引言 ? 光刻膠又稱“光致抗蝕劑”或“光阻劑”，被廣泛應(yīng)用于光電信息產(chǎn)業(yè)的微細(xì)圖形線路的加工制作，是微納制造技術(shù)的關(guān)鍵性材料。 光刻膠是光刻工藝最重要的耗材，其性能決定了加工成品的精密程度和良品率
2022-04-25 17:35:22
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關(guān)鍵詞：氧氣、微氣泡、光刻膠、高劑量離子注入、氣水界面 介紹? ??? 微氣泡是一種很有前途的環(huán)保光刻膠去除方法的候選方法。已經(jīng)證明，臭氧微氣泡可以去除硅片上的光刻劑，即使被高劑量的離子注入破壞
2022-01-10 11:37:131980 
關(guān)鍵詞:超臨界清洗，離子注入光刻膠，光刻膠剝離 摘要 本文提出了一種有效的、環(huán)保的干剝離方法，使用超臨界二氧化碳(SCCO2)系統(tǒng)，在40℃到100℃和壓力從90巴到340巴時(shí)去除離子植入的光刻劑
2022-01-27 14:07:433225 
半導(dǎo)體的清洗在制造工序中也是非常重要的。特別是光刻膠的去除是最困難的，一般使用硫酸和過氧化氫混合的溶液(SPM)等。但是，這些廢液的處理是極其困難的，與環(huán)境污染有很大的關(guān)系，因此希望引進(jìn)環(huán)保的清洗技術(shù)。因此，作為環(huán)保的清洗技術(shù)之一，以蒸餾水、臭氧為基礎(chǔ)，利用微氣泡的清洗法受到關(guān)注。
2022-04-19 11:22:571563 
在未來幾代器件中，光刻膠(PR)和殘留物的去除變得非常關(guān)鍵。在前端制程(FEOL)離子注入后(源極/漏極、擴(kuò)展、haIos、深阱)，使用PR封閉部分電路導(dǎo)致PR實(shí)質(zhì)上硬化且難以去除。在后段制程
2022-07-04 17:04:0811456 
光刻膠為何要謀求國(guó)產(chǎn)替代？中國(guó)國(guó)產(chǎn)光刻膠企業(yè)的市場(chǎng)發(fā)展機(jī)會(huì)和挑戰(zhàn)如何？光刻膠企業(yè)發(fā)展要具備哪些核心競(jìng)爭(zhēng)力？在南京半導(dǎo)體大會(huì)期間，徐州博康公司董事長(zhǎng)傅志偉和研發(fā)總監(jiān)潘新剛給我們帶來前沿觀點(diǎn)和獨(dú)家分析。
2022-08-29 15:02:238661 
光刻膠類型及特性光刻膠（Photoresist），又稱光致抗蝕劑，是芯片制造中光刻工藝的核心材料。其性能直接影響芯片制造的精度、效率和可靠性。本文介紹了光刻膠類型和光刻膠特性。
2025-04-29 13:59:337833 
近日，上海新陽(yáng)發(fā)布公告稱，公司自主研發(fā)的KrF（248nm）厚膜光刻膠產(chǎn)品已經(jīng)通過客戶認(rèn)證，并成功取得第一筆訂單，取得不錯(cuò)進(jìn)展。 ? 光刻膠用于半導(dǎo)體光刻工藝環(huán)節(jié)，是決定制造質(zhì)量的重要因素，根據(jù)曝光
2021-07-03 07:47:0026807 ，增幅11.11%。 ? 截圖自企查查 ? 光刻膠是芯片制造中光刻環(huán)節(jié)的重要材料，目前主要被日美把控，國(guó)內(nèi)在光刻膠方面投入研制的廠商主要晶瑞股份、南大光電、上海新陽(yáng)、徐州博康、北京科華等，那么華為投資的徐州博康在光刻膠方面有何優(yōu)勢(shì)，國(guó)內(nèi)廠商在光
