導(dǎo)體股價(jià)235.51元/股，漲幅達(dá)176.78%，總市值達(dá)305.13億元。 強(qiáng)一半導(dǎo)體是中國(guó)唯一打破該MEMS細(xì)分領(lǐng)域壟斷，進(jìn)入全球前十的國(guó)產(chǎn)廠商，獲華為-哈勃投資，華為-哈勃為公司第4大股東。 打破MEMS探針卡壟斷，全球第6，中國(guó)唯一進(jìn)入全球前10的廠商，2023年前沒(méi)有中國(guó)
2025-12-30 11:21:51
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隔離卡貼夾于雙卡間，建議完全重疊效果更佳，若重疊部分過(guò)小，可能導(dǎo)致無(wú)法完全隔離。感應(yīng)卡片種類繁多，若出現(xiàn)雙卡無(wú)隔離，可再加一層提升隔離效果，此款隔離貼只能解決卡與卡干擾問(wèn)題，只能在非金屬環(huán)境中使
2025-12-20 16:30:11
薄膜電阻率是材料電學(xué)性能的關(guān)鍵參數(shù)，對(duì)其準(zhǔn)確測(cè)量在半導(dǎo)體、光電及新能源等領(lǐng)域至關(guān)重要。在眾多測(cè)量技術(shù)中，四探針法因其卓越的精確性與適用性，已成為薄膜電阻率測(cè)量中廣泛應(yīng)用的標(biāo)準(zhǔn)方法之一。下文
2025-12-18 18:06:01154 
）與待測(cè)芯片（DUT）的物理 “神經(jīng)中樞”，ATE 測(cè)試板（涵蓋負(fù)載板、探針卡 PCB 等核心品類）的性能表現(xiàn)，直接左右著測(cè)試數(shù)據(jù)的真?zhèn)?、測(cè)試效率的高低，更深刻影響著芯片的最終量產(chǎn)良率。它早已超越傳統(tǒng)
2025-12-15 15:09:09
ATE的探針卡，在晶圓測(cè)試中被稱為定海神針，有著不可替代價(jià)值，那么在設(shè)計(jì)和生產(chǎn)階段有哪些注意事項(xiàng)，點(diǎn)開(kāi)今天的文章，有你需要的答案。
2025-12-15 15:07:36228 
、操作復(fù)雜或?qū)悠酚刑囟ㄏ拗疲欢鴤鹘y(tǒng)接觸式臺(tái)階儀雖簡(jiǎn)單可靠，但其探針測(cè)量力較大，易劃傷MEMS中常見(jiàn)的軟質(zhì)材料（如硅片），F(xiàn)lexfilm探針式臺(tái)階儀可以實(shí)現(xiàn)表面微觀
2025-12-10 18:04:36227 
四探針法是廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體材料、薄膜、導(dǎo)電涂層及塊體材料電阻率測(cè)量的重要技術(shù)。該方法以其無(wú)需校準(zhǔn)、測(cè)量結(jié)果準(zhǔn)確、對(duì)樣品形狀適應(yīng)性強(qiáng)等特點(diǎn)，在科研與工業(yè)檢測(cè)中備受青睞。在許多標(biāo)準(zhǔn)電阻率測(cè)定場(chǎng)合，四探針
2025-12-04 18:08:42692 在傳統(tǒng)橫向結(jié)構(gòu)的GaN器件中，電流沿芯片表面流動(dòng)。而垂直 GaN 的 GaN 層生長(zhǎng)在氮化鎵襯底上，其獨(dú)特結(jié)構(gòu)使電流能直接從芯片頂部流到底部，而不是僅在表面流動(dòng)。這種垂直電流路徑讓器件能夠承受更高的電壓和更大的電流，從而實(shí)現(xiàn)更高的功率密度、更高的效率和更緊湊的系統(tǒng)設(shè)計(jì)。
2025-12-04 09:28:281692 
單層石墨烯薄層電阻（RsRs）的標(biāo)準(zhǔn)化流程。Xfilm埃利四探針方阻儀作為符合該標(biāo)準(zhǔn)要求的專業(yè)測(cè)量設(shè)備，可為石墨烯薄層電阻的精確測(cè)量提供可靠的解決方案。本文介紹了支撐
2025-11-27 18:04:50164 智能卡防串讀貼 解決卡與卡相互干擾 雙面防磁貼 【品名】雙卡防磁貼/錢包抗干擾磁貼 【注意事項(xiàng)】雙卡隔離的正確使用方法：雙卡隔離不是放在手機(jī)上使用的！雙卡隔離要放在
