。ADPA7001CHIPS作為一款優(yōu)秀的GaAs、pHEMT、MMIC寬帶功率放大器脫穎而出，下面我們就來詳細(xì)剖析這款產(chǎn)品。 文件下載： ADPA7001.pdf 一、關(guān)鍵特性亮點(diǎn) 1. 電氣
2026-01-05 14:10:11
87 在日益復(fù)雜的動(dòng)環(huán)監(jiān)控需求下，ESU-1B-838嵌入式工控機(jī)以國(guó)產(chǎn)RK3568芯片為核心，提供2.0GHz強(qiáng)勁算力與1TOPS獨(dú)立NPU，搭配16路智能串口和10路AI/DI通道，實(shí)現(xiàn)多設(shè)備一站式
2026-01-04 14:34:43530 
高速數(shù)據(jù)路徑提供了出色的解決方案。今天，我們就來深入了解一下DS42MB200這款芯片。 文件下載： ds42mb200.pdf 芯片概述 DS42MB200是一款雙信號(hào)調(diào)理2:1多路復(fù)用器和1:2扇出
2025-12-27 17:20:09973 深入解析DS25MB100：2.5 Gbps 2:1/1:2 CML Mux/Buffer的卓越性能與應(yīng)用 一、引言 在高速數(shù)據(jù)通信領(lǐng)域，信號(hào)的高效傳輸和處理至關(guān)重要。DS25MB100作為一款
2025-12-27 14:10:15410 深度剖析DS42MB100：4.25 - Gbps 2:1/1:2 CML MUX/Buffer的卓越性能與應(yīng)用 在高速數(shù)據(jù)傳輸?shù)念I(lǐng)域中，信號(hào)的質(zhì)量和穩(wěn)定性是至關(guān)重要的。今天我們要詳細(xì)探討
2025-12-27 10:45:12545 探索DS64MB201：高性能2:1/1:2復(fù)用器/緩沖器的設(shè)計(jì)與應(yīng)用 在當(dāng)今高速數(shù)據(jù)傳輸?shù)臅r(shí)代，電子工程師們不斷尋求著能滿足高性能、高速度要求的器件。Texas Instruments
2025-12-24 14:00:03153 高速信號(hào)處理利器：DS100MB201深度解析 在高速數(shù)據(jù)傳輸?shù)念I(lǐng)域中，對(duì)于信號(hào)處理和傳輸?shù)囊笤絹碓礁?。DS100MB201作為一款高性能的雙通道2:1/1:2復(fù)用器/緩沖器，憑借其出色的特性
2025-12-24 10:50:06160 ）推出的 TDP20MB421。 文件下載： tdp20mb421.pdf 1. 產(chǎn)品概述 TDP20MB421 是一款具有集成 2:1 多路復(fù)用器的 4 通道線性轉(zhuǎn)接驅(qū)動(dòng)器
2025-12-15 17:40:09909 Arduio。
板載DAP-Link，可以支持調(diào)試以及串口，無(wú)需外接
2MB的Flash以及1MB的RAM空間。
板子可外接mrcro SD卡，可操作出名滑條，可外擴(kuò)WIFI以及藍(lán)牙。
2、PSOC62
2025-12-04 21:50:23
展現(xiàn)出強(qiáng)大的競(jìng)爭(zhēng)力。技術(shù)參數(shù)與核心優(yōu)勢(shì)：1.靈活的通信接口：XV7001BB支持SPI或I2C串行接口，這使得它能夠輕松地與各種微控制器和系統(tǒng)集成，為設(shè)備之間的通
2025-12-04 16:54:44387 
最近扒了扒國(guó)產(chǎn)芯片的進(jìn)展，發(fā)現(xiàn)中芯國(guó)際（官網(wǎng)鏈接：https://www.smics.com）的 14nm FinFET 制程已經(jīng)不是 “實(shí)驗(yàn)室技術(shù)” 了 —— 從消費(fèi)電子的中端處理器，到汽車電子
2025-11-25 21:03:40
