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電子發(fā)燒友網(wǎng)>今日頭條>用SM8S解決ISO7637-2抗擾度測(cè)試問(wèn)題

用SM8S解決ISO7637-2抗擾度測(cè)試問(wèn)題

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2025-10-22 10:35:13

替代矽創(chuàng)ST7033筆段式點(diǎn)陣屏驅(qū)動(dòng)芯片功耗低至6uA

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2025-10-22 09:56:41

6uA超低功耗點(diǎn)陣式LCD驅(qū)動(dòng)芯片替代矽創(chuàng)ST7033(COG)封裝使用與能數(shù)極限

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2025-10-21 14:51:28249

高輻射環(huán)境下AS32S601ZIT2型MCU的輻照性能與應(yīng)用潛力分析

摘要 隨著商業(yè)航天和核電站等高輻射環(huán)境對(duì)電子元器件可靠性和安全性的要求日益提高,輻照MCU(微控制單元)成為研究的熱點(diǎn)。本文以國(guó)科安芯推出的AS32S601ZIT2型MCU為研究對(duì)象,結(jié)合質(zhì)子單
2025-10-17 17:04:59529

ASM1042S2S芯片在軌應(yīng)用性能實(shí)證與輻照能力驗(yàn)證

在復(fù)雜空間環(huán)境下的輻照性能及其在軌應(yīng)用表現(xiàn)。研究涵蓋了總劑量輻照效應(yīng)、重離子單粒子效應(yīng)、質(zhì)子單粒子效應(yīng)、脈沖激光單粒子效應(yīng)試驗(yàn)以及實(shí)際在軌運(yùn)行數(shù)據(jù),探討了ASM1042S2S芯片的空間環(huán)境適應(yīng)性及其在航天領(lǐng)域的應(yīng)用潛力。研究結(jié)果表明,該芯片在多
2025-10-17 17:02:32547

AS32S601ZIT2型MCU:基于RISC-V架構(gòu)的輻照設(shè)計(jì)與試驗(yàn)評(píng)估

摘要 隨著航天、核能等高輻射環(huán)境領(lǐng)域?qū)﹄娮釉O(shè)備可靠性的要求不斷提高,輻照MCU(微控制單元)在保障系統(tǒng)穩(wěn)定運(yùn)行方面的重要性日益凸顯。本文聚焦于國(guó)科安芯推出的AS32S601ZIT2型MCU,一款
2025-09-25 17:15:10760

如何降低電能質(zhì)量在線監(jiān)測(cè)裝置對(duì)傳導(dǎo)干擾的敏感

降低電能質(zhì)量在線監(jiān)測(cè)裝置對(duì)傳導(dǎo)干擾的敏感,核心是通過(guò) **“硬件增強(qiáng)、電路隔離優(yōu)化、濾波防護(hù)強(qiáng)化、軟件補(bǔ)償輔助”** 四大維度,從裝置自身設(shè)計(jì)層面提升抗干擾能力,減少干擾對(duì)測(cè)量鏈路的 “滲透
2025-09-24 18:26:16553

SiLM5150SDC-DG高隔離強(qiáng)度、帶故障保護(hù)的CAN FD收發(fā)器

。它的核心優(yōu)勢(shì)在于其更高的隔離強(qiáng)度,提供長(zhǎng)達(dá)1分鐘的3.75kVRMS隔離電壓(符合UL1577),并擁有±100kV/μs的最小共模瞬態(tài)(CMTI),確保在極端電氣噪聲環(huán)境下的數(shù)據(jù)可靠性
2025-09-24 08:38:37

