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電子發(fā)燒友網(wǎng)>今日頭條>AFN塊體單晶的濕法蝕刻和紅外吸收研究報(bào)告

AFN塊體單晶的濕法蝕刻和紅外吸收研究報(bào)告

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2025-09-03 09:06:041405

濕法刻蝕的工藝指標(biāo)有哪些

濕法刻蝕的工藝指標(biāo)是確保半導(dǎo)體制造過程中圖形轉(zhuǎn)移精度和器件性能的關(guān)鍵參數(shù),主要包括以下幾個(gè)方面:刻蝕速率定義與意義:指單位時(shí)間內(nèi)材料被去除的厚度(如μm/min或nm/s),直接影響生產(chǎn)效率和成本
2025-09-02 11:49:32764

傾佳電子SiC MOSFET串?dāng)_Crosstalk效應(yīng)深度解析與綜合抑制策略研究報(bào)告

傾佳電子SiC MOSFET串?dāng)_Crosstalk效應(yīng)深度解析與綜合抑制策略研究報(bào)告 傾佳電子(Changer Tech)是一家專注于功率半導(dǎo)體和新能源汽車連接器的分銷商。主要服務(wù)于中國工業(yè)電源
2025-09-01 10:51:212666

華為聯(lián)合發(fā)布AI CITY城市智能體前瞻研究報(bào)告

在第十一屆中國國際大數(shù)據(jù)產(chǎn)業(yè)博覽會“數(shù)字政府”交流活動上,國家數(shù)據(jù)發(fā)展研究院攜手華為技術(shù)有限公司(以下簡稱“華為”)聯(lián)合發(fā)布《AI CITY城市智能體前瞻研究報(bào)告》,旨在探索人工智能新時(shí)代下的AI CITY智能體應(yīng)用和架構(gòu),為城市全域數(shù)字化轉(zhuǎn)型建設(shè)提供前瞻指引,為城市智慧化演進(jìn)注入創(chuàng)新活力。
2025-09-01 10:37:011119

傾佳電子碳化硅MOSFET短路特性與退飽和保護(hù)(DESAT)深度研究報(bào)告

傾佳電子碳化硅MOSFET短路特性與退飽和保護(hù)(DESAT)深度研究報(bào)告 傾佳電子(Changer Tech)是一家專注于功率半導(dǎo)體和新能源汽車連接器的分銷商。主要服務(wù)于中國工業(yè)電源、電力電子設(shè)備
2025-09-01 09:28:31849

皮秒激光蝕刻機(jī)在消費(fèi)電子領(lǐng)域的創(chuàng)新應(yīng)用

隨著消費(fèi)電子產(chǎn)品向著更輕薄、更智能、一體化和高性能化的方向發(fā)展,傳統(tǒng)加工技術(shù)已難以滿足其日益精密的制造需求。激光蝕刻技術(shù),特別是先進(jìn)的皮秒激光蝕刻,以其非接觸、高精度、高靈活性和“冷加工”等優(yōu)勢
2025-08-27 15:21:50891

IBM研究報(bào)告:體育粉絲對AI助力的動態(tài)數(shù)字內(nèi)容的需求增長

IBM(紐約證券交易所代碼:IBM)委托開展的一項(xiàng)新的全球研究顯示,體育愛好者正轉(zhuǎn)向更具互動性的數(shù)字內(nèi)容體驗(yàn),其中AI、個(gè)性化服務(wù)及實(shí)時(shí)功能成為他們參與體育活動的核心要素。
2025-08-26 17:33:10598

如何選擇合適的濕法清洗設(shè)備

選擇合適的濕法清洗設(shè)備需要綜合評估多個(gè)技術(shù)指標(biāo)和實(shí)際需求,以下是關(guān)鍵考量因素及實(shí)施建議:1.清洗對象特性匹配材料兼容性是首要原則。不同半導(dǎo)體基材(硅片、化合物晶體或先進(jìn)封裝材料)對化學(xué)試劑的耐受性
2025-08-25 16:40:56633

