GaN中游我們可以將其分為器件設(shè) 計(jì)、晶圓制造、封裝測(cè)試三個(gè)部分。 作為化合物半導(dǎo)體的一類，與SiC類似，全球產(chǎn)能普遍集中在IDM廠商上，不過相比于SiC，GaN在設(shè)計(jì)和制造環(huán)節(jié)正在往垂直分工的模式
2022-07-18 01:59:45
5985 NexGen Power Systems Inc. 正在使用GaN 襯底上的同質(zhì)外延 GaN 制造垂直功率器件（垂直氮化鎵或垂直 GaN）。垂直 GaN 器件能夠以更高的頻率進(jìn)行開關(guān)并在更高的電壓下工作，這將催生新一代更高效的功率器件。
2022-07-27 17:15:065406 
太陽(yáng)能系統(tǒng)的發(fā)展勢(shì)頭越來越強(qiáng)，光伏逆變器的性能是技術(shù)創(chuàng)新的核心。設(shè)計(jì)該項(xiàng)光伏逆變器旨在盡可能高效地利用太陽(yáng)能。 其中一項(xiàng)創(chuàng)新涉及使用氮化鎵 (GaN)。氮化鎵正在快速取代硅 (Si) 和絕緣柵
2025-12-11 15:06:214309 
于2017年，專注于垂直GaN器件的研發(fā)和生產(chǎn)，成立以來獲得了紐約州合計(jì)超過1億美元的資助，并擁有一家晶圓廠。 ? 值得一提的是，NexGen去年還有多項(xiàng)重大進(jìn)展，包括他們?cè)谀瓿跣家验_始發(fā)運(yùn)首批700V和1200V垂直GaN器件的工程樣品，并且預(yù)計(jì)在2023年第三季度全面量產(chǎn)。在去年6月，NexGe
2024-02-07 00:08:008809 電子發(fā)燒友網(wǎng)綜合報(bào)道 近日，安森美發(fā)布器垂直GaN功率半導(dǎo)體技術(shù)，憑借 GaN-on-GaN 專屬架構(gòu)與多項(xiàng)性能突破，為全球高功率應(yīng)用領(lǐng)域帶來革命性解決方案，重新定義了行業(yè)在能效、緊湊性與耐用性上
2025-11-10 03:12:005650 帶字庫(kù)的12864垂直卷動(dòng)時(shí)為什么分成了兩屏
2013-04-25 08:59:39
應(yīng)用，實(shí)現(xiàn)新型電源和轉(zhuǎn)換系統(tǒng)。（例如，5G通信電源整流器和服務(wù)器計(jì)算）GaN不斷突破新應(yīng)用的界限，并開始取代汽車、工業(yè)和可再生能源市場(chǎng)中傳統(tǒng)硅基電源解決方案。 圖1：硅設(shè)計(jì)與GaN設(shè)計(jì)的磁性元件功率密度
2022-11-07 06:26:02
存儲(chǔ)。在兩級(jí)使用GaN和超過100 kHz的開關(guān)頻率極大地提高了當(dāng)前設(shè)計(jì)的效率。除了dc-dc轉(zhuǎn)換器，POL轉(zhuǎn)換器和逆變器之外，其他GaN應(yīng)用包括電機(jī)驅(qū)動(dòng)器和D類大功率音頻放大器。突破性產(chǎn)品使用eGaN
2017-05-03 10:41:53
GaN為何這么火?原因是什么
2021-03-11 06:47:08
，幾代MOSFET晶體管使電源設(shè)計(jì)人員實(shí)現(xiàn)了雙極性早期產(chǎn)品不可能實(shí)現(xiàn)的性能和密度級(jí)別。然而，近年來，這些已取得的進(jìn)步開始逐漸弱化，為下一個(gè)突破性技術(shù)創(chuàng)造了空間和需求。這就是氮化鎵（GaN）引人注目
2022-11-14 07:01:09
作者：Sandeep Bahl 最近，一位客戶問我關(guān)于氮化鎵（GaN）可靠性的問題：“JEDEC（電子設(shè)備工程聯(lián)合委員會(huì)）似乎沒把應(yīng)用條件納入到開關(guān)電源的范疇。我們將在最終產(chǎn)品里使用的任何GaN器件
2018-09-10 14:48:19
半導(dǎo)體的關(guān)鍵特性是能帶隙，能帶動(dòng)電子進(jìn)入導(dǎo)通狀態(tài)所需的能量。寬帶隙（WBG）可以實(shí)現(xiàn)更高功率，更高開關(guān)速度的晶體管，WBG器件包括氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC），以及其他半導(dǎo)體。 GaN和SiC