差示掃描量熱儀DSC-600S測(cè)試PET材料的結(jié)晶

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2025-09-22 15:40:581012

Siumulink模型測(cè)試典型問(wèn)題分享——模型層級(jí)設(shè)計(jì)不合理

典型測(cè)試問(wèn)題分享-模型層級(jí)設(shè)計(jì)不合理 問(wèn)題描述: ?重點(diǎn)功能與非重點(diǎn)功能混合,導(dǎo)致測(cè)試層級(jí)選擇困難。 ?模型未體現(xiàn)層級(jí)劃分,結(jié)構(gòu)平鋪導(dǎo)致層級(jí)圈復(fù)雜異常。 ?部分計(jì)算/判斷/賦值等結(jié)構(gòu)位于測(cè)試層級(jí)之外,存在未覆蓋風(fēng)險(xiǎn)。
2025-09-20 12:31:462858

有一個(gè)轉(zhuǎn)向燈是12V電池供電的產(chǎn)品,那ESD測(cè)試工作模式不需要包含24V吧?

有一個(gè)轉(zhuǎn)向燈是12V電池供電的產(chǎn)品,那ESD測(cè)試工作模式不需要包含24V吧?*附件:GB∕T 17626.5-2019 電磁兼容 試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù) 浪涌(沖擊)試驗(yàn).rar
2025-09-16 11:21:40

共模瞬態(tài)(CMTI)的定義、重要性及產(chǎn)生的原因

共模瞬態(tài)(CMTI)是衡量半導(dǎo)體隔離器件在高壓瞬變干擾下保持信號(hào)完整性的關(guān)鍵指標(biāo),尤其在SiC/GaN等寬禁帶半導(dǎo)體應(yīng)用中至關(guān)重要。以下是核心要點(diǎn): 一. ? 定義與單位 ? CMTI指隔離器
2025-09-04 15:29:231032

預(yù)填充注射器滑動(dòng)性測(cè)試儀滿足ISO11040-4-2024標(biāo)準(zhǔn)要求

注射器的技術(shù)要求進(jìn)行了詳細(xì)規(guī)定,其中滑動(dòng)力測(cè)試是評(píng)估注射器內(nèi)壁潤(rùn)滑質(zhì)量與一致性的關(guān)鍵環(huán)節(jié)。 ISO11040-4滑動(dòng)力測(cè)試概述ISO11040-4第四部分
2025-09-04 15:08:36

基于輻照性能的ASP4644S電源芯片特性分析與多領(lǐng)域應(yīng)用驗(yàn)證

文針對(duì)國(guó)科安芯推出的ASP4644S電源芯片的輻照特性及其在多個(gè)關(guān)鍵領(lǐng)域的應(yīng)用進(jìn)行了深入研究。
2025-08-27 18:01:13834

從6600/EAB到EAL-5000:指令兼容下的測(cè)試性能進(jìn)化

,還是嚴(yán)苛的測(cè)試,它都能提供穩(wěn)定而靈活的電力支持。添加圖片注釋,不超過(guò)140字(可選)在它之前,6600系列和EAB系列曾長(zhǎng)期活躍在各類研發(fā)與生產(chǎn)測(cè)試現(xiàn)場(chǎng),憑借
2025-08-27 08:59:33327

半導(dǎo)體CMTI(共模瞬變)的定義、測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)及原理、測(cè)試方法及應(yīng)用

半導(dǎo)體CMTI(共模瞬變)是衡量隔離器件在高頻共模干擾下維持信號(hào)完整性的關(guān)鍵指標(biāo),其定義為隔離電路兩側(cè)地電位間瞬變電壓的最大耐受變化率(單位:kV/μs或V/ns)?。該指標(biāo)直接反映器件對(duì)快速
2025-08-26 16:29:25836

德州儀器ISO1228DFBEVM評(píng)估模塊技術(shù)解析與應(yīng)用指南

Texas Instruments ISO1228DFBEVM評(píng)估模塊 (EVM) 用于評(píng)估8通道隔離式數(shù)字輸入接收器 (ISO 1228),采用38引腳DFB SSOP封裝。該評(píng)估模塊具有額外占位
2025-08-18 14:25:02700

