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電子發(fā)燒友網(wǎng)>今日頭條>Si和Ge的濕式化學(xué)刻蝕—蘇州華林科納半導(dǎo)體

Si和Ge的濕式化學(xué)刻蝕—蘇州華林科納半導(dǎo)體

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2025-06-25 14:44:54

半導(dǎo)體清洗機設(shè)備 滿足產(chǎn)能躍升需求

半導(dǎo)體制造的精密鏈條中,半導(dǎo)體清洗機設(shè)備是確保芯片良率與性能的關(guān)鍵環(huán)節(jié)。它通過化學(xué)或物理手段去除晶圓表面的污染物(如顆粒、有機物、金屬離子等),為后續(xù)制程提供潔凈的基底。本文將從設(shè)備定義、核心特點
2025-06-25 10:31:51

大模型在半導(dǎo)體行業(yè)的應(yīng)用可行性分析

有沒有這樣的半導(dǎo)體專用大模型,能縮短芯片設(shè)計時間,提高成功率,還能幫助新工程師更快上手。或者軟硬件可以在設(shè)計和制造環(huán)節(jié)確實有實際應(yīng)用。會不會存在AI缺陷檢測。 能否應(yīng)用在工藝優(yōu)化和預(yù)測性維護中
2025-06-24 15:10:04

半導(dǎo)體藥液單元

半導(dǎo)體藥液單元(Chemical Delivery Unit, CDU)是半導(dǎo)體前道工藝(FEOL)中的關(guān)鍵設(shè)備,用于精準(zhǔn)分配、混合和回收高純化學(xué)試劑(如蝕刻液、清洗液、顯影液等),覆蓋光刻、蝕刻
2025-06-17 11:38:08

高溫磷酸刻蝕設(shè)備_高精度全自動

 一、設(shè)備概述高溫磷酸刻蝕設(shè)備是半導(dǎo)體制造中用于各向異性刻蝕的關(guān)鍵設(shè)備,通過高溫磷酸溶液與半導(dǎo)體材料(如硅片、氮化硅膜)的化學(xué)反應(yīng),實現(xiàn)精準(zhǔn)的材料去除。其核心優(yōu)勢在于納米級刻蝕精度和均勻
2025-06-06 14:38:13

蘇州濕法清洗設(shè)備

蘇州芯矽電子科技有限公司(以下簡稱“芯矽科技”)是一家專注于半導(dǎo)體濕法設(shè)備研發(fā)與制造的高新技術(shù)企業(yè),成立于2018年,憑借在濕法清洗領(lǐng)域的核心技術(shù)積累和創(chuàng)新能力,已發(fā)展成為國內(nèi)半導(dǎo)體清洗設(shè)備領(lǐng)域
2025-06-06 14:25:28

蘇州芯矽科技:半導(dǎo)體清洗機的堅實力量

,設(shè)備采用封閉清洗系統(tǒng),遏制化學(xué)試劑揮發(fā)泄漏,同時優(yōu)化回收利用,在降低成本的同時,守護環(huán)境,達成經(jīng)濟與環(huán)境效益的平衡。 憑借這些過硬優(yōu)勢,芯矽科技的清洗機已在國內(nèi)眾多知名半導(dǎo)體企業(yè)落地生根,口碑漸豐
2025-06-05 15:31:42

半導(dǎo)體雙向氮化鎵開關(guān)深度解析

前不久,半導(dǎo)體剛剛發(fā)布全球首款量產(chǎn)級的650V雙向GaNFast氮化鎵功率芯片。
2025-06-03 09:57:502385

一文詳解干法刻蝕工藝

干法刻蝕技術(shù)作為半導(dǎo)體制造的核心工藝模塊,通過等離子體與材料表面的相互作用實現(xiàn)精準(zhǔn)刻蝕,其技術(shù)特性與工藝優(yōu)勢深刻影響著先進制程的演進方向。
2025-05-28 17:01:183197