2021-08-12 07:49:006895 電子發(fā)燒友原創(chuàng) 章鷹 ? 近日，全球半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模增長(zhǎng)帶動(dòng)了上游半導(dǎo)體材料旺盛需求，“光刻膠”的突破也成為國(guó)內(nèi)關(guān)注焦點(diǎn)。正當(dāng)日本光刻膠企業(yè)JSR、東京應(yīng)化和美國(guó)Lam Research在EUV光刻膠
2022-08-31 07:45:004234 厚膠量產(chǎn)到ArF浸沒式膠驗(yàn)證，從樹脂國(guó)產(chǎn)化到EUV原料突破，一場(chǎng)靜默卻浩蕩的技術(shù)突圍戰(zhàn)已進(jìn)入深水區(qū)。 ? 例如在248nm波長(zhǎng)的KrF光刻膠武漢太紫微的T150A膠以120nm分辨率和93.7%的良率通過中芯國(guó)際28nm產(chǎn)線驗(yàn)證，開創(chuàng)了國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體光刻制造的新
2025-07-13 07:22:006083 :1倍的在硅片上直接分步重復(fù)曝光系統(tǒng)。 光致抗蝕劑 簡(jiǎn)稱光刻膠或抗蝕劑，指光照后能改變抗蝕能力的高分子化合物。光蝕劑分為兩大類。①正性光致抗蝕劑：受光照部分發(fā)生降解反應(yīng)而能為顯影液所溶解。留下的非
2012-01-12 10:51:59
MEMS、芯片封裝和微加工等領(lǐng)域。目前，直接采用 SU8光刻膠來制備深寬比高的微結(jié)構(gòu)與微零件已經(jīng)成為微加工領(lǐng)域的一項(xiàng)新技術(shù)。在微流控芯片加工中，SU-8主要用于快速模塑法加工PDMS微流控芯片。運(yùn)用
2018-07-12 11:57:08
（電子科技大學(xué) 微電子與固體電子學(xué)院，成都 610054）摘 要：光刻膠技術(shù)是曝光技術(shù)中重要的組成部分,高性能的曝光工具需要有與之相配套的高性能的光刻膠才能真正獲得高分辨率的加工能力。主要圍繞光刻膠
2018-08-23 11:56:31
光刻膠也稱為光致抗蝕劑，是一種光敏材料，它受到光照后特性會(huì)發(fā)生改變。光刻膠主要用來將光刻掩膜版上的圖形轉(zhuǎn)移到晶圓片上。光刻膠有正膠和負(fù)膠之分。正膠經(jīng)過曝光后，受到光照的部分變得容易溶解，經(jīng)過顯影后被
2019-11-07 09:00:18
這是我的版圖一部分，然后生成了圖案是這樣的： 感覺間距小的地方全都有殘留，間距大的地方?jīng)]有殘留；工藝參數(shù)：s9920光刻膠， evg 620‘未進(jìn)行蒸汽底漆層涂覆，前烘：100攝氏度，90s
2016-11-29 14:59:18
過程中，θ相Ａｌ２Ｃｕ 在Ａｌ 晶界聚集成大顆粒，并且在隨后的有機(jī)溶液濕法清洗過程中原電池反應(yīng)導(dǎo)致Ａｌ 被腐蝕而在互連導(dǎo)線側(cè)壁生成孔洞。通過對(duì)光刻膠去除工藝溫度以及濕法清洗工藝中有機(jī)溶液的水含量控制可以
2009-10-06 09:50:58
半導(dǎo)體制造領(lǐng)域的標(biāo)志：NR9-PY 系列負(fù)性光刻膠，適用于lift-off工藝；具有高效粘附性，高反應(yīng)速度并耐高溫性能好。 NR71-PY 系列 負(fù)性光刻膠，適用于lift-off工藝，耐高溫性能好
