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電子發(fā)燒友網(wǎng)>今日頭條>疊層電感的工藝

疊層電感的工藝

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2025-08-22 09:03:081227

KiCad PCB 中的 Adhesive 有什么用?詳解 SMT 中的紅膠工藝

聽(tīng)到但卻不太常用的“紅膠”工藝。 ? ” ? KiCad 中的 Adhesive KiCad 的 PCB 中存在兩個(gè)其他 EDA 工具中不太常見(jiàn)的:F.Adhesive 以及
2025-08-20 11:17:3610492

KLA邀您相約2025鈣鈦礦與電池產(chǎn)業(yè)化論壇

長(zhǎng)三角作為中國(guó)光伏產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新高地,依托雄厚的產(chǎn)業(yè)基礎(chǔ)和人才優(yōu)勢(shì),已構(gòu)建起從材料供應(yīng)、裝備制造、組件生產(chǎn)到場(chǎng)景應(yīng)用的鈣鈦礦與晶硅雙軌并行產(chǎn)業(yè)鏈,并建成全球最大的鈣鈦礦光伏產(chǎn)業(yè)基地。在前景無(wú)限的技術(shù)
2025-08-20 11:13:021462

混合壓PCB板的成本如何控制?

? 控制混合壓PCB板的成本需要從材料選擇、設(shè)計(jì)優(yōu)化、工藝控制等多方面綜合考量,以下是關(guān)鍵策略: 一、材料分層優(yōu)化 ? 高頻與普通材料混用 ? 核心信號(hào)采用高頻板材(如Rogers
2025-08-15 11:33:21747

n型背接觸BC電池:通過(guò)SiNx/SiON優(yōu)化減反射與表面鈍化性能

性能,在簡(jiǎn)化工藝的同時(shí)整合富硅SiNx的鈍化優(yōu)勢(shì)與SiON的減反射特性。美能絨面反射儀用實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)可以證明SiNx/SiON在真實(shí)絨面結(jié)構(gòu)上的減反射優(yōu)勢(shì),為光學(xué)模擬結(jié)
2025-08-13 09:02:381179

風(fēng)華高科貼片電感型號(hào)封裝尺寸

風(fēng)華高科的貼片電感型號(hào)豐富,其封裝尺寸根據(jù)產(chǎn)品類型和系列有所不同,以下是詳細(xì)介紹: 一、片式電感 1、CMI系列(片式鐵氧體電感) 示例型號(hào) :CMI453215X8R2KT 封裝尺寸
2025-08-11 15:13:10980

鋰離子電池的裝配——電極卷繞和

鋰離子電池的裝配是一個(gè)復(fù)雜且高度專業(yè)化的過(guò)程,涉及很多關(guān)鍵的步驟和嚴(yán)格的質(zhì)量把控。裝配過(guò)程通??梢苑殖删砝@、片、組裝、焊接等工序。而在眾多裝配工藝中,電極卷繞和電極的片對(duì)應(yīng)著鋰電子電池核心
2025-08-05 17:49:362399

低成本規(guī)?;拟}鈦礦/硅電池實(shí)現(xiàn)路徑:從溶液法PBL加工到MPPT效率驗(yàn)證

鈣鈦礦/硅電池可突破單結(jié)電池效率極限,但半透明頂電池(ST-PSC)的ITO濺射會(huì)引發(fā)等離子體損傷。傳統(tǒng)ALD-SnO?緩沖因沉積速率慢、成本高制約產(chǎn)業(yè)化。本研究提出溶液法金屬氧化物納米顆粒
2025-08-04 09:03:361041

TSV制造技術(shù)里的通孔刻蝕與絕緣

相較于傳統(tǒng)CMOS工藝,TSV需應(yīng)對(duì)高深寬比結(jié)構(gòu)帶來(lái)的技術(shù)挑戰(zhàn),從激光或深層離子反應(yīng)刻蝕形成盲孔開(kāi)始,經(jīng)等離子體化學(xué)氣相沉積絕緣、金屬黏附/阻擋/種子的多層沉積,到銅電鍍填充及改進(jìn)型化學(xué)機(jī)械拋光(CMP)處理厚銅,每一步均需對(duì)既有設(shè)備與材料進(jìn)行適應(yīng)性革新,最終構(gòu)成三維集成的主要工藝成本來(lái)源。
2025-08-01 09:13:511976

