關(guān)鍵詞： 常溫鍵合；第三代半導(dǎo)體；異質(zhì)集成；半導(dǎo)體設(shè)備；青禾晶元；半導(dǎo)體技術(shù)突破；碳化硅(SiC)；氮化鎵(GaN)；超高真空鍵合；先進(jìn)封裝；摩爾定律 隨著5G/6G通信、新能源汽車與人工智能對(duì)芯片
2025-12-29 11:24:17
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接觸對(duì)薄膜的厚度與折射率的高精度表征，廣泛應(yīng)用于薄膜材料、半導(dǎo)體和表面科學(xué)等領(lǐng)域。本文基于光譜橢偏技術(shù)，結(jié)合X射線衍射、拉曼光譜等方法，系統(tǒng)研究了c面藍(lán)寶石襯底上
2025-12-26 18:02:201016 
本文由半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)縱橫（ID：ICVIEWS）編譯自3dincites利用人工智能進(jìn)行半導(dǎo)體測(cè)試創(chuàng)新，將能夠共享與良率、覆蓋率和成本息息相關(guān)的真實(shí)數(shù)據(jù)。雖然人工智能在半導(dǎo)體設(shè)計(jì)和制造領(lǐng)域取得了重大進(jìn)展
2025-12-26 10:02:30372 
襯底清洗是半導(dǎo)體制造、LED外延生長(zhǎng)等工藝中的關(guān)鍵步驟，其目的是去除襯底表面的污染物（如顆粒、有機(jī)物、金屬離子、氧化層等），確保后續(xù)薄膜沉積或器件加工的質(zhì)量。以下是常見的襯底清洗方法及適用場(chǎng)景：一
2025-12-10 13:45:30323 
日前，衢州市科學(xué)技術(shù)局發(fā)布《衢州市科學(xué)技術(shù)局關(guān)于下達(dá)2025年度市競(jìng)爭(zhēng)性科技攻關(guān)項(xiàng)目的通知》（衢市科發(fā)規(guī)〔2025〕18號(hào)），浙江海納半導(dǎo)體股份有限公司（以下簡(jiǎn)稱“公司”）憑借“高性能硅基復(fù)合襯底
2025-12-09 15:35:48507 如有雷同或是不當(dāng)之處，還請(qǐng)大家海涵。當(dāng)前在各網(wǎng)絡(luò)平臺(tái)上均以此昵稱為ID跟大家一起交流學(xué)習(xí)！ 在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈中，特別是第三代半導(dǎo)體（寬禁帶半導(dǎo)體）產(chǎn)業(yè)鏈中，會(huì)有襯底及外延層之分，那外延層的存在有何意義？和襯底的區(qū)別是
2025-12-04 08:23:541017 
【博主簡(jiǎn)介】本人“ 愛在七夕時(shí) ”，系一名半導(dǎo)體行業(yè)質(zhì)量管理從業(yè)者，旨在業(yè)余時(shí)間不定期的分享半導(dǎo)體行業(yè)中的：產(chǎn)品質(zhì)量、失效分析、可靠性分析和產(chǎn)品基礎(chǔ)應(yīng)用等相關(guān)知識(shí)。常言：真知不問出處，所分享的內(nèi)容
2025-12-02 08:30:53676 
半導(dǎo)體制冷片結(jié)露不是小問題，輕則影響精度，重則毀掉設(shè)備。華晶溫控結(jié)合多年案例經(jīng)驗(yàn)，本文提供一些為激光器、精密實(shí)驗(yàn)設(shè)備“量身定制”的防結(jié)露解決方案。為什么“萬能”的防結(jié)露方案不存在？所有結(jié)露的本質(zhì)都
2025-11-25 15:55:11281 
在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，晶圓清洗是保障芯片性能與良率的核心環(huán)節(jié)之一。隨著制程技術(shù)向納米級(jí)演進(jìn)，污染物對(duì)器件功能的影響愈發(fā)顯著，而清洗材料的選擇直接決定了清潔效率、工藝兼容性及環(huán)境可持續(xù)性。以下是關(guān)鍵清潔