2010-04-21 10:57:46
、芯片封裝和微加工等領(lǐng)域。目前，直接采用 SU- 8 光刻膠來制備深寬比高的微結(jié)構(gòu)與微零件已經(jīng)成為微加工領(lǐng)域的一項(xiàng)新技術(shù)。SU 8光刻膠光刻前清洗工藝：為了獲得更好的光刻效果，在進(jìn)行光刻膠旋涂之前，需要
2018-07-04 14:42:34
還改變了濕蝕刻輪廓GaAs 與沒有表面處理的晶片相比，反應(yīng)限制蝕刻更具各向同性；簡(jiǎn)介 光刻膠的附著力對(duì)濕蝕刻的結(jié)果以及隨后的電氣和光學(xué)器件的產(chǎn)量起著關(guān)鍵作用。有許多因素會(huì)影響光刻膠對(duì)半導(dǎo)體襯底的粘附
2021-07-06 09:39:22
工藝:光刻膠除膠，蝕刻未被保護(hù)的SiO2，顯影，除膠。 材料:晶圓，研磨拋光材料，光按模板材料。光刻膠，電子化學(xué)品。工業(yè)氣體，靶材，封裝材料 硅片制造:單晶硅棒拉制，硅棒切片，硅片研磨拋光，硅片氧化
2025-03-27 16:38:20
噴膠機(jī)是現(xiàn)代光電子產(chǎn)業(yè)中光刻膠涂布的重要設(shè)備?？蓪?duì)不同尺寸和形狀的基片進(jìn)行涂膠，最大涂膠尺寸達(dá)8寸，得到厚度均勻的光刻膠層，同時(shí)可對(duì)大深寬比結(jié)構(gòu)的側(cè)壁進(jìn)行均勻涂膠；通過計(jì)算機(jī)系統(tǒng)控制器進(jìn)行工藝參數(shù)的編輯和操作。
2020-03-23 09:00:57
151n光刻膠曝光顯影后開口底部都會(huì)有一撮殘留，找不到原因。各位幫分析下
2023-04-20 13:13:52
PMT-2離線光刻膠微粒子計(jì)數(shù)器是一款新型液體顆粒監(jiān)測(cè)儀器。采用激光光散或光阻原理的顆粒檢測(cè)傳感器，可以對(duì)超純水、自來水、飲用水、去離子水、礦泉水、蒸餾水、無機(jī)化學(xué)品、有機(jī)化學(xué)品、有機(jī)溶劑、清洗
2022-12-14 10:44:24
PMT-2在線光刻膠液體粒子計(jì)數(shù)器，采用英國(guó)普洛帝核心技術(shù)創(chuàng)新型的第八代雙激光窄光顆粒檢測(cè)傳感器，雙精準(zhǔn)流量控制-精密計(jì)量柱塞泵和超精密流量電磁控制系統(tǒng)，可以對(duì)清洗劑、半導(dǎo)體、超純水
2023-01-03 15:54:49
光刻膠與光刻工藝技術(shù) 微電路的制造需要把在數(shù)量上精確控制的雜質(zhì)引入到硅襯底上的微小 區(qū)域內(nèi),然后把這些區(qū)域連起來以形成器件和VLSI電路.確定這些區(qū)域圖形 的工藝是由光刻來完成的,也就是說,首先在硅片上旋轉(zhuǎn)涂覆光刻膠,再將 其曝露于某種光源下,如紫外光,
2011-03-09 16:43:21
0 這是一種老式的旋轉(zhuǎn)涂膠機(jī)，將芯片上涂上光刻膠然后將芯片放到上邊，可以通過機(jī)器的旋轉(zhuǎn)的力度將光刻膠均勻分布到芯片表面，光刻膠只有均勻涂抹在芯片表面，才能保證光刻的成功。
2018-05-17 14:39:3719874 Mattson Technology Inc.表示，它正與歐洲IMEC合作位于比利時(shí)魯汶的微電子研發(fā)中心共同開發(fā)新的光刻膠和殘留物去除工藝。
