尚未實(shí)施，以及 IC 廠庫存水位偏低、智慧手機(jī)進(jìn)入銷售旺季，加上 AI 需求持續(xù)強(qiáng)等因素，晶圓代工廠產(chǎn)能利用率并未如預(yù)期下修，晶圓廠第三季表現(xiàn)可能更勝預(yù)期。 截止11月13日，全球晶圓代工大廠臺積電、聯(lián)電、中芯國際紛紛發(fā)布第三季度財(cái)報(bào)，本文將重點(diǎn)
2025-11-16 00:19:00
13871 
（電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道 文/章鷹）據(jù)外媒報(bào)道，格芯正在與聯(lián)電正在評估合并的可能性，目的是確保美國成熟制程芯片供應(yīng)暢通外，還有意通過投資美國研發(fā)工作，創(chuàng)造出一家規(guī)模更大、足夠與臺積電抗衡的企業(yè)。受此
2025-04-02 00:05:003623 
摘要：本文研究白光干涉儀在肖特基二極管晶圓深溝槽 3D 輪廓測量中的應(yīng)用，分析其工作原理及適配深溝槽結(jié)構(gòu)的技術(shù)優(yōu)勢，通過實(shí)際案例驗(yàn)證其測量精度，為肖特基二極管晶圓深溝槽制造的質(zhì)量控制與性能優(yōu)化提供
半導(dǎo)體晶圓拋光技術(shù)面臨多重挑戰(zhàn)，這些挑戰(zhàn)源于工藝精度提升、新材料應(yīng)用及復(fù)雜結(jié)構(gòu)的集成需求。以下是主要的技術(shù)難點(diǎn)及其具體表現(xiàn)： 納米級平整度與均勻性控制 原子級表面粗糙度要求：隨著制程節(jié)點(diǎn)進(jìn)入7nm
2025-10-13 10:37:52470 我將從超薄玻璃晶圓 TTV 厚度測量面臨的問題出發(fā)，結(jié)合其自身特性與測量要求，分析材料、設(shè)備和環(huán)境等方面的技術(shù)瓶頸，并針對性提出突破方向和措施。
超薄玻璃晶圓（
2025-09-28 14:33:22337 
再生晶圓與普通晶圓在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈中扮演著不同角色，二者的核心區(qū)別體現(xiàn)在來源、制造工藝、性能指標(biāo)及應(yīng)用場景等方面。以下是具體分析：定義與來源差異普通晶圓：指全新生產(chǎn)的硅基材料，由高純度多晶硅經(jīng)拉單晶
2025-09-23 11:14:55771 
根據(jù)集邦咨詢最新報(bào)告數(shù)據(jù)顯示，在2025年第二季度，全球前十大晶圓代工廠營收增長至417億美元以上，季增高達(dá)14.6%；創(chuàng)下新紀(jì)錄。在2025年第二季度，前十晶圓代工廠市場份額約達(dá)96.8%。其中
2025-09-03 15:54:514762 WD4000晶圓厚度翹曲度測量系統(tǒng)兼容不同材質(zhì)不同粗糙度、可測量大翹曲wafer、測量晶圓雙面數(shù)據(jù)更準(zhǔn)確。它通過非接觸測量，將晶圓的三維形貌進(jìn)行重建，強(qiáng)大的測量分析軟件穩(wěn)定計(jì)算晶圓厚度，TTV
2025-08-25 11:29:30
在晶圓加工流程中，早期檢測宏觀缺陷是提升良率與推動(dòng)工藝改進(jìn)的核心環(huán)節(jié)，這一需求正驅(qū)動(dòng)檢測技術(shù)與晶圓測試圖分析領(lǐng)域的創(chuàng)新。宏觀缺陷早期檢測的重要性與挑戰(zhàn)在晶圓層面，一個(gè)宏觀缺陷可能影響多個(gè)芯片，甚至在
2025-08-19 13:48:231116 
