傾佳電子功率半導(dǎo)體銷(xiāo)售培訓(xùn)手冊(cè)：電力電子核心技術(shù)與SiC碳化硅功率器件的應(yīng)用 傾佳電子（Changer Tech）是一家專(zhuān)注于功率半導(dǎo)體和新能源汽車(chē)連接器的分銷(xiāo)商。主要服務(wù)于中國(guó)工業(yè)電源、電力
2026-01-04 07:36:23
273 
傾佳電子（Changer Tech）銷(xiāo)售團(tuán)隊(duì)培訓(xùn)材料：功率半導(dǎo)體拓?fù)浼軜?gòu)與基本半導(dǎo)體（BASIC Semiconductor）碳化硅器件的戰(zhàn)略應(yīng)用 1. 執(zhí)行摘要與戰(zhàn)略背景 在“雙碳”戰(zhàn)略的宏觀驅(qū)動(dòng)
2025-12-22 08:17:35170 
12月6日，亞洲電源技術(shù)發(fā)展論壇在深圳萬(wàn)麗酒店隆重舉行。作為國(guó)內(nèi)領(lǐng)先的半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商，MDD辰達(dá)半導(dǎo)體攜旗下六大產(chǎn)品矩陣精彩亮相，集中展示了整流器件、小信號(hào)器件、保護(hù)器件、MOSFET、SiC、邏輯IC產(chǎn)品，與行業(yè)專(zhuān)家、合作伙伴共同探討電源技術(shù)發(fā)展趨勢(shì)與應(yīng)用實(shí)踐。
2025-12-17 12:40:24343 日前，由21世紀(jì)電源網(wǎng)、電子研習(xí)社聯(lián)合主辦的“第十六屆亞洲電源技術(shù)發(fā)展論壇”在深圳隆重舉行。在活動(dòng)同期舉辦的“2025第四屆電源行業(yè)配套品牌頒獎(jiǎng)典禮”中，瑞能半導(dǎo)體憑借在功率器件領(lǐng)域的技術(shù)突破，榮膺“國(guó)際功率器件行業(yè)卓越獎(jiǎng)”。
2025-12-15 15:38:28302 12月5日，瑞能半導(dǎo)體憑借高性能功率器件WND90P20W，在亞洲金選獎(jiǎng)（EE Awards Asia）的評(píng)選中脫穎而出，榮獲Best Power Semiconductor of the Year（年度最佳功率半導(dǎo)體獎(jiǎng)）。
2025-12-15 15:37:43258 瑞能半導(dǎo)體憑借在碳化硅功率器件領(lǐng)域的持續(xù)創(chuàng)新實(shí)力，再度榮獲由半導(dǎo)體行業(yè)知名媒體研究機(jī)構(gòu)【行家說(shuō)三代半】主辦的【2025行家極光獎(jiǎng)】的“年度中國(guó)碳化硅器件Fabless十強(qiáng)企業(yè)”稱號(hào)。
2025-12-15 15:35:11220 、電力電子設(shè)備和新能源汽車(chē)產(chǎn)業(yè)鏈。傾佳電子聚焦于新能源、交通電動(dòng)化和數(shù)字化轉(zhuǎn)型三大方向，BASiC基本半導(dǎo)體SiC碳化硅MOSFET單管，SiC碳化硅MOSFET功率模塊，SiC模塊驅(qū)動(dòng)板等功率半導(dǎo)體器件以及新能源汽車(chē)連接器。? 傾佳電子楊茜致力于推動(dòng)國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅模塊在
2025-12-01 09:49:522168 
傾佳電子基于基本半導(dǎo)體B3M013C120Z可靠性測(cè)試數(shù)據(jù)的國(guó)產(chǎn)SiC器件技術(shù)成熟度深度研究報(bào)告 傾佳電子（Changer Tech）是一家專(zhuān)注于功率半導(dǎo)體和新能源汽車(chē)連接器的分銷(xiāo)商。主要服務(wù)于中國(guó)
2025-11-28 06:26:47317 傾佳電子市場(chǎng)報(bào)告：國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅功率器件在全碳化硅戶用儲(chǔ)能領(lǐng)域的戰(zhàn)略突破 ——以基本半導(dǎo)體B2M065120Z在15kW混合逆變器中的應(yīng)用為例 傾佳電子（Changer Tech）是一家專(zhuān)注于功率
2025-11-24 04:57:29243 隨著新能源汽車(chē)、光伏儲(chǔ)能以及工業(yè)電源的迅速發(fā)展，半導(dǎo)體器件在這些領(lǐng)域中的應(yīng)用也愈發(fā)廣泛，為了提升系統(tǒng)的性能，半導(dǎo)體器件系統(tǒng)正朝著更高效率、更高功率密度和更小體積的方向快速發(fā)展。對(duì)于半導(dǎo)體器件性能質(zhì)量
2025-11-17 18:18:372315 
近日，全球領(lǐng)先的功率半導(dǎo)體企業(yè)瑞能半導(dǎo)體在上?？偛柯≈嘏e行十周年公司日盛典。來(lái)自瑞能半導(dǎo)體上?？偛浚?、北京、金山工廠，南昌實(shí)驗(yàn)室和深圳銷(xiāo)售辦公室的員工代表與各地的合作伙伴及行業(yè)嘉賓齊聚一堂，其他海內(nèi)外員工也通過(guò)線上聯(lián)動(dòng)的方式，共同見(jiàn)證這一里程碑時(shí)刻。
2025-11-13 15:00:53577 在電子設(shè)備小型化與高功率密度需求日益凸顯的今天，功率器件的封裝與性能平衡成為行業(yè)技術(shù)突破的核心痛點(diǎn)。江西薩瑞微電子作為國(guó)內(nèi)領(lǐng)先的功率半導(dǎo)體IDM企業(yè)，推出的P6SMFTHE系列產(chǎn)品，以"
2025-11-11 10:00:05339 