在現(xiàn)代高性能電子系統(tǒng)中，存儲(chǔ)器的讀寫速度往往是影響整體性能的關(guān)鍵因素之一。同步SRAM（Synchronous Static Random Access Memory）正是在這一需求下發(fā)展起來的重要
2025-11-18 11:13:01244 中有兩個(gè)區(qū)實(shí)現(xiàn)了位帶操作
SRAM 區(qū)的最低 1MB 范圍
片內(nèi)外設(shè)區(qū)的最低 1MB 范圍
// SRAM 位帶區(qū): 0X2000 0000~0X2010 0000
// SRAM 位帶別名
2025-11-18 07:03:05
的RAM一樣使用外，還可以通過位帶別名區(qū)進(jìn)行操作。這兩個(gè)區(qū)(位帶區(qū))分別是：
SRAM區(qū)中的最低1MB：0x2000 0000 - 0x200F FFFF
片上外設(shè)去中的最低1MB：0x4000
2025-11-18 07:01:36
電子發(fā)燒友綜合報(bào)道 過去幾年，汽車芯片國(guó)產(chǎn)替代一直在加速推進(jìn)。在11月1日，廣汽集團(tuán)昊鉑GT攀登版車型正式下線，據(jù)稱是中國(guó)第一臺(tái)100%國(guó)產(chǎn)化自主設(shè)計(jì)芯片的智能新能源汽車。 ? 根據(jù)目前公開的一些
2025-11-13 09:10:332460 FLASH (ECC 保護(hù))– 1MB SRAM(ECC保護(hù)/奇偶校驗(yàn)保護(hù))? 1MB 指令RAM，512KB 數(shù)據(jù)RAM? 時(shí)鐘和控制– 兩個(gè)內(nèi)部零引腳 10
2025-11-12 14:11:40
高端處理器芯片中通常設(shè)計(jì)有包含四個(gè)層級(jí)的SRAM緩存子系統(tǒng)：從專屬于單個(gè)處理器核心的一級(jí)緩存，到多個(gè)計(jì)算單元共享的三級(jí)或四級(jí)末級(jí)緩存，每一級(jí)都在存取速度、存儲(chǔ)容量與制造成本之間實(shí)現(xiàn)精密平衡。
2025-11-12 13:58:08457 全國(guó)產(chǎn)UART無(wú)線串口模塊技術(shù)全景解析與應(yīng)用指南 一、國(guó)產(chǎn)UART無(wú)線模塊技術(shù)發(fā)展現(xiàn)狀 1.1 技術(shù)演進(jìn)歷程 UART無(wú)線串口模塊 作為物聯(lián)網(wǎng)通信的基礎(chǔ)組件，經(jīng)歷了從 進(jìn)口依賴 到 國(guó)產(chǎn)替代 的重大
2025-10-27 10:27:50371 遠(yuǎn)大于串行接口。以一個(gè)簡(jiǎn)單的4Mb SRAM為例，其與控制器連接最多可能需要43個(gè)引腳，這在追求緊湊設(shè)計(jì)的現(xiàn)代電子設(shè)備中成為了重要考量因素。 在芯片設(shè)計(jì)領(lǐng)域，嵌入式SRAM目前已經(jīng)占據(jù)了控制器空間的90%。更為重要的是，嵌入式SRAM的制程縮小速
2025-10-26 17:25:18835 MRAM是一種利用電子的自旋磁性來存儲(chǔ)信息的非易失性存儲(chǔ)器。它完美結(jié)合了SRAM的高速讀寫特性與閃存（Flash）的非易失性，能夠在斷電后永久保存數(shù)據(jù)，同時(shí)具備無(wú)限次擦寫、無(wú)磨損的卓越耐用性。MRAM將磁性材料集成于硅電路中，在單一芯片上實(shí)現(xiàn)了高速、可靠與長(zhǎng)壽命的統(tǒng)一，是存儲(chǔ)技術(shù)的一次重大飛躍。
2025-10-24 15:48:44414 本篇將詳細(xì)介紹如何利用Verilog HDL在FPGA上實(shí)現(xiàn)SRAM的讀寫測(cè)試。SRAM是一種非易失性存儲(chǔ)器，具有高速讀取和寫入的特點(diǎn)。在FPGA中實(shí)現(xiàn)SRAM讀寫測(cè)試，包括設(shè)計(jì)SRAM接口模塊