德州儀器ISO6521REUEVM評(píng)估模塊技術(shù)解析與應(yīng)用指南

Texas Instruments ISO6521REUEVM評(píng)估模塊設(shè)計(jì)用于評(píng)估雙通道ISO6521功能隔離器,采用8引腳DFN封裝。ISO6521REUEVM采用額外占位面積,用戶可靈活地添加元件以測(cè)試各種典型應(yīng)用。
2025-08-14 13:54:49818

浪涌測(cè)試、脈沖群測(cè)試、ESD測(cè)試的對(duì)比

+ 8/20μs 電流波) 1.2/50μs:電壓波(開(kāi)路狀態(tài)) 8/20μs:電流波(短路狀態(tài)) 測(cè)試等級(jí) :通常 ±0.5kV ~ ±4kV (線-線或線-地) 1.3 測(cè)試方法 直接耦合 :通過(guò)
2025-08-12 21:46:301112

PCB金屬標(biāo)簽的應(yīng)用

PCB金屬標(biāo)簽是一種專門設(shè)計(jì)用于在金屬表面或靠近金屬環(huán)境使用的RFID標(biāo)簽。它通過(guò)特殊的天線設(shè)計(jì)和材料選擇,克服了傳統(tǒng)RFID標(biāo)簽在金屬環(huán)境中無(wú)法正常工作的難題。PCB金屬標(biāo)簽具有高靈敏、強(qiáng)
2025-08-06 16:11:17626

德州儀器UCC21738-Q1隔離式單通道柵極驅(qū)動(dòng)器技術(shù)解析

性。該器件具有高達(dá)±10A峰值拉電流和灌電流。采用SiO~2~ 電容隔離技術(shù),輸入側(cè)與輸出側(cè)隔離。該特性支持高達(dá)1.5kV~RMS~ 工作電壓和12.8kV~PK~ 浪涌,隔離柵壽命超過(guò)40年。并提供較低的器件間偏移,共模瞬態(tài) (CMTI) 大于150V/ns。
2025-08-06 10:45:08777

Texas Instruments ISO1228數(shù)字輸入接收器數(shù)據(jù)手冊(cè)

Texas Instruments ISO1228數(shù)字輸入接收器是一款8通道隔離式24V輸入接收器,具有限流和診斷功能。該數(shù)字輸入接收器可配置為IEC 61131-2 1和3型特性或4 通道2型特性
2025-08-02 11:09:071070

普源數(shù)字萬(wàn)表DM3058電壓波動(dòng)測(cè)試要點(diǎn)

普源數(shù)字萬(wàn)表DM3058是一款高精度、多功能測(cè)量?jī)x器,廣泛應(yīng)用于電氣參數(shù)的測(cè)量與測(cè)試。在進(jìn)行電壓波動(dòng)測(cè)試時(shí),需要嚴(yán)格按照規(guī)范操作,確保測(cè)試結(jié)果的準(zhǔn)確性和可靠性。本文將從測(cè)試原理、設(shè)備準(zhǔn)備
2025-07-31 17:22:50794

順絡(luò)電阻的潮濕性能如何?

順絡(luò)電阻的潮濕性能如何?順絡(luò)電阻的潮濕性能表現(xiàn)優(yōu)異,具體體現(xiàn)在以下方面 : 1、材料與工藝優(yōu)化 順絡(luò)部分電阻系列(如RNCE高穩(wěn)定薄膜電阻)采用高純度氧化鋁陶瓷基板,表面光滑顯著提升,減少
2025-07-18 15:16:32485

中汽中心牽頭制定的首個(gè)網(wǎng)聯(lián)車輛電磁兼容ISO國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)發(fā)布

近期,由中國(guó)牽頭制定的首個(gè)網(wǎng)聯(lián)車輛電磁兼容ISO國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)《道路車輛 窄帶輻射電磁能的性 V2X輻射》(ISO/TR 17716:2025)以技術(shù)報(bào)告形式正式發(fā)布。該標(biāo)準(zhǔn)由中汽中心牽頭完成。
2025-07-08 16:47:221302