近日，工業(yè)和信息化部第九批制造業(yè)單項(xiàng)冠軍企業(yè)名單公示期滿，廣州金升陽(yáng)科技有限公司(下稱 “金升陽(yáng)”)憑借DC/DC 微小功率模塊電源產(chǎn)品，成功入選。據(jù)悉，本批次廣州市僅 4 家企業(yè)入選，金升陽(yáng)更是黃埔區(qū)(廣州開(kāi)發(fā)區(qū))唯一上榜企業(yè)。稀缺榮譽(yù)背后，是企業(yè)在細(xì)分領(lǐng)域的絕對(duì)領(lǐng)先地位。
2025-11-06 17:41:201275 
電子器件、材料、半導(dǎo)體和有源/無(wú)源元器件。
可以在 CV 和 IV 測(cè)量之間快速切換，無(wú)需重新連接線纜。
能夠捕獲其他傳統(tǒng)測(cè)試儀器無(wú)法捕獲的超快速瞬態(tài)現(xiàn)象。
能夠檢測(cè) 1 kHz 至 5 MHz
2025-10-29 14:28:09
近日，東海半導(dǎo)體正式榮獲“國(guó)家專(zhuān)精特新企業(yè)”稱號(hào)。這一認(rèn)定，不僅是國(guó)家對(duì)我們在半導(dǎo)體功率器件研發(fā)與設(shè)計(jì)領(lǐng)域深耕細(xì)作的高度肯定，更是對(duì)東海技術(shù)“以創(chuàng)新鑄魂、向一流看齊”發(fā)展理念的有力見(jiàn)證。 自創(chuàng)立以來(lái)
2025-10-28 09:47:31438 自由空間半導(dǎo)體激光器半導(dǎo)體激光器是以一定的半導(dǎo)體材料做工作物質(zhì)而產(chǎn)生激光的器件。.其工作原理是通過(guò)一定的激勵(lì)方式，在半導(dǎo)體物質(zhì)的能帶（導(dǎo)帶與價(jià)帶）之間，或者半導(dǎo)體物質(zhì)的能帶與雜質(zhì)（受主或施主）能級(jí)
2025-10-23 14:24:06
在電子電路設(shè)計(jì)領(lǐng)域，功率半導(dǎo)體器件作為能量轉(zhuǎn)換與控制的核心部件，其性能直接決定了整個(gè)系統(tǒng)的穩(wěn)定性、效率與可靠性。ZK100G68P作為一款典型的功率器件，憑借其精準(zhǔn)的參數(shù)設(shè)計(jì)與穩(wěn)定的工作特性，在工業(yè)控制、汽車(chē)電子、電源設(shè)備等領(lǐng)域獲得了廣泛應(yīng)用。
2025-10-22 16:01:09240 
靜電在自然界中無(wú)處不在。從芯片制造、封裝測(cè)試、運(yùn)輸存儲(chǔ)到組裝使用，靜電可能在任一環(huán)節(jié)對(duì)芯片造成不可逆損。半導(dǎo)體ESD失效的四大特征1.隱蔽性（1）人體通常需2~3KV靜電才能感知，而現(xiàn)代半導(dǎo)體器件
2025-10-22 14:33:21602 
在功率半導(dǎo)體封裝領(lǐng)域，晶圓級(jí)芯片規(guī)模封裝技術(shù)正引領(lǐng)著分立功率器件向更高集成度、更低損耗及更優(yōu)熱性能方向演進(jìn)。
2025-10-21 17:24:133875 
第56個(gè)世界標(biāo)準(zhǔn)日，由第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟標(biāo)準(zhǔn)化委員會(huì)、廣電計(jì)量主辦，無(wú)錫廣電計(jì)量承辦的半導(dǎo)體功率器件標(biāo)準(zhǔn)與檢測(cè)研討會(huì)在無(wú)錫順利舉行，匯聚行業(yè)權(quán)威專(zhuān)家，分享前沿技術(shù)議題，以標(biāo)準(zhǔn)引領(lǐng)技術(shù)創(chuàng)新，質(zhì)量護(hù)航“中國(guó)芯”崛起。
2025-10-21 14:28:572221 概要/REPORT>>>近日，荷蘭政府凍結(jié)安世半導(dǎo)體控制權(quán)事件持續(xù)發(fā)酵。在這一背景下，國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體替代正當(dāng)時(shí)——江西薩瑞微電子技術(shù)有限公司，產(chǎn)品線已覆蓋安世半導(dǎo)體的主流器件類(lèi)型，為
2025-10-16 18:55:29616 功率、高散熱要求下穩(wěn)定工作。
**電子設(shè)備制造商的來(lái)料檢驗(yàn)**
電子設(shè)備制造商（如蘋(píng)果、華為等）在采購(gòu)半導(dǎo)體器件時(shí)，需要對(duì)來(lái)料進(jìn)行嚴(yán)格的檢驗(yàn)。半導(dǎo)體測(cè)試設(shè)備可以幫助他們檢測(cè)采購(gòu)的芯片是否符合自己
2025-10-10 10:35:17
汽車(chē)產(chǎn)業(yè)鏈。傾佳電子聚焦于新能源、交通電動(dòng)化和數(shù)字化轉(zhuǎn)型三大方向，并提供包括IGBT、SiC MOSFET、GaN等功率半導(dǎo)體器件以及新能源汽車(chē)連接器。? 傾佳電子楊茜致力于推動(dòng)國(guó)產(chǎn)SiC碳化硅模塊在電力電子應(yīng)用中全面取代進(jìn)口IGBT模塊，助力電力電子行業(yè)自主可控和產(chǎn)業(yè)
2025-10-08 10:04:18589 
前言在電力電子領(lǐng)域，高電壓、大電流場(chǎng)景對(duì)功率器件的集成度、可靠性與散熱性能提出了嚴(yán)苛要求。PIM（功率集成模塊）通過(guò)“多器件高密度封裝”的高集成設(shè)計(jì)，將分立的功率半導(dǎo)體、輔助電路與散熱結(jié)構(gòu)整合為單一
2025-10-03 08:04:37903 