2025-11-25 11:42:09
MEMS振蕩器的優(yōu)勢(shì)照比傳統(tǒng)OSC的主要優(yōu)勢(shì)
2025-11-21 15:37:541743 
MEMS振蕩器的應(yīng)用大致分為7個(gè)大方向
2025-11-21 15:37:541809 
導(dǎo)電疇壁（DWs）是新型電子器件的關(guān)鍵候選結(jié)構(gòu)，但其納米尺度與宿主材料高電阻特性導(dǎo)致電學(xué)表征困難。Xfilm埃利四探針方阻儀可助力其電阻精確測(cè)量，本文以四探針測(cè)量技術(shù)為核心，采用亞微米級(jí)多點(diǎn)探針
2025-11-20 18:03:34240 了解概念MEMS全稱Micro-Electro-MechanicalSystem，即微機(jī)電系統(tǒng)。MEMS與IC的不同加工對(duì)象不同MEMS主要針對(duì)微機(jī)電系統(tǒng)進(jìn)行加工制造，對(duì)象涵蓋微傳感器、微執(zhí)行器等
2025-11-19 17:35:141324 
為什么你的藍(lán)牙耳機(jī)通話不清、降噪不佳？問(wèn)題可能出在MEMS麥克風(fēng)上。本文將揭秘MEMS麥克風(fēng)如何成為智能設(shè)備聽(tīng)覺(jué)命脈，并重點(diǎn)介紹華芯邦MEMS產(chǎn)品如何憑借高信噪比與一致性提升音頻體驗(yàn)。
2025-11-11 14:16:35314 隨著電子器件尺寸持續(xù)縮小，熱管理問(wèn)題日益突出。熱電材料的三項(xiàng)關(guān)鍵參數(shù)——電導(dǎo)率（σ）、熱導(dǎo)率（κ）和塞貝克系數(shù)（α），共同決定了器件的熱電優(yōu)值（ZT），進(jìn)而影響其能效與可靠性。四探針技術(shù)因其高空
2025-11-06 18:04:29235 在有機(jī)單晶電學(xué)性能表征領(lǐng)域，四探針測(cè)量技術(shù)因能有效規(guī)避接觸電阻干擾、精準(zhǔn)捕捉材料本征電學(xué)特性而成為關(guān)鍵方法，Xfilm埃利四探針方阻儀作為該領(lǐng)域常用的專業(yè)測(cè)量設(shè)備，可為相關(guān)研究提供可靠的基礎(chǔ)檢測(cè)支持
2025-10-30 18:05:14243 行業(yè)認(rèn)可。本文我們將為大家詳細(xì)介紹北京季峰探針臺(tái)的先進(jìn)能力、B1500的卓越性能，以及二者搭配使用帶來(lái)的協(xié)同優(yōu)勢(shì)，推動(dòng)半導(dǎo)體測(cè)試邁向新高度。
2025-10-13 15:26:46862 
一、引言
在高端半導(dǎo)體測(cè)試設(shè)備領(lǐng)域，東京精密 TOKYO SEIMITSU Vega 系列的 Vega Planet 探針臺(tái)以其全方位的性能表現(xiàn)，成為復(fù)雜測(cè)試場(chǎng)景的核心設(shè)備。海翔科技提供的二手
2025-10-11 11:50:25328 
鈦基金屬?gòu)?fù)合材料因其優(yōu)異的力學(xué)性能、輕質(zhì)高強(qiáng)、耐高溫和耐磨性，在航空航天領(lǐng)域具有廣闊的應(yīng)用前景。與純金屬不同，Ti基復(fù)合材料的電導(dǎo)率受微觀結(jié)構(gòu)、制備工藝及幾何形態(tài)影響顯著。Xfilm埃利四探針通過(guò)
2025-10-09 18:05:18461 四探針法（4PP）作為一種非破壞性評(píng)估技術(shù)，廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體和導(dǎo)電材料的電阻率和電導(dǎo)率測(cè)量。其非破壞性特點(diǎn)使其適用于從宏觀到納米尺度的多種材料。然而，傳統(tǒng)解析模型在校正因子的計(jì)算中存在近似誤差
2025-09-29 13:46:07977 接觸電阻率（ρc）是評(píng)估兩種材料接觸性能的關(guān)鍵參數(shù)。傳統(tǒng)的傳輸長(zhǎng)度法（TLM）等方法在提取金屬電極與c-Si基底之間的ρc時(shí)需要較多的制造和測(cè)量步驟。而四探針法因其相對(duì)簡(jiǎn)單的操作流程而備受關(guān)注，但其