2022-08-12 09:42:07
應(yīng)用的良好結(jié)合，將推動(dòng)GaN器件在Class D功放中的快速發(fā)展，迎來GaN Class D技術(shù)的創(chuàng)新時(shí)代。
2023-06-25 15:59:21
寬禁帶半導(dǎo)體材料氮化鎵（GaN）以其良好的物理化學(xué)和電學(xué)性能成為繼第一代元素半導(dǎo)體硅（Si）和第二代化合物半導(dǎo)體砷化鎵（GaAs）、磷化鎵（GaP）、磷化銦（InP）等之后迅速發(fā)展起來的第三代半導(dǎo)體
2019-06-25 07:41:00
已聽到我們的行業(yè)代言人宣布，“GaN將迎來黃金發(fā)展時(shí)間?！边@一公告似乎在暗示，GaN已準(zhǔn)備好出現(xiàn)在廣大聽眾、用戶或?yàn)閿?shù)眾多的應(yīng)用面前。這也表明，GaN技術(shù)已經(jīng)如此成熟，不能認(rèn)為它是一個(gè)有問題的技術(shù)
2018-08-30 15:05:41
”就是把手機(jī)收起來的意思；最后，我們終于可以起飛了。我們的行業(yè)發(fā)言人已經(jīng)宣布，“GaN已經(jīng)為黃金時(shí)間做好了準(zhǔn)備。”這個(gè)聲明似乎預(yù)示著GaN已經(jīng)為廣泛使用做好準(zhǔn)備，或者說在大量的應(yīng)用中，已經(jīng)可以使用GaN
2018-09-06 15:31:50
PD快充65W常用什么規(guī)格GaN
2021-12-26 19:57:19
為什么GaN可以在市場(chǎng)中取得主導(dǎo)地位?簡(jiǎn)單來說，相比LDMOS硅技術(shù)而言，GaN這一材料技術(shù)，大大提升了效率和功率密度。約翰遜優(yōu)值，表征高頻器件的材料適合性優(yōu)值， 硅技術(shù)的約翰遜優(yōu)值僅為1， GaN最高，為324。而GaAs，約翰遜優(yōu)值為1.44。肯定地說，GaN是高頻器件材料技術(shù)上的突破。
2019-06-26 06:14:34
突破GaN功率半導(dǎo)體的速度限制
2023-06-25 07:17:49
的關(guān)鍵技術(shù)部分——射頻功率器件也迎來了重大變化。目前基站功率放大器主要為L(zhǎng)DMOS技術(shù)和GaAs技術(shù)。GaN PA由于具有帶寬更寬…
2022-11-08 07:37:24
,但有些指標(biāo)（如傳輸速率等方面）已超過CCD?！ ∮捎贑MOS具有諸多優(yōu)點(diǎn)，國(guó)內(nèi)外許多機(jī)構(gòu)已經(jīng)應(yīng)用CMOS圖像傳感器開發(fā)出眾多產(chǎn)品?！ MOS傳感器關(guān)鍵技術(shù)取得突破 CMOS傳感器的技術(shù)發(fā)展跟隨
2018-12-04 15:59:27
Leadway GaN系列模塊以120W/in3的功率密度為核心，通過材料創(chuàng)新、電路優(yōu)化與封裝設(shè)計(jì)，實(shí)現(xiàn)了體積縮減40%、效率提升92%+的突破。其價(jià)值在于為工業(yè)自動(dòng)化、機(jī)器人、電動(dòng)汽車等空間受限
2025-10-22 09:09:58
基于SiC/GaN的新一代高密度功率轉(zhuǎn)換器SiC/GaN具有的優(yōu)勢(shì)
2021-03-10 08:26:03
解決方案中，從而進(jìn)一步突破了對(duì)常規(guī)功率密度預(yù)期的限值?；跀?shù)十年電源測(cè)試方面的專業(yè)知識(shí)，TI已經(jīng)對(duì)GaN進(jìn)行了超百萬小時(shí)的加速測(cè)試，并且建立了一個(gè)能夠?qū)崿F(xiàn)基于GaN電源設(shè)計(jì)的生態(tài)系統(tǒng)。 GaN將在電源密集
2018-09-11 14:04:25