基本半導(dǎo)體SiC功率器件在固態(tài)配電與光儲(chǔ)微網(wǎng)中的應(yīng)用及固態(tài)直流斷路器技術(shù)深度分析 傾佳電子（Changer Tech）是一家專(zhuān)注于功率半導(dǎo)體和新能源汽車(chē)連接器的分銷(xiāo)商。主要服務(wù)于中國(guó)工業(yè)電源、電力
2025-09-19 09:46:521688 
在全球“雙碳”目標(biāo)與智能出行浪潮的雙重驅(qū)動(dòng)下，功率半導(dǎo)體正成為新能源汽車(chē)產(chǎn)業(yè)升級(jí)的核心引擎。作為專(zhuān)注于功率半導(dǎo)體的領(lǐng)軍企業(yè)，瑞能半導(dǎo)體攜重磅產(chǎn)品，特別是最新一代車(chē)規(guī)級(jí)SiC技術(shù)解決方案，亮相
2025-09-12 15:10:52800 今天下午，“第七屆硬核芯生態(tài)大會(huì)暨頒獎(jiǎng)典禮”在深圳國(guó)際會(huì)展中心（寶安新館）盛大舉行。瑞能半導(dǎo)體憑借其在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的技術(shù)突破與市場(chǎng)表現(xiàn)，成功摘得“2025年度硬核功率器件獎(jiǎng)”的桂冠。這一殊榮不僅彰顯了公司在功率半導(dǎo)體賽道的領(lǐng)先地位，更是對(duì)其持續(xù)創(chuàng)新能力的權(quán)威認(rèn)可。
2025-09-11 17:42:53880 ［求助］九陽(yáng)電磁爐jyc-21gs08不通電，開(kāi)關(guān)電源模塊及周邊元件故障維修。
2025-09-11 17:16:51
求提供 九陽(yáng)jyc21gs08電磁電路圖，感謝?
2025-09-11 15:52:15
功率半導(dǎo)體器件作為現(xiàn)代電子技術(shù)不可或缺的一部分，在電力轉(zhuǎn)換和控制中起著核心作用。本文將簡(jiǎn)單講解何為功率半導(dǎo)體IGBT模塊，和其結(jié)構(gòu)組成，介紹其應(yīng)用場(chǎng)景并例出部分實(shí)際產(chǎn)品。
2025-09-10 17:57:472557 
電子散熱與溫控領(lǐng)域中，半導(dǎo)體制冷片因其高效、無(wú)噪音、無(wú)振動(dòng)等優(yōu)勢(shì)而被廣泛應(yīng)用。然而，要充分發(fā)揮半導(dǎo)體制冷片的性能，關(guān)鍵在于準(zhǔn)確計(jì)算其實(shí)際功率需求。若功率匹配不當(dāng)，可能導(dǎo)致能效低下甚至設(shè)備損壞。本文
2025-09-04 14:34:44990 
日前，江西省委常委、南昌市委書(shū)記、贛江新區(qū)黨工委書(shū)記李紅軍一行蒞臨瑞能半導(dǎo)體，實(shí)地調(diào)研企業(yè)技術(shù)創(chuàng)新與產(chǎn)業(yè)發(fā)展情況。瑞能半導(dǎo)體副總經(jīng)理湯子鳴全程陪同，匯報(bào)了公司當(dāng)前的戰(zhàn)略布局與核心成果。
2025-09-02 16:57:50891 一、基本概念 CV特性 （電容-電壓特性）是指半導(dǎo)體器件在不同偏置電壓下表現(xiàn)出的電容變化規(guī)律，主要用于分析器件的介電特性、載流子分布和界面狀態(tài)。該特性是評(píng)估功率器件性能的核心指標(biāo)之一。 CV特性測(cè)試
2025-09-01 12:26:20932 在全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的宏大版圖中，瑞薩電子（Renesas Electronics）或許并非如英特爾或臺(tái)積電那般家喻戶曉，但作為一家專(zhuān)注于嵌入式芯片與微控制器的日本巨頭，它卻在汽車(chē)、工業(yè)及物聯(lián)網(wǎng)等關(guān)鍵
2025-08-28 10:52:22842 功率半導(dǎo)體概述功率半導(dǎo)體是一種特殊的半導(dǎo)體器件，它們在電力系統(tǒng)中扮演著至關(guān)重要的角色。這些器件能夠高效地控制和調(diào)節(jié)電力的流動(dòng)，包括電壓和頻率的轉(zhuǎn)換，以及交流電（AC）和直流電（DC）之間的轉(zhuǎn)換。這種
2025-08-25 15:30:17664 
在功率半導(dǎo)體邁向180-250 nm先進(jìn)節(jié)點(diǎn)、SoC與SiP并行演進(jìn)、扇入/扇出晶圓級(jí)封裝加速分化之際，芯片持續(xù)收縮已從單純的尺寸微縮演變?yōu)橐粓?chǎng)跨材料-工藝-封裝-系統(tǒng)的革命：銅-釕-鉬多元金屬化
2025-08-25 11:30:581456 碳化硅（SiC）功率半導(dǎo)體技術(shù)引領(lǐng)者森國(guó)科，推出了采用SOT227封裝的SiC MOSFET及JBS功率模塊系列。這一突破性封裝方案結(jié)合了高功率密度與系統(tǒng)級(jí)可靠性，為新能源發(fā)電、工業(yè)電源及電動(dòng)汽車(chē)等領(lǐng)域提供高效能解決方案。
2025-08-16 13:50:093156 
近日，在中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)分立器件年會(huì)上，新潔能憑借在半導(dǎo)體功率器件領(lǐng)域的卓越表現(xiàn)和行業(yè)貢獻(xiàn)，再次成功入選 “中國(guó)半導(dǎo)體功率器件十強(qiáng)企業(yè)”！自2016年以來(lái)，這已經(jīng)是新潔能第八次獲此殊榮，不僅是對(duì)企業(yè)技術(shù)實(shí)力與市場(chǎng)地位的認(rèn)可，更是對(duì)企業(yè)持續(xù)創(chuàng)新、追求卓越的肯定！