2019-08-13 10:15:1011184 近日，上海新陽(yáng)在投資者互動(dòng)平臺(tái)上表示，公司用于KRF248nm光刻膠配套的光刻機(jī)已完成廠內(nèi)安裝開始調(diào)試，ARF193nm光刻膠配套的光刻機(jī)預(yù)計(jì)12月底到貨。
2019-12-04 15:24:458657 今年7月17日，南大光電在互動(dòng)平臺(tái)透露，公司設(shè)立光刻膠事業(yè)部，并成立了全資子公司“寧波南大光電材料有限公司”，全力推進(jìn)“ArF光刻膠開發(fā)和產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目”落地實(shí)施。目前該項(xiàng)目完成的研發(fā)技術(shù)正在等待驗(yàn)收中，預(yù)計(jì)2019年底建成一條光刻膠生產(chǎn)線，項(xiàng)目產(chǎn)業(yè)化基地建設(shè)順利。
2019-12-16 13:58:528273 隨著電子信息產(chǎn)業(yè)發(fā)展的突飛猛進(jìn)，光刻膠市場(chǎng)總需求不斷提升。2019年全球光刻膠市場(chǎng)規(guī)模預(yù)計(jì)接近90億美元，自2010年至今CAGR約5.4%，預(yù)計(jì)未來3年仍以年均5%的速度增長(zhǎng)，預(yù)計(jì)至2022年全球光刻膠市場(chǎng)規(guī)模將超過100億美元。
2020-03-01 19:02:484848 光刻膠按應(yīng)用領(lǐng)域分類，大致分為L(zhǎng)CD光刻膠、PCB光刻膠（感光油墨）與半導(dǎo)體光刻膠等。按照下游應(yīng)用來看，目前LCD光刻膠占比26．6%，刻膠占比24．5%，半導(dǎo)體光刻膠占比24．1%，PCB光其他類光刻膠占比24．8%。
2020-06-12 17:13:396218 來源：浙商證券研究院 光刻膠又稱光致抗蝕劑，是一種對(duì)光敏感的混合液體。其組成部分包括：光引發(fā)劑（包括光增感劑、光致產(chǎn)酸劑）、光刻膠樹脂、單體、溶劑和其他助劑。光刻膠可以通過光化學(xué)反應(yīng)，經(jīng)曝光、顯影等
2020-09-15 14:00:1420203 技術(shù)水平與國(guó)際先進(jìn)水平仍存在較大差距，自給率僅10%，主要集中于技術(shù)含量相對(duì)較低的PCB領(lǐng)域，6英寸硅片的g/i線光刻膠的自給率約為20%，8英寸硅片的KrF光刻膠的自給率不足5%，12寸硅片的ArF光刻膠目前尚沒有國(guó)內(nèi)企業(yè)可以大規(guī)模生產(chǎn)。 基于此，新材料在線特推出【2020年光
2020-10-10 17:40:253534 光刻膠是由感光樹脂、增感劑和溶劑三種主要成份組成的、對(duì)光敏感的混合液體。利用光化學(xué)反應(yīng)，經(jīng)曝光、顯影、刻蝕等工藝將所需要的微細(xì)圖形從掩模版轉(zhuǎn)移到待加工基片上的圖形轉(zhuǎn)移介質(zhì)，其中曝光是通過紫外光
2022-12-06 14:53:542355 光刻膠是微納加工過程中非常關(guān)鍵的材料。有專家表示，中國(guó)要制造芯片，光有光刻機(jī)還不夠，還得打破國(guó)外對(duì)“光刻膠”的壟斷。
2020-12-08 10:53:564956 ? 導(dǎo) 讀 日前，南大光電公告稱，由旗下控股子公司寧波南大光電材料自主研發(fā)的 ArF 光刻膠產(chǎn)品成功通過客戶使用認(rèn)證，線制程工藝可以滿足 45nm-90nm光刻需求。 圖：南大光電公告 ? 公告稱
