zhì)、易集成"三大核心優(yōu)勢，已成為
2025-08-01 15:25:07636 
近日，易普力股份有限公司與易控智駕科技股份有限公司在新疆國際煤炭工業(yè)博覽會現(xiàn)場簽訂戰(zhàn)略合作協(xié)議。
2025-07-21 09:28:16750 ——廣州九芯電子的NV400F音頻OTA芯片方案。NineChip語音芯片NineChip高效／穩(wěn)定／創(chuàng)新NV400F音頻OTA芯片對于初次使用無人自助咖啡機(jī)的顧客來
2025-07-09 13:47:06719 。NineChip語音芯片NineChip高效／穩(wěn)定／創(chuàng)新NV340D語音芯片今天，我們要為大家介紹的是廣州九芯電子科技研發(fā)推出的NV340D語音芯片，它如何為電子鬧鐘帶來
2025-07-05 11:09:241135 。 ? 半導(dǎo)體存儲器按照斷電后數(shù)據(jù)是否繼續(xù)保存，可分為易失性(Volatile)存儲和非易失性(Non-Volatile)存儲。利基型DRAM屬于易失性存儲，NOR?Flash、SLC?NAND?Flash屬于非
2025-06-29 06:43:001768 
，代表不同數(shù)據(jù)狀態(tài)（如SLC=1bit, MLC=2bits, TLC=3bits, QLC=4bits）。數(shù)據(jù)以“塊”為單位擦除和寫入。
特點(diǎn)：
優(yōu)點(diǎn)：非易失性，容量大（單位成本低），抗震抗摔（無機(jī)
2025-06-24 09:09:39
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2025-06-20 17:42:06
美甲工具消毒不徹底易引發(fā)感染，紫外線殺菌盒搭配NV080D語音芯片，智能播報(bào)消毒狀態(tài)，既保障衛(wèi)生安全又提升工作效率，讓美甲服務(wù)更安心高效。
2025-06-20 14:44:48530 AEM制氫技術(shù)裝備在夏季的核心優(yōu)勢可概括為：“高溫高效、低耗穩(wěn)定、安全易維護(hù)”，其技術(shù)特性與夏季的氣候條件、能源供需特點(diǎn)高度契合，尤其適合搭配可再生能源或部署于高溫高濕地區(qū)，是推動氫能“季節(jié)適配性”應(yīng)用的關(guān)鍵技術(shù)之一。
2025-06-20 10:11:41473 
國內(nèi)領(lǐng)先的一站式存儲NVM IP供應(yīng)商創(chuàng)飛芯在非易失性存儲技術(shù)領(lǐng)域取得的一項(xiàng)重要成果 —— 基于130nm標(biāo)準(zhǔn)工藝平臺開發(fā)，為客戶定制開發(fā)的EEPROM IP，已順利通過客戶全流程的PVT測試
2025-06-12 17:42:071062 非序列光學(xué)系統(tǒng)，特別是那些非序列性來自組件內(nèi)部多次內(nèi)部反射的系統(tǒng)，具有一系列特定的挑戰(zhàn)。將這樣的系統(tǒng)分解成一個順序等價的系統(tǒng)通常非常不方便，而且總是不切實(shí)際的。因此，擁有一個穩(wěn)定的非序列建模策略
2025-06-12 08:49:47
物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備對存儲芯片的需求聚焦于低功耗、小尺寸、高可靠性與傳輸效率，Cascadeteq 的 CSS6404L 64Mb Quad-SPI Pseudo-SRAM 憑借差異化技術(shù)特性，在同類產(chǎn)品中展現(xiàn)顯著優(yōu)勢。以下從核心特性及競品對比兩方面解析其應(yīng)用價值。
2025-06-06 15:31:08505 CS56404L 64Mb Quad-SPI Pseudo-SRAM 產(chǎn)品特點(diǎn)及核心優(yōu)勢：核心特點(diǎn)接口與模式支持 SPI（單線） 和 QPI（四線） 模式，默認(rèn)上電為 SPI 模式，可通過指令切換至
2025-06-06 15:01:36
