潘明東 朱悅 楊陽 徐一飛 陳益新 （長電科技宿遷股份公司） 摘要： 鋁帶鍵合作為粗鋁線鍵合的延伸和發(fā)展，鍵合焊點(diǎn)根部損傷影響了該工藝的發(fā)展和推廣，該文簡述了鋁帶鍵合工藝過程，分析了導(dǎo)致鋁帶鍵合點(diǎn)
2024-11-01 11:08:07
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Molex公司宣布推出具有完整的電氣、機(jī)械和光學(xué)連通性的新型LED陣列燈座基底技術(shù)，實現(xiàn)最佳的性能并簡化燈具制造商的設(shè)計集成。Molex的新技術(shù)將連通性和易用性從LED陣列基底轉(zhuǎn)移到一個分立的塑料基底中，從而提升散熱、光學(xué)和機(jī)械互連功能。
2013-01-29 13:41:032083 實現(xiàn)的。在這種解決方案中，我們可以通過簡單的工藝蝕刻多晶硅表面來降低反射光譜。在400 ~ 1100納米范圍內(nèi)，氫氧化鉀鋸損傷去除后的酸性化學(xué)腐蝕獲得了27.19%的反射率。這一結(jié)果比剛剛鋸下的損傷去除基底少約7%。用顯微鏡和掃描電鏡觀察表面形貌。
2022-03-28 14:20:491574 
劑更難去除，因為沒有或只有很小部分的光刻抗蝕劑(PR)沒有交聯(lián)的，采用MHM模式，干燥的PR帶通常會導(dǎo)致低k材料的頂角的第一類等離子體損傷，延伸到MHM層的邊緣下方，這個受損的區(qū)域在隨后的清洗中很容易受到攻擊，從而產(chǎn)生具有非平面頂
2022-05-31 16:51:514269 
在未來幾代器件中，光刻膠(PR)和殘留物的去除變得非常關(guān)鍵。在前端制程(FEOL)離子注入后(源極/漏極、擴(kuò)展、haIos、深阱)，使用PR封閉部分電路導(dǎo)致PR實質(zhì)上硬化且難以去除。在后段制程
2022-07-04 17:04:0811456 
鎖相環(huán)性能度量標(biāo)準(zhǔn)包括品質(zhì)因數(shù)、噪聲基底、閃爍噪聲模型。
2023-10-31 10:36:422490 
整面都是蓋綠油的，怎么做，可以在中間畫一條線，這條線是去除油墨的，就像單面板那樣的去除
2016-09-04 16:59:32
`副標(biāo)題：應(yīng)力導(dǎo)致的焊點(diǎn)和器件損傷，如何在DFM軟件中發(fā)現(xiàn)？我們都知道通過DFM（可制造性設(shè)計）分析軟件可以在設(shè)計過程中或投產(chǎn)前發(fā)現(xiàn)可制造性設(shè)計問題，那么對于組裝過程中應(yīng)力導(dǎo)致的焊點(diǎn)和器件損傷，是否
2020-09-16 11:50:29
干擾能力；3、死銅沒什么用。 但也有人說應(yīng)該保留下來，原因有四個：1、去除會有大片空白，不美觀；2、可以增加板子機(jī)械性能，避免出現(xiàn)受力不均彎曲的現(xiàn)象。 小捷哥的看法是盡量去除死銅，原因如下： 1
2019-01-18 11:06:35
、帶寬同等時，其頻譜基底如下圖：
積分過后，為一個山丘狀基底。
但當(dāng)我使用50M或者100M采樣時，其基底如下圖：
為波浪狀，同時，我使用pluto（最大采樣20MSPS）設(shè)備，采樣設(shè)置為2M
2025-05-27 12:39:50
我正在嘗試使用VSA軟件記錄信號，但我注意到VSA的本底噪聲比我在Spectrum本身看到的噪聲基底高20 dB。我在兩個設(shè)置上使用相同的參數(shù)。我們?nèi)绾谓忉尰驕p少兩種閱讀之間的差異。該記錄沒有給出
2019-02-26 13:55:35
我之前做四軸的時候用的MPU6050的DMP，去除重力對Z軸的影響我采用的方法如附件所示。我看MINIfly中去除重力影響的代碼是這一句：“ state->acc.z= tempacc.x
2019-07-05 04:36:02
三防漆固化后的線路板還有可能會返修，這就需要把漆膜去除掉，然后才能更換元件。這里敏通給大家列舉幾種比較常見的去除方法。一，加熱法，不到萬不得已不建議采用此方法。加熱法的具體操作是，一般采用