2020-12-25 18:24:097827 按照應(yīng)用領(lǐng)域分類，光刻膠主要包括印制電路板（PCB）光刻膠專用化學(xué)品（光引發(fā)劑和樹脂）、液晶顯示器（LCD）光刻膠光引發(fā)劑、半導(dǎo)體光刻膠光引發(fā)劑和其他用途光刻膠四大類。本文主要討論半導(dǎo)體光刻膠。
2021-05-17 14:15:525022 
5月27日，半導(dǎo)體光刻膠概念股開盤即走強(qiáng)，截至收盤，A股光刻膠板塊漲幅達(dá)6.48%。其中晶瑞股份、廣信材料直線拉升大漲20%封漲停，容大感光大漲13.28%，揚(yáng)帆新材大漲11.37%，南大光電
2021-05-28 10:34:154020 在實(shí)際清洗處理中，常采用物理、或化學(xué)反應(yīng)的方法去除;有機(jī)物主要來源于清洗容積、機(jī)械油、真空脂、人體油脂、光刻膠等方面，在實(shí)際清洗環(huán)節(jié)可采取雙氧水或酸性溶液去除 ;氧化物主要是相應(yīng)半導(dǎo)體單晶拋光片
2021-06-20 14:12:152673 德國(guó)達(dá)姆施塔特, 2021年7月 28日 –- 全球領(lǐng)先的科技公司默克日前宣布推出新一代環(huán)保精密清洗溶劑產(chǎn)品 ?--?AZ??910?去除劑。該系列產(chǎn)品用于半導(dǎo)體芯片制造圖形化工藝中清除光刻膠
2021-07-28 14:23:103911 
光刻膠是光刻機(jī)研發(fā)的重要材料，換句話說光刻機(jī)就是利用特殊光線將集成電路映射到硅片的表面，如果想要硅片的表面不留下痕跡，就需要網(wǎng)硅片上涂一層光刻膠。
2022-02-05 16:11:0015751 AZ703的自旋速度為3000r/min，厚度為1.10um，對(duì)光刻膠的去除有顯著影響。為了最小化頂層與襯底物接觸的面積，進(jìn)一步減少浮渣，我們選擇了8μm作為底層抗蝕劑的最佳縮回距離d。 導(dǎo)讀 一般來說，負(fù)光致抗蝕劑具有良好的抗蝕特性作為掩
2022-01-26 11:43:221169 
臭氧水中微氣泡的存在顯著提高了光刻膠的去除率，這是由于溶解臭氧濃度的升高和微氣泡對(duì)自由基產(chǎn)生的直接影響。此外，臭氧微氣泡溶液能夠有效地去除高劑量離子植入的光刻膠，由于其非定形碳狀層或“地殼”，它非常
2022-01-27 15:55:141243 臭氧水中微氣泡的存在顯著提高了光刻膠的去除率，這是由于溶解臭氧濃度的升高和微氣泡對(duì)自由基產(chǎn)生的直接影響。此外，臭氧微氣泡溶液能夠有效地去除高劑量離子植入的光刻膠，由于其非定形碳狀層或“地殼”，它非常
2022-02-11 15:24:331216 
了晶圓廠占地面積，并降低了資本投資和運(yùn)營(yíng)成本。 在 CMOS 制造中，離子注入用于修改硅襯底以滿足各種帶隙工程需求。通常，圖案化光刻膠 (PR) 用于定義離子注入位置。離子注入后，圖案化的光刻膠必須完全去除，表面必須為下一輪的圖
2022-03-01 14:39:432179 
摘要 在這項(xiàng)工作中，研究了新一代相流體剝離溶液在各種半導(dǎo)體光刻膠中的應(yīng)用。這些實(shí)驗(yàn)中使用的獨(dú)特的水基智能流體配方均為超大規(guī)模集成電路級(jí)，與銅兼容且無毒。實(shí)驗(yàn)的第一階段是確定是否在合理的時(shí)間內(nèi)與光刻膠
2022-03-03 14:20:05888 