2025-11-24 15:07:29283 【博主簡(jiǎn)介】本人“ 愛在七夕時(shí) ”，系一名半導(dǎo)體行業(yè)質(zhì)量管理從業(yè)者，旨在業(yè)余時(shí)間不定期的分享半導(dǎo)體行業(yè)中的：產(chǎn)品質(zhì)量、失效分析、可靠性分析和產(chǎn)品基礎(chǔ)應(yīng)用等相關(guān)知識(shí)。常言：真知不問出處，所分享的內(nèi)容
2025-11-21 08:21:49274 近日，在廈門舉辦的國際半導(dǎo)體照明聯(lián)盟（ISA）2025年度大會(huì)上，晶能憑借“大尺寸硅襯底GaN Micro LED外延”技術(shù)，成功入選“全球半導(dǎo)體照明創(chuàng)新100佳”。這不僅是對(duì)晶能技術(shù)實(shí)力的高度認(rèn)可，更彰顯了中國企業(yè)在全球微顯示領(lǐng)域的創(chuàng)新引領(lǐng)能力。
2025-11-20 10:46:23495 
PN 結(jié)是構(gòu)成二極管、雙極型晶體管、MOS 晶體管等各類半導(dǎo)體器件的核心結(jié)構(gòu)，其本質(zhì)是 p 型半導(dǎo)體與 n 型半導(dǎo)體接觸后，在交界面形成的特殊功能薄層。PN 結(jié)的形成主要通過兩種方式：一是將獨(dú)立
2025-11-11 13:59:001274 
實(shí)驗(yàn)名稱： 高壓放大器 在鐵磁鐵電異質(zhì)結(jié)系統(tǒng)物理儲(chǔ)備池計(jì)算中的應(yīng)用 實(shí)驗(yàn)內(nèi)容：將信號(hào)發(fā)生器產(chǎn)生的一段任意波形經(jīng)高壓放大器放大后輸入到系統(tǒng)中，探測(cè)系統(tǒng)的實(shí)時(shí)輸出，并對(duì)該系統(tǒng)進(jìn)行儲(chǔ)備池計(jì)算的模型訓(xùn)練
2025-11-03 16:14:23394 
HP 4145B / Agilent 4145B 半導(dǎo)體參數(shù)分析儀4145B 半導(dǎo)體參數(shù)分析儀是一款獨(dú)立的儀器，能夠?qū)?b class="flag-6" style="color: red">半導(dǎo)體器件和材料進(jìn)行完整的直流表征。它刺激電壓和電流敏感設(shè)備，測(cè)量產(chǎn)生的電流
2025-11-03 11:20:32
實(shí)驗(yàn)名稱： 高壓放大器 在鐵磁鐵電異質(zhì)結(jié)系統(tǒng)物理儲(chǔ)備池計(jì)算中的應(yīng)用 實(shí)驗(yàn)內(nèi)容：將信號(hào)發(fā)生器產(chǎn)生的一段任意波形經(jīng)高壓放大器放大后輸入到系統(tǒng)中，探測(cè)系統(tǒng)的實(shí)時(shí)輸出，并對(duì)該系統(tǒng)進(jìn)行儲(chǔ)備池計(jì)算的模型訓(xùn)練
2025-10-29 16:36:47475 
一臺(tái)半導(dǎo)體參數(shù)分析儀抵得上多種測(cè)量?jī)x器Keysight B1500A 半導(dǎo)體參數(shù)分析儀是一款一體化器件表征分析儀，能夠測(cè)量 IV、CV、脈沖/動(dòng)態(tài) I-V 等參數(shù)。 主機(jī)和插入式模塊能夠表征大多數(shù)
2025-10-29 14:28:09
半導(dǎo)體無機(jī)清洗是芯片制造過程中至關(guān)重要的環(huán)節(jié)，以下是關(guān)于它的詳細(xì)介紹： 定義與目的 核心概念：指采用化學(xué)試劑或物理方法去除半導(dǎo)體材料（如硅片、襯底等）表面的無機(jī)污染物的過程。這些污染物包括金屬離子
2025-10-28 11:40:35231 自由空間半導(dǎo)體激光器半導(dǎo)體激光器是以一定的半導(dǎo)體材料做工作物質(zhì)而產(chǎn)生激光的器件。.其工作原理是通過一定的激勵(lì)方式，在半導(dǎo)體物質(zhì)的能帶（導(dǎo)帶與價(jià)帶）之間，或者半導(dǎo)體物質(zhì)的能帶與雜質(zhì)（受主或施主）能級(jí)
2025-10-23 14:24:06
光纖耦合半導(dǎo)體激光器屹持光子信息科技(上海)有限公司光纖耦合半導(dǎo)體激光模塊集合了半導(dǎo)體激光器，單模光纖耦合，優(yōu)質(zhì)的光學(xué)傳導(dǎo)和整形裝置，完善精準(zhǔn)的電子控制裝置，和牢固的模塊化封裝，提供從紫外到近紅外