在高性能計(jì)算、邊緣物聯(lián)網(wǎng)、人工智能和云計(jì)算等應(yīng)用領(lǐng)域，要確保先進(jìn)SoC設(shè)計(jì)的安全性與正確配置，一次性可編程（OTP）非易失性內(nèi)存（NVM）至關(guān)重要。隨著這些技術(shù)朝著先進(jìn)FinFET節(jié)點(diǎn)發(fā)展，OTP
2025-06-03 10:41:501780 
14FLASHFLASH的工作原理與應(yīng)用OWEIS1什么是FLASH?Flash閃存是一種非易失性半導(dǎo)體存儲器，它結(jié)合了ROM（只讀存儲器）和RAM（隨機(jī)訪問存儲器）的優(yōu)點(diǎn)，具有電子可擦除和可編程
2025-05-27 13:10:411722 
DS4520是9位非易失(NV) I/O擴(kuò)展器，具有通過I2C兼容的串行接口控制的64字節(jié)NV用戶存貯器。與用來控制數(shù)字邏輯節(jié)點(diǎn)的硬件跳線和機(jī)械開關(guān)相比，DS4520為用戶提供了數(shù)字可編程的替代方案
2025-05-26 15:41:31457 
DS4510是CPU監(jiān)控電路，具有內(nèi)部集成的64字節(jié)EEPROM存儲器和四個可編程的非易失性(NV) I/O引腳。它配備了工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)I2C接口，使用快速模式(400kbps)或標(biāo)準(zhǔn)模式(100kbps
2025-05-26 10:13:41748 
DS4550是9位，非易失(NV) I/O擴(kuò)展器，具有I2C兼容串行接口或IEEE? 1149.1 JTAG端口控制的64字節(jié)NV用戶存儲器。DS4550采用數(shù)字編程替代硬件跳線和機(jī)械開關(guān)，實(shí)現(xiàn)對數(shù)
2025-05-26 09:50:50683 
深圳市易飛揚(yáng)通信技術(shù)有限公司將攜多款創(chuàng)新非相干與相干DWDM解決方案，亮相新加坡CommunicAsia 2025展會（5月27-29日，展位號3E2-5），展現(xiàn)高速、低功耗、低成本及長距離光傳輸領(lǐng)域的最新突破。
2025-05-23 17:43:04630 
方法。其通過鎖相放大相機(jī)可以同步各個像素采集特定頻率熒光信號。實(shí)驗(yàn)表明，該方法可實(shí)時解析NV色心熒光強(qiáng)度在一定磁場強(qiáng)度下的周期性響應(yīng)，進(jìn)而測量實(shí)驗(yàn)所施加的磁場強(qiáng)度。
2025-05-19 12:04:001398 
NV—G30、G33錄像機(jī)磁鼓不轉(zhuǎn)故障的檢修 2
2025-05-17 15:37:29
0 NV—G30、G33錄像機(jī)磁鼓不轉(zhuǎn)故障的檢修
2025-05-17 15:34:452 DS1856雙路、溫控、非易失(NV)可變電阻具有3路監(jiān)測器，內(nèi)置2個256級、線性可變電阻；3路模擬監(jiān)測器輸入(MON1、MON2、MON3)和直接數(shù)字化傳感器。這款器件可理想用于偏置電壓、電流
2025-05-12 11:44:02660 
DS3911是一款4通道、10位Σ-Δ輸出、非易失(NV)控制器，內(nèi)置溫度傳感器和相應(yīng)的模/數(shù)轉(zhuǎn)換器(ADC)。集成溫度傳感器提供分辨率為2°C的NV查找表(LUT)索引，溫度范圍為-40°C至
2025-05-12 09:41:29713 
DS1856M雙路、溫控、非易失(NV)可變電阻具有3路監(jiān)測器，內(nèi)置2個256抽頭、線性可變電阻；3路模擬監(jiān)測器輸入(MON1、MON2、MON3)和直接轉(zhuǎn)換成數(shù)字信號的溫度傳感器。這款器件理想
2025-05-09 17:21:02781 