我將從超薄晶圓研磨面臨的挑戰(zhàn)出發(fā)，點(diǎn)明聚氨酯墊性能對晶圓 TTV 的關(guān)鍵影響，引出研究意義。接著分析聚氨酯墊性能與 TTV 的關(guān)聯(lián)，闡述性能優(yōu)化方向及 TTV 保障技術(shù)，最后通過實(shí)驗(yàn)初步驗(yàn)證效果。
超薄晶圓（
2025-08-06 11:32:54585 晶圓清洗工藝是半導(dǎo)體制造中的關(guān)鍵步驟，用于去除晶圓表面的污染物（如顆粒、有機(jī)物、金屬離子和氧化物），確保后續(xù)工藝（如光刻、沉積、刻蝕）的良率和器件性能。根據(jù)清洗介質(zhì)、工藝原理和設(shè)備類型的不同，晶圓
2025-07-23 14:32:161368 
晶圓清洗機(jī)中的晶圓夾持是確保晶圓在清洗過程中保持穩(wěn)定、避免污染或損傷的關(guān)鍵環(huán)節(jié)。以下是晶圓夾持的設(shè)計(jì)原理、技術(shù)要點(diǎn)及實(shí)現(xiàn)方式： 1. 夾持方式分類 根據(jù)晶圓尺寸（如2英寸到12英寸）和工藝需求，夾持
2025-07-23 14:25:43928 尺寸與清洗
挑戰(zhàn)小尺寸
晶圓（2-6英寸）特點(diǎn)：面積小、厚度較?。ㄈ?英寸
晶圓厚度約500μm），機(jī)械強(qiáng)度低，易受流體沖擊損傷。
挑戰(zhàn)：清洗槽體積較小，易因流體不均勻?qū)е?/div>
2025-07-22 16:51:191332 
產(chǎn)生的切削熱分布及其與工藝的耦合效應(yīng)，會對晶圓 TTV 產(chǎn)生復(fù)雜影響 。深入研究兩者耦合效應(yīng)對 TTV 的作用機(jī)制，對優(yōu)化晶圓切割工藝、提升晶圓質(zhì)量具有重要意義。
二、
2025-07-12 10:01:07437 盡管TC Wafer晶圓系統(tǒng)已成為半導(dǎo)體溫度監(jiān)測的重要工具，但在實(shí)際應(yīng)用中仍面臨多項(xiàng)技術(shù)挑戰(zhàn)。同時(shí)，隨著半導(dǎo)體工藝不斷向更小節(jié)點(diǎn)演進(jìn)，該系統(tǒng)也展現(xiàn)出明確的發(fā)展趨勢，以滿足日益嚴(yán)格的測溫需求。
2025-07-10 21:31:071004 
楷登電子（美國 Cadence 公司，NASDAQ：CDNS）近日宣布擴(kuò)大與三星晶圓代工廠的合作，包括簽署一項(xiàng)新的多年期 IP 協(xié)議，在三星晶圓代工廠的 SF4X、SF5A 和 SF2P 先進(jìn)節(jié)點(diǎn)
2025-07-10 16:44:04918 WD4000晶圓厚度THK幾何量測系統(tǒng)兼容不同材質(zhì)不同粗糙度、可測量大翹曲wafer、測量晶圓雙面數(shù)據(jù)更準(zhǔn)確。它通過非接觸測量，將晶圓的三維形貌進(jìn)行重建，強(qiáng)大的測量分析軟件穩(wěn)定計(jì)算晶圓厚度，TTV
2025-07-10 13:42:33
超薄晶圓因其厚度極薄，在切割時(shí)對振動(dòng)更為敏感，易影響厚度均勻性。我將從分析振動(dòng)對超薄晶圓切割的影響出發(fā)，探討針對性的振動(dòng)控制技術(shù)和厚度均勻性保障策略。
超薄晶圓（
2025-07-09 09:52:03580 在集成電路生產(chǎn)過程中，晶圓背面二氧化硅邊緣腐蝕現(xiàn)象是一個(gè)常見但復(fù)雜的問題。每個(gè)環(huán)節(jié)都有可能成為晶圓背面二氧化硅邊緣腐蝕的誘因，因此需要在生產(chǎn)中嚴(yán)格控制每個(gè)工藝參數(shù)，尤其是對邊緣區(qū)域的處理，以減少這種現(xiàn)象的發(fā)生。