2025-10-22 17:21:384118 
STMicroelectronics STM32WBA55G-DK1探索套件是用于STM32WBA55CGU7微控制器的全面演示和開發(fā)平臺(tái)。它采用帶有Arm? TrustZone?和主線安全擴(kuò)展的Arm? Cortex?-M33內(nèi)核、1MB閃存、128KB SRAM和智能外設(shè)資源。
2025-10-21 10:31:37428 
– 1MB FLASH (ECC 保護(hù)) – 1MB SRAM(ECC保護(hù)/奇偶校驗(yàn)保護(hù)) ? 1MB 指令RAM，512KB 數(shù)據(jù)RAM ? 時(shí)
2025-10-15 16:29:50
Microchip Technology 23AA04M和23LCV04M 4Mb SPI/SDI/SQI SRAM是隨機(jī)存取存儲(chǔ)器器件，可通過兼容串行外設(shè)接口 (SPI) 的串行總線訪問。SRAM
2025-10-09 11:16:59540 Microchip Technology 23AA02M和23LCV02M 2Mb SPI/SDI/SQI SRAM是可以通過串行外設(shè)接口 (SPI) 兼容總線訪問的隨機(jī)存取存儲(chǔ)器器件。該SRAM
2025-10-09 11:12:55561 NXP 1052 國(guó)產(chǎn)替代推薦
2025-09-29 10:47:27
還是開發(fā)人員在開發(fā)該GD32的BSP時(shí)所遺漏。
GD作為國(guó)產(chǎn)芯片，是替代某些國(guó)外芯片的國(guó)產(chǎn)主力軍，希望RTT開發(fā)人員能多多完善GD32的BSP。
2025-09-17 06:04:35
摘要： 本文綜述了國(guó)產(chǎn)電源芯片的技術(shù)發(fā)展現(xiàn)狀與應(yīng)用研究，以廈門國(guó)科安芯科技有限公司的ASP4644系列四通道降壓穩(wěn)壓器為例，深入剖析其技術(shù)特性、測(cè)試性能、應(yīng)用領(lǐng)域及國(guó)產(chǎn)化價(jià)值。通過對(duì)比國(guó)內(nèi)外電源芯片
2025-09-15 17:41:541019 吉時(shí)利keithley7001開關(guān)控制/數(shù)據(jù)采集7011-S/7012-C產(chǎn)品簡(jiǎn)介：7001美國(guó)吉時(shí)利keithley開關(guān)控制器。DC開關(guān)能力從納伏到1100伏，從飛安(10-15A）到5 安
2025-09-11 17:47:12
PSRAM)，可 Pin to Pin 兼容 D133CCS(16M PSRAM)
片上 1MB SRAM，片上 8MB PSRAM（視主控型號(hào)決定）
NOR FLASH 16MB，可兼容 NAND
2025-09-05 13:49:02
在此前的文章《SRAM PUF：為每顆芯片注入“不可復(fù)制的物理指紋”，守護(hù)芯片安全》中，我們探討了基于SRAM的物理不可克隆功能（PUF）的基本原理，并介紹了SRAM PUF作為一種安全可靠、經(jīng)濟(jì)
2025-09-05 10:46:161152 ISSI IS62WV51216BLL-55TLI是一款8Mb（512K×16）高速異步SRAM，采用55ns訪問速度、2.5V~3.6V寬電壓設(shè)計(jì)，支持-40℃~85℃工業(yè)級(jí)溫度范圍，適用于車載導(dǎo)航、工業(yè)控制及通信設(shè)備等高可靠性場(chǎng)景。
2025-09-04 10:00:00534 