GaN技術(shù)融入到電源解決方案中，從而進(jìn)一步突破了對(duì)常規(guī)功率密度預(yù)期的限值?；跀?shù)十年電源測(cè)試方面的專業(yè)知識(shí)，TI已經(jīng)對(duì)GaN進(jìn)行了超百萬小時(shí)的加速測(cè)試，并且建立了一個(gè)能夠?qū)崿F(xiàn)基于GaN電源
2018-09-10 15:02:53
我想使用 swipeContainer。它只能水平滑動(dòng)。可以垂直滑動(dòng)嗎？
2023-01-13 06:45:15
書籍：《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》文章：GaN 基板的表面處理編號(hào)：JFSJ-21-077作者：炬豐科技網(wǎng)址：http://www.wetsemi.com/index.html關(guān)鍵詞： GaN 襯底
2021-07-07 10:26:01
晶體學(xué)和濕蝕刻的性質(zhì)? 濕的在基于KOH的化學(xué)中，GaN 的化學(xué)蝕刻具有高度的各向異性，能夠形成垂直和光滑的多面納米結(jié)構(gòu)。文章全部詳情，請(qǐng)加V獲取：hlknch / xzl1019? 我們 可以
2021-07-08 13:09:52
已經(jīng)報(bào)道了具有低至 4±6 nm 的 rms 粗糙度的表面。濕法蝕刻也已被證明用于蝕刻氮化鎵，蝕刻具有設(shè)備成本相對(duì)較低、表面損傷小等優(yōu)點(diǎn)，但目前還沒有找到生產(chǎn)光滑垂直側(cè)壁的方法。還報(bào)道了 GaN 的解理
2021-07-07 10:24:07
氮化鎵(GaN)這種寬帶隙材料將引領(lǐng)射頻功率器件新發(fā)展并將砷化鎵(GaAs)和LDMOS(橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體)器件變成昨日黃花？看到一些媒體文章、研究論文、分析報(bào)告和企業(yè)宣傳文檔后你當(dāng)然會(huì)這樣
2019-07-31 07:54:41
鎵(Ga) 是一種化學(xué)元素，原子序數(shù)為31。鎵在自然界中不存在游離態(tài)，而是鋅和鋁生產(chǎn)過程中的副產(chǎn)品。GaN 化合物由鎵原子和氮原子排列構(gòu)成，最常見的是纖鋅礦晶體結(jié)構(gòu)。纖鋅礦晶體結(jié)構(gòu)（如下圖所示）呈六
2019-08-01 07:24:28
什么是GaN？如何面對(duì)GaN在測(cè)試方面的挑戰(zhàn)？
2021-05-06 07:52:03
圖像生成對(duì)抗生成網(wǎng)絡(luò)ganHello there! This is my story of making a GAN that would generate images of cars
2021-08-31 06:48:41
在過去的十多年里，行業(yè)專家和分析人士一直在預(yù)測(cè)，基于氮化鎵(GaN)功率開關(guān)器件的黃金時(shí)期即將到來。與應(yīng)用廣泛的MOSFET硅功率器件相比，基于GaN的功率器件具有更高的效率和更強(qiáng)的功耗處理能力
2019-06-21 08:27:30
天線是什么？天線的環(huán)境設(shè)計(jì)要求有哪些？天線設(shè)計(jì)問題如何去突破？
2021-07-11 06:18:58
您已了解GaN晶體管出色的性能，您很興奮。樣品總算來到，您將它們放入板中。您打開電源，施加負(fù)載，結(jié)果……性能并沒有比以前更好。更糟糕的是，遇到了以前不存在的開關(guān)問題。這些晶體管不好。真遺憾。為何出現(xiàn)這種情況？有沒有可能遺漏了什么？如何正確理解GaN？十分重要！
2019-07-30 06:21:32
作為一項(xiàng)相對(duì)較新的技術(shù)，氮化鎵(GaN) 采用的一些技術(shù)和思路與其他半導(dǎo)體技術(shù)不同。對(duì)于基于模型的GaN功率放大器(PA) 設(shè)計(jì)新人來說，在知曉了非線性GaN模型的基本概念（非線性模型如何幫助進(jìn)行
2019-07-31 06:44:26