雷擊浪涌測(cè)試中的TVS波形驗(yàn)證:雷卯電子專業(yè)解析

講解在進(jìn)行雷擊浪涌測(cè)試時(shí),波形驗(yàn)證是確保測(cè)試準(zhǔn)確性的關(guān)鍵環(huán)節(jié)。作為專業(yè)的TVS(瞬態(tài)電壓抑制二極管)器件生產(chǎn)廠家,雷卯電子始終關(guān)注浪涌測(cè)試中器件與波形的兼容性。以下結(jié)合行業(yè)標(biāo)準(zhǔn),雷卯EMC小哥為您解析雷擊浪涌測(cè)試及TVS接入后的波形驗(yàn)
2025-07-07 16:19:50820

ISO 11452-4:BCI與TWC測(cè)試方法詳解及應(yīng)用選型

隨著汽車電子系統(tǒng)復(fù)雜的不斷提升,電磁兼容性(EMC)測(cè)試在車輛開(kāi)發(fā)流程中愈加重要。ISO 11452-4:2020(E) 是國(guó)際通行的車載電子測(cè)試標(biāo)準(zhǔn),涵蓋了多種通過(guò)電纜線束注入干擾的方法。隨著TWC成為高頻EMC測(cè)試的重要手段,設(shè)備的選型成為關(guān)鍵環(huán)節(jié)。
2025-07-04 16:42:35903

harmony-utils之SM2,SM2加解密

harmony-utils之SM2,SM2加解密 harmony-utils 簡(jiǎn)介與說(shuō)明 [harmony-utils] 一款功能豐富且極易上手的HarmonyOS工具庫(kù),借助眾多實(shí)用工具類,致力于
2025-06-30 16:47:08657

牙科根管挫扭強(qiáng)度測(cè)試儀 YY0803.1-2010

    ZNJ-02根管銼扭力測(cè)試儀是一款專業(yè)用于測(cè)量根管銼的扭強(qiáng)度、最大扭矩、最大扭角、抗彎強(qiáng)度、軸向位移等性能的專用設(shè)備。是根管銼生產(chǎn)廠家,根管銼材料研究機(jī)構(gòu)、第三方檢測(cè)
2025-06-27 17:22:24

技術(shù)干貨 | 深度解讀GB/T 45086.1-2024 EMC部分關(guān)鍵項(xiàng)

國(guó)標(biāo)GB/T 45086.1-2024嚴(yán)控車載衛(wèi)星定位系統(tǒng)電磁兼容性(EMC),尤其輻射測(cè)試。德思特提供精準(zhǔn)解決方案:BCI測(cè)試與電波暗室方案,覆蓋20MHz-2000MHz全頻段,提升測(cè)試效率,助您輕松滿足新標(biāo)要求!
2025-06-23 10:49:344128

【技術(shù)分享】從EMC到極限溫升,插板式模組都通過(guò)了哪些“地獄測(cè)試”?

確保設(shè)備能在各種環(huán)境中正常工作,插板式模組都要經(jīng)過(guò)靜電放電抗試驗(yàn),電快速瞬變脈沖群試驗(yàn),雷擊(浪涌)試驗(yàn),射頻場(chǎng)感應(yīng)的傳導(dǎo)騷擾試驗(yàn),輻射騷擾試
2025-06-17 11:36:04605

有一個(gè)關(guān)于STM32G474雙BANK的測(cè)試問(wèn)題求解答

工程師朋友,您好有一個(gè)關(guān)于STM32G474 雙BANK的測(cè)試問(wèn)題請(qǐng)教各位:一個(gè)LED 閃爍的測(cè)試程序已經(jīng)在IAR環(huán)境構(gòu)建成功,使用STM32CubeProgrammer 加載到0X800 0000
2025-06-17 07:15:16