顯微紅外光譜(Micro-FTIR)在異物分析中的應(yīng)用

顯微紅外光譜法1.簡介:顯微紅外光譜技術(shù)融合了紅外光譜與顯微鏡的功能。其核心原理是分子振動會導(dǎo)致偶極矩變化,當(dāng)分子振動頻率與紅外光頻率匹配時(shí),分子會吸收紅外光能量,形成獨(dú)特的紅外吸收光譜,類似于人類
2025-08-13 14:02:20492

半導(dǎo)體濕法工藝用高精度溫控器嗎

在半導(dǎo)體濕法工藝中,高精度溫控器是必需的關(guān)鍵設(shè)備,其應(yīng)用貫穿多個(gè)核心環(huán)節(jié)以確保工藝穩(wěn)定性和產(chǎn)品良率。以下是具體分析:一、為何需要高精度溫控?化學(xué)反應(yīng)速率控制濕法蝕刻、清洗等過程依賴化學(xué)液與材料
2025-08-12 11:23:14660

半導(dǎo)體濕法去膠原理

半導(dǎo)體濕法去膠是一種通過化學(xué)溶解與物理輔助相結(jié)合的技術(shù),用于高效、可控地去除晶圓表面的光刻膠及其他工藝殘留物。以下是其核心原理及關(guān)鍵機(jī)制的詳細(xì)說明:化學(xué)溶解作用溶劑選擇與反應(yīng)機(jī)制有機(jī)溶劑體系:針對
2025-08-12 11:02:511506

干法 vs 濕法工藝:全固態(tài)鋰電池復(fù)合正極中粘結(jié)劑分布與電荷傳輸機(jī)制

研究背景全固態(tài)鋰電池因其高能量密度和安全性成為電動汽車電池的有力候選者。然而,聚合物粘結(jié)劑作為離子絕緣體,可能對復(fù)合正極中的電荷傳輸產(chǎn)生不利影響,從而影響電池的倍率性能。本研究旨在探討干法和濕法兩種
2025-08-11 14:54:161348

濕法蝕刻工藝與顯示檢測技術(shù)的協(xié)同創(chuàng)新

制造工藝的深刻理解,將濕法蝕刻這一關(guān)鍵技術(shù)與我們自主研發(fā)的高精度檢測系統(tǒng)相結(jié)合,為行業(yè)提供從工藝開發(fā)到量產(chǎn)管控的完整解決方案。濕法蝕刻工藝:高精度制造的核心技術(shù)M
2025-08-11 14:27:121257

半導(dǎo)體濕法flush是什么意思

在半導(dǎo)體制造中,“濕法flush”(WetFlush)是一種關(guān)鍵的清洗工藝步驟,具體含義如下:定義與核心目的字面解析:“Flush”意為“沖洗”,而“濕法”指使用液體化學(xué)品進(jìn)行操作。該過程通過噴淋或
2025-08-04 14:53:231078

一種基于紅外吸收光譜技術(shù)的免校準(zhǔn)氣體傳感芯片

近日,天津大學(xué)精密儀器與光電子工程學(xué)院的光子芯片實(shí)驗(yàn)室研發(fā)了一種基于紅外吸收光譜技術(shù)的免校準(zhǔn)氣體傳感芯片,成果獲得中國發(fā)明專利(ZL202411675536.3)授權(quán)。
2025-07-29 10:32:22780

云英谷科技獲評深圳市瞪羚企業(yè)

近日,2025中國(深圳)獨(dú)角獸企業(yè)大會在深圳開幕。會上,全國首發(fā)的《GEI中國獨(dú)角獸企業(yè)研究報(bào)告2025》《深圳市獨(dú)角獸企業(yè)及瞪羚企業(yè)研究報(bào)告2025》正式揭曉,云英谷科技股份有限公司憑借在顯示驅(qū)動芯片領(lǐng)域的突出創(chuàng)新能力與高成長性,正式入選“深圳市瞪羚企業(yè)”。
2025-07-25 17:16:151174