2025-10-23 14:22:45
MAS系統(tǒng)遠(yuǎn)程監(jiān)控和自診斷功能，工程師可以輕松的對(duì)設(shè)備進(jìn)行監(jiān)控和維護(hù)，確保生產(chǎn)的連續(xù)性和穩(wěn)定性，引領(lǐng)半導(dǎo)體制造企業(yè)向智能化、高效化方向大步邁進(jìn)。
公司注重產(chǎn)品質(zhì)量，更注重客戶服務(wù)滿意度及產(chǎn)品
2025-10-10 10:35:17
在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)不斷演進(jìn)的歷程中，異質(zhì)異構(gòu)集成技術(shù)正逐漸成為推動(dòng)行業(yè)突破現(xiàn)有瓶頸、邁向全新發(fā)展階段的關(guān)鍵力量。在這樣的產(chǎn)業(yè)變革背景下，九峰山論壇暨化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)博覽會(huì)于武漢光谷盛大召開，吸引了來自美國
2025-09-30 15:58:071404 
在智能清潔領(lǐng)域，每一次技術(shù)突破都向著解放人力更進(jìn)一步。9月23日，普渡機(jī)器人在CMS Berlin展會(huì)上全新發(fā)布的自清潔工作站，融合自動(dòng)回充、自主加排水、部件自清潔及移動(dòng)水站協(xié)同功能，實(shí)現(xiàn)了從“人
2025-09-29 15:05:59780 硅異質(zhì)結(jié)（SHJ）太陽能電池因其高轉(zhuǎn)換效率、高開路電壓和低溫度制程等優(yōu)勢(shì)，已成為前景廣闊的光伏技術(shù)，預(yù)計(jì)市場(chǎng)份額將持續(xù)增長(zhǎng)。然而，其低溫
2025-09-29 09:02:51505 
在全球科技浪潮洶涌澎湃的當(dāng)下，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)宛如一座精密運(yùn)轉(zhuǎn)的巨大引擎，驅(qū)動(dòng)著信息技術(shù)革命不斷向前。而在這一復(fù)雜且嚴(yán)苛的生產(chǎn)體系中，半導(dǎo)體濕制程設(shè)備猶如一位默默耕耘的幕后英雄，雖不常現(xiàn)身臺(tái)前，卻以無可
2025-09-28 14:06:40
龍騰半導(dǎo)體最新推出650V/40A/99mΩ超結(jié)MOSFET，其內(nèi)置FRD，適應(yīng)LLC應(yīng)用，并適合多管應(yīng)用，具有更快的開關(guān)速度，更低的導(dǎo)通損耗；極低的柵極電荷（Qg），大大提高系統(tǒng)效率和優(yōu)異的EMI性能。
2025-09-26 17:39:511274 
摩矽半導(dǎo)體：專耕半導(dǎo)體行業(yè)20年，推動(dòng)半導(dǎo)體國產(chǎn)化進(jìn)展！
2025-09-24 09:52:052102 
SOI（silicon-on-insulator，絕緣襯底上的硅）技術(shù)的核心設(shè)計(jì)，是在頂層硅與硅襯底之間引入一層氧化層，這層氧化層可將襯底硅與表面的硅器件層有效分隔（見圖 1）。
2025-09-22 16:17:006146 
周期
EUV光源生成方法：
NIL技術(shù)：
各種光刻技術(shù)的關(guān)鍵參數(shù)及瓶頸
二、集成芯片
1、芯粒與異質(zhì)集成
集成芯片技術(shù)支持異質(zhì)集成，即把不同半導(dǎo)體廠家、不同功能、不同工藝節(jié)點(diǎn)、不同材質(zhì)的芯片集成在一個(gè)
2025-09-15 14:50:58
在這數(shù)字化飛速發(fā)展的現(xiàn)代社會(huì)，半導(dǎo)體行業(yè)已經(jīng)成為科技進(jìn)步的中流砥柱。而要保證這些半導(dǎo)體元件的高性能和可靠性，清潔度是一個(gè)至關(guān)重要的因素。這時(shí)候，超聲波真空清洗機(jī)就像超級(jí)英雄一般，悄悄地解決了這個(gè)
2025-09-08 16:52:30704 
摘要