如何從新材料和新工藝中降低電感變壓器損耗

變壓器、電感器的技術(shù)方向簡(jiǎn)單來(lái)說(shuō)就是實(shí)現(xiàn)低損耗和高轉(zhuǎn)化效率。在滿足電性能的前提下,降低損耗成為變壓器、電感器設(shè)計(jì)的關(guān)鍵。為此,需要對(duì)變壓器、電感器的損耗進(jìn)行詳細(xì)分解,并從材料技術(shù)和結(jié)構(gòu)工藝技術(shù)兩大
2025-07-25 13:44:04677

激光焊接技術(shù)在焊接電感線圈工藝中的應(yīng)用

技術(shù)在焊接電感線圈工藝中的應(yīng)用。 ? ? 激光焊接技術(shù)在焊接電感線圈工藝中的應(yīng)用工藝優(yōu)勢(shì): 1.精細(xì)熱輸入與局部化效應(yīng):激光束能量高度集中,能在極短時(shí)間內(nèi)作用于微米級(jí)區(qū)域。這種特性顯著降低了對(duì)線圈骨架、絕緣及鄰近精
2025-07-22 14:24:44367

如何為EMC設(shè)計(jì)選擇PCB結(jié)構(gòu)

在設(shè)計(jì)電磁兼容性(EMC)表現(xiàn)優(yōu)異的 PCB 時(shí),結(jié)構(gòu)的選擇是需要掌握的核心概念之一。
2025-07-15 10:25:036330

隆基最新Nature:非對(duì)稱自組裝分子刷新鈣鈦礦/硅電池效率至34.58%!

在絨面硅基板上實(shí)現(xiàn)高有序、均勻覆蓋的自組裝單分子(SAMs)是提升鈣鈦礦/硅電池(TSCs)效率的關(guān)鍵難題。本文開(kāi)發(fā)了一種不對(duì)稱自組裝單分子HTL201作為空穴選擇(HSL),在鈣鈦礦/硅
2025-07-11 09:03:121540

Allegro Skill工藝輔助之導(dǎo)入模板

在PCB設(shè)計(jì)中,導(dǎo)入模板能夠確保設(shè)計(jì)的標(biāo)準(zhǔn)化和規(guī)范化,避免因手動(dòng)設(shè)置參數(shù)而可能出現(xiàn)的錯(cuò)誤或不一致情況。
2025-07-10 17:10:082959

降本30% 一體成型電感如何絲滑過(guò)渡熱壓工藝

200顆;新能源汽車隨著功能的增加,一體成型電感的用量也達(dá)到80-100顆甚至更多,并且這種用量增加的趨勢(shì)還在持續(xù)。 龐大的一體成型電感用量,也對(duì)一體成型電感的生產(chǎn)工藝提出了新的挑戰(zhàn)和要求?!洞判栽c電源》采訪了深圳市星特科技股份有限公司(
2025-07-07 14:05:58512

銀線二焊鍵合點(diǎn)剝離失效原因:鍍銀結(jié)合力差VS銀線鍵合工藝待優(yōu)化!

銀線二焊鍵合點(diǎn)剝離LED死燈的案子時(shí)常發(fā)生,大家通常爭(zhēng)論是鍍銀結(jié)合力差的問(wèn)題,還是鍵合線工藝問(wèn)題,而本案例,客戶在貼片完后出現(xiàn)死燈,金鑒接到客訴后立即進(jìn)行了初步分析,死燈現(xiàn)象為支架鍍銀脫落導(dǎo)致
2025-06-25 15:43:48742

PCB設(shè)計(jì)避坑指南

每次PCB設(shè)計(jì)最讓你頭疼的是什么?是密密麻麻的走線?還是讓人抓狂的EMI問(wèn)題?問(wèn)題的根源可能藏在你看不見(jiàn)的地方——PCB結(jié)構(gòu)。當(dāng)你的設(shè)計(jì)從實(shí)驗(yàn)室小批量轉(zhuǎn)到批量生產(chǎn)時(shí),是否遇到過(guò)信號(hào)完整性突然惡化
2025-06-25 07:36:242570