2025-07-09 09:43:08759 性的影響機(jī)制，并提出有效抑制方法，是提升晶圓加工精度、推動(dòng)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)高質(zhì)量發(fā)展的關(guān)鍵所在。
二、振動(dòng) - 應(yīng)力耦合效應(yīng)對晶圓厚度均勻性的影響
2.1 振動(dòng)引發(fā)
2025-07-08 09:33:33591 近日，全球半導(dǎo)體制造巨頭臺積電(TSMC)宣布將逐步退出氮化鎵(GaN)晶圓代工業(yè)務(wù)，預(yù)計(jì)在未來兩年內(nèi)完成這一過渡。這一決定引起了行業(yè)的廣泛關(guān)注，尤其是在當(dāng)前競爭激烈的半導(dǎo)體市場環(huán)境中。據(jù)供應(yīng)鏈
2025-07-07 10:33:223474 
13% ，主要受益于AI與高性能計(jì)算（HPC）芯片需求強(qiáng)勁，進(jìn)一步推動(dòng)先進(jìn)制程（如3nm與4nm）與先進(jìn)封裝技術(shù)的應(yīng)用。 晶圓代工2.0：從單一制造到全鏈條整 “晶圓代工 2.0”概念由臺積電于2024
2025-06-25 18:17:41438 并購重組審核委員會審議通過，后續(xù)尚需取得中國證監(jiān)會同意注冊的決定后方可實(shí)施。 芯聯(lián)集成是全球領(lǐng)先的集成電路晶圓代工企業(yè)之一，根據(jù)ChipInsights發(fā)布的《2024年全球?qū)?b class="flag-6" style="color: red">晶圓代工排行榜》，芯聯(lián)集成躋身2024年全球?qū)?b class="flag-6" style="color: red">晶圓代工榜單前十，中
2025-06-25 18:11:401062 
在半導(dǎo)體制造的精密流程中，晶圓載具清洗機(jī)是確保芯片良率與性能的關(guān)鍵設(shè)備。它專門用于清潔承載晶圓的載具（如載具、花籃、托盤等），避免污染物通過載具轉(zhuǎn)移至晶圓表面，從而保障芯片制造的潔凈度與穩(wěn)定性。本文
2025-06-25 10:47:33
在半導(dǎo)體制造的精密流程中，晶圓濕法清洗設(shè)備扮演著至關(guān)重要的角色。它不僅是芯片生產(chǎn)的基礎(chǔ)工序，更是決定良率、效率和成本的核心環(huán)節(jié)。本文將從技術(shù)原理、設(shè)備分類、行業(yè)應(yīng)用到未來趨勢，全面解析這一關(guān)
2025-06-25 10:26:37
近日，半導(dǎo)體行業(yè)傳出重磅消息，聯(lián)電作為全球知名的晶圓代工廠商，正積極考慮在臺灣地區(qū)進(jìn)行大規(guī)模擴(kuò)產(chǎn)，并同步布局先進(jìn)封裝技術(shù)，這一戰(zhàn)略決策在業(yè)界引發(fā)了廣泛關(guān)注與熱烈討論。 聯(lián)電，全名為聯(lián)華電子，于
2025-06-24 17:07:35930 WD4000晶圓厚度測量設(shè)備兼容不同材質(zhì)不同粗糙度、可測量大翹曲wafer、測量晶圓雙面數(shù)據(jù)更準(zhǔn)確。它通過非接觸測量，將晶圓的三維形貌進(jìn)行重建，強(qiáng)大的測量分析軟件穩(wěn)定計(jì)算晶圓厚度，TTV，BOW
2025-06-18 15:40:06
摘要：本文探討晶圓邊緣 TTV 測量在半導(dǎo)體制造中的重要意義，分析其對芯片制造工藝、器件性能和生產(chǎn)良品率的影響，同時(shí)研究測量方法、測量設(shè)備精度等因素對測量結(jié)果的作用，為提升半導(dǎo)體制造質(zhì)量提供理論依據(jù)