一文詳解濕法刻蝕工藝

濕法刻蝕作為半導(dǎo)體制造領(lǐng)域的元老級技術(shù),其發(fā)展歷程與集成電路的微型化進程緊密交織。盡管在先進制程中因線寬控制瓶頸逐步被干法工藝取代,但憑借獨特的工藝優(yōu)勢,濕法刻蝕仍在特定場景中占據(jù)不可替代的地位。
2025-05-28 16:42:544247

半導(dǎo)體推出12kW超大規(guī)模AI數(shù)據(jù)中心電源

近日,半導(dǎo)體宣布推出專為超大規(guī)模AI數(shù)據(jù)中心設(shè)計的最新12kW量產(chǎn)電源參考設(shè)計,可適配功率密度達120kW的高功率服務(wù)器機架。
2025-05-27 16:35:011299

太極半導(dǎo)體蘇州)有限公司榮獲“江蘇省先進級智能工廠”稱號

近日,江蘇省工業(yè)和信息化廳公布了2025年江蘇省先進級智能工廠名單,太極半導(dǎo)體蘇州)有限公司(以下簡稱:太極半導(dǎo)體)成功入選。 近年來,太極半導(dǎo)體深度融合物聯(lián)網(wǎng)、大數(shù)據(jù)等領(lǐng)域的前沿技術(shù),聚焦工廠
2025-05-23 16:33:541025

第三代半導(dǎo)體的優(yōu)勢和應(yīng)用領(lǐng)域

隨著電子技術(shù)的快速發(fā)展,半導(dǎo)體材料的研究與應(yīng)用不斷演進。傳統(tǒng)的硅(Si半導(dǎo)體已無法滿足現(xiàn)代電子設(shè)備對高效能和高頻性能的需求,因此,第三代半導(dǎo)體材料應(yīng)運而生。第三代半導(dǎo)體主要包括氮化鎵(GaN
2025-05-22 15:04:051951

半導(dǎo)體即將舉辦AI科技之夜

近日,半導(dǎo)體 (納斯達克股票代碼: NVTS) 宣布將于5月21日晚(臺北國際電腦展Computex同期)在臺北舉辦“AI科技之夜”,數(shù)據(jù)中心上下游行業(yè)專家、供應(yīng)鏈合作伙伴以及技術(shù)開發(fā)者將齊聚一堂,通過主題演講、技術(shù)演示和互動討論等形式展開對最新AI數(shù)據(jù)中心能源基建技術(shù)發(fā)展的交流。
2025-05-20 10:18:05870

半導(dǎo)體推出采用HV-T2Pak封裝的全新碳化硅MOSFET

半導(dǎo)體 (納斯達克股票代碼: NVTS) 今日推出一種全新的可靠性標(biāo)準(zhǔn),以滿足最嚴(yán)苛汽車及工業(yè)應(yīng)用的系統(tǒng)壽命要求。微最新一代650V與1200V“溝槽輔助平面柵”碳化硅MOSFET,搭配優(yōu)化的HV-T2Pak頂部散熱封裝,實現(xiàn)行業(yè)最高6.45mm爬電距離,可滿足1200V以下應(yīng)用的IEC合規(guī)性。
2025-05-14 15:39:301341

半導(dǎo)體亮相2025中國浙江半導(dǎo)體裝備及材料博覽會

日前,2025中國浙江(海寧)半導(dǎo)體裝備及材料博覽會在海寧會展中心拉開帷幕。本次展會匯聚了全球多家產(chǎn)業(yè)鏈上下游企業(yè),聚焦芯片制造、封裝測試、材料研發(fā)等核心領(lǐng)域。浙江海半導(dǎo)體股份有限公司(以下簡稱
2025-05-13 16:07:201596

什么是半導(dǎo)體行業(yè)用的面板系列Panel Chiller?