2025-09-29 13:45:33577 SnO?:F薄膜作為重要透明導(dǎo)電氧化物材料，廣泛用于太陽(yáng)能電池、觸摸屏等電子器件，其表面電阻特性直接影響器件性能。本研究以射頻（RF）濺射技術(shù)制備的SnO?:F薄膜為研究對(duì)象，通過(guò)鋁PAD法與四探針
2025-09-29 13:43:26654 文章介紹了咪頭是如何接收音頻信號(hào)的，并使用數(shù)據(jù)采集卡采集咪頭傳遞的音頻信號(hào)。
2025-09-15 15:03:33658 
一、引言 在半導(dǎo)體測(cè)試設(shè)備市場(chǎng)中，東京精密 TOKYO SEIMITSU UF 系列的 UF2000 探針臺(tái)以其穩(wěn)定的性能和廣泛的適用性，成為中小規(guī)模測(cè)試場(chǎng)景的優(yōu)選設(shè)備。海翔科技提供的二手
2025-09-13 11:05:321130 一、引言
碳化硅（SiC）作為寬禁帶半導(dǎo)體材料，在功率器件、射頻器件等領(lǐng)域應(yīng)用廣泛。總厚度偏差（TTV）是衡量碳化硅襯底質(zhì)量的關(guān)鍵指標(biāo)，準(zhǔn)確測(cè)量 TTV 對(duì)保障器件性能至關(guān)重要。目前，探針式和非接觸
2025-09-10 10:26:371011 
MEMS慣性傳感器都有哪些種類？MEMS慣性傳感器有哪些特點(diǎn)，下面火豐精密小編為你講解一下：
MEMS慣性傳感器包括MEMS陀螺儀及MEMS加速度計(jì)，其分類有多種方式，根據(jù)精度由低到高其可分為消費(fèi)級(jí)（零偏>100°/h）和戰(zhàn)術(shù)級(jí)（零偏0.1°/h ~ 10°/h）。
2025-08-26 17:39:27859 
NS系列探針式臺(tái)階高度測(cè)量?jī)x線性可變差動(dòng)電容傳感器（LVDC），具有亞埃級(jí)分辨率，13μm量程下可達(dá)0.01埃。高信噪比和低線性誤差，使得產(chǎn)品能掃描到幾納米至幾百微米臺(tái)階的形貌特征。通過(guò)2μm金剛石
2025-08-26 14:19:50
氣壓標(biāo)定測(cè)試系統(tǒng)是專為 MEMS傳感器設(shè)計(jì)的高精度自動(dòng)化校準(zhǔn)設(shè)備，通過(guò)集成溫度控制、壓力加載與智能數(shù)據(jù)采集功能，實(shí)現(xiàn)對(duì) MEMS 溫度傳感器、壓力傳感器及復(fù)合型傳感器的全量程標(biāo)定。系統(tǒng)基于行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)
2025-08-22 16:45:20
卡倫測(cè)控：MEMS傳感器測(cè)試校準(zhǔn)設(shè)備用于溫度傳感器、濕度傳感器和傳感器的校準(zhǔn)和測(cè)試；設(shè)備內(nèi)置智能數(shù)據(jù)分析模塊，可對(duì)測(cè)試數(shù)據(jù)進(jìn)行自動(dòng)處理、分析，生成測(cè)試報(bào)告。采用最新的半導(dǎo)體控溫技術(shù)和雙重算法，實(shí)現(xiàn)
2025-08-21 08:56:39
卡倫測(cè)控：?jiǎn)握臼?b class="flag-6" style="color: red">MEMS傳感器測(cè)試校準(zhǔn)設(shè)備單站式Handler，可與光學(xué)測(cè)試平臺(tái)、溫壓濕測(cè)試平臺(tái)，IMU測(cè)試平臺(tái)組合；品牌：卡倫測(cè)控產(chǎn)品特性：AdvantageJam rate: 1/10000
2025-08-21 08:54:31
，實(shí)現(xiàn)多點(diǎn)快速控溫、斜率控溫等多種控溫邏輯； 溫度、壓力和濕度可獨(dú)立無(wú)極調(diào)節(jié)。卡倫測(cè)控：MEMS傳感器標(biāo)定測(cè)試設(shè)備品牌：卡倫測(cè)控產(chǎn)品特性：Advantage控溫范圍-
