RS2103低導(dǎo)通電阻、低電壓、SPDT模擬開關(guān)

原廠：潤(rùn)石科技

型號(hào)： RS2103 　?

封裝： SOT363 (SC70-6) ，SOT23-6

品類: 低導(dǎo)通電阻、低電壓、SPDT模擬開關(guān)
應(yīng)用: [可穿戴設(shè)備] [ 電池供電設(shè)備] [信號(hào)選通、斬波、調(diào)制或解調(diào)(調(diào)制解調(diào)器) ] [ 便攜式計(jì)算] [ 手機(jī)]

特性:

-3dB帶寬: 30MHz

高速，典型值為50ns

工作電壓范圍: +1.8V至+5.5V

低導(dǎo)通阻抗，0.602 (典型值)

采用先斷后臺(tái)設(shè)計(jì)

軌到軌操作

兼容TTL/CMOS

擴(kuò)展工業(yè)溫度范圍: -40°C到+125°C

審核編輯?黃宇
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模擬開關(guān)(43932) 模擬開關(guān)(43932)
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2.0-6.0 GHz GaAs SPDT 開關(guān) skyworksinc

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Texas Instruments TMUX121雙通道2:1模擬開關(guān)數(shù)據(jù)手冊(cè)

斷電時(shí)，強(qiáng)制所有I/O引腳進(jìn)入高阻抗模式。TMUX121的選擇引腳和使能引腳與1.8V和3.3V控制電壓兼容，因而能夠直接與低壓處理器的通用I/O（GPIO）相連。此功能以及器件的低導(dǎo)通電阻和低導(dǎo)通電

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pHEMT GaAs IC SPDT 開關(guān) 0.1–4 GHz skyworksinc

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2025-08-05 18:31:03

GaAs IC 高隔離正控制 SPDT 非反射開關(guān) DC–4.0GHz skyworksinc

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2025-08-05 18:30:41

PHEMT GaAs IC SPDT 開關(guān) 300 KHz–2.5 GHz skyworksinc

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2025-08-05 18:30:03

20 MHz 至 6.0 GHz GaAs SPDT 開關(guān) skyworksinc

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2025-08-04 18:30:05

1.0 至 6.0 GHz SPDT 開關(guān) skyworksinc

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2025-08-01 18:36:13

0.4 至 3.8 GHz SPDT 開關(guān) skyworksinc

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2025-08-01 18:34:23

四方杰芯FSW3157——1.5Ω，低壓SPDT模擬開關(guān)

描述：FSW3157是一款單通道、雙向、單刀雙擲（SPDT）CMOS模擬開關(guān)，設(shè)計(jì)用于1.5V至5.5V單電源供電。它具有高帶寬（-3dB@700MHz）和低導(dǎo)通電阻（典型值為1.52Ω）。適用于

2025-07-29 10:25:46

MDDG03R01G低導(dǎo)通MOS 跨越新領(lǐng)域，提升同步整流、DC-DC轉(zhuǎn)換效率

0.75mΩ超低導(dǎo)通電阻與300A持續(xù)電流能力，在高功率應(yīng)用領(lǐng)域持續(xù)輸出。一、技術(shù)突破：PowerTrench工藝與屏蔽柵設(shè)計(jì) MDDG03R01G在柵源電壓 VGS = 10V、漏極電流 ID

2025-07-28 15:20:11

466

Texas Instruments SN4599-Q1 2:1 (SPDT) 1通道模擬開關(guān)數(shù)據(jù)手冊(cè)

Texas Instruments SN4599-Q1 2:1 (SPDT) 1通道模擬開關(guān)是一款通用型互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體 (CMOS) 單刀雙擲 (SPDT) 開關(guān)。該器件根據(jù)SEL引腳的狀態(tài)在