PanelChiller?半導(dǎo)體行業(yè)用的面板系列PanelChiller應(yīng)?于刻蝕、蒸鍍、鍍膜工藝等,支持大流量高負(fù)載,確保嚴(yán)苛工況下持續(xù)穩(wěn)定運行;支持冷卻水動態(tài)調(diào)節(jié)系統(tǒng),可根據(jù)環(huán)境
2025-05-13 15:24:35782

電子束半導(dǎo)體圓筒聚焦電極

電子束半導(dǎo)體圓筒聚焦電極 在傳統(tǒng)電子束聚焦中,需要通過調(diào)焦來確保電子束焦點在目標(biāo)物體上。要確認(rèn)是焦點的最小直徑位置非常困難,且難以測量。如果焦點是一條直線,就可以免去調(diào)焦過程,本文將介紹一種能把
2025-05-10 22:32:27

信獲評CIAS2025金翎獎【半導(dǎo)體制造與封測領(lǐng)域優(yōu)質(zhì)供應(yīng)商】

信獲評CIAS2025金翎獎【半導(dǎo)體制造與封測領(lǐng)域優(yōu)質(zhì)供應(yīng)商】 蘇州舉辦的2025CIAS動力·能源與半導(dǎo)體創(chuàng)新發(fā)展大會上,深圳麥信科技有限公司憑借在測試測量領(lǐng)域的技術(shù)積累,入選半導(dǎo)體
2025-05-09 16:10:01

半導(dǎo)體公布2025年第一季度財務(wù)業(yè)績

半導(dǎo)體(納斯達克股票代碼:NVTS)公布了截至2025年3月31日的未經(jīng)審計的2025年第一季度財務(wù)業(yè)績。
2025-05-08 15:52:262028

芯片刻蝕原理是什么

芯片刻蝕半導(dǎo)體制造中的關(guān)鍵步驟,用于將設(shè)計圖案從掩膜轉(zhuǎn)移到硅片或其他材料上,形成電路結(jié)構(gòu)。其原理是通過化學(xué)或物理方法去除特定材料(如硅、金屬或介質(zhì)層),以下是芯片刻蝕的基本原理和分類: 1. 刻蝕
2025-05-06 10:35:311972

半導(dǎo)體刻蝕工藝技術(shù)-icp介紹

ICP(Inductively Coupled Plasma,電感耦合等離子體)刻蝕技術(shù)是半導(dǎo)體制造中的一種關(guān)鍵干法刻蝕工藝,廣泛應(yīng)用于先進集成電路、MEMS器件和光電子器件的加工。以下是關(guān)于ICP
2025-05-06 10:33:063901

半導(dǎo)體boe刻蝕技術(shù)介紹

泛應(yīng)用。以下是其技術(shù)原理、組成、工藝特點及發(fā)展趨勢的詳細介紹: 一、技術(shù)原理 BOE刻蝕液是一種以氫氟酸(HF)和氟化銨(NH?F)為基礎(chǔ)的緩沖溶液,通過化學(xué)腐蝕作用去除半導(dǎo)體表面的氧化層(如SiO?、SiN?)。其核心反應(yīng)機制包括: 氟化物離子攻擊: 氟化銨(NH?
2025-04-28 17:17:255516

半導(dǎo)體制造關(guān)鍵工藝:濕法刻蝕設(shè)備技術(shù)解析

刻蝕工藝的核心機理與重要性 刻蝕工藝是半導(dǎo)體圖案化過程中的關(guān)鍵環(huán)節(jié),與光刻機和薄膜沉積設(shè)備并稱為半導(dǎo)體制造的三大核心設(shè)備。刻蝕的主要作用是將光刻膠上的圖形轉(zhuǎn)移到功能膜層,具體而言,是通過物理及化學(xué)
2025-04-27 10:42:452200