什么是光刻？光刻是將掩模上的幾何形狀轉(zhuǎn)移到硅片表面的過程。光刻工藝中涉及的步驟是晶圓清洗；阻擋層的形成；光刻膠應(yīng)用；軟烤；掩模對(duì)準(zhǔn)；曝光和顯影；和硬烤。
2022-03-15 11:38:021489 
半導(dǎo)體的清洗在制造工序中也是非常重要的。特別是光刻膠的去除是最困難的，一般使用硫酸和過氧化氫混合的溶液(SPM)等。但是，這些廢液的處理是極其困難的，與環(huán)境污染有很大的關(guān)系，因此希望引進(jìn)環(huán)保的清洗技術(shù)。因此，作為環(huán)保的清洗技術(shù)之一，以蒸餾水、臭氧為基礎(chǔ)，利用微氣泡的清洗法受到關(guān)注。
2022-03-24 16:02:561555 
在未來幾代器件中，去除光刻膠和殘留物變得非常關(guān)鍵。在前端線后離子注入（源極/漏極、擴(kuò)展），使用PR來阻斷部分電路導(dǎo)致PR基本上硬化并且難以去除。在后端線（BEOL）蝕刻中，除低k材料的情況下去除抗蝕劑和殘留物的選擇性非常具有挑戰(zhàn)性。
2022-03-24 16:03:241742 
的自旋速度為3000r/min，厚度為1.10um，對(duì)光刻膠的去除有顯著影響。為了最小化頂層與襯底物接觸的面積，進(jìn)一步減少浮渣，我們選擇了8μm作為底層抗蝕劑的最佳縮回距離d。
2022-03-24 16:04:231451 
本發(fā)明涉及一種去除光刻膠的方法，更詳細(xì)地說，是一種半導(dǎo)體制造用光刻膠去除方法，該方法適合于在半導(dǎo)體裝置的制造過程中進(jìn)行吹掃以去除光刻膠。在半導(dǎo)體裝置的制造工藝中，將殘留在晶片上的光刻膠，在H2O
2022-04-13 13:56:421658 
蝕刻后光刻膠和BARC層的去除，掃描電子顯微鏡(SEM)和X射線光電子能譜(XPS)用于評(píng)估清洗效率，使用平面電容器結(jié)構(gòu)確定暴露于等離子體和濕化學(xué)對(duì)低k膜的介電常數(shù)的影響。 對(duì)圖案化結(jié)構(gòu)的橫截面SEM檢查表明，在幾種實(shí)驗(yàn)條件和化學(xué)條件下可以實(shí)現(xiàn)蝕刻后PR的完
2022-05-30 17:25:242040 
灰化，簡(jiǎn)單的理解就是用氧氣把光刻膠燃燒掉，光刻膠的基本成分是碳?xì)溆袡C(jī)物，在射頻或微波作用下，氧氣電離成氧原子并與光刻膠發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，生成一氧化碳，二氧化碳和水等，再通過泵被真空抽走，完成光刻膠的去除。
2022-07-21 11:20:178339 光刻膠產(chǎn)品說明英文版資料分享。
2022-08-12 16:17:2511 南大光電最新消息顯示，國(guó)產(chǎn)193nm（ArF）光刻膠研發(fā)成功，這家公司成為通過國(guó)家“02專項(xiàng)”驗(yàn)收的ArF光刻膠項(xiàng)目實(shí)施主體；徐州博康宣布，該公司已開發(fā)出數(shù)十種高端光刻膠產(chǎn)品系列，包括
2022-08-31 09:47:142371 光刻膠的組成：樹脂（resin/polymer），光刻膠中不同材料的粘合劑，給與光刻膠的機(jī)械與化學(xué)性質(zhì)（如粘附性、膠膜厚度、熱穩(wěn)定性等）；感光劑，感光劑對(duì)光能發(fā)生光化學(xué)反應(yīng)；溶劑（Solvent