2025-07-25 10:32:20

626

芯對(duì)話 |?CBMG719單刀雙擲模擬開關(guān)：高精度信號(hào)切換低阻高速寬溫適配

總述CBMG719是一款由芯佰微推出的CMOS單刀雙擲（SPDT）模擬開關(guān)，專為解決工業(yè)控制、通信系統(tǒng)、醫(yī)療設(shè)備等領(lǐng)域的高精度信號(hào)切換需求而設(shè)計(jì)。該產(chǎn)品以低導(dǎo)通電阻、高速開關(guān)特性、寬電壓適配及超低

2025-07-16 09:50:29

1461

中低壓MOS管MDDG10R04B數(shù)據(jù)手冊(cè)

? 低導(dǎo)通電阻(RDS(ON))與優(yōu)質(zhì)優(yōu)值系數(shù)(FOM) ?? 極低開關(guān)損耗 ?? 卓越的可靠性與一致性 ?? 快速開關(guān)與軟恢復(fù)特性

2025-07-10 14:58:52

中低壓MOS管MDDG06R10G數(shù)據(jù)手冊(cè)

2025-07-10 14:56:47

中低壓MOS管MDDG06R03P數(shù)據(jù)手冊(cè)

2025-07-10 14:54:53

中低壓MOS管MDDG06R03G數(shù)據(jù)手冊(cè)

? 低導(dǎo)通電阻（RDS(ON)）與優(yōu)質(zhì)優(yōu)值系數(shù)（FOM） ?? 極低開關(guān)損耗 ?? 卓越的可靠性與一致性 ?? 快速開關(guān)與軟恢復(fù)特性

2025-07-10 14:43:24

中低壓MOS管MDD4438數(shù)據(jù)手冊(cè)

這款N溝道MOSFET采用MDD獨(dú)特的器件設(shè)計(jì)，實(shí)現(xiàn)了低導(dǎo)通電阻(RDS(ON))和快速開關(guān)性能。其低閾值電壓系列專為同步整流電源系統(tǒng)設(shè)計(jì)，適用于低驅(qū)動(dòng)電壓應(yīng)用場(chǎng)景。

2025-07-10 14:29:30

中低壓MOS管MDD3415A數(shù)據(jù)手冊(cè)

優(yōu)異的導(dǎo)通電阻(RDS(ON))、低柵極電荷、低柵極電壓?靜電放電等級(jí)：人體模型2.0千伏

2025-07-10 14:28:14

中低壓MOS管MDD3415數(shù)據(jù)手冊(cè)

優(yōu)異的導(dǎo)通電阻（RDS(ON)）、低柵極電荷、低柵極電壓

2025-07-10 14:27:23

中低壓MOS管MDD3407數(shù)據(jù)手冊(cè)

低導(dǎo)通電阻 @柵源電壓=-10V?-5V 邏輯電平控制

2025-07-10 14:21:48

中低壓MOS管MDD02P60A數(shù)據(jù)手冊(cè)

這款60V P溝道MOSFET采用MDD獨(dú)特的器件設(shè)計(jì)，實(shí)現(xiàn)了低導(dǎo)通電阻、快速開關(guān)性能以及優(yōu)異的雪崩特性。? 高密度電池設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)極低導(dǎo)通電阻(RDS(ON)) ?? 卓越的導(dǎo)通電阻與最大直流電流承載能力

2025-07-09 15:05:55

中低壓MOS管2N7002KDW數(shù)據(jù)手冊(cè)

低導(dǎo)通電阻的高密度電池設(shè)計(jì) ?電壓控制型小信號(hào)開關(guān) ?堅(jiān)固耐用且可靠性高 ?高飽和電流能力 ?具備靜電放電保護(hù) ?便攜設(shè)備負(fù)載開關(guān) ?直流/直流轉(zhuǎn)換器

2025-07-09 15:01:17

Analog Devices Inc. ADG1412L四通道SPST開關(guān)數(shù)據(jù)手冊(cè)