2025-08-21 08:52:16
文章介紹了光柵尺是如何工作的，并用數(shù)據(jù)采集卡采集了光柵尺的位移信息。
2025-08-15 18:02:531429 
當(dāng)前，盡管針對(duì) MEMS 器件的制備工藝與相關(guān)設(shè)備已開(kāi)展了大量研究，但仍有不少 MEMS 傳感器未能實(shí)現(xiàn)廣泛的商業(yè)化落地，其中一個(gè)重要原因便是 MEMS 器件的封裝問(wèn)題尚未得到妥善解決。MEMS
2025-08-15 16:40:052775 
傳統(tǒng)燃油重卡主要采用低壓線束，新能源電動(dòng)重卡主要使用高壓線束，高壓線束可以根據(jù)不同的電壓等級(jí)配置于電動(dòng)汽車內(nèi)部及外部線束連接。主要應(yīng)用配電盒內(nèi)部線束信號(hào)分配，高效優(yōu)質(zhì)地傳輸電能，屏蔽外界信號(hào)干擾等，高壓線束是電動(dòng)重卡高壓系統(tǒng)重要的神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)。
2025-08-15 10:25:13709 薄層電阻（SheetResistance,Rs）是表征導(dǎo)電薄膜性能的關(guān)鍵參數(shù)，直接影響柔性電子、透明電極及半導(dǎo)體器件的性能。四探針法以其高精度和可靠性成為標(biāo)準(zhǔn)測(cè)量技術(shù)，尤其適用于納米級(jí)薄膜表征。本文
2025-07-22 09:52:041007 電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報(bào)道 最近垂直GaN功率器件又迎來(lái)新進(jìn)展。7月10日，廣東致能CEO黎子蘭博士，在瑞典舉辦的全球氮化物半導(dǎo)體頂尖會(huì)議ICNS(國(guó)際氮化物半導(dǎo)體會(huì)議)上發(fā)表邀請(qǐng)報(bào)告，首次報(bào)道了廣東致能
2025-07-22 07:46:004783 
一、SD卡介紹 1.基本介紹 本質(zhì)：nand flash + 控制芯片 1.SD卡 ，Secure Digital Card，稱為安全數(shù)字卡（安全數(shù)碼卡）。SD卡系列主要有三種：SD卡(full
2025-07-21 17:59:053396 
。 SIM卡接口用于連接SIM卡并讀取SIM卡信息，以便在注冊(cè)4G網(wǎng)絡(luò)時(shí)進(jìn)行鑒權(quán)身份驗(yàn)證，是4G通信系統(tǒng)的必要功能。 ? 社群有工程師朋友問(wèn)： SIM卡檢測(cè)腳怎么處理，有沒(méi)有電路設(shè)計(jì)參考？? 本文將詳細(xì)介紹SIM卡接口功能及其電路設(shè)計(jì)相關(guān)注意事項(xiàng)。 Air7
2025-07-17 16:14:59722 
工作。以下將詳細(xì)介紹泰克MSO44示波器光標(biāo)水平垂直切換的方法。? ? 1.確保信號(hào)正常顯示：首先，將示波器探頭正確連接至待測(cè)信號(hào)源，確保連接穩(wěn)固，避免接觸不良影響信號(hào)傳輸。紅色探頭接信號(hào)正極，黑色接地，構(gòu)建完整信號(hào)回路。隨后
2025-07-16 14:33:19616 
在半導(dǎo)體芯片的制造流程中，探針可以對(duì)芯片進(jìn)行性能檢驗(yàn)；在新材料研發(fā)的實(shí)驗(yàn)室中，探針與樣品表面的納米級(jí)接觸，解鎖材料的電學(xué)、光學(xué)特性；在生物研究室中，探針正在以極快且細(xì)微的運(yùn)動(dòng)對(duì)細(xì)胞進(jìn)行穿透。這些精密
2025-07-10 08:49:29631 
、處理與輸出。 MEMS陀螺如何“感知”旋轉(zhuǎn)？ 別被名字迷惑！現(xiàn)代MEMS陀螺儀并非依靠傳統(tǒng)陀螺的旋轉(zhuǎn)飛輪。其核心原理是科里奧利力。想象一下： 芯片內(nèi)部有微小的振動(dòng)質(zhì)量塊（“驅(qū)動(dòng)”方向振動(dòng)）。 當(dāng)整個(gè)器件發(fā)生旋轉(zhuǎn)時(shí)，振動(dòng)質(zhì)量塊會(huì)受到一個(gè)垂直方