2017-05-28 10:44:47
低電壓模擬電路設(shè)計技巧-使用基底輸入式晶體管 前言近年來，為求使用便利，對于可攜式裝置的需求逐漸提高。可攜式裝置重要考慮之一是低功率，此點(diǎn)可利用降低電子產(chǎn)品的操作電壓（電源電壓
2009-10-05 08:04:14
信號頻譜零點(diǎn)處有很大的幅值是不是說明信號有直流分量，LabVIEW里怎么實現(xiàn)對信號直流分量的去除呢？
2013-11-13 09:30:45
塵車間、凈化車間，總之都是指在一定的空間范圍內(nèi)，采用專業(yè)的凈化設(shè)備對該空間空氣中的微粒子、細(xì)菌、有害空氣污染行進(jìn)行凈化排除，達(dá)到無塵無菌凈化效果。潔凈區(qū)作為制藥企業(yè)的生產(chǎn)場所，對環(huán)境、著裝、人員流動等
2020-11-16 14:46:33
如何去除圖片中的綠色背景，而保留藍(lán)色區(qū)域
2015-02-08 21:48:29
的，因此對靜電非常敏感。假如發(fā)生了“軟性損傷”（CMOS元件性能降級），此時系統(tǒng)會不斷產(chǎn)生不規(guī)則的數(shù)據(jù)位，要花費(fèi)數(shù)小時來進(jìn)行故障排查，并且依靠重復(fù)測試也很難發(fā)現(xiàn)系統(tǒng)異常，因此如何應(yīng)對靜電對USB造成
2013-12-30 10:09:38
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 09:56 編輯
請集思廣益，一起思考下，如何去除開關(guān)電源中電感noise
2012-11-13 18:00:10
羿網(wǎng)通系列測試儀具備網(wǎng)絡(luò)測試儀模式、網(wǎng)絡(luò)損傷儀模式、測試儀+損傷儀融合模式、冗余鏈路測試儀模式等多種功能模式，各功能模式之間可靈活、快速地進(jìn)行切換。使用一臺設(shè)備即可完成網(wǎng)絡(luò)測試儀、網(wǎng)絡(luò)損傷儀、冗余鏈路測試儀等多臺測試儀的各項測試和損傷仿真功能。
2022-05-21 09:37:07
鋪銅時，有些地方死銅已經(jīng)去除了，留下了邊框線怎么去除
2019-04-09 05:30:55
靜電的產(chǎn)生及來源是什么 靜電敏感由什么組成 靜電放電損傷特征是什么 ESD、EOS與缺陷誘發(fā)失效如何鑒別
2021-03-11 07:55:13
根據(jù)高梯度磁分離原理,分析了磁性微粒在高梯度磁場中的運(yùn)動規(guī)律,提出了磁性微粒在高梯度磁場中所受磁場力、流體曳力的計算方法,并建立了顆粒運(yùn)動的動力學(xué)方程。用FLUENT軟件對微粒的運(yùn)動軌跡進(jìn)行數(shù)值計算
2010-05-13 09:11:32
矢量微粒群算法及其應(yīng)用
Algorithm of Vector Particle Swarm Optimization and Its Application
2009-03-16 11:00:47
12 論文提出了一種新的圖象分類算法——基于微粒群的圖象分類算法。將此算法和K 均值聚類算法分別應(yīng)用于MRI 人腦圖象的分類，并進(jìn)行了比較。實驗結(jié)果表明：基于微粒群的圖象分
2009-06-10 10:34:4813 介紹了光阻法原理檢測注射液中的不溶性微粒,設(shè)計了光機(jī)電一體的智能微粒檢測儀,它包括光阻法傳感器、取樣系統(tǒng)和電 子測控系統(tǒng)。通過和美國HIAC 粒子計數(shù)器比對,測試結(jié)果相互
2009-07-09 13:37:398 戰(zhàn)斗
損傷仿真是戰(zhàn)場
損傷評估于修復(fù)（BDAR）研究中的關(guān)鍵性內(nèi)容。該文給出了戰(zhàn)斗
損傷仿真中破片場的描述和裝備模型的簡化方法，基于面向?qū)?/div>