如何設(shè)計(jì)GaN氮化鎵 PD充電器產(chǎn)品？
2021-06-15 06:30:55
換能器的輸出怎么測(cè)水平和垂直的
2015-10-20 17:50:24
GAN的數(shù)學(xué)推導(dǎo)和案例應(yīng)用
2020-04-13 09:34:52
智能設(shè)備突破尺寸桎梏
2021-01-12 07:59:22
您好，有人能告訴我如何在原理圖窗口中添加GaN器件，因?yàn)楫?dāng)我在ADS的原理圖窗口中搜索它時(shí)，它只顯示GaAs，JFET和BJT器件。我想做一個(gè)功率放大器模擬，我需要一個(gè)GaN器件。請(qǐng)?zhí)岢瞿愕慕ㄗh
2019-01-17 15:55:31
?！ ?b class="flag-6" style="color: red">GaN等突破性技術(shù)的長(zhǎng)期影響是顯著的：較低的功率損耗意味著我們不需要很多新發(fā)電廠來滿足日益增長(zhǎng)的電力需求。更高的功率密度意味著更多的集成。電池供電電路(例如電動(dòng)車輛、無人機(jī)和機(jī)器人中的電路)可以
2018-11-20 10:56:25
X-GaN晶體管在Vds尖峰電壓額定值為750V（1微秒）時(shí)獲得認(rèn)證。垂直場(chǎng)依賴擊穿也在相同的1kV范圍內(nèi); 松下柵極驅(qū)動(dòng)器IC 松下于2016年底為希望使用GiT快速部署解決方案的開發(fā)人員推出了自己
2023-02-27 15:53:50
示波器垂直量測(cè)量出現(xiàn)偏差的原因是什么？如何減小示波器垂直量測(cè)量偏差？
2021-05-08 09:48:06
示波器的垂直噪聲從哪里來？示波器垂直噪聲會(huì)帶來什么影響？
2021-05-10 06:08:48
創(chuàng)新，目前在GaN微波射頻領(lǐng)域已取得顯著成效，在軍事國(guó)防領(lǐng)域和民用通信領(lǐng)域兩個(gè)領(lǐng)域進(jìn)行突破，打造了中電科13所、中電科55所、zhongxing通信、大唐移動(dòng)等重點(diǎn)企業(yè)以及China移動(dòng)、China聯(lián)通等大客戶。
2019-04-13 22:28:48
氮化鎵GaN是什么？
2021-06-16 08:03:56
利用外延片焊接技術(shù),把Si(111)襯底上生長(zhǎng)的GaN藍(lán)光LED外延材料壓焊到新的Si襯底上.在去除原Si襯底和外延材料中緩沖層后,制備了垂直結(jié)構(gòu)GaN藍(lán)光LED.與外延材料未轉(zhuǎn)移的同側(cè)結(jié)構(gòu)相比,轉(zhuǎn)移
2011-04-14 13:29:34
29 TI正在設(shè)計(jì)基于GaN原理的綜合質(zhì)量保證計(jì)劃和相關(guān)的應(yīng)用測(cè)試來提供可靠的GaN解決方案。氮化鎵（GaN）的材料屬性可使電源開關(guān)具有令人興奮且具有突破性的全新特性—功率GaN。高電子遷移晶體管（HEMT）。
2016-04-25 14:16:153391 如今國(guó)產(chǎn)處理器性能已經(jīng)不弱于國(guó)外處理器，中國(guó)芯片終于迎來了“芯突破”，到2020年，集成電路產(chǎn)業(yè)與國(guó)際先進(jìn)水平的差距逐步縮小，保持現(xiàn)有20%的發(fā)展速度，必將成為美國(guó)的最大競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手。
2018-01-22 15:30:052216 創(chuàng)造力一直被認(rèn)為是人類智能與人工智能最大的差別之一。然而隨著技術(shù)的發(fā)展，近年來人工智能在具有“創(chuàng)造性”的工作中不斷突破。之前微軟小冰寫詩(shī)，已經(jīng)讓大家驚嘆計(jì)算機(jī)在文字創(chuàng)作上的大幅提升，如今微軟亞洲
2018-04-03 09:54:494268 浙江大學(xué)近期首次報(bào)道了沒有電流折疊（即沒有動(dòng)態(tài)導(dǎo)通電阻降低）的垂直GaN功率整流器（GaN-on-GaN）。這款功率整流器即使在從高反向應(yīng)力偏置切換到500V后也僅需200ns，性能也超過了目前最先進(jìn)的硅（GaN-on-Si）器件上的橫向氮化鎵。