本文聚焦碳化硅襯底晶圓總厚度變化（TTV）厚度測(cè)量技術(shù)，剖析其在精度提升、設(shè)備小型化及智能化測(cè)量等方面的最新發(fā)展趨勢(shì)，并對(duì)未來在新興應(yīng)用領(lǐng)域的拓展及推動(dòng)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的前景進(jìn)行展望，為行業(yè)技術(shù)
2025-09-01 11:58:10839 
摘要
本文針對(duì)碳化硅襯底 TTV 厚度測(cè)量中存在的邊緣效應(yīng)問題，深入分析其產(chǎn)生原因，從樣品處理、測(cè)量技術(shù)改進(jìn)及數(shù)據(jù)處理等多維度研究抑制方法，旨在提高 TTV 測(cè)量準(zhǔn)確性，為碳化硅半導(dǎo)體制造提供可靠
2025-08-26 16:52:101092 本文圍繞探針式碳化硅襯底 TTV 厚度測(cè)量?jī)x，系統(tǒng)闡述其操作規(guī)范與實(shí)用技巧，通過規(guī)范測(cè)量流程、分享操作要點(diǎn)，旨在提高測(cè)量準(zhǔn)確性與效率，為半導(dǎo)體制造過程中碳化硅襯底 TTV 測(cè)量提供標(biāo)準(zhǔn)化操作指導(dǎo)
2025-08-23 16:22:401082 摘要
本文圍繞探針式碳化硅襯底 TTV 厚度測(cè)量?jī)x，系統(tǒng)闡述其操作規(guī)范與實(shí)用技巧，通過規(guī)范測(cè)量流程、分享操作要點(diǎn)，旨在提高測(cè)量準(zhǔn)確性與效率，為半導(dǎo)體制造過程中碳化硅襯底 TTV 測(cè)量提供標(biāo)準(zhǔn)化操作
2025-08-20 12:01:02551 理論依據(jù)。
引言
在第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中，碳化硅襯底的質(zhì)量對(duì)芯片性能和良率起著決定性作用，晶圓總厚度變化（TTV）作為衡量碳化硅襯底質(zhì)量的關(guān)鍵指標(biāo)，其精確測(cè)量至關(guān)重
2025-08-18 14:33:59454 本文通過對(duì)比國產(chǎn)與進(jìn)口碳化硅襯底 TTV 厚度測(cè)量?jī)x在性能、價(jià)格、維護(hù)成本等方面的差異，深入分析兩者的性價(jià)比，旨在為半導(dǎo)體制造企業(yè)及科研機(jī)構(gòu)選購測(cè)量設(shè)備提供科學(xué)依據(jù)，助力優(yōu)化資源配置。
引言
在
2025-08-15 11:55:31707 ，為半導(dǎo)體制造工藝的穩(wěn)定運(yùn)行提供支持。
引言
在碳化硅半導(dǎo)體制造過程中，TTV 厚度測(cè)量數(shù)據(jù)是評(píng)估襯底質(zhì)量的關(guān)鍵依據(jù)。然而，受測(cè)量設(shè)備性能波動(dòng)、環(huán)境變化、樣品特性
2025-08-14 13:29:381027 半導(dǎo)體外延和薄膜沉積是兩種密切相關(guān)但又有顯著區(qū)別的技術(shù)。以下是它們的主要差異：定義與目標(biāo)半導(dǎo)體外延核心特征：在單晶襯底上生長(zhǎng)一層具有相同或相似晶格結(jié)構(gòu)的單晶薄膜（外延層），強(qiáng)調(diào)晶體結(jié)構(gòu)的連續(xù)性和匹配
2025-08-11 14:40:061536 
半導(dǎo)體外延工藝主要在集成電路制造的前端工藝（FEOL）階段進(jìn)行。以下是具體說明：所屬環(huán)節(jié)定位：作為核心步驟之一，外延屬于前端制造流程中的關(guān)鍵環(huán)節(jié)，其目的是在單晶襯底上有序沉積單晶材料以形成外延層
2025-08-11 14:36:351273 
摘要
本文針對(duì)碳化硅襯底 TTV 厚度測(cè)量中各向異性帶來的干擾問題展開研究，深入分析干擾產(chǎn)生的機(jī)理，提出多種解決策略，旨在提高碳化硅襯底 TTV 厚度測(cè)量的準(zhǔn)確性與可靠性，為碳化硅半導(dǎo)體制造工藝提供