2009-09-11 10:23:3920 CAMD1009-C表面微粒分析儀產(chǎn)品概述：本設(shè)備是國家檢驗生產(chǎn)廠家產(chǎn)品性能的高效檢測設(shè)備。由可編程控制器，觸摸屏，激光傳感器，傳動裝置，機(jī)載打印機(jī)等組成，提供中英文菜單顯示，具備人機(jī)對話設(shè)定各項
2023-02-18 10:23:41
單分散納米微粒制備方法研究進(jìn)展:單分散納米微粒既可以在嚴(yán)格控制的條件下直接制備,也可以通過對多分散納米微粒體系進(jìn)行分級分離獲得。本文在總結(jié)近年來國內(nèi)外單分散納米微
2010-01-02 14:22:3020 從光網(wǎng)絡(luò)向透明架構(gòu)的演進(jìn)和面向業(yè)務(wù)的發(fā)展趨勢出發(fā)，介紹了損傷感知的RWA 問題的相關(guān)研究，通過給經(jīng)典RWA 算法增加對損傷效果的考慮，提出了具有損傷感知能力的動態(tài)RWA 算法(I
2010-03-06 11:05:1711 PLL頻率合成器的噪聲基底測量
在無線應(yīng)用中，相位噪聲是頻率合成器的關(guān)鍵性能參數(shù)。像PHS、GSM和IS-54等相位調(diào)制蜂窩系統(tǒng)的RF系統(tǒng)設(shè)計均需要低噪聲本地振蕩(L
2010-04-07 15:25:2122 塑料組合蓋不溶性微粒測定儀用于檢測輸液器具、一次性血路產(chǎn)品、藥包材等產(chǎn)品不溶性微粒含量及大小的測定，符合GB8368-1998/2005/2018、YYT1556-2017標(biāo)準(zhǔn)、包裝材料
2023-10-13 13:32:48
軸承的損傷一般，如果正確使用軸承，可以使用至達(dá)到疲勞壽命為止。但會有意外過早地損傷，不能耐于使用的情況。這種早期損傷，與疲勞壽命相對，是被稱做故障
2009-05-14 08:24:09708 軸承的損傷和其原因及對策
一般，如果正確使用軸承，可以使用至達(dá)到疲勞壽命為止。但會有意外過早地損傷，不能耐于使用的情況。這種早期損傷，與疲勞壽命相對
2009-05-14 08:30:18814
保持架的損傷
2009-05-14 09:07:262383 藥典4206 不溶性微粒檢測儀適用于多種注射液包裝及醫(yī)療器械的不溶性微粒含量及大小測試,包括塑料瓶、輸液袋、輸液器、膠塞、注射器及其包裝等。這些產(chǎn)品在生產(chǎn)過程中,可能因各種原因引入不溶性
2025-09-04 15:03:36
去除冰箱異味十大竅門本文與大家分享一些常見的去除冰箱異味小方法，希望能對大家有所幫助。
方法1：
2010-02-21 17:51:431233 微粒群算法是一種新的隨機(jī)優(yōu)化算法，算法通過微粒間相互作用發(fā)現(xiàn)復(fù)雜搜索空間中的最優(yōu)區(qū)域，該算法具有搜索速度快、尋優(yōu)能力強(qiáng)、算法簡單等特點(diǎn)，但也存在普遍的缺點(diǎn)。本文基
2011-05-05 18:11:4840 學(xué)習(xí)單片機(jī)電路圖的很好的資料——D轉(zhuǎn)換中工頻干擾的去除
2016-11-03 15:50:030 為了對生產(chǎn)車間調(diào)度過程中發(fā)生的動態(tài)事件進(jìn)行快速、有效的處理，提出了一種將微粒群算法與遺傳算法（CA）、模擬退火算法（SA）相結(jié)合的混合微粒群算法（CSPSO）。通過用標(biāo)準(zhǔn)車間調(diào)度問題對該算法的性能
2017-11-07 17:26:460 的主基底分析方法進(jìn)行太子河水質(zhì)數(shù)據(jù)的監(jiān)測指標(biāo)篩選工作。這種方法能夠在原數(shù)據(jù)信息損失盡可能小的前提下，排除所有的冗余變量以及變量集合中的重疊信息，有效地對大規(guī)模變量集中的信息進(jìn)行篩選，從而得到一個標(biāo)準(zhǔn)正交的主基底。并且，通過