PCB設(shè)計(jì)避坑指南

0.5oz銅箔,內(nèi)層1oz;電源按電流需求選擇(2-3oz) 制造工藝中的實(shí)戰(zhàn)技巧 1、Foil vs Core法 Foil法(外層壓銅箔): 成本低,但阻抗控制難(表層流膠問(wèn)題) Core法
2025-06-24 20:09:53

氧化硅薄膜和氮化硅薄膜工藝詳解

氧化硅薄膜和氮化硅薄膜是兩種在CMOS工藝中廣泛使用的介電薄膜。
2025-06-24 09:15:231750

母排在IGBT變流器中的應(yīng)用(3)

測(cè)量回路雜散電感常用方法有雙脈沖法、短路法及諧振法。雙脈沖法通過(guò)測(cè)量獲取IGBT關(guān)斷時(shí)的尖峰電壓Vpeak和電流變化率,利用公式來(lái)計(jì)算雜散電感Lstray;短路法通過(guò)測(cè)量IGBT短路開(kāi)通時(shí)的下降電壓
2025-06-17 09:53:402027

母排在IGBT變流器中的應(yīng)用(2)

回路中各環(huán)節(jié)電感值對(duì)于減小回路的總雜散電感而言十分重要。由于直流支撐電容器和IGBT的內(nèi)部電感是定值,其降低只能通過(guò)器件制造商提高制造和工藝水平來(lái)實(shí)現(xiàn)。IGBT 和母排間若采用螺釘連接方式,其電感值也基本固定。因此,減小疊母排的自身電感是進(jìn)一步減小回路總雜散電感的關(guān)鍵所在。
2025-06-17 09:52:201849

母排在IGBT變流器中的應(yīng)用(1)

研究IGBT器件的開(kāi)關(guān)及特性對(duì)實(shí)現(xiàn)IGBT變流器的高性能具有重要的意義,IGBT DC Link主回路的寄生電感會(huì)影響IGBT的開(kāi)關(guān)特性。本文研究IGBT 變流器中常用的母排,分析IGBT尖峰
2025-06-17 09:45:101781

一文詳解銅互連工藝

銅互連工藝是一種在集成電路制造中用于連接不同電路的金屬互連技術(shù),其核心在于通過(guò)“大馬士革”(Damascene)工藝實(shí)現(xiàn)銅的嵌入式填充。該工藝的基本原理是:在絕緣上先蝕刻出溝槽或通孔,然后在溝槽或通孔中沉積銅,并通過(guò)化學(xué)機(jī)械拋光(CMP)去除多余的銅,從而形成嵌入式的金屬線。
2025-06-16 16:02:023559

天合光能再度刷新組件功率世界紀(jì)錄

繼6月9日宣布鈣鈦礦/晶體硅30.6%組件效率及829W組件功率雙世界紀(jì)錄后,天合光能今日再傳喜訊——組件功率提升至841W,再次打破世界紀(jì)錄。短短一周內(nèi)三次刷新世界紀(jì)錄,充分彰顯了“天合速度”在前沿創(chuàng)新技術(shù)上的強(qiáng)大動(dòng)能與領(lǐng)先力。
2025-06-13 15:58:47797

天合光能鈣鈦礦晶體硅組件再次刷新世界紀(jì)錄

天合光能宣布,其光伏科學(xué)與技術(shù)全國(guó)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室自主研發(fā)的大面積鈣鈦礦/晶體硅組件在轉(zhuǎn)換效率方面取得重大突破,經(jīng)德國(guó)夫瑯禾費(fèi)太陽(yáng)能研究所(Fraunhofer ISE)獨(dú)立測(cè)試認(rèn)證,面積為1185cm2的實(shí)驗(yàn)室組件效率達(dá)到30.6% ,成為全球首個(gè)實(shí)現(xiàn)組件效率突破30%大關(guān)的光伏企業(yè) 。
2025-06-11 16:03:16735

三星貼片電容的陶瓷技術(shù)(MLCC)詳解

三星貼片電容的陶瓷技術(shù),即MLCC(Multi-layer Ceramic Capacitors,多層陶瓷電容器),是一種先進(jìn)的電容器制造技術(shù)。以下是對(duì)三星MLCC技術(shù)的詳細(xì)解析: 一、技術(shù)
2025-06-10 15:33:27787

超寬光譜傳感器,要改變智能駕駛格局?