2025-07-08 16:45:36777 XCZU7EV 通用PCIe卡 , 圖像信號(hào)分析處理卡 , 視覺(jué)處理卡 , 工業(yè)控制卡 , 存儲(chǔ)擴(kuò)展卡
2025-07-08 10:47:251161 
引言 在半導(dǎo)體制造與微納加工領(lǐng)域，光刻圖形的垂直度對(duì)器件的電學(xué)性能、集成密度以及可靠性有著重要影響。精準(zhǔn)控制光刻圖形垂直度是保障先進(jìn)制程工藝精度的關(guān)鍵。本文將系統(tǒng)介紹改善光刻圖形垂直度的方法，并
2025-06-30 09:59:13489 
探針卡, WAT,PCM測(cè)試
2025-06-26 19:23:17673 NS系列國(guó)產(chǎn)探針式臺(tái)階儀線性可變差動(dòng)電容傳感器（LVDC），具有亞埃級(jí)分辨率，13μm量程下可達(dá)0.01埃。高信噪比和低線性誤差，使得產(chǎn)品能掃描到幾納米至幾百微米臺(tái)階的形貌特征。通過(guò)2μm金剛石探針
2025-06-23 10:53:09
傾角計(jì)是現(xiàn)代工業(yè)和科技中不可或缺的傳感元件。從高精尖的航空航天到日常使用的手機(jī)，從保障安全的工程機(jī)械到預(yù)警地質(zhì)災(zāi)害的系統(tǒng)，都能看到它的身影。MEMS傾角計(jì)因其優(yōu)異的性價(jià)比和綜合性能，成為當(dāng)前最主流
2025-06-20 00:03:34577 
NS系列探針式輪廓儀臺(tái)階儀采用了線性可變差動(dòng)電容傳感器LVDC，具備超微力調(diào)節(jié)的能力和亞埃級(jí)的分辨率，同時(shí)，其集成了超低噪聲信號(hào)采集、超精細(xì)運(yùn)動(dòng)控制、標(biāo)定算法等核心技術(shù)，使得儀器具備超高的測(cè)量精度
2025-06-18 15:44:11
在存儲(chǔ)芯片及存儲(chǔ)卡的生產(chǎn)和使用過(guò)程中，確保產(chǎn)品的質(zhì)量和可靠性至關(guān)重要。SD卡、T卡作為一種廣泛使用的存儲(chǔ)介質(zhì)，其檢測(cè)工具的選擇對(duì)于保障存儲(chǔ)性能和數(shù)據(jù)安全起著關(guān)鍵作用。接下來(lái)將介紹幾種常見(jiàn)的SD卡、T卡檢測(cè)工具，并探討它們?cè)趯?shí)際應(yīng)用中的優(yōu)勢(shì)和重要性。
2025-06-09 14:36:153182 
為滿足客戶對(duì)低溫測(cè)試的要求，季豐電子成功自研了低高溫手動(dòng)探針臺(tái)，目前已在季豐張江FA投入使用，該機(jī)臺(tái)填補(bǔ)了傳統(tǒng)常規(guī)型手動(dòng)探針臺(tái)無(wú)法實(shí)現(xiàn)低溫測(cè)試環(huán)境的空白。
2025-06-05 13:38:04784 MEMS陀螺儀的尋北技術(shù)核心原理基于地球自轉(zhuǎn)特性，通過(guò)測(cè)量角速度分量解算出地理北向。隨著MEMS技術(shù)的不斷進(jìn)步，MEMS陀螺儀性能也在不斷提升，已經(jīng)具備了較高的測(cè)量精度和穩(wěn)定性。
2025-06-04 17:50:041009 
存儲(chǔ)示波器的垂直分辨率是指示波器能夠分辨的最小電壓變化量，它反映了示波器對(duì)信號(hào)幅度細(xì)節(jié)的測(cè)量能力，通常用位數(shù)（bit）來(lái)表示，也可通過(guò)相關(guān)公式換算為具體的電壓值。以下為你詳細(xì)介紹其計(jì)算方法：了解關(guān)鍵
2025-05-30 14:03:37
本文介紹了步進(jìn)電機(jī)的工作原理，以及如何使用數(shù)據(jù)采集卡控制步進(jìn)電機(jī)動(dòng)作。
2025-05-26 15:53:151187 
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2025-05-26 02:16:37