半導(dǎo)體邀您相約PCIM Europe 2025

半導(dǎo)體宣布將在5月6-8日參加于德國紐倫堡舉辦的PCIM 2025,全面展示氮化鎵和碳化硅技術(shù)在AI數(shù)據(jù)中心、電動汽車、電機馬達和工業(yè)領(lǐng)域的應(yīng)用新進展。
2025-04-27 09:31:571008

“高精密·強負(fù)載”HD哈默減速機,賦能高端智造升級

在工業(yè)自動化高速發(fā)展的今天,HD哈默行星減速機憑借其精密性、高負(fù)載、長壽命等核心優(yōu)勢,成為半導(dǎo)體、機器人、數(shù)控機床等高端制造領(lǐng)域選擇。本文將深度解析其技術(shù)亮點、型號選擇與應(yīng)用場景,揭秘它如何助力企業(yè)實現(xiàn)效率與精度的雙重突破!
2025-04-24 13:22:31670

半導(dǎo)體推出全新SiCPAK功率模塊

半導(dǎo)體今日宣布推出最新SiCPAK功率模塊,該模塊采用環(huán)氧樹脂灌封技術(shù)及微獨家的“溝槽輔助平面柵”碳化硅MOSFET技術(shù),經(jīng)過嚴(yán)格設(shè)計和驗證,適用于最嚴(yán)苛的高功率環(huán)境,重點確??煽啃耘c耐高溫
2025-04-22 17:06:39980

半導(dǎo)體GaNSafe?氮化鎵功率芯片正式通過車規(guī)認(rèn)證

日訊——半導(dǎo)體宣布其高功率旗艦GaNSafe氮化鎵功率芯片已通過 AEC-Q100 和 AEC-Q101 兩項車規(guī)認(rèn)證,這標(biāo)志著氮化鎵技術(shù)在電動汽車市場的應(yīng)用正式邁入了全新階段。 ? 半導(dǎo)體的高功率旗艦——第四代GaNSafe產(chǎn)品家族, 集成了控制、驅(qū)動、感測以及關(guān)鍵的保護功能
2025-04-17 15:09:264298

哈默Harmonic執(zhí)行器:高精度傳動,賦能智能制造

在工業(yè)自動化領(lǐng)域,哈默(HarmonicDrive)憑借其創(chuàng)新的精密傳動技術(shù),成為高端制造的核心驅(qū)動力。無論是工業(yè)機器人、半導(dǎo)體設(shè)備,還是醫(yī)療機械,Harmonic執(zhí)行器都以緊湊設(shè)計、超高精度和卓越性能脫穎而出,為復(fù)雜應(yīng)用場景提供高效解決方案。
2025-04-16 09:14:391200

最全最詳盡的半導(dǎo)體制造技術(shù)資料,涵蓋晶圓工藝到后端封測

刻蝕 第17章 離子注入 第18章 化學(xué)機械平坦化 第19章 硅片測試 第20章 裝配與封裝 本書詳細追述了半導(dǎo)體發(fā)展的歷史并吸收了當(dāng)今最新技術(shù)資料,學(xué)術(shù)界和工業(yè)界對《半導(dǎo)體制造技術(shù)》的評價都很高。
2025-04-15 13:52:11

半導(dǎo)體材料發(fā)展史:從硅基到超寬禁帶半導(dǎo)體的跨越

半導(dǎo)體:硅與鍺的奠基時代 時間跨度: 20世紀(jì)50年代至70年代 核心材料: 硅(Si)、鍺(Ge) 硅(Si) 鍺(Ge) 優(yōu)勢: ①成本低廉:硅是地殼中含量第二的元素,原材料豐富且提純技術(shù)成熟。 ②工藝成熟:基于硅的集成電路制造技術(shù)高度
2025-04-10 15:58:562601