2018-01-12 15:32:190 針對微粒群算法易于陷入局部最優(yōu)解、早熟的缺點(diǎn)，將Levy飛行引入微粒速度迭代公式中，并動態(tài)改變微粒群速度迭代公式中Levy飛行的權(quán)重值，提出動態(tài)Levy飛行微粒群算法。根據(jù)T-S故障樹理論，建立液壓
2018-03-14 14:51:150 脊髓損傷原來是因為這個（驚呆了）脊髓損傷怎么辦？脊髓損傷能不能治好?脊髓損傷怎么治？隨著世界各國經(jīng)濟(jì)水平的發(fā)展，脊髓損傷發(fā)生率呈現(xiàn)逐年增高的趨勢。脊髓損傷是脊柱損傷最嚴(yán)重的并發(fā)癥，往往導(dǎo)致損傷節(jié)段
2019-04-01 19:45:23561 電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供Broadcom(ti)ASMT-JB31-NMP01相關(guān)產(chǎn)品參數(shù)、數(shù)據(jù)手冊，更有ASMT-JB31-NMP01的引腳圖、接線圖、封裝手冊、中文資料、英文資料，ASMT-JB31-NMP01真值表，ASMT-JB31-NMP01管腳等資料，希望可以幫助到廣大的電子工程師們。
2019-07-04 11:25:01
電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供Broadcom(ti)ASMT-MY22-NMP00相關(guān)產(chǎn)品參數(shù)、數(shù)據(jù)手冊，更有ASMT-MY22-NMP00的引腳圖、接線圖、封裝手冊、中文資料、英文資料，ASMT-MY22-NMP00真值表，ASMT-MY22-NMP00管腳等資料，希望可以幫助到廣大的電子工程師們。
2019-07-04 11:24:06
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2019-07-04 11:22:01
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2019-07-04 11:19:01
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2019-07-04 10:35:01
新房裝修之后所產(chǎn)生的甲醛非常多，對人體的危害也非常巨大，面對新房裝修所產(chǎn)生的甲醛我們應(yīng)該怎么辦？怎樣去除新家裝修甲醛異味呢？如何去除室內(nèi)甲醛，有些朋友通過網(wǎng)絡(luò)搜到活性炭吸附，是頗為流行的一個清除室內(nèi)
2019-07-22 22:11:42890 數(shù)字示波器的抖動噪聲基底（Jitter Noise Floor）指標(biāo)經(jīng)常會被誤會和誤用，那么抖動噪聲基底到底是什么？抖動噪聲基底是示波器本身對抖動測量結(jié)果貢獻(xiàn)的整體噪聲，它經(jīng)常被標(biāo)定為統(tǒng)計結(jié)果，用有效值或標(biāo)準(zhǔn)偏差值（在平均值為0時，標(biāo)準(zhǔn)偏差值和有效值相同）來表示。
2019-08-30 16:04:545025 MEMS制造技術(shù)包括體積微機(jī)械加工，包括對基底材料進(jìn)行部分蝕刻或使用化學(xué)物質(zhì)去除基底形成結(jié)構(gòu)，以及表面微機(jī)械加工，其中材料沉積在基底上并形成結(jié)構(gòu)。
2020-11-10 10:32:222402 明緯模塊電源產(chǎn)品線NMP系列自2018上市至今，以高規(guī)格與高性價比為營銷訴求。透過經(jīng)銷商伙伴與明緯攜手合作持續(xù)推廣，逐漸獲得客戶青睞與好評，并陸續(xù)切入醫(yī)療診斷/分析設(shè)備、工控應(yīng)用、儲能設(shè)備、量測儀器
2021-02-01 13:43:163398 為研究利用應(yīng)變模態(tài)差識別彎管內(nèi)部損傷的方法，以損傷前、后的應(yīng)變模態(tài)差作為彎管損傷識別的損傷指標(biāo)對其展開研究。首先，基于位移模態(tài)和應(yīng)變模態(tài)的模態(tài)疊加特性和正交性推導(dǎo)了應(yīng)變模態(tài)差公式;其次，利用有限元