1.定義SD卡是SecureDigitalCard的英文縮寫，直譯就是“安全數(shù)字卡”。一般用于數(shù)碼相機(jī)等，作外存儲(chǔ)器用。TF卡即是T-Flash卡，又叫microSD卡，即微型SD卡。TF卡一般也是
2025-05-21 15:56:525179 
材料和工藝難題。 作為國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體探針卡領(lǐng)域的“破局者”，揚(yáng)州奕丞科技有限公司（簡(jiǎn)稱“奕丞科技”）自2022年成立以來(lái)便聚焦MEMS微機(jī)電探針的研發(fā)與制造，填補(bǔ)了國(guó)內(nèi)在先進(jìn)探針領(lǐng)域的空白。其核心技術(shù)團(tuán)隊(duì)由半導(dǎo)體行業(yè)資深
2025-05-08 18:14:211310 
NS系列高精度探針接觸式臺(tái)階儀單拱龍門式設(shè)計(jì)，結(jié)構(gòu)穩(wěn)定性好，而且降低了周圍環(huán)境中聲音和震動(dòng)噪音對(duì)測(cè)量信號(hào)的影響，提高了測(cè)量精度。線性可變差動(dòng)電容傳感器（LVDC），具有亞埃級(jí)分辨率，13μm量程下
2025-04-25 16:12:49
反射內(nèi)存卡
2025-04-21 16:11:52756 
?在科技日新月異的今天，MEMS（微機(jī)電系統(tǒng)）傳感器作為獲取信息的關(guān)鍵器件，正逐步滲透到我們生活的方方面面。其中，MEMS聲敏傳感器，以其微型化、高精度和低成本的特點(diǎn)，在消費(fèi)電子、汽車電子、醫(yī)療健康
2025-04-17 16:50:241308 本文詳細(xì)介紹了如何在Keysight Infiniimax主動(dòng)探針中應(yīng)用偏移，以及如何將偏移用于各種應(yīng)用場(chǎng)景。在主動(dòng)探針或示波器前端應(yīng)用偏移的主要目的是減去輸入信號(hào)中的大部分或全部直流分量，從而使信號(hào)更好地利用輸入的動(dòng)態(tài)范圍。
2025-04-15 16:04:17542 
中圖儀器NS系列探針式薄膜厚度臺(tái)階儀是一款為高精度微觀形貌測(cè)量設(shè)計(jì)的超精密接觸式儀器，廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體、光伏、MEMS、光學(xué)加工等領(lǐng)域。通過(guò)2μm金剛石探針與LVDC傳感器的協(xié)同工作，結(jié)合亞埃級(jí)
2025-04-15 10:47:00
在與客戶的交流中發(fā)現(xiàn)，部分客戶對(duì)某些測(cè)試在精度可滿足實(shí)驗(yàn)需求的情況下，希望有更經(jīng)濟(jì)的解決方案。 為滿足客戶的這一需求，季豐電子開(kāi)發(fā)了一款經(jīng)濟(jì)型精密探針座， MP-05探針座 。 應(yīng)用場(chǎng)合 主要應(yīng)用于
2025-04-09 18:36:31807 
MEMS壓力傳感器對(duì)比傳統(tǒng)壓阻式、諧振式傳感器有著諸多優(yōu)點(diǎn)。一、高靈敏度捕捉細(xì)微變化電容式MEMS壓力傳感器具有極高的靈敏度。其工作原理基于電容變化來(lái)感知壓力，當(dāng)
2025-04-09 10:54:121729 
ROHM（羅姆）傳感器_MEMS選型指南
2025-04-01 15:58:37
3 一、引言 在多功能壓力測(cè)量系統(tǒng)里，四探針電極以其獨(dú)特測(cè)量原理，助力獲取材料電學(xué)性能與壓力的關(guān)聯(lián)數(shù)據(jù)。它在材料科學(xué)、電子工程等領(lǐng)域應(yīng)用廣泛，有力推動(dòng)了對(duì)材料在壓力下電學(xué)行為的研究，成為現(xiàn)代材料性能研究
2025-03-27 14:04:49888 
客戶在ubuntu 22.04上使用S32DS，并在連接調(diào)試探針時(shí)發(fā)現(xiàn)問(wèn)題。這是屏幕截圖。
?