2025-08-05 17:58:091699 
主要的功率半導(dǎo)體器件特性分為靜態(tài)特性、動(dòng)態(tài)特性、開(kāi)關(guān)特性。這些測(cè)試中最基本的測(cè)試就是靜態(tài)參數(shù)測(cè)試。靜態(tài)參數(shù)主要是指本身固有的，與其工作條件無(wú)關(guān)的相關(guān)參數(shù)。主要包括：柵極開(kāi)啟電壓、柵極擊穿電壓、源極漏
2025-08-05 16:06:15648 
7月26日-27日，第十九屆中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)半導(dǎo)體分立器件年會(huì)在江蘇南京召開(kāi)。會(huì)議期間，中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)正式發(fā)布了“2024年中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)功率器件十強(qiáng)企業(yè)”名單。
2025-08-01 17:58:191757 的技術(shù)積累，成功蟬聯(lián)“2024年中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)功率器件十強(qiáng)企業(yè)”稱號(hào)。這一殊榮不僅是對(duì)聞泰科技在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域卓越貢獻(xiàn)的權(quán)威認(rèn)證，更是對(duì)其市場(chǎng)領(lǐng)導(dǎo)地位與技術(shù)引領(lǐng)作用的高度肯定。
2025-07-30 17:50:241182 A22-2分立半導(dǎo)體器件(三極管)知識(shí)與應(yīng)用專(zhuān)題
2025-07-30 09:55:23446 
在半導(dǎo)體功率器件（如IGBT、SiC MOSFET、GaN HEMT）的研發(fā)、生產(chǎn)與品控中，精準(zhǔn)、高效、可靠的測(cè)量系統(tǒng)是確保器件性能達(dá)標(biāo)、加速產(chǎn)品上市的關(guān)鍵。天恒科儀功率器件測(cè)量系統(tǒng)集尖端硬件與智能
2025-07-29 16:21:17
功率變換器是電能利用的重要裝置，其性能主要取決于其核心—功率半導(dǎo)體器件，常見(jiàn)類(lèi)型有 MOSFET、IGBT 和二極管。傳統(tǒng) Si 器件已逼近材料極限，成為進(jìn)一步提升效率和功率密度的瓶頸。
2025-07-29 11:15:202250 
2025 年7月25日-27日，第十九屆中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)半導(dǎo)體分立器件年會(huì)暨2025年中國(guó)半導(dǎo)體器件技術(shù)創(chuàng)新及產(chǎn)業(yè)發(fā)展論壇在南京盛大啟幕。本次大會(huì)由中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)指導(dǎo)、中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)半導(dǎo)體
2025-07-28 18:30:071315 半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)作為現(xiàn)代科技的基石，其技術(shù)的發(fā)展日新月異。半導(dǎo)體器件從設(shè)計(jì)到生產(chǎn)，每個(gè)環(huán)節(jié)都對(duì)測(cè)試設(shè)備的精度、效率提出了嚴(yán)苛要求。示波器作為關(guān)鍵的測(cè)試測(cè)量?jī)x器，在半導(dǎo)體器件測(cè)試中發(fā)揮著不可或缺的作用。是德
2025-07-25 17:34:52652 
深?lèi)?ài)半導(dǎo)體推出新品IPM模塊
IPM（Intelligent Power Module，智能功率模塊） 是集成了功率器件、驅(qū)動(dòng)電路、保護(hù)功能的“系統(tǒng)級(jí)”功率半導(dǎo)體方案。其高度集成方案可縮減 PCB
2025-07-23 14:36:03
? 半導(dǎo)體分立器件主要包括： ? 二極管 ?（如整流二極管、肖特基二極管） ? 三極管 ?（雙極型晶體管、場(chǎng)效應(yīng)管） ? 晶閘管 ?（可控硅） ? 功率器件 ?（IGBT、MOSFET）? 2. ? 核心測(cè)試參數(shù) ? ? 電氣特性 ?：正向/反向電壓、漏電流、導(dǎo)
2025-07-22 17:46:32825 
半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈上游的關(guān)鍵技術(shù)仍被海外企業(yè)卡脖子，國(guó)內(nèi)功率半導(dǎo)體企業(yè)在高端市場(chǎng)面臨"技術(shù)空心化"風(fēng)險(xiǎn)。 面對(duì)這一困局，國(guó)產(chǎn)功率半導(dǎo)體替代已從戰(zhàn)略儲(chǔ)備轉(zhuǎn)化為生存剛需。構(gòu)建自主可控的功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈已成為保障國(guó)家產(chǎn)業(yè)競(jìng)
2025-07-18 14:51:45824 
目錄
第1章?半導(dǎo)體中的電子和空穴第2章?電子和空穴的運(yùn)動(dòng)與復(fù)合