使用MA35 M4開發(fā)平臺(tái)，相同的代碼編譯為 90KB 的 bin 文件。但是，使用 nueclipse 編譯后，文件大小超過 1mb。
如何配置編譯選項(xiàng)以在編譯后減小大??？
2025-09-03 06:42:40
如何保持SRAM的狀態(tài)，并在芯片復(fù)位時(shí)不初始化？
2025-08-25 06:09:44
PY32F003 是普冉半導(dǎo)體推出的一款高性價(jià)比國(guó)產(chǎn)32位微控制器，PY32F003是一款高性價(jià)比的國(guó)產(chǎn)替代方案，可以用來替換一些進(jìn)口MCU。芯片采用32 位 ARM? Cortex?-M0+內(nèi)核
2025-08-21 11:50:09
如何保持SRAM的狀態(tài)，并在芯片復(fù)位時(shí)不初始化？
2025-08-21 07:17:17
了多個(gè)Arm Cortex-M33處理器和RISC-V協(xié)處理器。資料顯示該產(chǎn)品具有充足集成式內(nèi)部存儲(chǔ)器，包括2MB非易失性存儲(chǔ)器和1MB RAM，所消耗功率大大低于外部存儲(chǔ)器。 ? 性能驗(yàn)證上，在515
2025-08-18 07:48:004093 ” ? 雖然到底是誰(shuí)帶頭發(fā)起的這場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)，已經(jīng)無(wú)從考究，但坊間傳聞，這是源自一位網(wǎng)友在QQ群聊里上傳了一個(gè)文件，將長(zhǎng)達(dá)近2個(gè)半小時(shí)的哪吒2原片壓縮成50MB。 ? ? 那么哪吒2的原片體積是多大？根據(jù)網(wǎng)絡(luò)上流傳的資源，一部從流媒體平臺(tái)上抓取的
2025-08-17 00:04:008909 
DVMH28作為專為極端環(huán)境設(shè)計(jì)的混合EMI濾波器，以寬溫域全性能運(yùn)行、55dB高噪聲抑制及軍用級(jí)合規(guī)性為核心優(yōu)勢(shì)，特別適合航空航天、國(guó)防等高可靠性領(lǐng)域。近年來已實(shí)現(xiàn)全國(guó)產(chǎn)化替代
2025-08-09 16:45:19577 
60V耐壓5A大電流國(guó)產(chǎn)SL3075異步降壓芯片
?一、核心特性與行業(yè)定位?
SL3075作為國(guó)產(chǎn)高性能異步降壓轉(zhuǎn)換器，憑借4.5-65V超寬輸入電壓范圍和5A連續(xù)輸出電流能力，在工業(yè)電源、通信設(shè)備
2025-08-05 15:04:56
Texas Instruments SN74LVC7001A/SN74LVC7001A-Q1四路雙輸入與門包含四個(gè)具有施密特觸發(fā)輸入的獨(dú)立雙輸入與門。每個(gè)邏輯門以正邏輯執(zhí)行布爾函數(shù)：Y = A
2025-08-03 14:13:151136 
RA-Eco-RA6M4開發(fā)板是一款基于 Arm? Cortex?-M33 內(nèi)核的開發(fā)工具，且具有1MB 閃存、192kB支持奇偶校驗(yàn) SRAM 以及64kb ECC SRAM。
該開發(fā)板的外觀如圖
2025-07-16 19:06:19
的開發(fā)需求。
開發(fā)板主控為D133CBS (8M PSRAM)，可Pin to Pin兼容D133CCS(16M PSRAM)
片上1MB SRAM，片上8MB PSRAM（視主控型號(hào)決定）
NOR
2025-07-15 17:27:34
驅(qū)動(dòng)、工業(yè)PLC、工業(yè)機(jī)器人等場(chǎng)景，EtherCAT提供實(shí)時(shí)控制通信能力，是目前工業(yè)通信應(yīng)用最廣泛的協(xié)議之一。 ? 過去在EtherCAT從站控制芯片領(lǐng)域，鮮有國(guó)產(chǎn)芯片的身影，近幾年隨著國(guó)產(chǎn)芯片廠商在工業(yè)領(lǐng)域持續(xù)發(fā)展，國(guó)產(chǎn)EtherCAT從站控制芯片也已經(jīng)有多家廠商推出。 ? 方芯