電磁兼容EMI輻射發(fā)射與測(cè)量的小方盒--TEM小室

電子產(chǎn)品的輻射干擾無(wú)一例外地要在昂貴的屏蔽室或者暗室中測(cè)試,但是當(dāng)你把一個(gè)只有手指大小的汽車電子部件放在龐大的屏蔽室內(nèi)巨大的天線對(duì)準(zhǔn)部件進(jìn)行測(cè)試的時(shí)候,你是否會(huì)突然覺(jué)得場(chǎng)面有點(diǎn)滑稽呢?你是否會(huì)突發(fā)
2025-06-13 09:34:35633

求助,關(guān)于STM32G474雙BANK的測(cè)試問(wèn)題求解

工程師朋友,您好有一個(gè)關(guān)于STM32G474 雙BANK的測(cè)試問(wèn)題請(qǐng)教各位:一個(gè)LED 閃爍的測(cè)試程序已經(jīng)在IAR環(huán)境構(gòu)建成功,使用STM32CubeProgrammer 加載到0X800 0000
2025-06-11 07:57:15

LMR36015S 具有擴(kuò)展溫度的 4.2V 至 60V、1.5A 超小型同步降壓轉(zhuǎn)換器數(shù)據(jù)手冊(cè)

,容差高達(dá) 66 V。瞬態(tài)容差減少了防止過(guò)電壓所需的設(shè)計(jì)工作,并滿足 IEC 61000-4-5 的浪涌要求。
2025-06-10 15:24:27648

ISO 21498-2:2024標(biāo)準(zhǔn)解析

隨著電動(dòng)汽車技術(shù)的飛速發(fā)展,對(duì)高壓電路系統(tǒng)及元器件的測(cè)試要求也日益嚴(yán)格。高壓零部件是電動(dòng)汽車動(dòng)力系統(tǒng)的重要組成部分,依據(jù)ISO 21498-2標(biāo)準(zhǔn)開(kāi)發(fā)設(shè)計(jì)的先進(jìn)測(cè)試設(shè)備,為高壓電性能部件的測(cè)試提供了
2025-06-09 16:29:581804

DC紋波測(cè)試問(wèn)

為什么在測(cè)試DC紋波的時(shí)候,為什么有時(shí)候測(cè)出來(lái)是幾十mv,有時(shí)候測(cè)出來(lái)是20多V,是測(cè)試方法有問(wèn)題嗎,還是別的注意事項(xiàng),的200M的帶寬
2025-06-08 22:00:50

深度解析:SM5401S/SM5401/SM5402移動(dòng)電源SOC如何優(yōu)化效率與安全?

在移動(dòng)電源的核心世界里,SOC芯片如同 “智慧中樞”,掌控著充電、放電與能量管理等關(guān)鍵環(huán)節(jié)。今天,就來(lái)深度剖析SM5401S、SM5401和SM5402這三款芯片在移動(dòng)電源應(yīng)用中的獨(dú)特魅力、顯著優(yōu)勢(shì)以及細(xì)微差異。
2025-06-07 14:27:242126

電流探頭在EMC測(cè)試中的應(yīng)用

本文主要介紹了電流探頭的工作原理、應(yīng)用場(chǎng)景以及其在實(shí)際測(cè)試中的優(yōu)勢(shì)。電流探頭是一種非接觸式測(cè)量工具,可用于檢測(cè)導(dǎo)體中的電流信號(hào),適用于傳導(dǎo)發(fā)射、輻射發(fā)射和測(cè)試。
2025-06-06 15:40:51559

心電圖示儀的靜電和浪涌保護(hù)參考設(shè)計(jì)方案

的影響。參考標(biāo)準(zhǔn)IEC60601-1醫(yī)療電氣設(shè)備基本安全要求IEC60601-1-2電磁兼容性(EMC)標(biāo)準(zhǔn),包括靜電和浪涌測(cè)試IEC61000-4-2靜電放電抗(測(cè)
2025-06-03 11:08:28694