。四個(gè)SPST開關(guān)通過邏輯一和外部V~L~ 電源開啟，為更低的邏輯控制提供靈活性。ADG1412L開關(guān)在整個(gè)溫度范圍內(nèi)具有最大2.6Ω的導(dǎo)通電阻，并在數(shù)字輸入浮動(dòng)時(shí)保證關(guān)斷。開關(guān)信號(hào)時(shí)導(dǎo)通電阻曲線在整個(gè)模擬輸入范圍內(nèi)平坦，確保具有出色的線性度和低失真（1.5Ω典型值）。

2025-06-19 14:09:30

869

Analog Devices Inc. ADRF5301 SPDT開關(guān)評(píng)估板特性/應(yīng)用/示意圖

Analog Devices Inc. ADRF5301 SPDT開關(guān)評(píng)估板設(shè)計(jì)用于評(píng)估ADRF5301硅反射式SPDT開關(guān)的性能和特性。ADRF5301開關(guān)的頻率范圍為37GHz至49GHz，具有

2025-06-18 14:06:42

647

MASW-011098型Ka波段高功率單刀雙擲（SPDT）開關(guān)MACOM

MASW-011098是一款由 MACOM公司生產(chǎn)的高功率 SPDT（單刀雙擲）PIN 二極管開關(guān)，專為高線性度、低插入損耗的射頻應(yīng)用設(shè)計(jì)，適用于Ka波段及更高頻應(yīng)用。MASW-011098憑借其

2025-06-09 08:57:53

Analog Devices Inc. ADG6436雙路SPDT開關(guān)數(shù)據(jù)手冊(cè)

器應(yīng)用。啟用后，Analog Devices Inc. ADG6436可雙向?qū)?，并支持V~SS~ 至V~DD~ 的輸入信號(hào) - 2V。禁用的開關(guān)會(huì)阻止信號(hào)達(dá)到供電電平。數(shù)字輸入與5V、3.3V和1.8V邏輯兼容，無需單獨(dú)的邏輯電源。其平坦的導(dǎo)通電阻確保了出色的線性度和低失真，是音頻信號(hào)切換的理想之選。

2025-05-29 10:58:07

764

Analog Devices Inc. ADG2436雙路SPDT開關(guān)數(shù)據(jù)手冊(cè)

和1.8V數(shù)字邏輯輸入，無需單獨(dú)的電源引腳。其平坦的導(dǎo)通電阻確保了低失真和高線性度，是切換音頻信號(hào)的理想之選。

2025-05-29 09:42:54

693

特瑞仕XC8107/XC8108/XC8109系列參數(shù)特性負(fù)載開關(guān)IC選型數(shù)據(jù)手冊(cè)與產(chǎn)品手冊(cè)分享

特瑞仕的XC8107/XC8108/XC8109系列是高性能負(fù)載開關(guān) IC，具有低導(dǎo)通電阻、快速響應(yīng)和靈活的電流限制設(shè)置。

2025-05-26 18:24:27

1326

MAX4906EF高速/全速USB 2.0開關(guān)，提供高ESD保護(hù)技術(shù)手冊(cè)

MAX4906EF為帶靜電放電(ESD)保護(hù)的模擬開關(guān)，具有較低的導(dǎo)通電容(C ~ON~ )和較低的導(dǎo)通電阻(R ~ON~ )，能夠滿足系統(tǒng)對(duì)開關(guān)性能的嚴(yán)格要求。器件的COM_端可以在±15kV

2025-05-26 15:49:49

1196

MAX4983E/MAX4984E高速USB 2.0開關(guān)，具有±15kV ESD保護(hù)技術(shù)手冊(cè)

MAX4983E/MAX4984E為具有高ESD保護(hù)的模擬開關(guān)，具有較低的導(dǎo)通電容和較低的導(dǎo)通電阻，能夠滿足系統(tǒng)對(duì)高性能開關(guān)的應(yīng)用要求。COM1和COM2可以在±15kV ESD條件下提供保護(hù)而不