2021-04-15 15:25:365 。 光刻膠去除是半導(dǎo)體芯片制造圖形化環(huán)節(jié)中的關(guān)鍵技術(shù)，而光刻膠去除劑則是決定圖形化最終良率及可靠性的關(guān)鍵材料之一。默克此次推出的“AZ??910?去除劑”基于不含有NMP(N-甲基吡咯烷酮)的新型特制化學(xué)配方，不僅可以快速溶解殘留光刻膠，同時具備超高的經(jīng)濟(jì)性、
2021-07-28 14:23:103911 
目前，在通過干燥工藝去除硅基體表面的金屬雜質(zhì)和損傷方面，濕式工藝是唯一的。因此，進(jìn)一步提高工藝很重要。
2021-12-14 09:45:392023 
本研究在實際單位工藝中容易誤染，用傳統(tǒng)的濕式清潔方法去除的Cu和Fe等金屬雜質(zhì)，為了提高效率，只進(jìn)行了HF濕式清洗，考察了對表面粗糙度的影響，為了知道上面提出的清洗的效果，測量了金屬雜質(zhì)的去除量
2022-03-24 17:10:272794 
能力和局限性。已經(jīng)確定了三種顆粒去除過程——能夠去除所有顆粒尺寸和類型的通用過程，甚至來自圖案晶片，具有相同理論能力但實際上受到粒子可及性的限制，最后是無法去除所有顆粒尺寸的清洗。
2022-04-11 16:48:421429 
本發(fā)明涉及一種感光膜去除方法，通過使半導(dǎo)體制造工藝中澆口蝕刻后生成的聚合物去除順暢，可以簡化后處理序列，從而縮短前工藝處理時間，上述感光膜去除方法是:在工藝室內(nèi)晶片被抬起的情況下，用CF4+O2等離子體去除聚合物的步驟； 將晶片安放在板上，然后用O2等離子體去除感光膜的步驟； 和RCA清洗步驟。
2022-04-12 16:30:26856 
本文利用CZ、FZ和EPI晶片，研究了濕式化學(xué)清洗過程對硅晶片表面微粒度的影響。結(jié)果表明，表面微粗糙度影響了氧化物的介電斷裂~特性：隨著硅基底的微粗糙度的增加，氧化物的微電擊穿會降解。利用
2022-04-14 13:57:201074 
本文使用高頻超聲波的半導(dǎo)體單片清洗中的微粒子去除進(jìn)行了研究。水中的超聲波在波導(dǎo)管內(nèi)傳播時，根據(jù)波導(dǎo)管的內(nèi)徑形成平面波以外的波導(dǎo)管模式，此時，通過LDV測量確認(rèn)了波導(dǎo)管彎曲振動，成為具有行波分布的傳播
2022-04-14 16:55:491219 
介紹 TiN硬掩模(TiN-HM)集成方案已廣泛用于BEOL圖案化，以避免等離子體灰化過程中的超低k (ULK)損傷。隨著技術(shù)節(jié)點(diǎn)的進(jìn)步，新的集成方案必須被用于利用193 nm浸沒光刻來圖案化80
2022-06-15 16:28:163863 
。壓電陶瓷具有能作為傳感器與驅(qū)動器的雙重性能、快速響應(yīng)、高帶寬、種類多樣、低成本、能量收集、可以嵌入結(jié)構(gòu)內(nèi)部等一些優(yōu)點(diǎn)，被廣泛應(yīng)用于土木工程結(jié)構(gòu)健康監(jiān)測領(lǐng)域。被廣泛用在混凝土密實程度的監(jiān)測、板類結(jié)構(gòu)的損傷識別]、管道結(jié)構(gòu)損傷識別、管類結(jié)構(gòu)內(nèi)部混凝土澆筑過程監(jiān)測和荷載監(jiān)控等方面。
2022-06-28 14:40:151682 
如何在實驗室內(nèi)去除MOSFET的環(huán)氧樹脂以及鋁層
2022-07-12 16:17:161979 
顱腦及脊髓損傷是神經(jīng)外科常見的病癥，在全身各部位創(chuàng)傷中，創(chuàng)傷性腦損傷死殘率居高不下。長期以來，創(chuàng)傷性腦損傷的研究受到學(xué)者們的廣泛關(guān)注. ZL-08D顱腦脊髓損傷撞擊儀利用動物建立相應(yīng)的腦損傷模型