晶圓蝕刻擴(kuò)散工藝流程

晶圓蝕刻與擴(kuò)散是半導(dǎo)體制造中兩個(gè)關(guān)鍵工藝步驟,分別用于圖形化蝕刻和雜質(zhì)摻雜。以下是兩者的工藝流程、原理及技術(shù)要點(diǎn)的詳細(xì)介紹:一、晶圓蝕刻工藝流程1.蝕刻的目的圖形化轉(zhuǎn)移:將光刻膠圖案轉(zhuǎn)移到晶圓表面
2025-07-15 15:00:221224

晶圓蝕刻后的清洗方法有哪些

晶圓蝕刻后的清洗是半導(dǎo)體制造中的關(guān)鍵步驟,旨在去除蝕刻殘留物(如光刻膠、蝕刻產(chǎn)物、污染物等),同時(shí)避免對晶圓表面或結(jié)構(gòu)造成損傷。以下是常見的清洗方法及其原理:一、濕法清洗1.溶劑清洗目的:去除光刻膠
2025-07-15 14:59:011622

市場認(rèn)可!科華斬獲多項(xiàng)行業(yè)第一!

近日,據(jù)第三方機(jī)構(gòu)前瞻產(chǎn)業(yè)研究院(FORWARD)發(fā)布的《2024年中國高端電源(UPS)行業(yè)市場研究報(bào)告》《2024年中國微模塊數(shù)據(jù)中心行業(yè)市場研究報(bào)告》《2024年中國預(yù)制式電力模組行業(yè)市場
2025-07-14 11:28:38908

濕法清洗臺 專業(yè)濕法制程

濕法清洗臺是一種專門用于半導(dǎo)體、電子、光學(xué)等高科技領(lǐng)域的精密清洗設(shè)備。它主要通過物理和化學(xué)相結(jié)合的方式,對芯片、晶圓、光學(xué)元件等精密物體表面進(jìn)行高效清洗和干燥處理。從工作原理來看,物理清洗方面,它
2025-06-30 13:52:37

單晶硅清洗廢液處理方法有哪些

很多人接觸過,或者是存在好奇與疑問,很想知道的是單晶硅清洗廢液處理方法有哪些?那今天就來給大家解密一下,主流的單晶硅清洗廢液處理方法詳情。物理法過濾:可去除廢液中的大顆粒懸浮物、固體雜質(zhì)等,常采用砂
2025-06-30 13:45:47494

CITY怎么才能AI起來?《AI CITY發(fā)展研究報(bào)告》來揭秘!

行業(yè)芯事行業(yè)資訊
腦極體發(fā)布于 2025-06-25 23:56:18

晶圓濕法清洗設(shè)備 適配復(fù)雜清潔挑戰(zhàn)

在半導(dǎo)體制造的精密流程中,晶圓濕法清洗設(shè)備扮演著至關(guān)重要的角色。它不僅是芯片生產(chǎn)的基礎(chǔ)工序,更是決定良率、效率和成本的核心環(huán)節(jié)。本文將從技術(shù)原理、設(shè)備分類、行業(yè)應(yīng)用到未來趨勢,全面解析這一關(guān)
2025-06-25 10:26:37

半導(dǎo)體濕法清洗設(shè)備 滿足產(chǎn)能躍升需求

半導(dǎo)體濕法清洗是芯片制造過程中的關(guān)鍵工序,用于去除晶圓表面的污染物(如顆粒、有機(jī)物、金屬離子、氧化物等),確保后續(xù)工藝的良率與穩(wěn)定性。隨著芯片制程向更小尺寸(如28nm以下)發(fā)展,濕法清洗設(shè)備
2025-06-25 10:21:37

GLAD應(yīng)用:高斯光束的吸收和自聚焦效應(yīng)

,光束的吸收遵循比爾定律并且可能會出現(xiàn)自聚焦現(xiàn)象。研究發(fā)現(xiàn),自聚焦效應(yīng)會導(dǎo)致穿透剖面變窄,本例對比了以下四種情況: (1)理想的高斯光束聚焦 (2)經(jīng)過吸收之后的理想高斯光束聚焦 (3)經(jīng)過吸收
2025-06-17 08:52:44