強強聯(lián)合!兆易創(chuàng)新與半導(dǎo)體達成戰(zhàn)略合作,打造智能、高效、高功率密度的數(shù)字電源解決方案

兆易創(chuàng)新GigaDevice今日宣布與半導(dǎo)體(納斯達克股票代碼: NVTS)達成戰(zhàn)略合作伙伴關(guān)系,通過將兆易創(chuàng)新先進的高算力MCU產(chǎn)品和半導(dǎo)體高頻、高速、高集成度的氮化鎵技術(shù)進行優(yōu)勢整合
2025-04-09 09:30:43736

兆易創(chuàng)新與半導(dǎo)體達成戰(zhàn)略合作 高算力MCU+第三代功率半導(dǎo)體的數(shù)字電源解決方案

? ? ? 今日,兆易創(chuàng)新宣布與半導(dǎo)體正式達成戰(zhàn)略合作!雙方將強強聯(lián)合,通過將兆易創(chuàng)新先進的高算力MCU產(chǎn)品和半導(dǎo)體高頻、高速、高集成度的氮化鎵技術(shù)進行優(yōu)勢整合,打造智能、高效、高功率密度
2025-04-08 18:12:443886

意法半導(dǎo)體與英諾賽簽署氮化鎵技術(shù)開發(fā)與制造協(xié)議 借力雙方制造產(chǎn)能

在中國的制造產(chǎn)能。 服務(wù)多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球排名前列的半導(dǎo)體公司 意法半導(dǎo)體 (簡稱ST)與8英寸高性能低成本硅基氮化鎵(GaN-on-Si)制造全球領(lǐng)軍企業(yè) 英諾賽 ,共同宣布簽署了一項氮化鎵技術(shù)開發(fā)與制造協(xié)議。雙方將充分發(fā)揮各
2025-04-01 10:06:023808

第三代功率半導(dǎo)體廠商半導(dǎo)體榮獲領(lǐng)益智造“金石供應(yīng)商”稱號

? 日前,廣東領(lǐng)益智造股份有限公司(簡稱“領(lǐng)益智造”)2025年供應(yīng)商大會于廣東深圳領(lǐng)益大廈成功召開。微達斯(無錫)半導(dǎo)體有限公司(簡稱“半導(dǎo)體”)憑借領(lǐng)先的第三代功率半導(dǎo)體技術(shù),與領(lǐng)益智造
2025-03-14 11:51:043895

什么是高選擇性蝕刻

華林半導(dǎo)體高選擇性蝕刻是指在半導(dǎo)體制造等精密加工中,通過化學(xué)或物理手段實現(xiàn)目標(biāo)材料與非目標(biāo)材料刻蝕速率的顯著差異,從而精準(zhǔn)去除指定材料并保護其他結(jié)構(gòu)的工藝技術(shù)?。其核心在于通過工藝優(yōu)化控制
2025-03-12 17:02:49809

濕法刻蝕:晶圓上的微觀雕刻

在芯片制造的精密工藝中,華林濕法刻蝕(Wet Etching)如同一把精妙的雕刻刀,以化學(xué)的魔力在晶圓這張潔白的畫布上,雕琢出微觀世界的奇跡。它是芯片制造中不可或缺的一環(huán),以其高效、低成本的特點
2025-03-12 13:59:11983

華林半導(dǎo)體PTFE隔膜泵的作用

特性,使其在特殊工業(yè)場景中表現(xiàn)出色。以下是華林半導(dǎo)體對其的詳細解析: 一、PTFE隔膜泵的結(jié)構(gòu)與工作原理 結(jié)構(gòu) :主要由PTFE隔膜、驅(qū)動機構(gòu)(氣動、電動或液壓)、泵腔、進出口閥門(通常為PTFE球閥或蝶閥)組成。部分型號的泵體內(nèi)壁也會覆蓋PTFE涂層
2025-03-06 17:24:09643