通過(guò) USB 連接似乎有問(wèn)題。所以我的問(wèn)題是
（1） 是不是連接 USB 有問(wèn)題？如果是，如何解決這個(gè)問(wèn)題？
(2)是否有通過(guò)以太網(wǎng)連接 Debug Probe 的動(dòng)手教程？
2025-03-27 07:18:56
在炭黑生產(chǎn)與應(yīng)用的各個(gè)環(huán)節(jié)，精準(zhǔn)把控其性能至關(guān)重要，而炭黑電阻率是衡量質(zhì)量與應(yīng)用潛力的關(guān)鍵指標(biāo)。兩探針粉末電阻率測(cè)試儀憑借獨(dú)特技術(shù)與高效檢測(cè)能力，在炭黑測(cè)試中發(fā)揮著不可或缺的作用。 一、工作原理
2025-03-21 09:16:34825 
NS系列探針式接觸臺(tái)階高度儀單拱龍門式設(shè)計(jì)，結(jié)構(gòu)穩(wěn)定性好，而且降低了周圍環(huán)境中聲音和震動(dòng)噪音對(duì)測(cè)量信號(hào)的影響，提高了測(cè)量精度。線性可變差動(dòng)電容傳感器（LVDC），具有亞埃級(jí)分辨率，13μm量程下可達(dá)
2025-03-20 16:00:59
=（電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報(bào)道）在萬(wàn)物互聯(lián)與智能硬件的浪潮下，傳感器微型化、高精度化正成為產(chǎn)業(yè)升級(jí)的核心驅(qū)動(dòng)力。MEMS（微機(jī)電系統(tǒng)）與CMOS（互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體）技術(shù)的深度融合，被視為突破傳統(tǒng)傳感
2025-03-18 00:05:002542 hBN-Graphene-hBN是一種由六方氮化硼和石墨烯交替堆疊形成的范德華異質(zhì)結(jié)結(jié)構(gòu)。這種結(jié)構(gòu)制備方法分為機(jī)械剝離法和化學(xué)氣相沉淀法。其中化學(xué)氣相沉淀法就需要高溫和特定的環(huán)境。奕葉探針臺(tái)高溫系統(tǒng)
2025-03-12 14:41:391011 
PVC白卡其標(biāo)準(zhǔn)尺寸為85.5×54mm，厚度通常在0.76mm左右，可通過(guò)覆膜、噴墨涂層等工藝實(shí)現(xiàn)多樣化表面處理，廣泛應(yīng)用于會(huì)員卡、工作證、智能卡等領(lǐng)域一、PVC白卡的特點(diǎn)1.PVC噴墨白卡核心
2025-03-06 18:04:471661 
您是否正面臨以下測(cè)量挑戰(zhàn)？手動(dòng)清潔三坐標(biāo)探針耗時(shí)耗力，影響生產(chǎn)進(jìn)度？微小探針清潔困難，容易造成損壞，損失慘重？探針因積塵或靜電干擾測(cè)量結(jié)果，缺乏有效解決方案？蔡司探針自動(dòng)清潔裝置將是您的理想選擇
2025-03-06 14:59:00628 
您是否正面臨以下測(cè)量挑戰(zhàn)？ 手動(dòng)清潔三坐標(biāo)探針耗時(shí)耗力，影響生產(chǎn)進(jìn)度？ 微小探針清潔困難，容易造成損壞，損失慘重？ 探針因積塵或靜電干擾測(cè)量結(jié)果，缺乏有效解決方案？ 蔡司探針自動(dòng)清潔裝置將是您的理想
2025-03-05 14:59:25414 
NFC卡一張采用RFID技術(shù)的IC卡?？梢蕴娲罅康腎C卡（包括信用卡）場(chǎng)合商場(chǎng)刷卡、公交卡、門禁管制，車票，門票等等。此種方式下，有一個(gè)極大的優(yōu)點(diǎn)，那就是卡片通過(guò)非接觸讀卡器的RF域來(lái)供電，即便是
2025-03-04 17:05:133718 
NS系列高精度探針式臺(tái)階儀用于臺(tái)階高、膜層厚度、表面粗糙度等微觀形貌參數(shù)的測(cè)量。測(cè)量時(shí)通過(guò)使用2μm半徑的金剛石針尖在超精密位移臺(tái)移動(dòng)樣品時(shí)掃描其表面，測(cè)針的垂直位移距離被轉(zhuǎn)換為與特征尺寸相匹配
2025-03-03 15:05:30
介紹 MEMS（微機(jī)電系統(tǒng)）加速度計(jì)是使用MEMS技術(shù)制造的加速度計(jì)。由于使用了微機(jī)電系統(tǒng)技術(shù)，其尺寸大大減小，MEMS加速度計(jì)的尺寸只有指甲
2025-02-27 14:09:33