股份有限公司全資子公司,將獨(dú)家為鋮光電提供超寬光譜圖像傳感芯片的晶圓異質(zhì)以及測(cè)試等工藝技術(shù)服務(wù)。公告還提到,晶圓異質(zhì)工藝復(fù)雜,必須利用光刻機(jī)、刻蝕機(jī)、薄膜沉積、晶圓檢測(cè)等一系列前道及后道半導(dǎo)體設(shè)備和工藝,實(shí)現(xiàn)晶
2025-06-08 07:04:006223

鉭鈦共摻雜氧化銦電極:構(gòu)建低缺陷、高透過(guò)率的鈣鈦礦/硅四端太陽(yáng)能電池

透明導(dǎo)電氧化物(TCOs)是半透明及光伏電池的核心組件。傳統(tǒng)ITO電極在近紅外(NIR)波段存在寄生吸收問(wèn)題,限制了鈣鈦礦/硅電池的效率。對(duì)于半透明鈣鈦礦頂電池,近紅外(NIR)區(qū)域的高透過(guò)
2025-05-23 09:02:01875

四端鈣鈦礦/硅太陽(yáng)能電池效率突破29.34%:機(jī)械堆疊-光學(xué)耦合的厚度及摻雜濃度優(yōu)化研究

單結(jié)太陽(yáng)能電池的理論效率受限于Shockley-Queisser極限(29.6%),而鈣鈦礦/硅結(jié)構(gòu)通過(guò)分光譜吸收可突破這一限制。然而,傳統(tǒng)鈣鈦礦電池依賴貴金屬電極與有機(jī)空穴傳輸材料(HTM
2025-05-21 09:02:301081

風(fēng)華貼片電感的標(biāo)準(zhǔn)分類體系

的立體化分類框架。 一、結(jié)構(gòu)形態(tài)分類:工藝差異驅(qū)動(dòng)產(chǎn)品迭代 風(fēng)華貼片電感的核心分類維度之一是結(jié)構(gòu)形態(tài),該維度直接決定了產(chǎn)品的電氣性能與制造工藝。根據(jù)線圈繞制方式與磁芯材質(zhì)的不同,產(chǎn)品可分為三大類: 片式電感 采用
2025-05-19 14:04:44543

鈣鈦礦/硅電池技術(shù)新進(jìn)展:低壓化學(xué)氣相沉積(LP-CVD)技術(shù)實(shí)現(xiàn)高效穩(wěn)定

鈣鈦礦太陽(yáng)能電池(PSCs)因其高效率(單結(jié)>26%、鈣鈦礦/硅>34%)和低成本潛力,成為光伏領(lǐng)域的研究焦點(diǎn)。但溶液法制備的鈣鈦礦薄膜在大面積規(guī)?;a(chǎn)中面臨均勻性差、穩(wěn)定性不足等
2025-05-19 09:05:351712

基于組裝和雙腔體結(jié)構(gòu)的高密度集成技術(shù)

產(chǎn)品集成11顆芯片,58個(gè)無(wú)源元件,采用雙面陶瓷管殼作為載體,進(jìn)行雙層芯片裝和組裝,實(shí)現(xiàn)高密度集成。殼體工藝采用高溫多層陶瓷共燒工藝,可以最大限度地增加布線密度和縮短互連線長(zhǎng)度,從而提高組件密度
2025-05-14 10:49:47921

詳解原子沉積薄膜制備技術(shù)

CVD 技術(shù)是一種在真空環(huán)境中通過(guò)襯底表面化學(xué)反應(yīng)來(lái)進(jìn)行薄膜生長(zhǎng)的過(guò)程,較短的工藝時(shí)間以及所制備薄膜的高致密性,使 CVD 技術(shù)被越來(lái)越多地應(yīng)用于薄膜封裝工藝中無(wú)機(jī)阻擋的制備。
2025-05-14 10:18:571205

一文看懂晶硅/鈣鈦礦電池:從兩端到四端的結(jié)構(gòu)類型、設(shè)計(jì)原理與未來(lái)展望

突破26%。然而,這一數(shù)值仍低于單結(jié)器件的肖克利-奎塞爾(Shockley-Queisser,SQ)理論極限(33.15%)。電池通過(guò)結(jié)合不同帶隙材料實(shí)現(xiàn)光譜
2025-05-14 09:05:165756