2025-05-26 15:28:13

802

MOSFET導(dǎo)通電阻參數(shù)解讀

導(dǎo)通電阻（RDSON）指的是在規(guī)定的測(cè)試條件下，使MOSFET處于完全導(dǎo)通狀態(tài)時(shí)（工作在線性區(qū)），漏極（D）與源極（S）之間的直流電阻，反映了MOSFET在導(dǎo)通狀態(tài)下對(duì)電流通過的阻礙程度。

2025-05-26 15:09:34

3811

MAX14585/MAX14585A高速USB和音頻開關(guān)，可處理負(fù)信號(hào)并提供高壓VBUS檢測(cè)技術(shù)手冊(cè)

對(duì)高性能開關(guān)所需的低導(dǎo)通電容(C ~ON~ )、低導(dǎo)通電阻(R ~ON~ )，內(nèi)部負(fù)電源允許通過低于地電位至-1.8V的音頻信號(hào)。器件還可處理低速/全速USB信號(hào)，工作電壓為2.7V至5.5V。

2025-05-26 14:38:13

727

MAX14919/MAX14919A工業(yè)保護(hù)型四通道低邊開關(guān)技術(shù)手冊(cè)

MAX14919/MAX14919A四通道低邊開關(guān)是一款工業(yè)保護(hù)開關(guān)，每通道具有140mΩ（典型值）導(dǎo)通電阻(R ~ON~ )，集成±1kV/42Ω浪涌保護(hù)功能，可實(shí)現(xiàn)穩(wěn)健運(yùn)行。

2025-05-21 10:31:00

1032

2.3 至 4.2 GHz 120 W 高功率 SPDT 開關(guān) skyworksinc

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2025-05-20 18:30:47

0.3 至 3.8 GHz 160 W 高功率 SPDT 開關(guān) skyworksinc

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2025-05-20 18:30:10

MAX14918, MAX14918A SPI/并聯(lián)控制四通道低側(cè)開關(guān)，具有反向電流檢測(cè)功能技術(shù)手冊(cè)

MAX14918 和 MAX14918A 是四個(gè) 700mA 低側(cè) 用于工業(yè)應(yīng)用的開關(guān)。每個(gè)設(shè)備具有四個(gè) 140mΩ（典型值）導(dǎo)通電阻 （R~ON）~ 開關(guān) 內(nèi)置 ±1.2kV/42Ω 浪涌保護(hù)器。2 或可以并聯(lián)更多輸出，以提供更高的負(fù)載電流。

2025-05-20 15:45:13

1556

Sky5? 2.4 至 8.3 GHz SPDT 開關(guān) skyworksinc

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2025-05-19 18:33:02

ADG3248 2.5 V/3.3 V、2:1多路復(fù)用器/解復(fù)用器總線開關(guān)技術(shù)手冊(cè)

ADG3248是一款2.5 V或3.3 V、高性能2:1多路復(fù)用器/解復(fù)用器，采用低壓CMOS工藝制造，具有低功耗、高開關(guān)速度和極低導(dǎo)通電阻特性。低導(dǎo)通電阻特性使輸入可以與輸出相連，而且不會(huì)引起額外的傳播延遲或產(chǎn)生額外的接地反彈噪聲。

2025-05-16 10:03:30

888

0.1 至 6.0 GHz SPDT 開關(guān) skyworksinc

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2025-05-13 18:30:23

TPS22934 具有輸出放電的 3.6V、1A、63mΩ 負(fù)載開關(guān)數(shù)據(jù)手冊(cè)

TPS22934 是一個(gè)小的低導(dǎo)通電阻 （r ~上~ ）帶受控導(dǎo)通的負(fù)載開關(guān)。這些器件包含一個(gè) P 通道 MOSFET 可在 1.5 V 至 3.6 V 的輸入電壓范圍內(nèi)工作。該開關(guān)由具有

2025-05-13 15:26:43

589

TPS22995 具有可調(diào)上升時(shí)間的 5.5V 3.5A 20mΩ 導(dǎo)通電阻負(fù)載開關(guān)數(shù)據(jù)手冊(cè)