2025-08-08 11:38:30657 電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/梁浩斌）今年以來，各家廠商都開始展示出12英寸SiC產(chǎn)品，包括晶錠和襯底，加速推進(jìn)12英寸SiC的產(chǎn)業(yè)化。最近，天成半導(dǎo)體宣布成功研制出12英寸N型碳化硅單晶材料；晶越半導(dǎo)體也
2025-07-30 09:32:1311753 的研發(fā)。自2007年成立以來，全志憑借高性價(jià)比、低功耗和廣泛的應(yīng)用生態(tài)，在消費(fèi)電子、智能硬件、汽車電子等領(lǐng)域占據(jù)重要地位，成為中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的重要代表之一。 ? 技術(shù)優(yōu)勢(shì)與產(chǎn)品布局 ?? 全志芯片的核心競(jìng)爭(zhēng)力在于其高度集成的SoC（系統(tǒng)級(jí)芯片）設(shè)計(jì)能力，涵蓋CPU、
2025-07-29 15:45:38810 近日，晶越半導(dǎo)體傳來重大喜訊，在半導(dǎo)體材料研發(fā)領(lǐng)域取得了新的里程碑式突破。繼 2025 年上半年成功量產(chǎn) 8 英寸碳化硅襯底后，公司持續(xù)加大研發(fā)投入，不斷優(yōu)化工藝，于 7 月 21 日成功研制出
2025-07-25 16:54:48700 一、核心功能與應(yīng)用場(chǎng)景半導(dǎo)體超聲波清洗機(jī)是利用高頻超聲波（20kHz-1MHz）的空化效應(yīng)，通過液體中微射流和沖擊波的作用，高效剝離晶圓表面的顆粒、有機(jī)物、金屬污染及微小結(jié)構(gòu)內(nèi)的殘留物。廣泛應(yīng)用
2025-07-23 15:06:54
深愛半導(dǎo)體推出新品IPM模塊
IPM（Intelligent Power Module，智能功率模塊） 是集成了功率器件、驅(qū)動(dòng)電路、保護(hù)功能的“系統(tǒng)級(jí)”功率半導(dǎo)體方案。其高度集成方案可縮減 PCB
2025-07-23 14:36:03
在半導(dǎo)體行業(yè)中，硅基光電子技術(shù)是實(shí)現(xiàn)光互聯(lián)、突破集成電路電互聯(lián)瓶頸的關(guān)鍵，而在硅si襯底上外延生長(zhǎng)高質(zhì)量GaAs薄膜是硅基光源單片集成的核心。臺(tái)階儀作為重要的表征工具，在GaAs/Si異質(zhì)外延研究中
2025-07-22 09:51:18537 目錄
第1章?半導(dǎo)體中的電子和空穴第2章?電子和空穴的運(yùn)動(dòng)與復(fù)合
第3章?器件制造技術(shù)
第4章?PN結(jié)和金屬半導(dǎo)體結(jié)
第5章?MOS電容
第6章?MOSFET晶體管
第7章?IC中的MOSFET
2025-07-12 16:18:42
本書較全面地講述了現(xiàn)有各類重要功率半導(dǎo)體器件的結(jié)構(gòu)、基本原理、設(shè)計(jì)原則和應(yīng)用特性，有機(jī)地將功率器件的設(shè)計(jì)、器件中的物理過程和器件的應(yīng)用特性聯(lián)系起來。
書中內(nèi)容由淺入深，從半導(dǎo)體的性質(zhì)、基本的半導(dǎo)體
2025-07-11 14:49:36
有限公司副總裁馬衛(wèi)清在2025中國（深圳）集成電路峰會(huì)表示。 2025年功率半導(dǎo)體市場(chǎng)有哪些機(jī)遇？全球功率半導(dǎo)體的頭部廠商和中國廠商在占有率上有哪些變化？汽車企業(yè)自研SIC器件有哪些進(jìn)展？本文結(jié)合華潤(rùn)微電子有限公司副總裁馬衛(wèi)清的觀點(diǎn)和比亞迪、
2025-06-27 00:09:0011696 
在科技發(fā)展日新月異的當(dāng)下，溫度控制的精度與穩(wěn)定性成為眾多領(lǐng)域研發(fā)和生產(chǎn)的關(guān)鍵要素。聚焦溫度控制領(lǐng)域的企業(yè)研發(fā)出高精度半導(dǎo)體溫控產(chǎn)品，已在電子、通訊、汽車、航空航天等行業(yè)的溫控場(chǎng)景中得到應(yīng)用。那么
2025-06-25 14:44:54