2025-07-11 09:15:093809 ? ? ? ?近年來，國(guó)產(chǎn)芯片的發(fā)展成為全球科技產(chǎn)業(yè)關(guān)注的焦點(diǎn)。在中美科技競(jìng)爭(zhēng)加劇和全球供應(yīng)鏈不穩(wěn)定的背景下，中國(guó)芯片產(chǎn)業(yè)的自主化進(jìn)程不僅關(guān)乎經(jīng)濟(jì)安全，更是國(guó)家科技競(jìng)爭(zhēng)力的重要體現(xiàn)。盡管面臨技術(shù)封鎖
2025-07-07 16:42:321140 為助力客戶提升對(duì)觸摸相關(guān)方案的開發(fā)效率，優(yōu)化用戶的體驗(yàn)感。中微愛芯基于豐富的項(xiàng)目經(jīng)驗(yàn)，針對(duì)觸摸芯片EMI無(wú)法通過的情況提供了幾種常用的解決方法，顯著提升開發(fā)效率與終端用戶體驗(yàn)。
2025-06-24 10:38:246440 
文檔主要介紹國(guó)產(chǎn)可重復(fù)擦寫語(yǔ)音芯片 KT148A。其為 32 位 DSP 語(yǔ)音芯片，采用 SOP8 封裝，內(nèi)置 420KByte 語(yǔ)音空間，支持 420 秒語(yǔ)音存儲(chǔ)和多段語(yǔ)音播放，可直驅(qū) 0.5W
2025-06-23 14:14:09962 
電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供()MB/HB 分集接收 LNA 模塊相關(guān)產(chǎn)品參數(shù)、數(shù)據(jù)手冊(cè)，更有MB/HB 分集接收 LNA 模塊的引腳圖、接線圖、封裝手冊(cè)、中文資料、英文資料，MB/HB 分集接收 LNA 模塊真值表，MB/HB 分集接收 LNA 模塊管腳等資料，希望可以幫助到廣大的電子工程師們。
2025-06-19 18:34:16
TI芯品CC2745P10-Q1具有1MB閃存、HSM、APU、CAN-FD 和 +20dBm 的汽車級(jí)SimpleLink? 低功耗 Bluetooth6.0無(wú)線MCU
2025-06-18 18:25:445007 
CS56404L 64Mb Quad-SPI Pseudo-SRAM 產(chǎn)品特點(diǎn)及核心優(yōu)勢(shì)：核心特點(diǎn)接口與模式支持 SPI（單線） 和 QPI（四線） 模式，默認(rèn)上電為 SPI 模式，可通過指令切換至
2025-06-06 15:01:36
近期受晶圓廠委托， 季豐在執(zhí)行完SRAM芯片在中子輻射下SER測(cè)試后， 通過對(duì)SRAM芯片的深入研究，對(duì)測(cè)試失效數(shù)據(jù)的分析，將邏輯失效地址成功轉(zhuǎn)換為物理坐標(biāo)地址，最終在圖像上顯示失效位置，幫助客戶直觀地看到失效點(diǎn)分布位置。 通過多個(gè)失效芯片圖像的疊加，客戶可以看到多個(gè)芯片失效積累效果。
2025-06-03 10:08:45862 
，有助于在寬動(dòng)態(tài)范圍內(nèi)進(jìn)行精確的能量監(jiān)控。ADI AD-PQMON-SL參考設(shè)計(jì)采用板載處理器MAX32650。這是一款超低功耗Arm^?^ Cortex ^?^ -M4處理器，具有基于FPU的微控制器 (MCU)，后者具有3MB閃存和1MB SRAM。
2025-05-27 14:31:17676 
SL3062國(guó)產(chǎn)降壓芯片替代MP4560