TPS22995是一款單通道負(fù)載開關(guān)，集成了N-channel MOSFET，具有低導(dǎo)通電阻（18 mΩ）和可配置的上升時(shí)間，用于限制啟動(dòng)時(shí)的涌入電流。該開關(guān)適用于筆記本電腦、平板電腦、工業(yè)PC及離散工業(yè)解決方案等應(yīng)用。

2025-05-07 17:52:38

665

TPS22999 具有有限浪涌電流的 4.5V、1.5A、7.5mΩ 導(dǎo)通電阻快速導(dǎo)通負(fù)載開關(guān)數(shù)據(jù)手冊(cè)

TPS22999 是一款單通道負(fù)載開關(guān)，旨在實(shí)現(xiàn)快速導(dǎo)通時(shí)間，同時(shí)保持低浪涌電流該器件包含一個(gè) N 溝道 MOSFET，可在 0.1 V 至 VBIAS –1.0 V 的輸入電壓范圍內(nèi)工作，并可支持 1.5 A 的最大連續(xù)電流。

2025-05-07 10:00:56

537

模擬開關(guān)切換電流時(shí)遇到的問題

在做模擬開關(guān)切換電流的實(shí)驗(yàn)中, 使用6片ADG701組成三路切換的陣列，測(cè)量?jī)善?b class="flag-6" style="color: red">模擬開關(guān)之間的負(fù)載電阻的電壓，在上升沿或下降沿都會(huì)出現(xiàn)us級(jí)別的振鈴或者充電的現(xiàn)象

2025-05-06 21:48:07

HMC547ALC3非反射式SPDT開關(guān)ADI

HMC547ALC3非反射式SPDT開關(guān)ADIHMC547ALC3通用寬帶高隔離度非反射型GaAs pHEMT單刀雙擲（SPDT）開關(guān)，采用符合工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的3mm×3mm無引腳陶瓷表面貼裝封裝技術(shù)

2025-04-11 10:09:59

HMC347ALP3E單刀雙擲SPDT射頻開關(guān)ADI

HMC347ALP3E單刀雙擲SPDT射頻開關(guān)ADI HMC347ALP3E是Analog Devices（ADI）公司精心打造的一款寬帶、高隔離度的非反射型GaAs pHEMT SPDT（單刀雙擲

2025-03-14 09:45:46

ROHM推出超低導(dǎo)通電阻和超寬SOA范圍的Nch功率MOSFET

全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM（總部位于日本京都市）面向企業(yè)級(jí)高性能服務(wù)器和AI服務(wù)器電源，開發(fā)出實(shí)現(xiàn)了業(yè)界超低導(dǎo)通電阻*1和超寬SOA范圍*2的Nch功率MOSFET*3。

2025-03-13 15:08:04

1206

HMC270A GaAs MMIC SPDT非反射式開關(guān)DC-8 GHz技術(shù)手冊(cè)

HMC270AMS8GE均為寬帶非反射式GaAs SPDT開關(guān)，采用8引腳MSOP基極接地表貼塑料封裝。該開關(guān)頻率范圍為DC至8 GHz，提供出色的70至35 dB隔離。-5 V負(fù)控制電壓允許工作

2025-03-06 09:30:01

1040

ADRF5021 9kHz至30GHz、硅SPDT開關(guān)技術(shù)手冊(cè)

ADRF5021是一款通用型單刀雙擲(SPDT)開關(guān)，采用硅工藝制造。它采用3 mm × 3 mm、20引腳基板柵格陣列(LGA)封裝，在9 kHz至30 GHz頻率范圍內(nèi)提供高隔離度和低插入損耗。該寬帶開關(guān)采用+3.3 V和?2.5 V雙電源電壓供電，提供CMOS/LVTTL邏輯兼容控制。

2025-03-05 16:14:50

884

ADRF5019 100MHz至13 GHz硅SPDT非反射式開關(guān)技術(shù)手冊(cè)

控制電壓輸入。此開關(guān)采用互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體 (CMOS) 兼容型和低電壓晶體管-晶體管邏輯 (LVTTL) 兼容型控制。