北京市最值得去的十家半導(dǎo)體芯片公司

(Yamatake Semiconductor) 領(lǐng)域 :半導(dǎo)體設(shè)備 亮點 :全球領(lǐng)先的晶圓加工設(shè)備供應(yīng)商,產(chǎn)品包括干法去膠、刻蝕設(shè)備等,2024年創(chuàng)板IPO已提交注冊,擬募資30億元用于研發(fā)中心建設(shè),技術(shù)
2025-03-05 19:37:43

半導(dǎo)體榮獲威睿公司“優(yōu)秀技術(shù)合作獎”

近日,威睿電動汽車技術(shù)(寧波)有限公司(簡稱“威睿公司”)2024年度供應(yīng)商伙伴大會于浙江寧波順利召開。微達斯(無錫)半導(dǎo)體有限公司(簡稱“半導(dǎo)體”)憑借在第三代功率半導(dǎo)體中的技術(shù)創(chuàng)新和協(xié)同成果,喜獲“優(yōu)秀技術(shù)合作獎”。
2025-03-04 09:38:23969

代碼+案例+生態(tài):武漢芯源半導(dǎo)體CW32嵌入開發(fā)實戰(zhàn)正式出版

尊敬的各位電子工程師、嵌入開發(fā)愛好者們: 大家好!今天,我們懷著無比激動與自豪的心情,向大家宣布一個重大喜訊——武漢芯源半導(dǎo)體的單片機CW32正式出書啦!《基于ARM Cortex-M0+
2025-03-03 15:14:41

中微半導(dǎo)體股份 通用MCU32位系列 多功能微控制器 Cmsemicon原廠代理

中微半導(dǎo)體原廠授權(quán)代理商/現(xiàn)貨商,深圳市芯美力科技有限公司 通用MCU 32位系列 CMS32F030K6Q6LQFP32 CMS32F030K6T6QFN32
2025-03-01 10:02:40

半導(dǎo)體2024年第四季度財務(wù)亮點

近日,唯一全面專注的下一代功率半導(dǎo)體公司及下一代氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)領(lǐng)導(dǎo)者——半導(dǎo)體 (納斯達克股票代碼: NVTS) 今日公布了截至2024年12月31日的未經(jīng)審計的第四季度及全年財務(wù)業(yè)績。
2025-02-26 17:05:131246

半導(dǎo)體APEC 2025亮點搶先看

近日,唯一全面專注的下一代功率半導(dǎo)體公司及下一代氮化鎵(GaN)功率芯片和碳化硅(SiC)技術(shù)領(lǐng)導(dǎo)者——半導(dǎo)體 (納斯達克股票代碼: NVTS) 宣布將參加APEC 2025,展示氮化鎵和碳化硅技術(shù)在AI數(shù)據(jù)中心、電動汽車和移動設(shè)備領(lǐng)域的應(yīng)用新突破。
2025-02-25 10:16:381784

打破國外壟斷,智立國產(chǎn)半導(dǎo)體RFID讀寫器平替歐姆龍V640

隨著近些年國內(nèi)技術(shù)的迅猛發(fā)展,智立憑借自主創(chuàng)新,成功研發(fā)出性能不輸于歐姆龍V640的國產(chǎn)RFID讀寫器,徹底打破了國外對半導(dǎo)體RFID讀寫器的壟斷,為國內(nèi)半導(dǎo)體行業(yè)提供了高性價比的替代方案。以武漢
2025-02-23 16:17:411111

半導(dǎo)體將于下月發(fā)布全新功率轉(zhuǎn)換技術(shù)

GaNFast氮化鎵功率芯片和GeneSiC碳化硅功率器件的行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者——半導(dǎo)體(納斯達克股票代碼:NVTS)今日宣布于下月發(fā)布全新的功率轉(zhuǎn)換技術(shù),將觸發(fā)多個行業(yè)領(lǐng)域的顛覆性變革。該創(chuàng)新涵蓋半導(dǎo)體與系統(tǒng)級解決方案,預(yù)計將顯著提升能效與功率密度,加速氮化鎵和碳化硅技術(shù)對傳統(tǒng)硅基器件的替代進程。
2025-02-21 16:41:10867