福晶科技PLI弱吸收測試儀成功交付客戶

佳音再至,福晶科技自主研發(fā)的PLI弱吸收測試儀成功交付中國科學(xué)院某研究所。該設(shè)備集成了1064 nm、532 nm、355 nm和266 nm四個(gè)波長的泵浦光源,可精準(zhǔn)檢測晶體吸收特性,為新型晶體尤其是紫外晶體的開發(fā)和性能研究提供關(guān)鍵技術(shù)支撐。
2025-06-10 17:47:121086

蘇州濕法清洗設(shè)備

蘇州芯矽電子科技有限公司(以下簡稱“芯矽科技”)是一家專注于半導(dǎo)體濕法設(shè)備研發(fā)與制造的高新技術(shù)企業(yè),成立于2018年,憑借在濕法清洗領(lǐng)域的核心技術(shù)積累和創(chuàng)新能力,已發(fā)展成為國內(nèi)半導(dǎo)體清洗設(shè)備領(lǐng)域
2025-06-06 14:25:28

光電耦合器行業(yè)研究報(bào)告

電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《光電耦合器行業(yè)研究報(bào)告.docx》資料免費(fèi)下載
2025-05-30 15:33:130

一文詳解濕法刻蝕工藝

濕法刻蝕作為半導(dǎo)體制造領(lǐng)域的元老級技術(shù),其發(fā)展歷程與集成電路的微型化進(jìn)程緊密交織。盡管在先進(jìn)制程中因線寬控制瓶頸逐步被干法工藝取代,但憑借獨(dú)特的工藝優(yōu)勢,濕法刻蝕仍在特定場景中占據(jù)不可替代的地位。
2025-05-28 16:42:544247

優(yōu)化濕法腐蝕后晶圓 TTV 管控

摘要:本文針對濕法腐蝕工藝后晶圓總厚度偏差(TTV)的管控問題,探討從工藝參數(shù)優(yōu)化、設(shè)備改進(jìn)及檢測反饋機(jī)制完善等方面入手,提出一系列優(yōu)化方法,以有效降低濕法腐蝕后晶圓 TTV,提升晶圓制造質(zhì)量
2025-05-22 10:05:57511

GLAD應(yīng)用:高斯光束的吸收和自聚焦效應(yīng)

,光束的吸收遵循比爾定律并且可能會出現(xiàn)自聚焦現(xiàn)象。研究發(fā)現(xiàn),自聚焦效應(yīng)會導(dǎo)致穿透剖面變窄,本例對比了以下四種情況: (1)理想的高斯光束聚焦 (2)經(jīng)過吸收之后的理想高斯光束聚焦 (3)經(jīng)過吸收
2025-05-16 08:47:10

單晶片電阻率均勻性的影響因素

直拉硅單晶生長的過程是熔融的多晶硅逐漸結(jié)晶生長為固態(tài)的單晶硅的過程,沒有雜質(zhì)的本征硅單晶的電阻率很高,幾乎不會導(dǎo)電,沒有市場應(yīng)用價(jià)值,因此通過人為的摻雜進(jìn)行雜質(zhì)引入,我們可以改變、控制硅單晶的電阻率。
2025-05-09 13:58:541255

有方科技加速城市全域數(shù)字化轉(zhuǎn)型

近日,第八屆數(shù)字中國建設(shè)峰會“城市感知基礎(chǔ)設(shè)施高端對話”在福州舉行,對話活動上發(fā)布了《城市感知體系2025》研究報(bào)告及案例集共創(chuàng)的行動計(jì)劃。有方科技作為全國信標(biāo)委智慧城市標(biāo)準(zhǔn)工作組城市感知組組長,將牽頭《城市感知體系2025》研究報(bào)告的編纂工作。
2025-05-07 15:48:37687