脈沖群衰減器檢驗(yàn)電快速瞬變脈沖群發(fā)生器的脈沖電壓波形

在做EFT(電快速瞬變)測(cè)試前,通常我們都要檢驗(yàn)下電快速脈沖群模擬器生成的電壓脈沖是否擁有正確的脈沖上升時(shí)間、脈沖群持續(xù)時(shí)間和脈沖群周期??梢允褂妹}沖群衰減器和高帶寬示波器配合,檢驗(yàn)電快速脈沖
2025-05-28 10:11:53881

UCC21732 5.7kVrms、±10A 單通道隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器,具有 2 級(jí)關(guān)斷功能,用于 IGBT/SiC FET數(shù)據(jù)手冊(cè)

高達(dá) ±10A 的峰值拉電流和灌電流。 輸入側(cè)采用 SiO2 電容隔離技術(shù)與輸出側(cè)隔離,支持高達(dá) 1.5kVRMS 的工作電壓、12.8kVPK 浪涌和超過(guò) 40 年的隔離柵壽命,并提供低器件間偏斜、>150V/ns 共模噪聲抗擾度 (CMTI)。
2025-05-16 18:00:09807

UCC21737-Q1 用于 SiC/IGBT 的汽車級(jí) 10A 隔離式單通道柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)

±10A 的峰值拉電流和灌電流。 輸入側(cè)采用 SiO2 電容隔離技術(shù)與輸出側(cè)隔離,支持高達(dá) 1.5kVRMS 的工作電壓、12.8kVPK 浪涌,隔離柵壽命超過(guò) 40 年,并提供低器件間偏移和 >150V/ns 共模瞬態(tài) (CMTI)。
2025-05-16 14:34:01780

UCC21738-Q1 用于 SiC/IGBT、有源短路保護(hù)的汽車類 10A 單通道隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器數(shù)據(jù)手冊(cè)

±10A 的峰值拉電流和灌電流。 輸入側(cè)采用 SiO 2 電容隔離技術(shù)與輸出側(cè)隔離,支持高達(dá) 1.5 kV RMS 的工作電壓、12.8 kV PK 浪涌,隔離柵壽命超過(guò) 40 年,并提供低器件間偏移和 >150 V/ns 共模瞬態(tài) (CMTI)。
2025-05-16 10:12:06615

ISO 16750-2:2023標(biāo)準(zhǔn)深度解讀

01標(biāo)準(zhǔn)定位與核心更新 ISO 16750-2:2023是國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)化組織針對(duì)汽車電子電氣設(shè)備電氣負(fù)荷測(cè)試的新版本,適用于燃油車、新能源車及智能網(wǎng)聯(lián)汽車的電子部件驗(yàn)證。相較于2012版,新版標(biāo)準(zhǔn)新增了
2025-05-16 10:07:243671

你在使用PTR5415藍(lán)牙模塊中有遇到哪些測(cè)試問(wèn)題?歡迎分享實(shí)測(cè)案例

有在使用藍(lán)牙模塊PTR5415的小伙伴們嗎?你在應(yīng)用中遇到過(guò)哪些測(cè)試問(wèn)題?歡迎分享實(shí)測(cè)案例
2025-05-09 14:32:52

ISO 11452-8 標(biāo)準(zhǔn)下,AS5x47y 如何破解競(jìng)品傳感器的磁場(chǎng) “弱點(diǎn)”?