2018-10-26 17:28:516069 近年來，由于氮化鎵(GaN)在高頻下的較高功率輸出和較小的占位面積，GaN已被RF工業(yè)大量采用。
2019-07-01 15:13:352691 
在4月8日晚間的華為春季新品發(fā)布會(huì)上，期待已久的華為P40系列國(guó)行版終于發(fā)布，與此同時(shí)，華為還帶來了一款充電器新品，功率65W。這款充電器屬于 GaN（氮化鎵）類型，支持雙口超級(jí)快充（Type-A
2020-07-16 15:24:451453 GaN技術(shù)突破了硅基IGBT和SiC等現(xiàn)有技術(shù)的諸多局限，可為各種功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用帶來直接和間接的性能效益。在電動(dòng)車領(lǐng)域，GaN技術(shù)可直接降低功率損耗，從而為汽車實(shí)現(xiàn)更長(zhǎng)的行駛里程。同時(shí)，更高效的功率
2020-09-18 16:19:173486 人工智能和機(jī)器學(xué)習(xí)已經(jīng)成為科技行業(yè)的熱門話題，而想要讓它們變得更加智能就必須要提供更多的數(shù)據(jù)進(jìn)行訓(xùn)練。NVIDIA 研究部門旗下的生成對(duì)抗網(wǎng)絡(luò)（GAN）近日迎來一個(gè)新的里程碑，即便是在非常小的數(shù)據(jù)集
2020-12-09 16:59:391822 依托先進(jìn)的半導(dǎo)體器件仿真設(shè)計(jì)平臺(tái)，天津賽米卡爾科技有限公司技術(shù)團(tuán)隊(duì)實(shí)現(xiàn)了擊穿電壓為420 V的GaN基準(zhǔn)垂直肖特基功率二極管的設(shè)計(jì)方案（SFP-SBD：具有側(cè)壁場(chǎng)板的GaN基準(zhǔn)垂直肖特基功率二極管
2021-07-14 16:46:551772 器件都是基于碳化硅的(SiC) 或氮化鎵 (GaN)。盡管迄今為止它在低壓應(yīng)用（大約 650 V 及以下）方面取得了成功，但最成熟的 GaN 基功率器件高電子遷移率晶體管 (HEMT) 并不適用于中壓（大致定義為 1.2 至 20 kV） ) 應(yīng)用，包括電動(dòng)汽車傳動(dòng)系統(tǒng)和許多電網(wǎng)應(yīng)用。這
2022-07-29 10:35:012194 
GaN 是一種高帶隙材料，與硅相比，它允許器件在更高的溫度下運(yùn)行并承受更高的電壓。此外，GaN 更高的介電擊穿允許構(gòu)建更薄且因此電阻更低的器件。較低的特性 R DS(on)導(dǎo)致具有較低電容的較小器件。垂直 GaN 器件能夠以更高的頻率進(jìn)行開關(guān)并在更高的電壓下運(yùn)行。
2022-08-08 10:04:592610 
CEO進(jìn)一步指出，產(chǎn)品樣品制造的完成鞏固了 Odyssey 作為功率應(yīng)用垂直 GaN 技術(shù)領(lǐng)導(dǎo)者的地位。它需要我們的重要知識(shí)產(chǎn)權(quán)來制造適用于客戶用例的產(chǎn)品。
2023-01-11 09:55:541224 依托先進(jìn)的半導(dǎo)體器件仿真設(shè)計(jì)平臺(tái)，天津賽米卡爾科技有限公司技術(shù)團(tuán)隊(duì)實(shí)現(xiàn)了擊穿電壓為420 V的GaN基準(zhǔn)垂直肖特基功率二極管的設(shè)計(jì)方案（SFP-SBD：具有側(cè)壁場(chǎng)板的GaN
基準(zhǔn)垂直肖特基功率
2023-02-27 15:50:384 由于 GaN 具有更小的晶體管、更短的電流路徑、超低的電阻和電容等優(yōu)勢(shì)，GaN 充電器的運(yùn)行速度，比傳統(tǒng)硅器件要快 100 倍。GaN 在電力電子領(lǐng)域主要優(yōu)勢(shì)在于高效率、低損耗與高頻率，GaN 材料的這一特性令其在充電器行業(yè)大放異彩。