德賽西威AI出行趨勢研究報(bào)告發(fā)布

,帶來更加多元的智能互動體驗(yàn),智能汽車將成為面向未來的智能空間。4月22日,德賽西威發(fā)布《德賽西威AI出行趨勢研究報(bào)告》(以下簡稱“報(bào)告”)。
2025-04-23 17:43:401070

SiC MOSFET 開關(guān)模塊RC緩沖吸收電路的參數(shù)優(yōu)化設(shè)計(jì)

問題,因此,需要增加緩沖吸收電路來抑制 SiC 模塊關(guān)斷過程中因振蕩帶來的尖峰電壓過高的問題 。文獻(xiàn) [7-11] 通過對雙脈沖電路進(jìn)行仿真和實(shí)驗(yàn)研究,給出了緩沖吸收電路參數(shù)的優(yōu)化設(shè)計(jì)方法,但都是以關(guān)斷
2025-04-23 11:25:54

再獲權(quán)威認(rèn)可!數(shù)勢科技上榜IDC中國AI Agent應(yīng)用市場全景圖報(bào)告

近日,國際數(shù)據(jù)公司(IDC)發(fā)布的《IDC?Market?Glance:中國AI?Agent應(yīng)用市場概覽,1Q25》(Doc#CHC53057625,2025年3月)研究報(bào)告中,數(shù)勢科技憑借在企業(yè)級
2025-04-21 13:52:41779

晶圓濕法清洗工作臺工藝流程

晶圓濕法清洗工作臺是一個(gè)復(fù)雜的工藝,那我們下面就來看看具體的工藝流程。不得不說的是,既然是復(fù)雜的工藝每個(gè)流程都很重要,為此我們需要仔細(xì)謹(jǐn)慎,這樣才能獲得最高品質(zhì)的產(chǎn)品或者達(dá)到最佳效果。 晶圓濕法清洗
2025-04-01 11:16:271009

昊量光電攜insion近紅外光譜儀參加第四屆小微型近紅外光譜儀研發(fā)與應(yīng)用交流會并做報(bào)告

昊量光電攜insion近紅外光譜儀參加第四屆小微型近紅外光譜儀研發(fā)與應(yīng)用交流會并做報(bào)告第四屆小微型近紅外光譜儀研發(fā)與應(yīng)用交流會在3月14到3月16日在常州市順利召開,這次會議地點(diǎn)選擇在南京大學(xué)未來
2025-03-19 16:20:02832

維智科技入選泰伯智庫數(shù)字孿生城市產(chǎn)業(yè)圖譜

近日,泰伯智庫正式發(fā)布《數(shù)字孿生城市市場研究報(bào)告(2025)》。報(bào)告指出:2024年中國數(shù)字孿生行業(yè)市場規(guī)模已達(dá)337億元,預(yù)計(jì)2029年將突破千億大關(guān)。
2025-03-19 10:19:11728

中科視語入選甲子光年《2025 中國AI Agent行業(yè)研究報(bào)告

3月12日,備受矚目的《2025中國AIAgent行業(yè)研究報(bào)告》由甲子光年重磅發(fā)布!在這份極具前瞻性的行業(yè)報(bào)告中,中科視語憑借卓越的實(shí)力脫穎而出,成功入選為國內(nèi)重點(diǎn)AIAgent廠商的典型案例。該報(bào)告
2025-03-13 16:24:491000

什么是高選擇性蝕刻

華林科納半導(dǎo)體高選擇性蝕刻是指在半導(dǎo)體制造等精密加工中,通過化學(xué)或物理手段實(shí)現(xiàn)目標(biāo)材料與非目標(biāo)材料刻蝕速率的顯著差異,從而精準(zhǔn)去除指定材料并保護(hù)其他結(jié)構(gòu)的工藝技術(shù)?。其核心在于通過工藝優(yōu)化控制
2025-03-12 17:02:49809

濕法刻蝕:晶圓上的微觀雕刻

在芯片制造的精密工藝中,華林科納濕法刻蝕(Wet Etching)如同一把精妙的雕刻刀,以化學(xué)的魔力在晶圓這張潔白的畫布上,雕琢出微觀世界的奇跡。它是芯片制造中不可或缺的一環(huán),以其高效、低成本的特點(diǎn)
2025-03-12 13:59:11983

什么是單晶圓清洗機(jī)?