ISO 11452-8 標(biāo)準(zhǔn)下,AS5x47y 如何破解競(jìng)品傳感器的磁場(chǎng) “弱點(diǎn)”?》
2025-05-09 13:48:20528

芯片制造中的反射涂層介紹

本文介紹了反射涂層來(lái)保證光刻精度的原理。
2025-04-19 15:49:282559

廣立微DFTEXP榮獲ISO 26262認(rèn)證

近日,廣立微(上海)技術(shù)有限公司獲得SGS針對(duì)其EDA可測(cè)試性設(shè)計(jì)系列產(chǎn)品DFTEXP頒發(fā)的功能安全ISO 26262 TCL 2(ASIL D)產(chǎn)品認(rèn)證證書。
2025-04-19 15:03:54954

半導(dǎo)體電磁兼容測(cè)試的必備裝備---TEM小室

GB/T42968.2-2024《集成電路電磁測(cè)量第2部分:輻射測(cè)量TEM小室和寬帶TEM小室法》國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)于2024年10月26日發(fā)布,并自同日起實(shí)施。該標(biāo)準(zhǔn)旨在為集成電路的電磁兼容
2025-04-10 09:48:191111

羅德與施瓦茨ESW8測(cè)試接收機(jī)

羅德與施瓦茨ESW8測(cè)試接收機(jī) ESW82 Hz 至 8 GHz  jiangRohde-schwarzR S?ESW8EMI測(cè)試接收機(jī) 
2025-04-08 09:33:42

ADL5350低頻至4GHz高線性Y型混頻器技術(shù)手冊(cè)

ADL5350是一款高線性、上/下變頻混頻器,能夠在較寬的輸入頻率范圍內(nèi)工作,非常適合要求高靈敏和高效的蜂窩基站混頻器設(shè)計(jì)。這款器件基于GaAs pHEMT、單端混頻器架構(gòu),能提供出色的輸入線性和低噪聲系數(shù),而無(wú)需高功耗本機(jī)振蕩器(LO)驅(qū)動(dòng)。
2025-03-31 10:15:171010

EMI(干擾)和EMS()基礎(chǔ)知識(shí)與整改流程

,要求具備“即使受到EMI,也不會(huì)引起誤動(dòng)作等問(wèn)題”的耐受能力,多與Immunity(耐受性、、排除能力)成對(duì)使用。EMI和EMS這兩大項(xiàng)中又包括許多小項(xiàng)目,EMI主要測(cè)試項(xiàng):RE(產(chǎn)品輻射,發(fā)射
2025-03-28 13:28:19

汽車電子領(lǐng)域ISO 16750-2簡(jiǎn)介

在當(dāng)今汽車電子領(lǐng)域,ISO16750-2標(biāo)準(zhǔn)已成為確保電子設(shè)備可靠性和安全性的關(guān)鍵指南。作為一項(xiàng)國(guó)際標(biāo)準(zhǔn),ISO16750-2:2023專注于道路車輛電子電氣產(chǎn)品的電氣性能測(cè)試,旨在模擬車輛在各種
2025-03-24 09:41:171599

HMC754S8GE GaAs HBT高線性推挽放大器技術(shù)手冊(cè)

推挽配置結(jié)構(gòu)的兩個(gè)放大器配合使用,同時(shí)使用外部巴倫以抵消二階非線性并改善IP2性能。 在此配置中,HMC754S8G提供高增益,極低失真和簡(jiǎn)單外部匹配性能。 該高線性放大器采用單正電源供電時(shí)功耗僅為160mA。
2025-03-21 14:05:31763

FA8-220S05D2 FA8-220S05D2

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2025-03-18 18:45:19

SM5166PS與SM5166PF的區(qū)別

在 LED 驅(qū)動(dòng)控制芯片的領(lǐng)域中,SM5166PS 與 SM5166PF 猶如兩顆璀璨的明星,它們均為高集成LED驅(qū)動(dòng)芯片 ,在眾多方面有著諸多相似之處,共同為 LED 顯示技術(shù)的發(fā)展奠定了
2025-03-18 17:39:091352

廣電計(jì)量電磁兼容測(cè)試系統(tǒng)升級(jí),賦能北方工業(yè)經(jīng)濟(jì)

應(yīng)用不斷升級(jí)和測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)體系不斷完善,行業(yè)內(nèi)對(duì)智能化與自動(dòng)化測(cè)試、高精度測(cè)試及復(fù)雜環(huán)境下的電磁兼容檢測(cè)技術(shù)需求增加。為響應(yīng)政府號(hào)召,更好服務(wù)北方區(qū)域客戶群體,廣
2025-03-17 17:07:291306

請(qǐng)問(wèn)STM8SSTVP燒錄怎么加密?