2023-04-25 15:08:216118 
近日，由深圳大學(xué)和深圳信息職業(yè)技術(shù)學(xué)院組成的科研團(tuán)隊(duì)，研發(fā)出了“基于全HVPE生長(zhǎng)、具有創(chuàng)紀(jì)錄的高品質(zhì)優(yōu)值(1.1 GW/cm2)的垂直GaN肖特基勢(shì)壘二極管“，并以“Vertical GaN
2023-06-13 14:10:352904 
2035年，60歲及以上老年人口將突破4億，智能家居適老化迎來發(fā)展
2023-01-31 10:44:231752 
GaN因其特性，作為高性能功率半導(dǎo)體材料而備受關(guān)注，近年來其開發(fā)和市場(chǎng)導(dǎo)入不斷加速。GaN功率器件有兩種類型：水平型（在硅晶圓上生長(zhǎng)GaN晶體）和垂直型（原樣使用GaN襯底）。
2023-09-13 15:05:252393 
本文轉(zhuǎn)載自《商學(xué)院》雜志，作者：石丹 原標(biāo)題：歡迎來到“垂直增長(zhǎng)”時(shí)代 全球科技創(chuàng)新浪潮重塑產(chǎn)業(yè)未來，企業(yè)將如何馭潮而進(jìn)？《商學(xué)院》雜志專訪微軟全球資深副總裁張祺博士，他認(rèn)為，AI 和大模型正在極大
2023-09-15 00:10:031327 
重點(diǎn)摘要 GaN Systems第四代氮化鎵平臺(tái) (Gen 4 GaN Platform) 幫助全球客戶在能源效率及尺寸微縮上突破瓶頸。 以業(yè)界領(lǐng)先的質(zhì)量因子 (figures of merit
2023-09-28 09:28:32968 使用GaN（氮化鎵）的功率半導(dǎo)體作為節(jié)能/低碳社會(huì)的關(guān)鍵器件而受到關(guān)注。兩家日本公司聯(lián)手創(chuàng)造了一項(xiàng)新技術(shù)，解決了導(dǎo)致其全面推廣的問題。
2023-10-20 09:59:402367 
GaN的驅(qū)動(dòng)電路有哪些挑戰(zhàn)？怎么在技術(shù)上各個(gè)突破？GaN驅(qū)動(dòng)電路有哪些設(shè)計(jì)技巧？ GaN（氮化鎵）是一種新型的半導(dǎo)體材料，相比傳統(tǒng)的硅材料，具有更高的電子遷移率和能力，因此在功率電子領(lǐng)域有著廣泛
2023-11-07 10:21:441826 隨著半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展，垂直GaN功率器件逐漸憑借其優(yōu)勢(shì)逐漸應(yīng)用在更多的領(lǐng)域中。高質(zhì)量的GaN單晶材料是制備高性能器件的基礎(chǔ)。
2023-12-27 09:32:541870 
NexGen認(rèn)為，將垂直氮化鎵逆變器驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)引入電動(dòng)汽車市場(chǎng)可以幫助汽車制造商提高續(xù)航里程、減輕重量并提高系統(tǒng)可靠性。
2024-01-17 10:36:041348 目前，以傳統(tǒng)半導(dǎo)體硅（Si）為主要材料的半導(dǎo)體器件仍然主導(dǎo)著電力電子功率元件。
2024-01-25 11:04:512110 
該文獻(xiàn)進(jìn)一步透露，實(shí)現(xiàn)這一器件所采用的氮化鎵外延材料結(jié)構(gòu)包括：1.5μm薄層緩沖層和AlGaN/GaN異質(zhì)結(jié)結(jié)構(gòu)。
2024-01-25 11:30:101046 
橫向排列，并被限制在氮化鎵內(nèi)部，但靠近表面在垂直器件中，電場(chǎng)均勻地分布在GaN內(nèi)。因此，垂直器件可以在不增加芯片尺寸的情況下提高擊穿電壓。在這兩種幾何結(jié)構(gòu)中實(shí)現(xiàn)GaN的全部潛力的一個(gè)主要障礙是器件工作溫度。在工作條件下，GaN功
2024-06-04 10:24:411303 