和穩(wěn)定性。 材質(zhì)特性： 高純度無氧銅：電阻率低(約0.0172 Ω·mm2/m)，導(dǎo)電性能優(yōu)異，信號衰減小，支持高頻傳輸(250MHz帶寬)。 抗氧化性強(qiáng)：裸銅導(dǎo)體在空氣中易氧化，但六類網(wǎng)線通常采用鍍錫或鍍鎳工藝，增強(qiáng)抗腐蝕性，延長使用壽命。 應(yīng)用優(yōu)勢：適用于千兆以太網(wǎng)
2025-05-06 10:24:461129 今日，兆易創(chuàng)新宣布推出GD5F1GM9系列高速Q(mào)SPI NAND Flash，該系列以其突破性的讀取速度和創(chuàng)新的壞塊管理（BBM）功能，可有效解決傳統(tǒng)SPI NAND Flash響應(yīng)速度慢、易受壞塊
2025-04-16 13:50:011168 芯片燒錄領(lǐng)導(dǎo)者昂科技術(shù)近期宣布了其燒錄軟件的最新迭代，并公布了一系列新增兼容芯片型號。在此次更新中，恒爍半導(dǎo)體（Zbit）推出的非易失性閃存ZB25VQ16CS已被昂科燒錄程序芯片燒錄設(shè)備
2025-04-09 15:22:11735 
一、什么是飛易云平臺 飛易云平臺是一個基于物聯(lián)網(wǎng)技術(shù)的云平臺,經(jīng)過軟硬件結(jié)合，用戶可以通過平臺進(jìn)行設(shè)備定位管理、數(shù)據(jù)傳輸，商品廣告展示等可視化操作。它的優(yōu)勢為平臺操作簡單，能夠提高效率，節(jié)約
2025-03-28 15:28:37684 
我在定制硬件中使用S32K312 IC （單核）。我已使用 RTD SDK 創(chuàng)建了該項(xiàng)目。
我看到有以下 RAM（大分區(qū)）可供我們使用（根據(jù)生成的鏈接器文件）：
int_dtcm
int_sram
2025-03-27 07:16:12
，又可再對它寫入，為可讀/寫存儲器， 或隨機(jī)訪問存儲器。? 易失性
p 若存儲器在斷電之后，仍能保存其中的內(nèi)容，則稱為非易失性存儲器；否則，為易失性存儲器；
p 只讀存儲器（ROM）是非易失性的，隨機(jī)
2025-03-26 11:12:24
NAND閃存是一種非易失性存儲技術(shù)，廣泛用于固態(tài)硬盤、USB閃存盤和手機(jī)存儲中，具有高速讀寫和耐用性強(qiáng)的特點(diǎn)。
2025-03-12 10:21:145317 
無感直流BLDC，大占空比情況下失步問題
2025-03-11 08:00:38
特性低成本、低功耗的復(fù)雜可編程邏輯器件（CPLD）即時啟動，非易失性架構(gòu)待機(jī)電流低至 2 毫安提供快速的傳播延遲和時鐘到輸出時間提供四個全局時鐘，每個邏輯陣列塊（LAB）有兩個時鐘可用高達(dá) 8 千
2025-03-07 15:19:03
全球嵌入式非易失性內(nèi)存（eNVM）解決方案的領(lǐng)導(dǎo)廠商力旺電子，與旗下專注于PUF（物理不可克隆功能）安全I(xiàn)P的子公司熵碼科技，今日正式推出全球首款結(jié)合PUF技術(shù)的后量子加密（PQC）解決方案。此
2025-03-05 11:43:101003 MXD1210非易失性RAM控制器是一款超低功耗CMOS電路，可將標(biāo)準(zhǔn)（易失性）CMOS RAM轉(zhuǎn)換為非易失性存儲器。它還會持續(xù)監(jiān)控電源，以在RAM的電源處于邊際（超出容限）條件時提供RAM寫保護(hù)。當(dāng)電源開始出現(xiàn)故障時，RAM受到寫保護(hù)，并且器件切換到電池備用模式。
2025-02-28 10:48:16917 
帶幻象時鐘的DS1243Y 64K NV SRAM是一款內(nèi)置實(shí)時時鐘、完全靜態(tài)的非易失性RAM（結(jié)構(gòu)為8192個字x 8位）。DS1243Y具有獨(dú)立的鋰能源和控制電路，可持續(xù)監(jiān)控VCC是否發(fā)生超出容
2025-02-28 10:31:43994 
DS9034PCX PowerCap作為非易失性計(jì)時RAM的鋰電源，采用Dallas Semiconductor的直接表面貼裝PowerCap模塊(PCM)封裝。PowerCap模塊板焊接到位并清潔
2025-02-28 10:07:12805 