STM8SSTVP燒錄怎么加密? 最好有加密的步驟,小弟剛接觸這個(gè),加密之后別人能否讀出來(lái)? 加密過(guò)后的IC還能不能再燒錄? 希望有經(jīng)驗(yàn)大師指點(diǎn)指點(diǎn)
2025-03-17 07:31:07

WT588F02B-8S(B2)語(yǔ)音芯片資料V1

WT588F02B-8S(B2)語(yǔ)音芯片資料V1
2025-03-13 09:53:400

【電磁兼容技術(shù)案例分享】某工業(yè)控制器產(chǎn)品振鈴波整改案例

【電磁兼容技術(shù)案例分享】某工業(yè)控制器產(chǎn)品振鈴波整改案例
2025-03-05 18:04:27961

NXP/恩智浦 TJA1050TCM SOP8 收發(fā)器

特點(diǎn)?完全符合“ISO 11898”標(biāo)準(zhǔn)?高速(高達(dá)1 Mbaud)?極低電磁輻射(EME)?具有寬共模范圍的差分接收器高電磁(EMI)?無(wú)電源節(jié)點(diǎn)不會(huì)干擾總線線路?傳輸數(shù)據(jù)(TXD)主要超時(shí)
2025-02-11 11:08:34

Apollo通過(guò)ISO 26262 ASIL D產(chǎn)品認(rèn)證

近日,國(guó)際公認(rèn)的測(cè)試、檢驗(yàn)和認(rèn)證機(jī)構(gòu)SGS(以下簡(jiǎn)稱為“SGS”)為百Apollo開(kāi)發(fā)的自研AutoSAR軟件框架產(chǎn)品VOS SYS頒發(fā)ISO 26262: 2018功能安全ASIL D產(chǎn)品認(rèn)證證書。獲得此證書標(biāo)志著Apollo軟硬件系統(tǒng)方案的產(chǎn)品功能安全水平進(jìn)一步提高,并得到了國(guó)際權(quán)威認(rèn)證。
2025-02-05 11:35:331417

怎么樣盡量降低ADC122s021兩路之間的串問(wèn)題?

我在使用ADC122s021的時(shí)候發(fā)現(xiàn),模擬輸入驅(qū)動(dòng)需要一個(gè)低阻抗的源,這樣可以減小失真,請(qǐng)問(wèn)則個(gè)低阻抗源的抵抗范圍是多少比較合適?現(xiàn)在我使用OPA2376來(lái)驅(qū)動(dòng)這兩路信號(hào),OPA2376的開(kāi)關(guān)輸出電阻式150歐,請(qǐng)問(wèn)是否可行?另外,怎么樣盡量降低ADC122s021兩路之間的串問(wèn)題。謝謝!
2025-01-23 08:30:02

ADC電路的串怎么解決?

有這樣一個(gè)設(shè)計(jì),多路信號(hào)經(jīng)過(guò)了兩個(gè)分立的模擬開(kāi)關(guān),多個(gè)正信號(hào)一個(gè)模擬開(kāi)關(guān),多個(gè)負(fù)信號(hào)一個(gè)模擬開(kāi)關(guān)。程序控制模擬開(kāi)關(guān)每次選出一個(gè)正信號(hào)和一個(gè)負(fù)信號(hào),送入差分放大電路,再送入ADC進(jìn)行轉(zhuǎn)換
2025-01-07 06:15:34

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