致真精密儀器探針臺(tái)系列產(chǎn)品介紹
2025-02-18 10:47:17882 
Enterprise 解決方案的一部分進(jìn)行查看。探針并行運(yùn)行，提供真正的性能可擴(kuò)展性和一致的訪問(wèn)速度。部署的 Probe 數(shù)量沒(méi)有限制。實(shí)時(shí) Web 地圖和實(shí)時(shí)監(jiān)控可以從一個(gè)管理平臺(tái)上的多個(gè)探針實(shí)時(shí)查看，從而
2025-02-14 17:08:43610 
隨著DeepSeek這類通用大模型的普及，接下來(lái)會(huì)迎來(lái)更加精細(xì)化的垂直行業(yè)模型，那么哪些垂直行業(yè)會(huì)率先受益？以下是DeepSeek的整理預(yù)測(cè)，供大家參考。
2025-02-10 15:44:381490 前言復(fù)合探針式影像測(cè)量?jī)x龍門型造型設(shè)計(jì)，結(jié)構(gòu)穩(wěn)定，XY軸運(yùn)動(dòng)相互不干涉支持雷尼紹PH6+自動(dòng)換針系統(tǒng)5環(huán)40項(xiàng)上燈+同軸光源Z軸可以加高到300mm一、產(chǎn)品描述1.產(chǎn)品特性?復(fù)合探針式影像測(cè)量?jī)x一款
2025-02-06 09:11:24
據(jù)報(bào)道，總部位于美國(guó)加州的領(lǐng)先光學(xué)解決方案提供商Thorlabs，近日宣布成功收購(gòu)MEMS垂直腔面發(fā)射激光器(VCSEL)領(lǐng)域的先驅(qū)者Praevium Research。這一戰(zhàn)略收購(gòu)標(biāo)志著兩家
2025-01-24 10:45:47805 。 強(qiáng)一股份成為2024年度最后一家IPO的MEMS廠商。 公告顯示， 本次IPO強(qiáng)一股份將融資15億元，保薦機(jī)構(gòu)為中信建投。 作為中國(guó)境內(nèi)極少數(shù)具有MEMS探針卡研發(fā)能力的廠商，強(qiáng)一股份因獲華為哈勃資金投資備受市場(chǎng)關(guān)注，本次IPO中其招股書也披露了更多信息 ，其中，
2025-01-22 18:02:002142 
在高溫電阻測(cè)試儀的四探針法中，探針的間距對(duì)測(cè)量結(jié)果確實(shí)存在影響，但這一影響可以通過(guò)特定的測(cè)試方法和儀器設(shè)計(jì)來(lái)最小化或消除。 探針間距對(duì)測(cè)量結(jié)果的影響 在經(jīng)典直排四探針法中，要求使用等間距的探針進(jìn)行
2025-01-21 09:16:111238 
TF卡，又稱microSD卡，在下文統(tǒng)稱為TF卡。尺寸：15mm寬11mm長(zhǎng)1mm厚，其引腳定義如圖2.2。
SD列為SD卡模式的SDIO接口定義，SPI列為SPI模式的SPI接口對(duì)應(yīng)的引腳。在
2025-01-20 14:38:42
TF卡，又稱microSD卡，在下文統(tǒng)稱為TF卡。尺寸：15mm寬11mm長(zhǎng)1mm厚，其引腳定義如圖2.2。
SD列為SD卡模式的SDIO接口定義，SPI列為SPI模式的SPI接口對(duì)應(yīng)的引腳。在
2025-01-20 14:24:32
垂直和橫向氮化鎵(GaN)器件的集成可以成為功率電子學(xué)領(lǐng)域的一次革命性進(jìn)展。這種集成能夠使驅(qū)動(dòng)和控制橫向GaN器件與垂直功率器件緊密相鄰。在本文中，我們將總結(jié)一種解決橫向和垂直器件隔離問(wèn)題的方法
2025-01-16 10:55:521228 
???? 本文主要介紹功率器件晶圓測(cè)試及封裝成品測(cè)試。?????? ? 晶圓測(cè)試（CP）???? 如圖所示為典型的碳化硅晶圓和分立器件電學(xué)測(cè)試的系統(tǒng)，主要由三部分組成，左邊為電學(xué)檢測(cè)探針臺(tái)阿波羅
2025-01-14 09:29:132359 
佐思汽研發(fā)布了《2025年車規(guī)級(jí)MEMS（微機(jī)電系統(tǒng)）傳感器研究報(bào)告》。 MEMS（Micro Electro Mechanical System，微機(jī)電系統(tǒng)），是一種將微機(jī)械結(jié)構(gòu)、微傳感器、微
2025-01-08 16:06:461931 
電子發(fā)燒友App
工商網(wǎng)監(jiān)
評(píng)論