或許,大家會說,晶圓知道是什么,清洗機(jī)也懂。當(dāng)單晶圓與清洗機(jī)放一起了,大家好奇的是到底什么是單晶圓清洗機(jī)呢?面對這個(gè)機(jī)器,不少人都是陌生的,不如我們來給大家講講,做一個(gè)簡單的介紹? 單晶圓清洗機(jī)
2025-03-07 09:24:561037

報(bào)告:中國芯片研究論文全球領(lǐng)先

據(jù)新華社報(bào)道,美國喬治敦大學(xué)“新興技術(shù)觀察項(xiàng)目(ETO)”3日在其網(wǎng)站發(fā)布一份報(bào)告說,2018年至2023年間,在全球發(fā)表的芯片設(shè)計(jì)和制造相關(guān)論文中,中國研究人員的論文數(shù)量遠(yuǎn)超其他國家,中國在高被
2025-03-05 14:32:591780

安富利最新研究解讀AI應(yīng)用的核心趨勢與挑戰(zhàn),助力中國工程師把握AI機(jī)遇

安富利最新發(fā)布的年度研究報(bào)告顯示 ,包括中國工程師在內(nèi)的全球工程師普遍認(rèn)為AI具有廣泛的應(yīng)用潛力,但目前難以確定AI將對哪個(gè)具體領(lǐng)域產(chǎn)生最大影響 2025 年 2 月 26 日,中國上海訊 —— 安
2025-03-03 17:42:37293

嵌入式軟件測試技術(shù)深度研究報(bào)告

嵌入式軟件測試技術(shù)深度研究報(bào)告 ——基于winAMS的全生命周期質(zhì)量保障體系構(gòu)建 一、行業(yè)技術(shù)瓶頸與解決方案框架 2025年嵌入式軟件測試領(lǐng)域面臨兩大核心矛盾: ? 安全合規(guī)與開發(fā)效率的沖突
2025-03-03 13:54:14876

LT3055AFN-AFL N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET規(guī)格書

電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《LT3055AFN-AFL N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET規(guī)格書.pdf》資料免費(fèi)下載
2025-03-01 15:01:280

LT3055AFN-L N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET規(guī)格書

電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《LT3055AFN-L N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET規(guī)格書.pdf》資料免費(fèi)下載
2025-03-01 15:00:060

想做好 PCB 板蝕刻?先搞懂這些影響因素

影響 PCB 板蝕刻的因素 電路板從發(fā)光板轉(zhuǎn)變?yōu)轱@示電路圖的過程頗為復(fù)雜。當(dāng)前,電路板加工典型采用 “圖形電鍍法”,即在電路板外層需保留的銅箔部分(即電路圖形部分),預(yù)先涂覆一層鉛錫耐腐蝕層,隨后
2025-02-27 16:35:581321

半導(dǎo)體濕法清洗有機(jī)溶劑有哪些

在半導(dǎo)體制造的精密世界里,濕法清洗是確保芯片質(zhì)量的關(guān)鍵環(huán)節(jié)。而在這一過程中,有機(jī)溶劑的選擇至關(guān)重要。那么,半導(dǎo)體濕法清洗中常用的有機(jī)溶劑究竟有哪些呢?讓我們一同來了解。 半導(dǎo)體濕法清洗中常
2025-02-24 17:19:571828

2025年汽車微電機(jī)及運(yùn)動機(jī)構(gòu)行業(yè)研究報(bào)告

佐思汽研發(fā)布了《2025年汽車微電機(jī)及運(yùn)動機(jī)構(gòu)行業(yè)研究報(bào)告》。
2025-02-20 14:14:442121