邁向40%效率:新興四端鈣鈦礦電池從結(jié)構(gòu)優(yōu)化到性能提升的技術(shù)探索

四端(4T)鈣鈦礦太陽(yáng)能電池(TSCs)通過(guò)獨(dú)立優(yōu)化子電池的能帶隙和光吸收范圍,顯著提升了光能轉(zhuǎn)化效率(PCE)。隨著傳統(tǒng)鈣鈦礦/硅(PVK/Si)和鈣鈦礦/銅銦鎵硒(PVK/CIGS)結(jié)構(gòu)
2025-05-12 09:01:482272

捷多邦專家解讀:如何選擇最優(yōu)PCB方案?

在PCB設(shè)計(jì)中,多層板的設(shè)計(jì)直接影響信號(hào)完整性、電源分配和EMC性能。合理的結(jié)構(gòu)不僅能提升電路板的可靠性,還能優(yōu)化生產(chǎn)成本。作為行業(yè)領(lǐng)先的PCB制造商,捷多邦憑借豐富的生產(chǎn)經(jīng)驗(yàn),為工程師提供
2025-05-11 10:58:33629

四端鈣鈦礦效率突破30.3%,從PVK/Si到全鈣鈦礦四種主流結(jié)構(gòu)及性能分析

四端(4T)鈣鈦礦太陽(yáng)能電池(TSCs)通過(guò)獨(dú)立優(yōu)化子電池并規(guī)避電流匹配限制,展現(xiàn)出顯著效率優(yōu)勢(shì)。其模塊化設(shè)計(jì)支持靈活的材料選擇與制備工藝,成為突破單結(jié)器件效率極限的重要途徑。本文聚焦四端
2025-05-09 09:07:022949

提供半導(dǎo)體工藝可靠性測(cè)試-WLR晶圓可靠性測(cè)試

驗(yàn)證的通用方法。WLR技術(shù)的核心目標(biāo)與應(yīng)用場(chǎng)景 本質(zhì)目標(biāo):評(píng)估工藝穩(wěn)健性,削弱本征磨損機(jī)理(如電遷移、氧化擊穿),降低量產(chǎn)風(fēng)險(xiǎn),并為工藝優(yōu)化提供早期預(yù)警。 應(yīng)用場(chǎng)景:新工藝或新技術(shù)開(kāi)發(fā)階段,快速識(shí)別
2025-05-07 20:34:21

HDMI2.0濾波保護(hù)共模濾波器介紹

文章詳細(xì)介紹了HDMI2.0濾波保護(hù)共模濾波器的應(yīng)用背景和技術(shù)細(xì)節(jié)。HDMI2.0作為高清多媒體接口標(biāo)準(zhǔn),帶寬能力顯著提升至18 Gbps,但也帶來(lái)了電磁輻射風(fēng)險(xiǎn)增加的問(wèn)題。文中分析了
2025-05-07 17:25:430

鈣鈦礦/硅電池效率達(dá)30.74%,梯度折射率IZrO/IZO多層透明電極的應(yīng)用突破

鈣鈦礦/硅太陽(yáng)能電池因其理論效率超40%而成為光伏領(lǐng)域的研究熱點(diǎn)。然而,透明電極的光學(xué)損失(如反射與寄生吸收)嚴(yán)重限制了短路電流密度JSC的提升。傳統(tǒng)單層透明導(dǎo)電氧化物(TCO)如IZO(鋅摻雜
2025-05-07 09:03:422795

芯片制造中的阻擋沉積技術(shù)介紹

本文介紹了在芯片銅互連工藝中需要阻擋的原因以及關(guān)鍵工藝流程。
2025-05-03 12:56:002884

隆基再次刷新晶硅-鈣鈦礦電池轉(zhuǎn)換效率世界紀(jì)錄

近日,經(jīng)美國(guó)國(guó)家可再生能源實(shí)驗(yàn)室(NREL)認(rèn)證,隆基自主研發(fā)的晶硅-鈣鈦礦兩端電池轉(zhuǎn)換效率達(dá)到34.85%,再次刷新晶硅-鈣鈦礦電池轉(zhuǎn)換效率世界紀(jì)錄。消息一出,關(guān)于隆基“量產(chǎn)一代、研發(fā)一代、儲(chǔ)備一代”的產(chǎn)品研發(fā)體系再次引發(fā)行業(yè)關(guān)注和討論。
2025-04-27 14:01:01872