2022-11-18 16:16:33991 
表面微粒分析儀是檢測麻醉針微粒污染的重要手段之一。威夏科技專業(yè)為您提供表面微粒分析儀。
2022-12-21 16:36:36928 
包括成本在內(nèi)的綜合性能方面還留有課題。因此，與硅不同，沒有適當(dāng)?shù)?b class="flag-6" style="color: red">去除加工損傷的蝕刻技術(shù)，擔(dān)心無法切實去除搭接后的殘留損傷。本方法以開發(fā)適合于去除加工損傷的濕蝕刻技術(shù)為目的，以往的濕蝕刻是評價結(jié)晶缺陷的條件
2023-02-20 16:00:340 驅(qū)動/傳感器件通過在壓電基底上采用絲網(wǎng)印刷電極的方法制備，當(dāng)對該傳感器上的一對IDT施加相同的射頻信號時，將產(chǎn)生兩列振幅相同、頻率相同、傳播方向相反的SAW，疊加后形成只有一個聲壓節(jié)點(diǎn)的超聲駐波場
2023-04-03 00:49:08870 
NMP系列數(shù)字氣壓傳感器，基于MEMS技術(shù)，通過蝕刻在硅片上的高精密半導(dǎo)體電阻組成惠斯通電橋以作為機(jī)電變換測量電路，可用于微小壓力檢測。
2023-04-11 15:02:321119 由于NTC熱敏電阻是溫度檢測元件，為確保溫度測量精度，應(yīng)盡可能抑制自熱。若持續(xù)施加過大的電氣負(fù)載，會使得熱敏電阻的溫度超過基底的熔點(diǎn)，進(jìn)而導(dǎo)致“基底熔化”。 圖9：故障表現(xiàn)②＜基底熔化＞ 原因1
2023-05-16 15:20:023524 
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2023-07-20 18:43:00
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2023-07-24 18:55:03
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2023-07-24 18:55:14
鎖相環(huán)性能度量標(biāo)準(zhǔn)包括品質(zhì)因數(shù)、噪聲基底、閃爍噪聲模型。
2023-10-30 17:19:511513 盡管變頻器損傷電機(jī)的現(xiàn)象越來越被人們所關(guān)注，但是人們對造成這種現(xiàn)象的機(jī)理還不清楚，更不知道如何來預(yù)防。1、變頻器對電機(jī)的損傷變頻器對電機(jī)的損傷包括兩個方面，定子繞組的損傷和軸承的損傷。這種損傷一般
2023-11-06 08:07:311202 
死銅呢? 有人說應(yīng)該除去，原因大概是： 1、會造成EMI問題。 2、增強(qiáng)抗干擾能力。 3、死銅沒什么用。 有人說應(yīng)該保留，原因大概是： 1、去了有時大片空白不好看。 2、增加板子機(jī)械性能，避免出現(xiàn)受力不均彎曲的現(xiàn)象。 PCB設(shè)計去除死銅的必要性： 一、我們不要死銅
2023-11-29 09:06:241987 
最容易在導(dǎo)電材料上產(chǎn)生，因此選擇具有良好防靜電性能的材料是防止靜電放電損傷的基礎(chǔ)。常見的防靜電材料包括抗靜電塑料、抗靜電硅膠等，這些材料能夠有效吸收和分散靜電，減小靜電放電的能量。 2. 使用靜電消除器：靜電消除器是
2024-01-03 11:43:271233 激光誘導(dǎo)損傷閾值(LIDT)定義了光學(xué)器件在不造成損傷的情況下可以處理的最大激光輻射量。這是將光學(xué)元件集成到激光器中時要考慮的最重要的規(guī)范之一。 紫外激光器 與諸如紅外光或可見光的較長
2024-03-19 06:34:37714 長脈寬激光及連續(xù)激光作用于薄膜時，雜質(zhì)和缺陷對熱量的吸收積累是造成薄膜損傷破壞的主要原因，此時損傷主要以熱損傷為主。下面是幾個討論熱致損傷常見的模型。
