摘要
采用濕法腐蝕、x射線衍射(XRD)和紅外吸收等方法研究了物理氣相色譜法(PVT)生長AlN(0001)單晶的缺陷和晶格完善性。 一個(gè)正六邊形的蝕刻坑密度(EPD)約為4000厘米在AlN的(0001)鋁表面上觀察到單晶。 EPD沿纖鋅礦結(jié)構(gòu)滑移方向呈線陣分布,表明其規(guī)模相當(dāng)大晶體在生長過程中所產(chǎn)生的熱應(yīng)力。 XRD全寬半最大值(FWHM)晶體為35弧秒,表明晶格完美。這些吸收可能與雜質(zhì)O、C、Si有關(guān)以及它們在AlN單晶中的配合物。
介紹
AlN是一種半導(dǎo)體間隙(6.2 eV),具有高熱穩(wěn)定性和導(dǎo)電性。 近年來,作為iii -氮化物材料als的代表,GaN和AlGaN在光電子制造中得到了廣泛的應(yīng)用以及新的大功率電子設(shè)備。 然而,由于其與傳統(tǒng)襯底的熱和晶格不匹配,外延材料含有較大的位錯密度,這些缺陷限制了器件的壽命和性能[33 5]。 因?yàn)?a href="http://m.makelele.cn/tags/氮化鎵/" target="_blank">氮化鎵和富氮化鎵配合良好,所以氮化鎵及其衍生物的理想襯底三元化合物[。 在這種情況下,低缺陷密度和良好的氮化鋁單晶晶格完整性是制備高質(zhì)量氮化鋁的先決條件。 因此,它是研究AlN單晶缺陷及其形成機(jī)理的必要手段。
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審核編輯:符乾江
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