在工業(yè)電源設(shè)計(jì)中，60V耐壓、2A輸出的降壓電路常面臨進(jìn)口芯片供貨周期長(zhǎng)、成本高的問題。國(guó)產(chǎn)SL3062憑借高集成度與電路簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)，成為MP4560的理想
2025-05-20 15:02:01
國(guó)產(chǎn)龍迅視頻轉(zhuǎn)換芯片合集如下：
2025-05-16 13:49:57
或逆變器控制進(jìn)行優(yōu)化的外設(shè)功能。RA8T1 系列不僅集成了高達(dá) 2MB 的大容量閃存、1MB SRAM（包括 TCM）、PWM 定時(shí)器、模擬功能、多種連接功能，還支持高級(jí)安全特性和安全功能。RA8T1
2025-05-15 17:17:46846 
全國(guó)產(chǎn)化串口服務(wù)器ZLAN5107-C代表了工業(yè)通信設(shè)備自主創(chuàng)新的重要成果，為各行業(yè)數(shù)字化轉(zhuǎn)型提供了安全可靠的基礎(chǔ)設(shè)施。
2025-05-14 13:24:59825 
國(guó)產(chǎn)60V/5A同步降壓芯片SL3075替換RT6365全方案解析
SL3075替換RT6365、國(guó)產(chǎn)降壓芯片、60V耐壓DC-DC方案、同步降壓恒壓芯片、BUCK電路設(shè)計(jì)
一、背景：國(guó)產(chǎn)化替代
2025-05-09 11:57:21
多軸控制器可使用國(guó)產(chǎn)鐵電存儲(chǔ)器SF25C20（MB85RS2MT）
2025-05-06 09:47:26585 
尋找國(guó)產(chǎn)低成本單芯片單片機(jī)AMT630,SSD101合作方案，
尋找國(guó)產(chǎn)低成本單芯片單片機(jī)AMT630,SSD101合作方案，
尋找國(guó)產(chǎn)低成本單芯片單片機(jī)AMT630,SSD101合作方案，
已實(shí)現(xiàn)
2025-04-29 09:00:07
，512k 位（64KB）OTP 程序存儲(chǔ)器，32M 位（4MB）FLASH 語(yǔ)音存儲(chǔ)器，2k 位（256B）SRAM 。支持 5.8KHz 采樣時(shí) 1080 秒或 23KHz 采樣時(shí) 276 秒語(yǔ)音存儲(chǔ)。內(nèi)置 R/C Trim（1%）、1 組 PWM 和 1 組 DAC，4 個(gè) GPIO，低
2025-04-02 18:03:43
0 如果你想設(shè)計(jì)一款可以播放視頻、對(duì)系統(tǒng)穩(wěn)定性和可靠性都有較高要求的串口屏，不妨考慮Model4芯片方案串口屏，國(guó)產(chǎn)芯片方案，拒絕管控限制，工業(yè)級(jí)標(biāo)準(zhǔn)，高分辨率顯示效果、豐富拓展接口，在各行業(yè)HMI應(yīng)用中都是理想解決方案，它會(huì)為您的項(xiàng)目增添更多精彩！
2025-04-01 17:36:27913 
128KB.FLASH 1MB
■ 支持浮點(diǎn)
■ 1個(gè)CAN2.0.5個(gè)UART2個(gè)I2C
■ 2 個(gè)基本定時(shí)器，5 個(gè)高級(jí)定時(shí)器
■ 支持 SDIO 、以太網(wǎng) MAC
■ 支持 USB FS+OTG
■ 看門狗
2025-03-28 10:53:38
新品上市國(guó)產(chǎn)LoRa擴(kuò)頻模塊藍(lán)牙轉(zhuǎn)串口模塊WiFi+藍(lán)牙雙模模組部分新品參與送樣文末了解詳情↓↓↓EWM290-M系列國(guó)產(chǎn)LoRa擴(kuò)頻模塊EWM290-M系列模組是億佰特基于磐啟微新一代國(guó)產(chǎn)射頻芯片
2025-03-27 19:33:071284 
放置一些變量。一樣attribute 命令在使用 int_dtcm 或 int_sram_shareable 時(shí)沒有任何影響.