、技術(shù)分類到應(yīng)用場(chǎng)景，全面解析這一“隱形冠軍”的價(jià)值與意義。一、什么是半導(dǎo)體清洗機(jī)設(shè)備？半導(dǎo)體清洗機(jī)設(shè)備是用于清潔半導(dǎo)體晶圓、硅片或其他基材表面污染物的專用設(shè)備。
2025-06-25 10:31:51
有沒有這樣的半導(dǎo)體專用大模型，能縮短芯片設(shè)計(jì)時(shí)間，提高成功率，還能幫助新工程師更快上手?；蛘哕浻布梢栽谠O(shè)計(jì)和制造環(huán)節(jié)確實(shí)有實(shí)際應(yīng)用。會(huì)不會(huì)存在AI缺陷檢測(cè)。
能否應(yīng)用在工藝優(yōu)化和預(yù)測(cè)性維護(hù)中
2025-06-24 15:10:04
半導(dǎo)體藥液?jiǎn)卧–hemical Delivery Unit, CDU）是半導(dǎo)體前道工藝（FEOL）中的關(guān)鍵設(shè)備，用于精準(zhǔn)分配、混合和回收高純化學(xué)試劑（如蝕刻液、清洗液、顯影液等），覆蓋光刻、蝕刻
2025-06-17 11:38:08
引言
在碳化硅襯底加工過程中，切割進(jìn)給量是影響其厚度均勻性的關(guān)鍵工藝參數(shù)。深入探究二者的量化關(guān)系，并進(jìn)行工藝優(yōu)化，對(duì)提升碳化硅襯底質(zhì)量、滿足半導(dǎo)體器件制造需求具有重要意義。
量化關(guān)系分析
切割機(jī)
2025-06-12 10:03:28536 在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的宏大版圖中，蘇州芯矽電子科技有限公司宛如一座默默耕耘的燈塔，雖低調(diào)卻有著不可忽視的光芒，尤其在半導(dǎo)體清洗機(jī)領(lǐng)域，以其穩(wěn)健的步伐和扎實(shí)的技術(shù)，為行業(yè)發(fā)展貢獻(xiàn)著關(guān)鍵力量。
芯矽科技扎根于
2025-06-05 15:31:42
?近期北京某院校送修一臺(tái)是德科技的B1500A半導(dǎo)體參數(shù)分析儀。報(bào)修故障為：儀器開機(jī)后自診斷報(bào)錯(cuò)。
2025-05-26 17:10:24684 
隨著AI技術(shù)井噴式快速發(fā)展，進(jìn)一步推動(dòng)算力需求，服務(wù)器電源效率需達(dá)97.5%-98%，通過降低能量損耗，來支撐高功率的GPU。為了抓住市場(chǎng)機(jī)遇，瑞能半導(dǎo)體先發(fā)制人，推出的第三代超結(jié)MOSFET，能全面滿足高效能需求。
2025-05-22 13:58:35726 
場(chǎng)效應(yīng)晶體管（TFET）沿溝道方向有一個(gè) PN結(jié)，金屬-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MESFET）或高電子遷移率晶體管（HEMT）垂直于溝道方向含有一個(gè)柵電極肖特基勢(shì)壘結(jié)。
2025-05-16 17:32:071122 
電子束半導(dǎo)體圓筒聚焦電極
在傳統(tǒng)電子束聚焦中，需要通過調(diào)焦來確保電子束焦點(diǎn)在目標(biāo)物體上。要確認(rèn)是焦點(diǎn)的最小直徑位置非常困難，且難以測(cè)量。如果焦點(diǎn)是一條直線，就可以免去調(diào)焦過程，本文將介紹一種能把
2025-05-10 22:32:27
電路中，超結(jié)MOS管通常用來實(shí)現(xiàn)功率變換。隨著TV電視的小型化、輕薄化、智能化的發(fā)展趨勢(shì)，伯恩半導(dǎo)體針對(duì)新一代TV在功率器件的需求進(jìn)行了不斷地升級(jí)和改
2025-05-07 14:36:38714 
資料介紹
此文檔是最詳盡最完整介紹半導(dǎo)體前端工藝和后端制程的書籍，作者是美國人Michael Quirk?？赐晗嘈拍銓?duì)整個(gè)芯片制造流程會(huì)非常清晰地了解。從硅片制造，到晶圓廠芯片工藝的四大基本類
2025-04-15 13:52:11
摻雜？
5、什么是N型半導(dǎo)體?什么是P型半導(dǎo)體?當(dāng)兩種半導(dǎo)體制作在一起時(shí)會(huì)產(chǎn)生什么現(xiàn)象?