第3章?器件制造技術(shù)
第4章?PN結(jié)和金屬半導(dǎo)體結(jié)
第5章?MOS電容
第6章?MOSFET晶體管
第7章?IC中的MOSFET
2025-07-12 16:18:42
本書(shū)較全面地講述了現(xiàn)有各類(lèi)重要功率半導(dǎo)體器件的結(jié)構(gòu)、基本原理、設(shè)計(jì)原則和應(yīng)用特性，有機(jī)地將功率器件的設(shè)計(jì)、器件中的物理過(guò)程和器件的應(yīng)用特性聯(lián)系起來(lái)。
書(shū)中內(nèi)容由淺入深，從半導(dǎo)體的性質(zhì)、基本的半導(dǎo)體
2025-07-11 14:49:36
開(kāi)關(guān)器件作為數(shù)字電源的核心部件，其性能直接影響整個(gè)電源系統(tǒng)的效率、穩(wěn)定性和可靠性。隨著開(kāi)關(guān)頻率從傳統(tǒng)的 kHz 級(jí)躍升至 MHz 級(jí)，以及碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）等第三代半導(dǎo)體器件
2025-07-02 11:22:49
有沒(méi)有這樣的半導(dǎo)體專(zhuān)用大模型，能縮短芯片設(shè)計(jì)時(shí)間，提高成功率，還能幫助新工程師更快上手。或者軟硬件可以在設(shè)計(jì)和制造環(huán)節(jié)確實(shí)有實(shí)際應(yīng)用。會(huì)不會(huì)存在AI缺陷檢測(cè)。
能否應(yīng)用在工藝優(yōu)化和預(yù)測(cè)性維護(hù)中
2025-06-24 15:10:04
此前，6月11日至13日，第十八屆國(guó)際太陽(yáng)能光伏與智慧能源大會(huì)暨展覽會(huì)（SNEC 2025）在上海國(guó)家會(huì)展中心隆重舉辦。宏微科技攜風(fēng)光儲(chǔ)功率半導(dǎo)體器件及解決方案精彩亮相，吸引了眾多國(guó)內(nèi)外客戶駐足、觀看和交流。
2025-06-18 10:29:141068 近日，第四屆功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)論壇在蘇州召開(kāi)，作為國(guó)際公認(rèn)的測(cè)試、檢驗(yàn)和認(rèn)證機(jī)構(gòu)，SGS受邀出席并發(fā)表《車(chē)規(guī)功率器件可靠性認(rèn)證與SiC適用性探討》主題演講，為車(chē)用功率半導(dǎo)體的可靠性驗(yàn)證提供系統(tǒng)性解決方案。
2025-06-17 18:08:451039 取代傳統(tǒng)硅基器件?；?b class="flag-6" style="color: red">半導(dǎo)體推出的B3M010C075Z750V SiC MOSFET，通過(guò)創(chuàng)新設(shè)計(jì)與先進(jìn)工藝，實(shí)現(xiàn)了功率密度與能效的跨越式突破，為下一代電力轉(zhuǎn)換系統(tǒng)樹(shù)立了新標(biāo)桿。 一、核心技術(shù)亮點(diǎn)：重新定義功率器件性能邊界 超低導(dǎo)通損耗 采用銀燒結(jié)工藝強(qiáng)化散熱路徑，在18V驅(qū)動(dòng)下實(shí)現(xiàn)10mΩ典型導(dǎo)通
2025-06-16 15:20:29711 
在5G通信、智能駕駛、物聯(lián)網(wǎng)飛速發(fā)展的今天，半導(dǎo)體光電器件是實(shí)現(xiàn)光電信號(hào)轉(zhuǎn)換與信息傳遞的核心元件，其性能優(yōu)劣直接決定設(shè)備的功能與可靠性。正因如此，半導(dǎo)體光電器件測(cè)試成為貫穿研發(fā)、生產(chǎn)與質(zhì)檢全流程
2025-06-12 19:17:281516 
捷捷微電你知道嗎？在功率半導(dǎo)體的世界里，有一顆耀眼的明星——捷捷微電。今天，就帶大家深入了解一下這家實(shí)力超群的企業(yè)。01企業(yè)輝煌歷程捷捷微電于1995年成立，歷經(jīng)行業(yè)風(fēng)雨洗禮，2017年成功在深交所
2025-06-09 15:59:56922 
隨著功率半導(dǎo)體器件在新能源、電動(dòng)汽車(chē)、工業(yè)控制等領(lǐng)域的廣泛應(yīng)用，其可靠性問(wèn)題日益受到關(guān)注。塑料封裝作為功率器件的主要封裝形式，因其非氣密性特性，在濕熱環(huán)境下容易出現(xiàn)分層失效，嚴(yán)重影響器件性能和壽命
2025-06-05 10:15:45738 
充電頭網(wǎng)第3602篇拆解報(bào)告。前言充電頭網(wǎng)采購(gòu)了米家隨行便攜榨汁杯2，這款榨汁杯內(nèi)置19500轉(zhuǎn)/分強(qiáng)力電機(jī)，40秒即可完成速榨果汁，內(nèi)置電池組支持45W輸出功率，配合304不銹鋼刀組，能夠同時(shí)攪打
2025-05-30 20:33:091098 
近日，瑞聲科技與高端車(chē)規(guī)通信芯片企業(yè)創(chuàng)晟半導(dǎo)體（深圳）有限公司（以下簡(jiǎn)稱“創(chuàng)晟半導(dǎo)體”）宣布達(dá)成戰(zhàn)略合作。雙方將在車(chē)載信號(hào)傳輸處理方面深度合作，持續(xù)為客戶和終端市場(chǎng)提供更優(yōu)質(zhì)和多樣化的方案，共同推動(dòng)座艙智能化、數(shù)字化的創(chuàng)新與發(fā)展。