總結(jié)一下：
1） __attribute__（（section
2025-03-27 07:16:12
串口屏中，我們?cè)撊绾巫龀鲎罴堰x擇呢？支持多種通訊芯片方案一款優(yōu)秀的國(guó)產(chǎn)串口屏應(yīng)具備多樣化的通訊能力，以滿足不同應(yīng)用場(chǎng)景的需求。啟明智顯推出的ESP32及MODEL系
2025-03-26 18:02:39705 
國(guó)產(chǎn)沁恒微芯片技術(shù)實(shí)力與應(yīng)用評(píng)價(jià)
?一、核心技術(shù)優(yōu)勢(shì)?
?接口技術(shù)垂直整合能力?
自研USB、藍(lán)牙、以太網(wǎng)等專業(yè)接口IP及RISC-V內(nèi)核，形成軟硬件深度協(xié)同的“接口+MCU”技術(shù)體系?25。
集成
2025-03-20 10:51:26
兼容FM25V20A/MB85RS2MT，國(guó)產(chǎn)鐵電存儲(chǔ)器SF25C20助聽器應(yīng)用方案
2025-03-20 09:55:16676 
隨著國(guó)產(chǎn)化替代進(jìn)程加速，沁恒芯片已在多個(gè)行業(yè)實(shí)現(xiàn)規(guī)?；瘧?yīng)用，為工程師提供了一條高效、低風(fēng)險(xiǎn)的遷移路徑。
2025-03-13 09:25:412787 沁恒國(guó)產(chǎn)以太網(wǎng)PHY芯片：高性能替代方案助力國(guó)產(chǎn)化升級(jí)
2025-03-12 10:40:163547 RZ/A1M 系列微處理器單元（MPU）功能齊全，配備運(yùn)行頻率為 400MHz 的 Arm? Cortex?-A9 內(nèi)核以及 5MB的片上靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（SRAM）。憑借 5MB 的片上
2025-03-11 15:04:111131 
RZ/A1LU 系列微處理器單元（MPU）性價(jià)比高，具備運(yùn)行頻率達(dá) 400MHz 的 Arm? Cortex? - A9 內(nèi)核以及 3MB的片上靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（SRAM）。憑借 3MB 的片上
2025-03-11 14:22:18993 
（SRAM）。憑借 2MB 的片上 SRAM 和 400MHz 的 Arm? Cortex?-A9 內(nèi)核，RZ/A1LC 是那些試圖達(dá)到 MPU 性能水平的微控制器（MCU）設(shè)計(jì)的絕佳替代品。RZ
2025-03-11 14:07:401036 
請(qǐng)問師兄師姐們，知否哪里有關(guān)國(guó)產(chǎn)的耦合電容器相關(guān)資料？如宏明－東光，…………。本人相用國(guó)產(chǎn)的元件和國(guó)外元件做PK。謝謝
2025-03-11 09:03:30
RZ/A1L 系列微處理器（MPU）采用了運(yùn)行頻率達(dá) 400MHz 的 Arm? Cortex? - A9 內(nèi)核，并配備 3MB的片上靜態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（SRAM）。憑借這 3MB 的片上 SRAM
2025-03-10 16:14:20981 
SRAM16 KB RTC SRAM最大 8 MB Quad SPI flash2 MB 嵌入式 PSRAM（僅 ESP32 - S3FH4R2 芯片）Wi -
2025-03-07 14:46:59
美國(guó)對(duì)中國(guó)的芯片出口進(jìn)行嚴(yán)格管制,導(dǎo)致中國(guó)很多科技企業(yè)陷入困難境地,發(fā)展和使用國(guó)產(chǎn)化的芯片刻不容緩,在此背景下,本文設(shè)計(jì)了一款全國(guó)產(chǎn)化的電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)。