6、PN結(jié)最主要的物理特性是什么？
7、PN結(jié)還有那些名稱？
8、PN結(jié)上所加端電壓與電流是線性的嗎?它為
2025-04-07 10:21:30
中國功率半導(dǎo)體行業(yè)的發(fā)展歷程是一部從技術(shù)引進(jìn)到自主創(chuàng)新、從受制于人到逐步突破的篳路藍(lán)縷奮斗史。從陳星弼院士的超結(jié)MOSFET專利到全國產(chǎn)碳化硅（SiC）技術(shù)的崛起，這一歷程體現(xiàn)了中國在核心技術(shù)攻關(guān)
2025-03-27 07:57:17684 MDD整流二極管是電力電子和信號(hào)處理電路中的重要器件，其核心工作原理依賴于PN結(jié)的整流特性。PN結(jié)是由P型半導(dǎo)體和N型半導(dǎo)體構(gòu)成的基本結(jié)構(gòu)，通過其單向?qū)щ娦裕瑢?shí)現(xiàn)交流到直流的轉(zhuǎn)換。MDD本文將深入
2025-03-21 09:36:461412 
雖然明確說明了先輯半導(dǎo)體HPM6E00系列產(chǎn)品能用來做EtherCAT的從站，但它可以用來做主站嗎，還是說必須用其他芯片做主站呢
2025-03-16 10:16:43
由高溫卡盤和高精度探針座可以為這種異質(zhì)結(jié)制備提供穩(wěn)定可靠的平臺(tái)。高溫系統(tǒng)通過PID溫控器實(shí)現(xiàn)對(duì)高溫卡盤從室溫到+700℃精準(zhǔn)調(diào)控。采用200TPI不銹鋼螺桿的高精
2025-03-12 14:41:391011 
）等二維材料因結(jié)構(gòu)薄、電學(xué)性能優(yōu)異成為新一代半導(dǎo)體的理想材料，但目前還缺乏高質(zhì)量合成和工業(yè)應(yīng)用的量產(chǎn)技術(shù)。 化學(xué)氣相沉積法（CVD）存在諸如電性能下降以及需要將生長(zhǎng)的TMD轉(zhuǎn)移到不同襯底等問題，增加了工藝的復(fù)雜性。此外，在
2025-03-08 10:53:061189 北京市最值得去的十家半導(dǎo)體芯片公司
原創(chuàng) 芯片失效分析 半導(dǎo)體工程師 2025年03月05日 09:41 北京
北京市作為中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的重要基地，聚集了眾多在芯片設(shè)計(jì)、制造、設(shè)備及新興技術(shù)領(lǐng)域具有
2025-03-05 19:37:43
尊敬的各位電子工程師、嵌入式開發(fā)愛好者們：
大家好！今天，我們懷著無比激動(dòng)與自豪的心情，向大家宣布一個(gè)重大喜訊——武漢芯源半導(dǎo)體的單片機(jī)CW32正式出書啦！《基于ARM Cortex-M0+
2025-03-03 15:14:41
近期北京某院校送修一臺(tái)是德科技的B1500A半導(dǎo)體參數(shù)分析儀。報(bào)修故障為：儀器開機(jī)后自診斷報(bào)錯(cuò)。 下面是是德科技B1500A半導(dǎo)體參數(shù)分析儀的維修情況： 儀器名稱 是德科技B1500A半導(dǎo)體參數(shù)
2025-02-20 17:42:151245 
近日，天津理工大學(xué)與廈門大學(xué)聯(lián)合科研團(tuán)隊(duì)取得了一項(xiàng)重要突破，成功構(gòu)建了一種基于PdSe?/NbSe?范德華(vdW)異質(zhì)結(jié)的寬帶偏振角相關(guān)光電探測(cè)器。 這種新型的光電探測(cè)器結(jié)合了PdSe?和NbSe
2025-02-12 10:10:39810 碳化硅（SiC）作為一種寬禁帶半導(dǎo)體材料，因其出色的物理和化學(xué)特性，如高硬度、高熔點(diǎn)、高熱導(dǎo)率和化學(xué)穩(wěn)定性，在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中得到了廣泛的應(yīng)用。SiC襯底是制造高性能SiC器件的關(guān)鍵材料，其生產(chǎn)過程復(fù)雜
2025-02-03 14:21:001980 一、引言
隨著碳化硅在半導(dǎo)體等領(lǐng)域的廣泛應(yīng)用，對(duì)其襯底質(zhì)量的檢測(cè)愈發(fā)關(guān)鍵。BOW（翹曲度）和 WARP（彎曲度）是衡量碳化硅襯底質(zhì)量的重要參數(shù)，準(zhǔn)確測(cè)量這些參數(shù)對(duì)于保證器件性能至關(guān)重要。而不同的吸附
2025-01-23 10:30:54286 
? ? 【研究 梗概 】 在科技的快速發(fā)展中，超寬禁帶半導(dǎo)體材料逐漸成為新一代電子與光電子器件的研究熱點(diǎn)。而在近日， 沙特阿卜杜拉國王科技大學(xué)（KAUST）先進(jìn)半導(dǎo)體實(shí)驗(yàn)室一項(xiàng)關(guān)于超寬禁帶氧化鎵