2025-05-29 17:11:26971 在榨汁機(jī)生產(chǎn)過(guò)程中，氣密性是一項(xiàng)關(guān)鍵指標(biāo)。而榨汁機(jī)氣密性檢測(cè)儀則是確保產(chǎn)品氣密性達(dá)標(biāo)的重要工具。那么，該如何正確使用它呢？下面就為大家詳細(xì)介紹榨汁機(jī)氣密性檢測(cè)儀的正確打開(kāi)方式。（1）檢測(cè)前的準(zhǔn)備工作
2025-05-29 15:52:59406 
此前，5月22日至24日，“2025功率半導(dǎo)體器件與集成電路會(huì)議”在南京熹禾涵田酒店順利召開(kāi)。揚(yáng)杰科技受邀參加，董事長(zhǎng)梁勤女士親自參加會(huì)議，功率器件事業(yè)部副總經(jīng)理施俊先生作為技術(shù)領(lǐng)隊(duì)全程參與研討
2025-05-26 18:07:031485 從清華大學(xué)到鎵未來(lái)科技，張大江先生在半導(dǎo)體功率器件十八年的堅(jiān)守！近年來(lái)，珠海市鎵未來(lái)科技有限公司（以下簡(jiǎn)稱“鎵未來(lái)”）在第三代半導(dǎo)體行業(yè)異軍突起，憑借領(lǐng)先的氮化鎵（GaN）技術(shù)儲(chǔ)備和不斷推出的新產(chǎn)品
2025-05-19 10:16:02
彥陽(yáng)保護(hù)板在九號(hào)電動(dòng)車(chē)上的接線方式
2025-05-13 18:03:211866 
電子束半導(dǎo)體圓筒聚焦電極
在傳統(tǒng)電子束聚焦中，需要通過(guò)調(diào)焦來(lái)確保電子束焦點(diǎn)在目標(biāo)物體上。要確認(rèn)是焦點(diǎn)的最小直徑位置非常困難，且難以測(cè)量。如果焦點(diǎn)是一條直線，就可以免去調(diào)焦過(guò)程，本文將介紹一種能把
2025-05-10 22:32:27
近日，全球電力電子領(lǐng)域的“頂流”盛會(huì)——PCIM Europe 2025在德國(guó)紐倫堡會(huì)展中心盛大開(kāi)幕?；?b class="flag-6" style="color: red">半導(dǎo)體攜全系列碳化硅功率器件及門(mén)極驅(qū)動(dòng)解決方案盛裝亮相，并隆重發(fā)布新一代碳化硅MOSFET
2025-05-09 09:19:101116 
日前，2025瑞能半導(dǎo)體（大中國(guó)區(qū)）經(jīng)銷(xiāo)商大會(huì)在歷史與科技完美交融的西安隆重舉行。大會(huì)以“瑞光照芯力·能量啟未來(lái)”為主題，匯聚了瑞能半導(dǎo)體布局大中國(guó)區(qū)的長(zhǎng)期核心經(jīng)銷(xiāo)商伙伴。
2025-04-28 16:42:281037 微量摻雜元素在半導(dǎo)體器件的發(fā)展中起著至關(guān)重要的作用，可以精準(zhǔn)調(diào)控半導(dǎo)體的電學(xué)、光學(xué)性能。對(duì)器件中微量摻雜元素的準(zhǔn)確表征和分析是深入理解半導(dǎo)體器件特性、優(yōu)化器件性能的關(guān)鍵步驟，然而由于微量摻雜元素含量極低，對(duì)它的檢測(cè)和表征也面臨很多挑戰(zhàn)。
2025-04-25 14:29:531708 
日前，瑞能半導(dǎo)體攜多款高性能功率器件解決方案亮相2025慕尼黑上海電子展（Electronica China 2025），全方位展示了在碳化硅、IGBT、MOSFET等領(lǐng)域的最新突破成果。本次展會(huì)
2025-04-17 19:38:50943 
IGBT模塊是一種重要的功率半導(dǎo)體器件，具有結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、容量大、損耗低等優(yōu)點(diǎn)，被廣泛應(yīng)用于各種高功率電子設(shè)備中。絕緣柵極雙極晶體管（IGBT）功率模塊將MOSFET的高效和快速開(kāi)關(guān)能力與雙極晶體管
2025-04-16 08:06:431298 
九陽(yáng)豆?jié){機(jī)原理圖，高清
2025-04-15 17:40:11
46 場(chǎng)浪潮中，長(zhǎng)晶科技憑借其在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的技術(shù)突破與全產(chǎn)業(yè)鏈布局，成為國(guó)產(chǎn)化進(jìn)程中的標(biāo)桿企業(yè)。 技術(shù)創(chuàng)新：突破高端功率器件壁壘 長(zhǎng)晶科技聚焦功率半導(dǎo)體核心器件，在MOSFET和IGBT兩大領(lǐng)域取得顯著成果。在消費(fèi)電子領(lǐng)域
2025-04-09 17:25:321180 本文深入探討了功率半導(dǎo)體器件與功率集成技術(shù)的發(fā)展現(xiàn)狀，分析了其面臨的挑戰(zhàn)與機(jī)遇，并對(duì)未來(lái)發(fā)展趨勢(shì)進(jìn)行了展望。功率半導(dǎo)體器件作為電能轉(zhuǎn)換與電路控制的核心，在新能源、工業(yè)控制、消費(fèi)電子等領(lǐng)域發(fā)揮
2025-04-09 13:35:401445 
日前，全球領(lǐng)先的國(guó)際化功率器件品牌瑞能半導(dǎo)體，在思格2025全球供應(yīng)商大會(huì)上榮獲聯(lián)合創(chuàng)新獎(jiǎng)。瑞能半導(dǎo)體總裁沈鑫受邀出席活動(dòng)，并登臺(tái)領(lǐng)獎(jiǎng)。
2025-03-20 09:09:17902 在半導(dǎo)體行業(yè)的發(fā)展歷程中，技術(shù)創(chuàng)新始終是推動(dòng)行業(yè)前進(jìn)的核心動(dòng)力。深圳瑞沃微半導(dǎo)體憑借其先進(jìn)封裝技術(shù)，用強(qiáng)大的實(shí)力和創(chuàng)新理念，立志將半導(dǎo)體行業(yè)邁向新的高度。 回溯半導(dǎo)體行業(yè)的發(fā)展軌跡，摩爾定律無(wú)疑是一個(gè)重要的里程碑