斯凱獲近億元融資,加速半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)國產(chǎn)化步伐

無錫斯凱半導(dǎo)體科技有限公司(以下簡稱“斯凱”)宣布,面向耐心資本的近億元定向融資已高效交割。由毅達資本領(lǐng)投,高發(fā)集團旗下星源資本、廣州零備件戰(zhàn)略投資等投資方。 斯凱作為一家專注于半導(dǎo)體設(shè)備
2025-02-11 11:37:02987

半導(dǎo)體零部件企業(yè)斯凱完成新一輪融資

近日,半導(dǎo)體設(shè)備關(guān)鍵性零部件企業(yè)斯凱宣布獲得新一輪融資,由毅達資本領(lǐng)投。這一消息標(biāo)志著斯凱在半導(dǎo)體領(lǐng)域的持續(xù)發(fā)展和創(chuàng)新得到了資本市場的認(rèn)可。
2025-02-10 17:26:19996

半導(dǎo)體氮化鎵和碳化硅技術(shù)進入戴爾供應(yīng)鏈

近日,GaNFast氮化鎵功率芯片和GeneSiC碳化硅功率器件的行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者——半導(dǎo)體(納斯達克股票代碼:NVTS)今日宣布其氮化鎵和碳化硅技術(shù)進入戴爾供應(yīng)鏈,為戴爾AI筆記本打造功率從60W至360W的電腦適配器。
2025-02-07 13:35:081234

半導(dǎo)體獲全球?qū)W界認(rèn)可

electronics as pathways to carbon neutrality"的文章,深入探討了寬禁帶(WBG)半導(dǎo)體和電力電子技術(shù)在能源領(lǐng)域的重要作用,肯定了半導(dǎo)體在節(jié)能減排方面帶來的突出影響,為實現(xiàn)碳中和提供了新的思路和方向。
2025-02-07 11:54:032190

太極半導(dǎo)體榮獲2024年江蘇省綠色工廠

近日,江蘇省工業(yè)和信息化廳公布了2024年度江蘇省綠色工廠名單,太極半導(dǎo)體蘇州)有限公司(以下簡稱:太極半導(dǎo)體)成功入選。
2025-01-24 10:48:001102

干法刻蝕的概念、碳硅反應(yīng)離子刻蝕以及ICP的應(yīng)用

反應(yīng)離子刻蝕以及ICP的應(yīng)用。 ? 1干法蝕刻概述 干法蝕刻的重要性 精確控制線寬:當(dāng)器件尺寸進入亞微米級( 化學(xué)穩(wěn)定性挑戰(zhàn):SiC的化學(xué)穩(wěn)定性極高(Si-C鍵合強度大),使得濕法蝕刻變得困難。濕法蝕刻通常需要在高溫或特定條件下進行,
2025-01-22 10:59:232668

什么是原子層刻蝕

原子層為單位,逐步去除材料表面,從而實現(xiàn)高精度、均勻的刻蝕過程。它與 ALD(原子層沉積)相對,一個是逐層沉積材料,一個是逐層去除材料。 ? 工作原理 ALE 通常由以下兩個關(guān)鍵階段組成: ? 表面活化階段:使用氣相前體或等離子體激活表面,形成化學(xué)吸附層或修飾層。 ? 例如,
2025-01-20 09:32:431280

深入剖析半導(dǎo)體濕法刻蝕過程中殘留物形成的機理

半導(dǎo)體濕法刻蝕過程中殘留物的形成,其背后的機制涵蓋了化學(xué)反應(yīng)、表面交互作用以及側(cè)壁防護等多個層面,下面是對這些機制的深入剖析: 化學(xué)反應(yīng)層面 1 刻蝕劑與半導(dǎo)體材料的交互:濕法刻蝕技術(shù)依賴于特定
2025-01-08 16:57:451468

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