2025-03-05 11:39:05

891

應(yīng)用于負(fù)壓信號(hào)選通的高速SPDT模擬開關(guān)2

應(yīng)用于負(fù)壓信號(hào)選通的高速SPDT模擬開關(guān)2

2025-02-28 15:12:01

630

HMC784A單刀雙擲（SPDT）射頻開關(guān)ADI

HMC784A是一款由ADI生產(chǎn)的高功率單刀雙擲（SPDT）射頻開關(guān)，適用于需要在高輸入信號(hào)功率下實(shí)現(xiàn)極低失真的發(fā)射-接收應(yīng)用。HMC784A寬頻帶控制、卓越的互調(diào)性能、低插入損耗以及靈活的電源選項(xiàng)

2025-02-27 09:52:51

中微愛芯發(fā)布全新CB3Q系列模擬開關(guān)

中微愛芯新推出的CBTLVD系列、CBTLV系列與CB3Q系列模擬開關(guān)均是高速、低功耗信號(hào)管理的理想選擇，與傳統(tǒng)模擬開關(guān)相比，在帶寬、導(dǎo)通電阻、功耗等方面均有較大性能優(yōu)勢(shì)，其應(yīng)用覆蓋計(jì)算機(jī)、移動(dòng)設(shè)備、工控設(shè)備、醫(yī)療電子等領(lǐng)域，尤其適合需要高速信號(hào)、信號(hào)多路復(fù)用、信號(hào)路由管理的場(chǎng)景。

2025-02-24 09:41:06

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惠斯通電橋與數(shù)字電阻計(jì)的比較

惠斯通電橋與數(shù)字電阻計(jì)是兩種常用的電阻測(cè)量工具，它們?cè)跍y(cè)量原理、精度、功能和應(yīng)用場(chǎng)景等方面存在一定的差異。以下是對(duì)兩者的比較：一、測(cè)量原理惠斯通電橋：基于電阻測(cè)量原理，通過四個(gè)電阻組成電橋

2025-02-13 15:39:28

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惠斯通電橋的電阻測(cè)量方法

QT-24型霜式電橋中的電阻箱）、直流電源、萬用電表、滑線變阻器、開關(guān)等儀器齊備且功能正常。連接電路：按照惠斯通電橋的電路圖正確連接各元件。通常，惠斯通電橋由四個(gè)電阻組成，分別為R1、R2、R3（可調(diào)電阻）和Rx（待測(cè)電阻）。這

2025-02-13 15:11:19

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導(dǎo)通電阻驟降21%！Wolfspeed第4代SiC技術(shù)平臺(tái)解析

，Wolfspeed第4代技術(shù)專為簡(jiǎn)化大功率設(shè)計(jì)中常見的開關(guān)行為和設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)而設(shè)計(jì)，并為 Wolfspeed 的各類產(chǎn)品（包括功率模塊、分立元件和裸芯片產(chǎn)品）制定了長(zhǎng)遠(yuǎn)的發(fā)展規(guī)劃路線圖。 ? 導(dǎo)通電阻大幅下降，開關(guān)損耗降低，安全冗余更高 ? Wolfspeed的第4代SiC MOSFET技術(shù)主要的提升在于三個(gè)部分，首

2025-02-13 00:21:00

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導(dǎo)通電阻僅為3?！納祥科技NX899單刀雙擲開關(guān)助力高效能設(shè)備

NX899是一款先進(jìn)的CMOS模擬開關(guān)，它采用硅柵CMOS技術(shù)制造，在保持CMOS低功耗的同時(shí)，實(shí)現(xiàn)了非常低的傳播延遲和低導(dǎo)通電阻，模擬電壓和數(shù)字電壓可能在整個(gè)供電范圍內(nèi)(從VCC到GND)有所不同。在性能上，NX899能國產(chǎn)替代SN74LVC1G3157、SGM3157。

2025-02-05 17:26:12

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