2025-03-17 11:33:30779 
GaN驅(qū)動(dòng)技術(shù)手冊(cè)免費(fèi)下載 氮化鎵半導(dǎo)體功率器件門(mén)極驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)方案
2025-03-13 18:06:0046953 
SiC碳化硅模塊在電力電子應(yīng)用中全面取代進(jìn)口IGBT模塊，助力電力電子行業(yè)自主可控和產(chǎn)業(yè)升級(jí)！ 傾佳電子楊茜跟住SiC碳化硅MOSFET功率器件三個(gè)必然，勇立功率半導(dǎo)體器件變革潮頭： 傾佳電子楊茜跟住SiC碳化硅MOSFET模塊全面取代IGBT模塊和IPM模塊的必
2025-03-13 00:27:37767 座艙與車(chē)控芯片，出貨量超700萬(wàn)片，覆蓋國(guó)內(nèi)90%車(chē)企及國(guó)際品牌，2024年估值超140億元，計(jì)劃2026年科創(chuàng)板上市。其產(chǎn)品已打入歐洲OEM市場(chǎng)，是國(guó)產(chǎn)車(chē)規(guī)芯片的標(biāo)桿企業(yè)。
2. 屹唐半導(dǎo)體
2025-03-05 19:37:43
2025 功率半導(dǎo)體的五大發(fā)展趨勢(shì)：功率半導(dǎo)體在AI數(shù)據(jù)中心應(yīng)用的增長(zhǎng)，SiC在非汽車(chē)領(lǐng)域應(yīng)用的增長(zhǎng)，GaN導(dǎo)入到快速充電器之外的應(yīng)用領(lǐng)域， 中國(guó)功率半導(dǎo)體生態(tài)系統(tǒng)的壯大以及晶圓尺寸的顯著升級(jí)。
2025-03-04 09:33:412259 
近日，華大半導(dǎo)體與湖南大學(xué)在上海舉辦SiC功率半導(dǎo)體技術(shù)研討會(huì)，共同探討SiC功率半導(dǎo)體在設(shè)計(jì)、制造、材料等領(lǐng)域的最新進(jìn)展及挑戰(zhàn)。
2025-02-28 17:33:531174 GaNFast氮化鎵功率芯片和GeneSiC碳化硅功率器件的行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者——納微半導(dǎo)體（納斯達(dá)克股票代碼：NVTS）今日宣布于下月發(fā)布全新的功率轉(zhuǎn)換技術(shù)，將觸發(fā)多個(gè)行業(yè)領(lǐng)域的顛覆性變革。該創(chuàng)新涵蓋半導(dǎo)體與系統(tǒng)級(jí)解決方案，預(yù)計(jì)將顯著提升能效與功率密度，加速氮化鎵和碳化硅技術(shù)對(duì)傳統(tǒng)硅基器件的替代進(jìn)程。
2025-02-21 16:41:10867 ? ????? CGD 的技術(shù)幫助電動(dòng)汽車(chē)和數(shù)據(jù)中心提高能效，為全球功率半導(dǎo)體行業(yè)帶來(lái)重大機(jī)遇 ? 2025 年 2 月 18 日 英國(guó)劍橋 - 氮化鎵（GaN）功率器件的領(lǐng)先創(chuàng)新者 Cambridge GaN
2025-02-20 11:37:47375 一、引言隨著科技的不斷發(fā)展，功率半導(dǎo)體器件在電力電子系統(tǒng)、電動(dòng)汽車(chē)、智能電網(wǎng)、新能源并網(wǎng)等領(lǐng)域發(fā)揮著越來(lái)越重要的作用。近年來(lái)，第三代寬禁帶功率半導(dǎo)體器件以其獨(dú)特的高溫、高頻、高耐壓等特性，逐漸
2025-02-15 11:15:301611 
2025 亞洲國(guó)際功率半導(dǎo)體、材料及裝備技術(shù)展覽會(huì)將于2025年11月20-22日在廣州保利世貿(mào)博覽館舉辦；展會(huì)將匯聚全球優(yōu)質(zhì)品牌廠商齊聚現(xiàn)場(chǎng)，打造功率半導(dǎo)體全產(chǎn)業(yè)鏈創(chuàng)新展示、一站式采購(gòu)及技術(shù)交流平臺(tái)，集中展示半導(dǎo)體器件、功率模塊、第三代半導(dǎo)體、材料、封裝技術(shù)、測(cè)試技術(shù)、生產(chǎn)設(shè)備、散熱管理等熱門(mén)產(chǎn)品
2025-02-13 11:49:01742 
近日，中國(guó)在太空成功驗(yàn)證了首款國(guó)產(chǎn)碳化硅（SiC）功率器件，這一突破性進(jìn)展標(biāo)志著第三代半導(dǎo)體材料有望牽引中國(guó)航天電源系統(tǒng)升級(jí)換代，為中國(guó)航天事業(yè)以及相關(guān)制造業(yè)的轉(zhuǎn)型升級(jí)注入強(qiáng)大動(dòng)力。 2024年11
2025-02-11 10:30:061343 半導(dǎo)體常用器件的介紹
2025-02-07 15:27:210 近年來(lái)，隨著電力電子技術(shù)的快速發(fā)展，功率半導(dǎo)體器件在風(fēng)力發(fā)電、光伏發(fā)電、電動(dòng)汽車(chē)等戶外工況中的應(yīng)用日益廣泛。然而，這些戶外環(huán)境往往伴隨著較高的濕度，這對(duì)功率半導(dǎo)體器件的運(yùn)行可靠性構(gòu)成了嚴(yán)峻挑戰(zhàn)
2025-02-07 11:32:251527 