效率超30%!雙面鈣鈦礦/晶硅電池的IBC光柵設(shè)計(jì)與性能優(yōu)化

全球正致力于提升鈣鈦礦光伏電池的效率,其中太陽(yáng)能電池(TSCs)因其高效率、低熱損耗和易于集成成為研究熱點(diǎn)。本研究采用美能絨面反射儀RTIS等先進(jìn)表征手段,系統(tǒng)分析了雙面鈣鈦礦/硅電池的優(yōu)化
2025-04-16 09:05:531216

求助,關(guān)于ADXL382混和ODR=32Khz時(shí)的輸出噪聲問(wèn)題求解

1、ODR=16KHz參數(shù)配置。 當(dāng)振動(dòng)臺(tái)頻率為8100Hz時(shí),發(fā)生混,頻率混為7900Hz。如何解決混問(wèn)題? 2.ODR=16KHz時(shí),輸出噪聲峰值20mg,ODR=32KHz時(shí),輸出噪聲峰值150mg,噪聲看上去都有點(diǎn)偏大,請(qǐng)問(wèn)如何優(yōu)化噪聲?
2025-04-16 08:10:12

天合光能鈣鈦礦晶體硅技術(shù)再破世界紀(jì)錄

今日,位于天合光能的光伏科學(xué)與技術(shù)全國(guó)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室宣布鈣鈦礦晶體硅技術(shù)再破紀(jì)錄,其自主研發(fā)的210mm大面積鈣鈦礦/晶體硅兩端太陽(yáng)電池,經(jīng)德國(guó)夫瑯禾費(fèi)太陽(yáng)能研究所下屬的檢測(cè)實(shí)驗(yàn)室
2025-04-11 15:50:32789

全球首塊808W組件誕生,天合光能開(kāi)啟鈣鈦礦/晶體硅電池組件產(chǎn)業(yè)化新時(shí)代

常州2025年3月28日 /美通社/ --?近日,位于天合光能的光伏科學(xué)與技術(shù)全國(guó)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室再次宣布,其研發(fā)的210大尺寸鈣鈦礦/晶體硅兩端電池組件(面積3.1 m2),經(jīng)過(guò)TüV南德意志集團(tuán)
2025-03-30 10:58:31688

天合光能開(kāi)啟鈣鈦礦/晶體硅電池組件產(chǎn)業(yè)化新時(shí)代

今日,位于天合光能的光伏科學(xué)與技術(shù)全國(guó)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室再次宣布,其研發(fā)的210大尺寸鈣鈦礦/晶體硅兩端電池組件(面積3.1 m2),經(jīng)過(guò)TüV南德意志集團(tuán)(TüV SüD)測(cè)試實(shí)驗(yàn)室認(rèn)證,峰值功率達(dá)
2025-03-24 17:14:28943

TRCX應(yīng)用:顯示面板工藝裕量分析

制造顯示面板的主要挑戰(zhàn)之一是研究由工藝余量引起的主要因素,如CD余量,掩膜錯(cuò)位和厚度變化。TRCX提供批量模擬和綜合結(jié)果,包括分布式計(jì)算環(huán)境中的寄生電容分析,以改善顯示器的電光特性并最大限度地減少缺陷。 (a)參照物 (b)膜未對(duì)準(zhǔn)
2025-03-06 08:53:21

芯片制造的關(guān)鍵一環(huán):介質(zhì)制備工藝全解析

在芯片這一高度集成化和精密化的電子元件中,介質(zhì)扮演著至關(guān)重要的角色。它不僅在芯片中提供了必要的電氣隔離,還在多層互連結(jié)構(gòu)中實(shí)現(xiàn)了信號(hào)的高效傳輸。隨著芯片技術(shù)的不斷發(fā)展,介質(zhì)材料的選擇、性能以及制備工藝都成為了影響芯片性能的關(guān)鍵因素。本文將深入探討芯片里的介質(zhì)及其性能,為讀者揭示這一領(lǐng)域的奧秘。
2025-02-18 11:39:092068