2022-10-21 16:40:0423793 半導(dǎo)體光刻膠用光敏材料仍屬于“卡脖子”產(chǎn)品，海外進(jìn)口依賴較重，不同品質(zhì)之間價(jià) 格差異大。以國(guó)內(nèi) PAG 對(duì)應(yīng)的化學(xué)放大型光刻膠（主要是 KrF、ArF 光刻膠）來看，樹脂在 光刻膠中的固含量占比約
2022-11-18 10:07:434880 此前該公司指出，公司已建成年產(chǎn)5噸ArF干式光刻膠生產(chǎn)線、年產(chǎn)20噸ArF浸沒式光刻膠生產(chǎn)線及年產(chǎn)45噸的光刻膠配套高純?cè)噭┥a(chǎn)線，具備ArF光刻膠及配套關(guān)鍵組分材料的生產(chǎn)能力，目前公司送樣驗(yàn)證的產(chǎn)品均由該自建產(chǎn)線產(chǎn)出。
2023-04-11 09:25:321910 清洗硅片（Wafer Clean）
清洗硅片的目的是去除污染物去除顆粒、減少針孔和其它缺陷，提高光刻膠黏附性
基本步驟：化學(xué)清洗——漂洗——烘干。
2023-04-25 11:09:406453 
在集成電路制造領(lǐng)域，如果說光刻機(jī)是推動(dòng)制程技術(shù)進(jìn)步的“引擎”，光刻膠就是這部“引擎”的“燃料”。
2023-05-13 11:28:383484 
改善之后的工藝與之前最大的區(qū)別在于使用光刻膠充當(dāng)濺射的掩膜，在電鍍之前將電路圖形高精度的制備出來，不再進(jìn)行濕法刻蝕，避免了側(cè)腐蝕對(duì)線條精度和膜基結(jié)合力的影響，同時(shí)，基板只浸入丙酮中一次以去除光刻膠，避免了大量溶液的使用
2023-05-16 09:40:353492 
金屬圖案的剝離方法已廣泛應(yīng)用于各種電子器件的制造過程中，如半導(dǎo)體封裝、MEMS和LED的制造。與傳統(tǒng)的金屬刻蝕方法不同的是，采用剝離法的優(yōu)點(diǎn)是節(jié)省成本和工藝簡(jiǎn)化。在剝離過程中，經(jīng)過涂層、曝光和開發(fā)過程后，光刻膠會(huì)在晶片上形成圖案。
2023-10-25 10:40:05946 
光刻膠在未曝光之前是一種黏性流體，不同種類的光刻膠具有不同的黏度。黏度是光刻膠的一項(xiàng)重要指標(biāo)。那么光刻膠的黏度為什么重要？黏度用什么表征？哪些光刻膠算高黏度，哪些算低黏度呢？
2023-11-13 18:14:112940 
20日，西隴科學(xué)（株）發(fā)布公告稱，該公司沒有生產(chǎn)銷售礦產(chǎn)品。公司生產(chǎn)及銷售用于清洗劑、顯影液、剝離液等的光刻膠，占公司營(yíng)業(yè)收入的比例，是目前用于上述用途的光刻膠配套。
2023-11-21 14:54:571303 為了生產(chǎn)高純度、高質(zhì)量的光刻膠，需要高純度的配方原料，例如光刻樹脂，溶劑PGMEA…此外，生產(chǎn)過程中的反應(yīng)釜鍍膜和金屬析出污染監(jiān)測(cè)也是至關(guān)重要的控制環(huán)節(jié)。例如，2019年，某家半導(dǎo)體制造公司由于光刻膠受到光阻原料的污染，導(dǎo)致上萬(wàn)片12吋晶圓報(bào)廢
2023-11-27 17:15:481717 KrF光刻膠是指利用248nm KrF光源進(jìn)行光刻的光刻膠。248nmKrF光刻技術(shù)已廣 泛應(yīng)用于0.13μm工藝的生產(chǎn)中,主要應(yīng)用于150 , 200和300mm的硅晶圓生產(chǎn)中。
2023-11-29 10:28:501413 