2025-01-22 14:12:071133 
在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)這片高精尖的領(lǐng)域中，氮化鎵（GaN）襯底作為新一代芯片制造的核心支撐材料，正驅(qū)動(dòng)著光電器件、功率器件等諸多領(lǐng)域邁向新的高峰。然而，氮化鎵襯底厚度測(cè)量的精準(zhǔn)度卻時(shí)刻面臨著一個(gè)來自暗處的挑戰(zhàn)
2025-01-22 09:43:37449 近日，基本半導(dǎo)體憑借出色的產(chǎn)品質(zhì)量和優(yōu)質(zhì)的客戶服務(wù)，再次獲得客戶的高度認(rèn)可，榮獲由麥田能源頒發(fā)的2024年度“最佳供應(yīng)商”獎(jiǎng)項(xiàng)。這一榮譽(yù)不僅是對(duì)基本半導(dǎo)體在碳化硅領(lǐng)域技術(shù)實(shí)力和創(chuàng)新能力的高度認(rèn)可，也標(biāo)志著雙方在清潔能源領(lǐng)域的合作邁向了新的臺(tái)階。
2025-01-21 09:26:521324 在半導(dǎo)體制造這一微觀且精密的領(lǐng)域里，氮化鎵（GaN）襯底作為高端芯片的關(guān)鍵基石，正支撐著光電器件、功率器件等眾多前沿應(yīng)用蓬勃發(fā)展。然而，氮化鎵襯底厚度測(cè)量的準(zhǔn)確性卻常常受到一個(gè)隱匿 “敵手” 的威脅
2025-01-20 09:36:50404 在當(dāng)今高速發(fā)展的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)浪潮中，氮化鎵（GaN）襯底宛如一顆耀眼的新星，憑借其卓越的電學(xué)與光學(xué)性能，在眾多高端芯片制造領(lǐng)域，尤其是光電器件、功率器件等方向，開拓出廣闊的應(yīng)用天地。然而，要想充分發(fā)揮
2025-01-17 09:27:36420 在半導(dǎo)體領(lǐng)域的璀璨星河中，氮化鎵（GaN）襯底正憑借其優(yōu)異的性能，如高電子遷移率、寬禁帶等特性，在光電器件、功率器件等諸多應(yīng)用場(chǎng)景中嶄露頭角，成為推動(dòng)行業(yè)發(fā)展的關(guān)鍵力量。而對(duì)于氮化鎵襯底而言，其
2025-01-16 14:33:34366 在半導(dǎo)體制造這一高精尖領(lǐng)域，碳化硅襯底作為支撐新一代芯片性能飛躍的關(guān)鍵基礎(chǔ)材料，其厚度測(cè)量的準(zhǔn)確性如同精密機(jī)械運(yùn)轉(zhuǎn)的核心齒輪，容不得絲毫差錯(cuò)。然而，測(cè)量探頭的 “溫漂” 問題卻如隱匿在暗處的 “幽靈
2025-01-15 09:36:13386 在當(dāng)今蓬勃發(fā)展的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中，碳化硅（SiC）襯底作為關(guān)鍵基礎(chǔ)材料，正引領(lǐng)著高性能芯片制造邁向新的臺(tái)階。對(duì)于碳化硅襯底而言，其 BOW（彎曲度）和 WARP（翹曲度）參數(shù)猶如精密天平上的砝碼，細(xì)微
2025-01-14 10:23:10400 設(shè)計(jì)基礎(chǔ)系列文章會(huì)比較系統(tǒng)地講解熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識(shí)，相關(guān)標(biāo)準(zhǔn)和工程測(cè)量方法。功率半導(dǎo)體的電流密度隨著功率半導(dǎo)體芯片損耗降低，最高工作結(jié)溫提升，器件的功率密度越來越高，也就是
2025-01-13 17:36:111819 
在半導(dǎo)體領(lǐng)域，隨著碳化硅（SiC）材料因其卓越的電學(xué)性能、高熱導(dǎo)率等優(yōu)勢(shì)逐漸嶄露頭角，成為新一代功率器件、射頻器件等制造的熱門襯底選擇，對(duì)碳化硅襯底質(zhì)量的精準(zhǔn)把控愈發(fā)關(guān)鍵。其中，碳化硅襯底的 BOW
2025-01-13 14:36:13394 襯底的關(guān)鍵組件，其結(jié)構(gòu)和性能對(duì)外延片的質(zhì)量具有決定性影響。本文將詳細(xì)介紹一種用于半導(dǎo)體外延片生長(zhǎng)的CVD石墨托盤結(jié)構(gòu)，探討其設(shè)計(jì)特點(diǎn)、工作原理及在半導(dǎo)體制造中的應(yīng)
2025-01-08 15:49:10364 ，TTV，BOW、WARP、在高效測(cè)量測(cè)同時(shí)有效防止晶圓產(chǎn)生劃痕缺陷。 WD4000半導(dǎo)體晶圓幾何表面形貌檢測(cè)設(shè)備可廣泛應(yīng)用于襯底制造、晶圓制造、及封裝工藝檢
2025-01-06 14:34:08
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