2025-06-14 09:42:58551 晶圓經(jīng)切割后，表面常附著大量由聚合物、光致抗蝕劑及蝕刻雜質(zhì)等組成的顆粒物，這些物質(zhì)會對后續(xù)工序中芯片的幾何特征與電性能產(chǎn)生不良影響。顆粒物與晶圓表面的粘附力主要來自范德華力的物理吸附作用，因此業(yè)界主要采用物理或化學(xué)方法對顆粒物進(jìn)行底切處理，通過逐步減小其與晶圓表面的接觸面積，最終實(shí)現(xiàn)脫附。
2025-06-13 09:57:01864 貼膜是指將一片經(jīng)過減薄處理的晶圓（Wafer）固定在一層特殊的膠膜上，這層膜通常為藍(lán)色，業(yè)內(nèi)常稱為“ 藍(lán)膜 ”。貼膜的目的是為后續(xù)的晶圓切割（劃片）工藝做準(zhǔn)備。
2025-06-03 18:20:591179 
晶圓是半導(dǎo)體制造的核心基材，所有集成電路（IC）均構(gòu)建于晶圓之上，其質(zhì)量直接決定芯片性能、功耗和可靠性，是摩爾定律持續(xù)推進(jìn)的物質(zhì)基礎(chǔ)。其中晶圓的厚度（THK）、翹曲度（Warp） 和彎曲度（Bow
2025-05-28 16:12:46
）增大，影響器件性能與良品率。因此，探索提高鍵合晶圓 TTV 質(zhì)量的方法，對推動(dòng)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展具有重要意義。 二、提高鍵合晶圓 TTV 質(zhì)量的方法 2.1 鍵合前晶圓處理 鍵合前對晶圓的處理是提高 TTV 質(zhì)量的基礎(chǔ)。首先，嚴(yán)格把控晶圓表面平整度，采
2025-05-26 09:24:36850 
摘要：本文針對濕法腐蝕工藝后晶圓總厚度偏差（TTV）的管控問題，探討從工藝參數(shù)優(yōu)化、設(shè)備改進(jìn)及檢測反饋機(jī)制完善等方面入手，提出一系列優(yōu)化方法，以有效降低濕法腐蝕后晶圓 TTV，提升晶圓制造質(zhì)量
2025-05-22 10:05:57508 
摘要：本文聚焦于降低晶圓 TTV（總厚度偏差）的磨片加工方法，通過對磨片設(shè)備、工藝參數(shù)的優(yōu)化以及研磨拋光流程的改進(jìn)，有效控制晶圓 TTV 值，提升晶圓質(zhì)量，為半導(dǎo)體制造提供實(shí)用技術(shù)參考。 關(guān)鍵詞：晶
2025-05-20 17:51:391022 前言在半導(dǎo)體制造的前段制程中，晶圓需要具備足夠的厚度，以確保其在流片過程中的結(jié)構(gòu)穩(wěn)定性。盡管芯片功能層的制備僅涉及晶圓表面幾微米范圍，但完整厚度的晶圓更有利于保障復(fù)雜工藝的順利進(jìn)行，直至芯片前制程
2025-05-16 16:58:441109 
第一階段投資額約22億美元（159.214億元人民幣），加上一些與第二階段將相連的部分也預(yù)先施作，這些投資額加起來不到40億美元（289.48億元人民幣）。 正值中國臺灣加強(qiáng)投資美國之際，環(huán)球晶德州新廠落成，具有指標(biāo)意義。 德州是美國本土面積最大、
2025-05-13 18:16:081574 在半導(dǎo)體制造流程中，晶圓在前端工藝階段需保持一定厚度，以確保其在流片過程中的結(jié)構(gòu)穩(wěn)定性，避免彎曲變形，并為芯片制造工藝提供操作便利。不同規(guī)格晶圓的原始厚度存在差異：4英寸晶圓厚度約為520微米，6
2025-05-09 13:55:511975 、低成本的可靠性評估，成為工藝開發(fā)的關(guān)鍵工具，本文分述如下：