帶鋰電池監(jiān)控器的DS1321靈活非易失性控制器是一款CMOS電路，解決了將CMOS SRAM轉(zhuǎn)換為非易失性存儲器的應(yīng)用問題。監(jiān)控輸入功率是否發(fā)生超出容差的情況。當(dāng)檢測到這種情況時，芯片使能輸出會被
2025-02-28 10:00:43985 
帶電池監(jiān)控器的DS1314非易失性控制器是一個CMOS電路，解決了將CMOS RAM轉(zhuǎn)換為非易失性存儲器的應(yīng)用問題。監(jiān)控輸入功率是否發(fā)生超出容差的情況。當(dāng)檢測到這種情況時，芯片使能會被禁止以實(shí)現(xiàn)
2025-02-28 09:53:17806 
帶電池監(jiān)控器的DS1312非易失性控制器是一個CMOS電路，解決了將CMOS RAM轉(zhuǎn)換為非易失性存儲器的應(yīng)用問題。監(jiān)控輸入功率是否發(fā)生超出容差的情況。當(dāng)檢測到這種情況時，芯片使能會被禁止以實(shí)現(xiàn)
2025-02-28 09:48:45743 
DS1746是一款全功能、符合2000年標(biāo)準(zhǔn)(Y2KC)的實(shí)時時鐘/日歷(RTC)和128k x 8非易失性靜態(tài)RAM。用戶對DS1746內(nèi)所有寄存器的訪問都通過字節(jié)寬接口實(shí)現(xiàn)，如圖1所示。RTC
2025-02-27 17:20:04913 
DS1557是一款全功能、符合-2000年標(biāo)準(zhǔn)(Y2KC)的實(shí)時時鐘/日歷(RTC)，具有RTC警報(bào)、看門狗定時器、上電復(fù)位、電池監(jiān)控器和512k x 8非易失性靜態(tài)RAM。用戶對DS1557內(nèi)所有
2025-02-27 17:11:32932 
DS1554是一款全功能、符合2000年標(biāo)準(zhǔn)(Y2KC)的實(shí)時時鐘/日歷(RTC)，具有RTC警報(bào)、看門狗定時器、上電復(fù)位、電池監(jiān)控器和32k x 8非易失性靜態(tài)RAM。用戶對DS1554內(nèi)所有
2025-02-27 16:54:351041 
DS1747是功能完備、2000年兼容(Y2KC)的實(shí)時時鐘/日歷(RTC)和512k x 8非易失性SRAM。用戶可通過如圖1所示的單字節(jié)寬度的接口對DS1747內(nèi)部的所有寄存器進(jìn)行訪問。RTC
2025-02-27 15:51:09872 
具有隱含時鐘的DS1251 4096k NV SRAM為全靜態(tài)非易失RAM (按照8位、512k字排列)，內(nèi)置實(shí)時時鐘。DS1251Y自帶鋰電池及控制電路，控制電路連續(xù)監(jiān)視V~CC~是否超出容差范圍，一旦超出容差，鋰電池便自動切換至供電狀態(tài)，寫保護(hù)將無條件使能、以防存儲器和實(shí)時時鐘數(shù)據(jù)被破壞。
2025-02-27 15:44:58890 
具有隱含時鐘的DS1248 1024k NV SRAM為全靜態(tài)非易失RAM (按照8位、128k字排列)，內(nèi)置實(shí)時時鐘。DS1248自帶鋰電池及控制電路，控制電路連續(xù)監(jiān)視V~CC~是否超出容差范圍，一旦超出容差，鋰電池便自動切換至供電狀態(tài)，寫保護(hù)將無條件使能、以防存儲器和實(shí)時時鐘數(shù)據(jù)被破壞。
2025-02-27 15:38:41747 
DS1558為完備的、2000年兼容(Y2KC)的、實(shí)時時鐘/日歷(RTC)，具有RTC報(bào)警、看門狗定時器、上電復(fù)位、電池監(jiān)控以及NV SRAM控制器。用戶訪問DS1558中所有寄存器都通過
2025-02-27 11:03:481005 
具有隱含時鐘的DS1244 256k、NV SRAM為全靜態(tài)非易失RAM (NV SRAM) (按照8位、32k字排列)，內(nèi)置實(shí)時時鐘。DS1244自帶鋰電池及控制電路，控制電路連續(xù)監(jiān)視V~CC
2025-02-27 10:10:50931 