隨著全球?qū)Ω咝茈娏鉀Q方案的需求日益增加，氮化鎵(GaN)技術(shù)正在成為功率電子產(chǎn)業(yè)的一大亮點(diǎn)。近期，英飛凌和德州儀器等行業(yè)巨頭對(duì)GaN技術(shù)的投入不斷加大，標(biāo)志著功率GaN產(chǎn)業(yè)的發(fā)展即將迎來新一輪
2024-08-15 10:39:241371 
PI近日宣布推出1700V氮化鎵(GaN)開關(guān)IC，這一技術(shù)突破有哪些亮點(diǎn)?它將如何影響高壓氮化鎵市場(chǎng)? 近日，Power Integrations(以下簡(jiǎn)稱PI)宣布推出InnoMux?-2系列單
2024-11-15 11:09:551394 
垂直和橫向氮化鎵(GaN)器件的集成可以成為功率電子學(xué)領(lǐng)域的一次革命性進(jìn)展。這種集成能夠使驅(qū)動(dòng)和控制橫向GaN器件與垂直功率器件緊密相鄰。在本文中，我們將總結(jié)一種解決橫向和垂直器件隔離問題的方法
2025-01-16 10:55:521228 
近日，日本豐田合成株式會(huì)社宣布了一項(xiàng)重大技術(shù)突破：成功開發(fā)出用于垂直晶體管的200mm（8英寸）氮化鎵（GaN）單晶晶圓。
2025-01-23 16:46:061301 隨著DeepSeek這類通用大模型的普及，接下來會(huì)迎來更加精細(xì)化的垂直行業(yè)模型，那么哪些垂直行業(yè)會(huì)率先受益？以下是DeepSeek的整理預(yù)測(cè)，供大家參考。
2025-02-10 15:44:381490 尺寸小得多、工作頻率高得多的AlN/GaN HEMT。 該團(tuán)隊(duì)的突破涉及原位鈍化和使用選擇性刻蝕工藝添加再生長(zhǎng)重?fù)诫sn型接觸。 AlN/GaN HEMT是一類極具前景的晶體管，可用于射頻和功率器件
2025-06-12 15:44:37800 
隨著全球能源需求因 AI 數(shù)據(jù)中心、電動(dòng)汽車以及其他高能耗應(yīng)用而激增，安森美（onsemi）推出垂直氮化鎵（vGaN）功率半導(dǎo)體，為相關(guān)應(yīng)用的功率密度、能效和耐用性樹立新標(biāo)桿。這些突破性的新一代
2025-10-31 13:56:161980 在傳統(tǒng)橫向結(jié)構(gòu)的GaN器件中，電流沿芯片表面流動(dòng)。而垂直 GaN 的 GaN 層生長(zhǎng)在氮化鎵襯底上，其獨(dú)特結(jié)構(gòu)使電流能直接從芯片頂部流到底部，而不是僅在表面流動(dòng)。這種垂直電流路徑讓器件能夠承受更高的電壓和更大的電流，從而實(shí)現(xiàn)更高的功率密度、更高的效率和更緊湊的系統(tǒng)設(shè)計(jì)。
2025-12-04 09:28:281693 
在傳統(tǒng)橫向結(jié)構(gòu)的GaN器件中，電流沿芯片表面流動(dòng)。而垂直GaN的GaN層生長(zhǎng)在氮化鎵襯底上，其獨(dú)特結(jié)構(gòu)使電流能直接從芯片頂部流到底部，而不是僅在表面流動(dòng)。這種垂直電流路徑讓器件能夠承受更高的電壓
2025-12-04 17:13:20471 
2025年12月6日，芯干線攜自主研發(fā)的 GaN（氮化鎵）核心技術(shù)及產(chǎn)品參展世紀(jì)電源網(wǎng)主辦的亞洲電源展，憑借突破性技術(shù)成果與高競(jìng)爭(zhēng)力產(chǎn)品，成功斬獲 “GaN行業(yè)技術(shù)突破獎(jiǎng)”，成為展會(huì)核心關(guān)注企業(yè)。
2025-12-13 10:58:20764 
電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/梁浩斌）今年一月，電子發(fā)燒友網(wǎng)曾報(bào)道專注于垂直GaN器件的美國(guó)GaN IDM初創(chuàng)公司NexGen Power Systems破產(chǎn)倒閉；而在今年3月，另一家位于美國(guó)紐約州的垂直
2024-04-06 00:04:005247 
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