晶圓級可靠性(WLR)技術(shù)概述
晶圓級電遷移評價(jià)技術(shù)
自加熱恒溫電遷移試驗(yàn)步驟詳述
晶圓級可靠性(WLR)技術(shù)概述
WLR技術(shù)核心優(yōu)勢
2025-05-07 20:34:21
本文介紹了半導(dǎo)體集成電路制造中的晶圓制備、晶圓制造和晶圓測試三個(gè)關(guān)鍵環(huán)節(jié)。
2025-04-15 17:14:372155 
在半導(dǎo)體行業(yè)中，晶圓的良品率是衡量制造工藝及產(chǎn)品質(zhì)量的關(guān)鍵指標(biāo)。提高晶圓良品率不僅可以降低生產(chǎn)成本，還能提高產(chǎn)品的市場競爭力。Keithley 6485靜電計(jì)作為一種高精度的電測量設(shè)備，其對靜電放電
2025-04-15 14:49:13513 
晶圓浸泡式清洗方法是半導(dǎo)體制造過程中的一種重要清洗技術(shù)，它旨在通過將晶圓浸泡在特定的化學(xué)溶液中，去除晶圓表面的雜質(zhì)、顆粒和污染物，以確保晶圓的清潔度和后續(xù)加工的質(zhì)量。以下是對晶圓浸泡式清洗方法的詳細(xì)
2025-04-14 15:18:54766 TXC晶振品牌簡介TXC Corporation（臺灣晶技股份有限公司） 是全球領(lǐng)先的頻率控制元件制造商，成立于1983年，總部位于中國臺灣。作為亞洲最大的石英晶體元器件供應(yīng)商之一，TXC專注于研發(fā)
2025-04-02 15:20:52
圓不僅是芯片制造的基礎(chǔ)材料，更是連接設(shè)計(jì)與現(xiàn)實(shí)的橋梁。在這張畫布上，光刻、刻蝕、沉積等工藝如同精妙的畫筆，將虛擬的電路圖案轉(zhuǎn)化為現(xiàn)實(shí)的功能芯片。 晶圓：從砂礫到硅片 晶圓的起點(diǎn)是普通的砂礫，其主要成分是二氧化硅（SiO?
2025-03-10 17:04:251542 實(shí)現(xiàn)芯片與外部電路電氣連接的關(guān)鍵結(jié)構(gòu)。本文將深入解析晶圓級封裝Bump工藝的關(guān)鍵點(diǎn)，探討其技術(shù)原理、工藝流程、關(guān)鍵參數(shù)以及面臨的挑戰(zhàn)和解決方案。
2025-03-04 10:52:574978 
制造設(shè)備達(dá)到使用壽命時(shí)降低生產(chǎn)能力，預(yù)計(jì)150毫米及更小晶圓的需求將下降。因此Sumco將把宮崎工廠改造成專門生產(chǎn)單晶錠的工廠，并在2026年底前停止該廠的晶圓生產(chǎn)。 據(jù)Sumco稱，硅晶圓市場繼續(xù)面臨長期需求低迷尤其隨著電動(dòng)汽車需求放緩，200毫米硅晶圓
2025-02-20 16:36:31815 據(jù)媒體最新報(bào)道，韓國三星電子的晶圓代工部門已正式解除位于平澤園區(qū)的晶圓代工生產(chǎn)線的停機(jī)狀態(tài)，并計(jì)劃在今年6月將產(chǎn)能利用率提升至最高水平。這一舉措標(biāo)志著三星在應(yīng)對市場波動(dòng)、調(diào)整產(chǎn)能策略方面邁出了重要一步。
2025-02-18 15:00:561163 隨著半導(dǎo)體器件的復(fù)雜性不斷提高，對精確可靠的晶圓測試解決方案的需求也從未像現(xiàn)在這樣高。從5G、物聯(lián)網(wǎng)和人工智能應(yīng)用，到先進(jìn)封裝和高帶寬存儲器(HBM)，在晶圓級確保設(shè)備性能和產(chǎn)量是半導(dǎo)體制造過程中的關(guān)鍵步驟。