DS1744是功能完備、2000年兼容(Y2KC)的實(shí)時時鐘/日歷(RTC)和32k x 8 NV SRAM。用戶可通過如完整數(shù)據(jù)資料中的圖1所示的單字節(jié)寬度的接口對DS1744內(nèi)部的所有寄存器進(jìn)行
2025-02-27 09:31:07996 
DS1265 8M非易失SRAM為8,388,608位、全靜態(tài)非易失SRAM，按照8位、1,048,576字排列。每個NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路，控制電路連續(xù)監(jiān)視V~CC~是否超出容差范圍
2025-02-27 09:19:54819 
DS1249 2048k非易失(NV) SRAM為2,097,152位、全靜態(tài)非易失SRAM，按照8位、262,144字排列。每個NV SRAM均自帶鋰電池及控制電路，控制電路連續(xù)監(jiān)視V~CC~是否
2025-02-27 09:09:09949 
DS1501/DS1511為完備的、2000年兼容的、實(shí)時時鐘/日歷(RTC)，具有RTC報(bào)警、看門狗定時器、上電復(fù)位、電池監(jiān)控、256字節(jié)非易失(NV) SRAM以及一個32.768kHz的頻率
2025-02-26 16:38:17905 
DS1501/DS1511為完備的、2000年兼容的、實(shí)時時鐘/日歷(RTC)，具有RTC報(bào)警、看門狗定時器、上電復(fù)位、電池監(jiān)控、256字節(jié)非易失(NV) SRAM以及一個32.768kHz的頻率
2025-02-26 16:23:11836 
可達(dá)90 MB/s?STR和DTR支持的協(xié)議——擴(kuò)展I/O協(xié)議——雙I/O協(xié)議——四I/O協(xié)議?就地執(zhí)行（XIP）?程序/擦除暫停操作?易失性和非易失性配置設(shè)置?軟
2025-02-19 16:15:14
M95320-DRMN3TP/K是一款高性能的串行EEPROM，采用SPI接口，具有32Kbit的存儲容量。該器件專為需要非易失性存儲的應(yīng)用設(shè)計(jì)，能夠在斷電后保持?jǐn)?shù)據(jù)
2025-02-18 21:57:03
醫(yī)用教學(xué)人體模型用NV128H語音芯片增強(qiáng)互動性，支持中英文播放，可自定義詞條，提升培訓(xùn)效果。NV128H性能卓越，功能豐富，是醫(yī)學(xué)教學(xué)模型中的關(guān)鍵組件。
2025-02-15 15:16:181166 
近日，SaaS領(lǐng)域傳來重要消息，銷售易宣布與騰訊的戰(zhàn)略合作再次升級。此次升級將圍繞產(chǎn)品、技術(shù)、生態(tài)等多個維度展開，旨在共同開拓SaaS賽道的新增長路徑和機(jī)遇。 為了更有效地整合和發(fā)揮雙方的優(yōu)勢資源
2025-02-14 14:09:04722 在現(xiàn)代化的交通管理體系中，非侵入式路面狀況傳感器正以其非接觸式檢測原理，成為道路安全監(jiān)測領(lǐng)域的新寵。非侵入式路面狀況傳感器依托遙感技術(shù)，能夠在不直接接觸路面的情況下，遠(yuǎn)距離獲取道路信息，不僅避免了傳統(tǒng)檢測方式對道路的破壞，還提高了監(jiān)測的效率和準(zhǔn)確性。
2025-02-10 11:51:12571 在此次更新中，恒爍半導(dǎo)體（Zbit）推出的非易失性閃存ZB25VQ32DS已被昂科的程序燒錄專業(yè)芯片燒錄設(shè)備AP8000所支持。昂科技術(shù)自主研發(fā)的AP8000萬用燒錄器，支持包括一拖一及一拖八配置
2025-01-17 09:30:20872 
有人用過數(shù)字電位器TPL0501-100么？器件比較中說它采用的是易失性存儲介質(zhì)，但是datasheet中關(guān)于這點(diǎn)只字未提，不知道上電后，它的抽頭到一端的電阻是多少？
2025-01-14 08:37:07
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