在《意法半導(dǎo)體新能源功率解決方案：從產(chǎn)品到應(yīng)用，一文讀懂（上篇）》文章中，我們著重介紹了ST新能源功率器件中的傳統(tǒng)IGBT和高壓MOSFET器件，讓大家對(duì)其在相關(guān)領(lǐng)域的應(yīng)用有了一定了解。接下來(lái)，本文將聚焦于ST的SiC、GaN等第三代半導(dǎo)體產(chǎn)品以及其新能源功率解決方案。
2025-02-07 10:38:501642 
在日常生活中，我們對(duì)手機(jī)、電腦、電視等電子設(shè)備習(xí)以為常，享受著它們帶來(lái)的便利與娛樂(lè)。但你是否想過(guò)，這些設(shè)備正常運(yùn)行的背后，是什么在默默發(fā)揮關(guān)鍵作用?答案就是功率半導(dǎo)體器件。雖然它不像處理器、顯示屏那樣被大眾熟知，卻如同電子設(shè)備的 “心臟”，掌控著電能的轉(zhuǎn)換與電路的控制 ，是電子設(shè)備穩(wěn)定運(yùn)行的核心。
2025-02-06 15:28:241370 功率器件熱設(shè)計(jì)是實(shí)現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC等高功率密度器件可靠運(yùn)行的基礎(chǔ)。掌握功率半導(dǎo)體的熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識(shí)，不僅有助于提高功率器件的利用率和系統(tǒng)可靠性，還能有效降低系統(tǒng)成本。本文將從熱設(shè)計(jì)的基本概念、散熱形式、熱阻與導(dǎo)熱系數(shù)、功率模塊的結(jié)構(gòu)和熱阻分析等方面，對(duì)功率器件熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識(shí)進(jìn)行詳細(xì)講解。
2025-02-03 14:17:001354 中國(guó)臺(tái)灣再生晶圓與半導(dǎo)體設(shè)備廠商升陽(yáng)半導(dǎo)體近日宣布，將在臺(tái)中港科技產(chǎn)業(yè)園區(qū)新建廠房并擴(kuò)充產(chǎn)能。據(jù)悉，該項(xiàng)目總投資額達(dá)新臺(tái)幣25億元（約合人民幣5.56億元），預(yù)計(jì)將于2026年完工。
2025-01-24 14:14:58918 ? ? 半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)獲悉：近日，華天盤(pán)古半導(dǎo)體先進(jìn)封測(cè)項(xiàng)目、士蘭集宏的8英寸SiC功率器件芯片制造生產(chǎn)線項(xiàng)目、百立新半導(dǎo)體6英寸MEMS晶圓制造線項(xiàng)目、升陽(yáng)半導(dǎo)體臺(tái)中港區(qū)再生晶圓新廠、南太湖新區(qū)
2025-01-24 11:23:023218 電導(dǎo)率、高熱導(dǎo)率、高抗輻射能力、高擊穿電場(chǎng)和高飽和電子漂移速度等物理特性。這些特性使得碳化硅能夠承受高溫、高壓、高頻等苛刻環(huán)境，同時(shí)保持較高的電學(xué)性能。 二、碳化硅在半導(dǎo)體器件中的應(yīng)用 功率器件 ： 碳化硅功率器件具
2025-01-23 17:09:352664 /前言/功率半導(dǎo)體熱設(shè)計(jì)是實(shí)現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎(chǔ)，只有掌握功率半導(dǎo)體的熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識(shí)，才能完成精確熱設(shè)計(jì)，提高功率器件的利用率，降低系統(tǒng)成本，并保證系統(tǒng)的可靠性。功率器件熱
2025-01-13 17:36:111819 
近日，全球領(lǐng)先的高功率半導(dǎo)體激光元器件及原材料、激光光學(xué)元器件、光子技術(shù)應(yīng)用解決方案供應(yīng)商炬光科技，正式發(fā)布了LCS系列980/1470nm高功率低熱阻低Smile傳導(dǎo)冷卻半導(dǎo)體激光器。 這款LCS
2025-01-09 17:07:531225 隨著新能源汽車(chē)、5G通信、高端裝備制造等領(lǐng)域的蓬勃發(fā)展，功率半導(dǎo)體器件作為其核心組件，正面臨著前所未有的挑戰(zhàn)與機(jī)遇。在這些領(lǐng)域中，功率半導(dǎo)體器件不僅需要有更高的效率和可靠性，還要滿足壽命長(zhǎng)、制造步驟
2025-01-08 13:06:132115 
/前言/功率半導(dǎo)體熱設(shè)計(jì)是實(shí)現(xiàn)IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎(chǔ)，只有掌握功率半導(dǎo)體的熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識(shí)，才能完成精確熱設(shè)計(jì)，提高功率器件的利用率，降低系統(tǒng)成本，并保證系統(tǒng)的可靠性。功率器件熱
2025-01-06 17:05:481328 在半導(dǎo)體器件的實(shí)際部署中，它們會(huì)因功率耗散及周?chē)h(huán)境溫度而發(fā)熱，過(guò)高的溫度會(huì)削弱甚至損害器件性能。因此，熱測(cè)試對(duì)于驗(yàn)證半導(dǎo)體組件的性能及評(píng)估其可靠性至關(guān)重要。然而，半導(dǎo)體熱測(cè)試過(guò)程中常面臨諸多挑戰(zhàn)
2025-01-06 11:44:391580
電子發(fā)燒友App
工商網(wǎng)監(jiān)
評(píng)論