2025-02-17 13:51:161331 2024年，全球晶圓代工市場迎來了強(qiáng)勁的增長勢頭，年增長率高達(dá)22%。這一顯著增長主要得益于人工智能(AI)技術(shù)的快速發(fā)展和半導(dǎo)體需求的持續(xù)復(fù)蘇。 在過去的一年里，全球代工行業(yè)經(jīng)歷了強(qiáng)勁的復(fù)蘇和擴(kuò)張
2025-02-11 09:43:15910 代工業(yè)務(wù)上的策略調(diào)整。 回顧過去幾年，三星晶圓代工業(yè)務(wù)在2021至2023年期間處于投資高峰期，每年的設(shè)備投資規(guī)模高達(dá)15至20萬億韓元。然而，進(jìn)入2024年后，該部門的設(shè)備投資規(guī)模開始呈現(xiàn)下降趨勢，而今年的預(yù)算更是大幅縮減。 與此同時(shí)，臺積電在晶圓
2025-02-08 15:35:58933 根據(jù)市場分析企業(yè)Counterpoint在近日發(fā)布的報(bào)告，晶圓代工行業(yè)將在2025年迎來顯著增長，整體收入預(yù)計(jì)將實(shí)現(xiàn)20%的增幅。這一預(yù)測基于多種因素的綜合考量，特別是先進(jìn)制程需求的激增以及AI在數(shù)據(jù)中心與邊緣領(lǐng)域的快速導(dǎo)入。
2025-02-08 15:33:221025 來自于先進(jìn)制程需求的激增，受AI應(yīng)用加速導(dǎo)入數(shù)據(jù)中心與邊緣計(jì)算所驅(qū)動(dòng)。而晶圓代工領(lǐng)頭羊臺積電則憑借5/4nm與3nm先進(jìn)制程的強(qiáng)勁需求，抓住市場機(jī)會，加上CoWoS等先進(jìn)封裝技術(shù)的發(fā)展，也進(jìn)一步助推產(chǎn)業(yè)增長。 而報(bào)告還指出，晶圓代工產(chǎn)業(yè)將在2025年挑戰(zhàn)20%的營收增長，其中AI需求持
2025-02-07 17:58:44920 在半導(dǎo)體制造的復(fù)雜流程中，晶圓歷經(jīng)前道工序完成芯片制備后，劃片工藝成為將芯片從晶圓上分離的關(guān)鍵環(huán)節(jié)，為后續(xù)封裝奠定基礎(chǔ)。由于不同厚度的晶圓具有各異的物理特性，因此需匹配不同的切割工藝，以確保切割效果與芯片質(zhì)量。
2025-02-07 09:41:003048 
據(jù)外媒報(bào)道，三星計(jì)劃在2025年對其晶圓代工部門進(jìn)行大規(guī)模的投資削減。據(jù)悉，該部門的設(shè)備投資預(yù)算將從2024年的10萬億韓元銳減至5萬億韓元，削減幅度高達(dá)50%。
2025-01-24 14:05:29961 近日，臺灣半導(dǎo)體制造業(yè)巨頭臺積電遭遇了一次突發(fā)事件。據(jù)臺灣媒體報(bào)道，臺積電位于臺南的Fab14和Fab18工廠在近期發(fā)生的地震中受損，初步估計(jì)將有1至2萬片晶圓報(bào)廢。本月21日零時(shí)17分，臺灣嘉義縣
2025-01-24 11:27:29944 
在1月21日，嘉義地區(qū)發(fā)生了一場芮氏規(guī)模達(dá)到6.4級的地震，對鄰近的晶圓代工廠和面板廠造成了一定影響。臺積電（TSMC）和聯(lián)電（UMC）在臺南的工廠由于震度超過4級，為確保安全，當(dāng)時(shí)立即進(jìn)行了人員疏散并停機(jī)檢查。幸運(yùn)的是，這些工廠內(nèi)的機(jī)臺并未遭受重大損害，僅有部分爐管機(jī)臺內(nèi)不可避免地產(chǎn)生了破片。