2024-04-12 10:07:54977 變頻器作為一種高效的電機(jī)控制裝置，廣泛應(yīng)用于工業(yè)領(lǐng)域以調(diào)節(jié)電機(jī)的工作速度和扭矩。然而，使用變頻器時必須考慮到其對電機(jī)潛在的損傷，主要包括定子繞組損傷和軸承損傷。這些損傷機(jī)制的理解對于確保電機(jī)的長期
2024-09-17 15:07:001550 高臺階基底晶圓貼蠟方法是半導(dǎo)體制造中的一個關(guān)鍵步驟，特別是在處理具有高階臺金屬結(jié)構(gòu)的晶圓時。以下是一種有效的高臺階基底晶圓貼蠟方法：
一、方法概述
該方法利用膠厚和蠟厚將高臺階填平，并使用較輕
2024-12-18 09:47:05406 
大家知道芯片是一個要求極其嚴(yán)格的東西，為此我們生產(chǎn)中想盡辦法想要讓它減少污染，更加徹底去除污染物。那么，今天來說說，大家知道芯片濕法刻蝕殘留物到底用什么方法去除的呢？ 芯片濕法刻蝕殘留物去除方法主要
2024-12-26 11:55:232097 脊髓損傷的神經(jīng)生理基礎(chǔ)原發(fā)性損傷機(jī)制脊髓損傷（SCI）的病理過程分為原發(fā)性損傷和繼發(fā)性損傷兩個階段。原發(fā)性損傷指創(chuàng)傷事件直接導(dǎo)致的機(jī)械性損傷，臨床最常見形式為挫傷伴隨持續(xù)性壓迫。其他形式包括撕裂傷
2025-07-04 19:03:441312 
晶圓蝕刻后的清洗是半導(dǎo)體制造中的關(guān)鍵步驟，旨在去除蝕刻殘留物（如光刻膠、蝕刻產(chǎn)物、污染物等），同時避免對晶圓表面或結(jié)構(gòu)造成損傷。以下是常見的清洗方法及其原理：一、濕法清洗1.溶劑清洗目的：去除光刻膠
2025-07-15 14:59:011622 
橢偏儀作為表征光學(xué)薄膜性能的核心工具，在光學(xué)薄膜領(lǐng)域具有不可替代的作用。本研究聚焦基底類型（K9玻璃、石英玻璃、單晶硅）對溶膠-凝膠法制備的TiO?和SiO?薄膜光學(xué)性能的調(diào)控機(jī)制。Flexfilm
2025-07-22 09:51:091317 
光阻去除工藝（即去膠工藝）是半導(dǎo)體制造中的關(guān)鍵步驟，旨在清除曝光后的光刻膠而不損傷底層材料。以下是主流的技術(shù)方案及其特點(diǎn)：一、濕法去膠技術(shù)1.有機(jī)溶劑溶解法原理：利用丙酮、NMP（N-甲基吡咯烷酮
2025-07-30 13:25:43916 
光刻膠剝離工藝是半導(dǎo)體制造和微納加工中的關(guān)鍵步驟，其核心目標(biāo)是高效、精準(zhǔn)地去除光刻膠而不損傷基底材料或已形成的結(jié)構(gòu)。以下是該工藝的主要類型及實施要點(diǎn)：濕法剝離技術(shù)有機(jī)溶劑溶解法原理：使用丙酮、NMP
2025-09-17 11:01:271282 
兆聲波清洗通過高頻振動（通常0.8–1MHz）在清洗液中產(chǎn)生均勻空化效應(yīng)，對晶圓表面顆粒具有高效去除能力。然而，其潛在損傷風(fēng)險需結(jié)合工藝參數(shù)與材料特性綜合評估：表面微結(jié)構(gòu)機(jī)械損傷納米級劃痕與凹坑：兆
2025-11-04 16:13:22248 
隨著電子設(shè)備向小型化、高密度、高精度方向發(fā)展，精細(xì)封裝、狹窄間距布線等技術(shù)得到廣泛應(yīng)用，這對離子捕捉劑提出了更高要求：不僅要能高效去除雜質(zhì)離子，還需具備小粒徑、低添加量、與精細(xì)材料兼容等特性。東亞
2025-12-16 16:03:19338 
UV三防漆固化后附著力強(qiáng)，難以直接去除，需根據(jù)基材類型、漆層面積及操作環(huán)境選擇科學(xué)方法。常見去除方式主要有化學(xué)法、加熱法與微研磨技術(shù)，操作時應(yīng)以安全為首要原則，并盡量避免損傷基材與周邊元器件。電子三
2025-12-27 15:17:19165 
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