勻膠是光刻中比較重要的一步，而旋涂速度是勻膠中至關(guān)重要的參數(shù)，那么我們?cè)趧?b class="flag-6" style="color: red">膠時(shí)，是如何確定勻膠速度呢？它影響光刻膠的哪些性質(zhì)？
2023-12-15 09:35:563928 
所謂的“光刻膠”，即是在紫外線、電子束等輻射下，其溶解度會(huì)產(chǎn)生變化的耐腐蝕薄膜材料。作為光刻工藝中的關(guān)鍵要素，廣泛應(yīng)用于晶圓和分立器件的精細(xì)圖案制作中。其品種繁多，此次漲價(jià)涉及的KrF 光刻膠則屬高級(jí)別光刻膠，將成為各廠商關(guān)注的焦點(diǎn)。
2023-12-28 11:14:341635 光刻膠主要下游應(yīng)用包括：顯示屏制造、印刷電路板生產(chǎn)、半導(dǎo)體制造等，其中顯示屏是光刻膠最大的下游應(yīng)用，占比30%。光刻膠在半導(dǎo)體制造應(yīng)用占比24%，是第三達(dá)應(yīng)用場(chǎng)景。
2024-01-03 18:12:212811 
光刻膠不能太厚或太薄，需要按制程需求來定。比如對(duì)于需要長(zhǎng)時(shí)間蝕刻以形成深孔的應(yīng)用場(chǎng)景，較厚的光刻膠層能提供更長(zhǎng)的耐蝕刻時(shí)間。
2024-03-04 10:49:162061 
光刻膠是一種涂覆在半導(dǎo)體器件表面的特殊液體材料，可以通過光刻機(jī)上的模板或掩模來進(jìn)行曝光。
2024-03-04 17:19:189617 與正光刻膠相比，電子束負(fù)光刻膠會(huì)形成相反的圖案?；诰酆衔锏呢?fù)型光刻膠會(huì)在聚合物鏈之間產(chǎn)生鍵或交聯(lián)。未曝光的光刻膠在顯影過程中溶解，而曝光的光刻膠則保留下來，從而形成負(fù)像。
2024-03-20 11:36:505058 
在紫外光照射下，三芳基碘鹽光敏劑被激活，釋放活性碘離子。這些活性碘離子與SU-8光刻膠中的丙烯酸酯單體反應(yīng)，引發(fā)單體之間的交聯(lián)反應(yīng)，導(dǎo)致SU-8光刻膠在曝光區(qū)域形成凝膠化的圖案。
2024-03-31 16:25:209092 
光刻膠按照種類可以分為正性的、負(fù)性的。正膠受到紫外光照射的部分在顯影時(shí)被去除，負(fù)膠受到紫外光曝光的地方在顯影后被留下。
2024-04-24 11:37:056634 
我們?cè)谑褂?b class="flag-6" style="color: red">光刻膠的時(shí)候往往關(guān)注的重點(diǎn)是光刻膠的性能，但是有時(shí)候我們會(huì)忽略光刻膠的保存和壽命問題，其實(shí)這個(gè)問題應(yīng)該在我們購(gòu)買光刻膠前就應(yīng)該提出并規(guī)劃好。并且，在光刻過程中如果發(fā)現(xiàn)有異常情況發(fā)生，我們
2024-07-08 14:57:083146 圖形反轉(zhuǎn)膠是比較常見的一種紫外光刻膠，它既可以當(dāng)正膠使用又可以作為負(fù)膠使用。相比而言，負(fù)膠工藝更被人們所熟知。本文重點(diǎn)介紹其負(fù)膠工藝。 應(yīng)用領(lǐng)域 在反轉(zhuǎn)工藝下，通過適當(dāng)?shù)墓に噮?shù)，可以獲得底切的側(cè)壁
2024-07-09 16:06:001988 
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