2025-01-23 15:46:191388 近日，三星電子宣布了一項(xiàng)重大決策，將大幅削減其晶圓代工部門在2025年的設(shè)施投資。據(jù)透露，與上一年相比，此次削減幅度將超過一半。 具體來說，三星晶圓代工已將2025年的設(shè)施投資預(yù)算定為約5萬億韓元
2025-01-23 14:36:19859 近日，據(jù)最新報(bào)道，三星計(jì)劃在2025年大幅削減其晶圓代工部門的投資規(guī)模，設(shè)備投資預(yù)算將從2024年的10萬億韓元銳減至5萬億韓元，削減幅度高達(dá)50%。 此次投資削減主要集中在韓國的兩大工廠：平澤P2
2025-01-23 11:32:151081 近日，據(jù)臺灣工商時(shí)報(bào)報(bào)道，臺積電南科(南部科學(xué)工業(yè)園區(qū))的Fab14和Fab18廠區(qū)遭受了地震的影響，導(dǎo)致產(chǎn)能受到一定程度的沖擊。據(jù)供應(yīng)鏈方面透露，此次地震預(yù)計(jì)將導(dǎo)致1至2萬片晶圓破損，這一數(shù)字對于
2025-01-23 11:09:02843 在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，晶圓作為芯片的基礎(chǔ)母材，其質(zhì)量把控的關(guān)鍵環(huán)節(jié)之一便是對 BOW（彎曲度）的精確測量。而在測量過程中，特氟龍夾具的晶圓夾持方式與傳統(tǒng)的真空吸附方式有著截然不同的特性，這些差異深刻影響
2025-01-21 09:36:24520 進(jìn)制程工藝的良率，而這恰恰是三星在先進(jìn)制程方面的最大痛點(diǎn)。 據(jù)悉，三星System LSI部門已經(jīng)改變了此前晶圓代工獨(dú)自研發(fā)的發(fā)展路線，轉(zhuǎn)而尋求外部聯(lián)盟合作，不過縱觀全球晶圓代工產(chǎn)業(yè)，只有臺積電、三星和英特爾三家企業(yè)具有尖端制程工藝代工的能
2025-01-20 08:44:003449 
都說晶圓清洗機(jī)是用于晶圓清洗的，既然說是全自動(dòng)的。我們更加好奇的點(diǎn)一定是如何自動(dòng)實(shí)現(xiàn)晶圓清洗呢？效果怎么樣呢？好多疑問。我們先來給大家介紹這個(gè)根本問題，就是全自動(dòng)晶圓清洗機(jī)的工作是如何實(shí)現(xiàn)
2025-01-10 10:09:191113 在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，晶圓的加工精度和質(zhì)量控制至關(guān)重要，其中對晶圓 BOW（彎曲度）和 WARP（翹曲度）的精確測量更是關(guān)鍵環(huán)節(jié)。不同的吸附方案被應(yīng)用于晶圓測量過程中，而晶圓的環(huán)吸方案因其獨(dú)特
2025-01-09 17:00:10639 晶圓是集成電路、功率器件及半導(dǎo)體分立器件的核心原材料，超過90%的集成電路均在高純度、高品質(zhì)的晶圓上制造而成。晶圓的質(zhì)量及其產(chǎn)業(yè)鏈供應(yīng)能力，直接關(guān)乎集成電路的整體性能和競爭力。今天我們將詳細(xì)介紹
2025-01-09 09:59:262099 
。在此之前，皖芯集成的注冊資本僅為5000.01萬元。 本次增資完成后，晶合集成持有皖芯集成的股權(quán)比例變更為43.75%，仍為第一大股東。 據(jù)TrendForce公布的24Q1全球晶圓代工廠商營收排名，晶合集成位居全球前九，是中國大陸本土第三的晶圓代工廠商。
2025-01-07 17:33:09778 
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