接觸孔工藝簡(jiǎn)介

(Back End of Line,BEOL)。前段工藝主要用于制作晶體管,而后段工藝則專注于實(shí)現(xiàn)晶體管之間的金屬布線互連。其中,接觸孔工藝作為前后段工藝銜接的關(guān)鍵環(huán)節(jié),其作用是連接晶體管有源區(qū)與第一金屬。在大規(guī)模生產(chǎn)的成套工藝流程里,接觸孔工藝一旦出現(xiàn)缺陷,常常會(huì)成為影響
2025-02-17 09:43:282173

集成電路工藝中的金屬介紹

本文介紹了集成電路工藝中的金屬。 集成電路工藝中的金屬 概述 在芯片制造領(lǐng)域,金屬化這一關(guān)鍵環(huán)節(jié)指的是在芯片表面覆蓋一金屬。除了部分起到輔助作用的阻擋和種子金屬之外,在集成電路工藝里,金屬主要
2025-02-12 09:31:512695

背金工藝是什么_背金工藝的作用

背金工藝是什么? 背金,又叫做背面金屬化。晶圓經(jīng)過(guò)減薄后,用PVD的方法(濺射和蒸鍍)在晶圓的背面鍍上金屬。 背金的金屬組成? 一般有三金屬。一是黏附,一是阻擋,一是防氧化。 黏附
2025-02-10 12:31:412835

ALD和ALE核心工藝技術(shù)對(duì)比

技術(shù)革新。 ? 核心概念與原理 ALD(Atomic Layer Deposition): 原子沉積是一種逐生長(zhǎng)薄膜的工藝。 每個(gè)循環(huán)通過(guò)“自限性反應(yīng)”,將化學(xué)前體逐吸附并反應(yīng),沉積一個(gè)原子的材料。 目標(biāo):構(gòu)建具有高均勻性、無(wú)缺陷、埃級(jí)厚度精度的薄膜。
2025-01-23 09:59:542208

效率突破30.22%,通過(guò)優(yōu)化HTL和采用SHJ底部電池實(shí)現(xiàn)鈣鈦礦/硅太陽(yáng)能電池性能提升

在鈣鈦礦/硅太陽(yáng)能電池中,使用硅異質(zhì)結(jié)(SHJ)太陽(yáng)能電池作為底部電池是實(shí)現(xiàn)高效率的最有前景的方法之一。目前,大多數(shù)高效太陽(yáng)能電池使用厚的浮區(qū)(FZ)底部電池,這在工業(yè)大規(guī)模生產(chǎn)中并不
2025-01-17 09:03:381802

關(guān)于變壓器/電感線圈設(shè)計(jì)問(wèn)題?

關(guān)于變壓器/電感線圈設(shè)計(jì)(漆包線/三絕緣線)問(wèn)題,新領(lǐng)導(dǎo)對(duì)變壓器要求提出2個(gè)問(wèn)題點(diǎn)要求能否實(shí)現(xiàn)設(shè)計(jì)標(biāo)準(zhǔn)化,各位大神能否合理解答下,謝謝 1、是否能規(guī)定線一線徑大?。?2、是否能規(guī)定/統(tǒng)一線圈匝數(shù):
2025-01-10 10:39:24

Z-planner Enterprise 2409新功能解析

新發(fā)布的Z-planner Enterprise 2409是西門子設(shè)計(jì)與阻抗規(guī)劃應(yīng)用的一次重要更新,本次更新涉及整個(gè)設(shè)計(jì)流程的各個(gè)關(guān)鍵節(jié)點(diǎn)。
2025-01-08 14:37:141224

PCB為什么要做沉錫工藝

PCB在制造過(guò)程中,常常需要進(jìn)行表面處理,以提高其可靠性和功能性。沉錫工藝就是其中一種重要的表面處理方法。 以下是PCB進(jìn)行沉錫工藝的主要目的: 提高可焊性 沉錫工藝能夠在PCB的銅面上沉積一錫金
2025-01-06 19:13:211903

晶科能源鈣鈦礦/TOPCon電池效率破紀(jì)錄

近日,晶科能源宣布其研制的鈣鈦礦/TOPCon電池取得重大突破。經(jīng)權(quán)威第三方機(jī)構(gòu)中科院上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所檢測(cè),其轉(zhuǎn)化效率高達(dá)33.84%。在不到一年的時(shí)間內(nèi),再次刷新了晶科研發(fā)團(tuán)隊(duì)此前
2025-01-06 18:07:071395

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