2025-03-07 13:36:19
TPS7A7001 是一款高性能、正電壓、低壓差 （LDO） 穩(wěn)壓器，專為需要極低輸入電壓和極低壓差（高達(dá) 2 A）的應(yīng)用而設(shè)計(jì)。該器件采用低至 1.425 V 的單輸入電壓和低至 0.5 V
2025-03-05 11:01:23995 
P1032BF1是一款基于ARM Cortex-M3的單片機(jī)，專為Wi-Fi /藍(lán)牙通信控制而設(shè)計(jì)；能夠?qū)崿F(xiàn)指紋的圖像采集、特征提取、特征比對(duì)，可應(yīng)用于智能鎖；支持大型程序代碼和擁有大型嵌入式SRAM，也可用于一般的MCU應(yīng)用。
2025-03-04 09:27:09760 05MB絲印降壓芯片解析
2025-02-20 10:53:341130 
CH9101是一個(gè)USB總線的轉(zhuǎn)接芯片，實(shí)現(xiàn)USB轉(zhuǎn)異步串口。提供了常用的MODEM聯(lián)絡(luò)信號(hào)，用于為計(jì)算機(jī)擴(kuò)展異步串口，或者將普通的串口設(shè)備或者M(jìn)CU直接升級(jí)到USB總線。
2025-02-19 14:13:301083 
新的一年到來，商機(jī)重重、困難重重、挑戰(zhàn)重重、機(jī)會(huì)重重；近年來，研究院和企業(yè)加大了對(duì)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的投資和研發(fā)力度，目標(biāo)是實(shí)現(xiàn)芯片的自主可控。國(guó)產(chǎn)推薦模塊硅傳科技聯(lián)合磐啟微國(guó)產(chǎn)芯片的無(wú)線智能化加大投入
2025-02-18 16:53:441064 
在工業(yè)自動(dòng)化、移動(dòng)辦公及特殊環(huán)境作業(yè)領(lǐng)域，對(duì)設(shè)備的便攜性、耐用性和性能提出了更高要求。集特智能推出的GDC-7001上翻式加固工業(yè)便攜機(jī)，憑借其高可靠性、靈活配置及國(guó)產(chǎn)化技術(shù)生態(tài)，成為國(guó)產(chǎn)工業(yè)計(jì)算設(shè)備中的標(biāo)桿產(chǎn)品。以下從設(shè)計(jì)、性能、應(yīng)用場(chǎng)景等多維度展開介紹。
2025-02-18 16:44:16609 HG3350集特國(guó)產(chǎn)加固便攜機(jī)GDC-7001：堅(jiān)固可靠，性能卓越
2025-02-18 14:21:05812 國(guó)產(chǎn)NSI1300D05-DSWVR放大芯片放大增益8.2或41的問題，到底是放大8。2倍還是41倍，真實(shí)無(wú)法理解，那個(gè)大神給指導(dǎo)下，多謝！
2025-02-16 20:24:59
良好的 EMI 是板級(jí) EMI 設(shè)計(jì)和芯片 EMI 設(shè)計(jì)結(jié)合的結(jié)果。許多工程師對(duì)板級(jí) EMI 的降噪接觸較多，也比較了解，而對(duì)于芯片設(shè)計(jì)中的 EMI 優(yōu)化方法比較陌生。
2025-02-07 13:52:532610 
導(dǎo)讀本文介紹如何在1分鐘內(nèi)，將傳感器通過串口服務(wù)器GCOM80接入ZWS云平臺(tái)，實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)上云。本文以光照傳感器為例，介紹傳感器通過串口服務(wù)器GCOM80快速接入ZWS云的過程。硬件準(zhǔn)備光照傳感器
2025-01-10 11:37:211008 
國(guó)產(chǎn)舜銘存儲(chǔ)SF25C20對(duì)標(biāo)MB85RS2MT性能、優(yōu)勢(shì)全面解析
2025-01-06 10:20:57918 
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