AI大模型在汽車應(yīng)用中的推理、降本與可解釋性研究

佐思汽研發(fā)布《2024-2025年AI大模型及其在汽車領(lǐng)域的應(yīng)用研究報(bào)告》。 推理能力成為大模型性能提升的驅(qū)動引擎 2024下半年以來,國內(nèi)外大模型公司紛紛推出推理模型,通過以CoT為代表的推理框架
2025-02-18 15:02:471966

熵基云聯(lián)入選《零售媒體化專項(xiàng)研究報(bào)告

近日,備受行業(yè)關(guān)注的《零售媒體化專項(xiàng)研究報(bào)告(2024年)》由中國連鎖經(jīng)營協(xié)會(CCFA)權(quán)威發(fā)布。在該報(bào)告中,熵基科技旗下的智慧零售全新商業(yè)品牌——熵基云聯(lián),憑借其卓越的創(chuàng)新性智慧零售解決方案
2025-02-17 11:17:27849

深入探討 PCB 制造技術(shù):化學(xué)蝕刻

作者:Jake Hertz 在眾多可用的 PCB 制造方法中,化學(xué)蝕刻仍然是行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)。蝕刻以其精度和可擴(kuò)展性而聞名,它提供了一種創(chuàng)建詳細(xì)電路圖案的可靠方法。在本博客中,我們將詳細(xì)探討化學(xué)蝕刻工藝及其
2025-01-25 15:09:001517

紅外傳感器原理與應(yīng)用

讀者呈現(xiàn)一個(gè)全面而深入的紅外傳感器世界。 紅外傳感器原理 紅外傳感器的工作原理主要基于紅外輻射與物質(zhì)之間的相互作用。紅外輻射是電磁波的一種,其波長位于可見光與微波之間。當(dāng)紅外輻射照射到物體表面時(shí),物體會吸收
2025-01-23 18:02:372173

蝕刻基礎(chǔ)知識

制作氧化局限面射型雷射與蝕刻空氣柱狀結(jié)構(gòu)一樣都需要先將磊晶片進(jìn)行蝕刻,以便暴露出側(cè)向蝕刻表面(etched sidewall)提供增益波導(dǎo)或折射率波導(dǎo)效果,同時(shí)靠近活性層的高鋁含量砷化鋁鎵層也才
2025-01-22 14:23:491621

干法刻蝕的概念、碳硅反應(yīng)離子刻蝕以及ICP的應(yīng)用

反應(yīng)離子刻蝕以及ICP的應(yīng)用。 ? 1干法蝕刻概述 干法蝕刻的重要性 精確控制線寬:當(dāng)器件尺寸進(jìn)入亞微米級( 化學(xué)穩(wěn)定性挑戰(zhàn):SiC的化學(xué)穩(wěn)定性極高(Si-C鍵合強(qiáng)度大),使得濕法蝕刻變得困難。濕法蝕刻通常需要在高溫或特定條件下進(jìn)行,
2025-01-22 10:59:232668

《一云多芯算力調(diào)度研究報(bào)告》聯(lián)合發(fā)布

近日,浪潮云海攜手中國軟件評測中心、騰訊云等十余家核心機(jī)構(gòu)與廠商,共同發(fā)布了《一云多芯算力調(diào)度研究報(bào)告》。該報(bào)告深入探討了當(dāng)前一云多芯技術(shù)的發(fā)展趨勢與挑戰(zhàn)。 報(bào)告指出,一云多芯技術(shù)正處于從混合部署
2025-01-10 14:18:04752

日本開發(fā)出用于垂直晶體管的8英寸氮化鎵單晶晶圓

工藝的橫向晶體管相比,采用氮化鎵單晶構(gòu)建垂直晶體管可提供更高密度的功率器件,可用于 200mm 和 300mm 晶圓。然而,制造尺寸大于4英寸的GaN單晶晶圓一直都面臨困難。 大阪大學(xué)和豐田合成的研究人員制造了一種 200mm 的多點(diǎn)籽晶 (MPS) 襯底,并成功地在襯底上生長出對角線長度略低于 2
2025-01-09 18:18:221358

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