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多晶硅“門檻”定調(diào):2010或成行業(yè)分水嶺

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2025-07-08 09:48:112964

2025智多晶FPGA技術(shù)研討會成功舉辦

近日,“2025智多晶FPGA技術(shù)研討會”在武漢成功舉辦。本次交流會以“智繪新篇 晶質(zhì)領(lǐng)航”為主題,智多晶專業(yè)技術(shù)團隊在會上揭曉了公司匠心打造的多款FPGA芯片新產(chǎn)品、多項新應(yīng)用方案。
2025-07-01 18:21:072533

鴻蒙開發(fā)API9 到 API12,有哪些不同

分水嶺”,后續(xù)的API版本對于目前的畢設(shè)來說提升并不大,目前畢設(shè)的話,API12已經(jīng)夠用了。 介紹一些兩者的較為關(guān)鍵的區(qū)別: 一、開發(fā)工具版本 API9的開發(fā)工具現(xiàn)在官網(wǎng)已經(jīng)下載不到了,是3點幾的版本
2025-06-29 22:47:05

TOPCon電池poly-Si層的沉積摻雜工序提效優(yōu)化

TOPCon技術(shù)通過超薄SiO?和磷摻雜多晶硅(n?-poly-Si)層實現(xiàn)載流子選擇性傳輸,理論效率可達(dá)28.7%。然而,poly-Si層厚度存在矛盾:過厚層(>100nm)增加寄生吸收損失,過薄層(
2025-06-27 09:02:152880

基于厚度梯度設(shè)計的TOPCon多晶硅指狀結(jié)構(gòu),實現(xiàn)25.28%量產(chǎn)效率突破

隧穿氧化層鈍化接觸(TOPCon)技術(shù)作為當(dāng)前太陽能電池領(lǐng)域的核心技術(shù)之一,憑借其優(yōu)異的背面鈍化性能,在工業(yè)生產(chǎn)中實現(xiàn)了廣泛應(yīng)用。然而,多晶硅薄膜材料固有的窄帶隙和高吸收系數(shù)特性,導(dǎo)致其在
2025-06-23 09:03:08940

雙節(jié)點之后:AcrelEMS 3.0如何將政策依賴轉(zhuǎn)為市場競爭力?

的備案管理、自發(fā)自用比例與余電上網(wǎng)限制。 “531”分水嶺:5月31日起,保障性電價機制退出,新能源進入電力現(xiàn)貨市場,電價由交易形成,且需承擔(dān)輔助服務(wù)費用,收益模式迎來根本性變革。 一、兩戰(zhàn)告捷,助力客戶鎖定投資收益 時間緊,任務(wù)重,責(zé)任大!為了應(yīng)對
2025-06-17 15:34:03365

云邊協(xié)同 微電網(wǎng)智慧調(diào)控:AcrelEMS3.0無線能源管理系統(tǒng)如何以動態(tài)需量管理降低容量電費18%

易允恒 安科瑞電氣股份有限公司 1870請 2125*查 179-詢 一、政策變局:光伏行業(yè)的“430”與“531”生死時速 2025年,分布式光伏迎來兩大政策分水嶺: “430節(jié)點”:4月30日前
2025-06-16 15:33:37672

傳統(tǒng)路線與其利天下的分水嶺,無刷電鉆驅(qū)動方案對比--【其利天下】

在電鉆領(lǐng)域,無刷電鉆已成主流趨勢。其驅(qū)動方案對性能起關(guān)鍵作用。對工程師而言,深入理解不同驅(qū)動方案的優(yōu)劣,對產(chǎn)品選型與研發(fā)創(chuàng)新至關(guān)重要。本文聚焦市面上常見方案與“其利天下技術(shù)有限公司”方案,從關(guān)鍵指標(biāo)解析無刷電鉆驅(qū)動方案,助力工程師把握技術(shù)精髓。1市面上常見無刷電鉆驅(qū)動方案指標(biāo)控制精度:多數(shù)無刷電鉆采用六步換相法,利用霍爾傳感器檢測電機轉(zhuǎn)子位置控制電機運轉(zhuǎn)。然
2025-06-13 17:20:511481

多晶PLL使用注意事項

在FPGA設(shè)計中,PLL(鎖相環(huán))模塊作為核心時鐘管理單元,通過靈活的倍頻、分頻和相位調(diào)整功能,為系統(tǒng)提供多路高精度時鐘信號。它不僅解決了時序同步問題,還能有效消除時鐘偏移,提升系統(tǒng)穩(wěn)定性。本文將深入探討智多晶PLL在實際應(yīng)用中的關(guān)鍵注意事項,幫助工程師規(guī)避常見設(shè)計風(fēng)險。
2025-06-13 16:37:441354

多晶FPGA設(shè)計工具HqFpga接入DeepSeek大模型

在 AI 賦能工程設(shè)計的時代浪潮中,智多晶率先邁出關(guān)鍵一步——智多晶正式宣布旗下 FPGA 設(shè)計工具 HqFpga 接入 DeepSeek 大模型,并推出 FPGA 設(shè)計專屬 AI 助手——晶小助!這是 FPGA 領(lǐng)域首次引入大模型 AI 助手,為 FPGA 工程師提供前所未有的智能交互體驗。
2025-06-06 17:06:391283

上海貝接連斬獲兩項大獎

近日,國內(nèi)半導(dǎo)體汽車電子領(lǐng)域迎來兩場展會——第十二屆汽車電子創(chuàng)新大會暨汽車芯片產(chǎn)業(yè)生態(tài)發(fā)展論壇(AEIF 2025)與2025全球車規(guī)級功率半導(dǎo)體峰會暨優(yōu)秀供應(yīng)商創(chuàng)新展。作為行業(yè)領(lǐng)先的集成電路供應(yīng)商,上海貝股份有限公司攜多款汽車電子創(chuàng)新產(chǎn)品及解決方案重磅亮相。
2025-06-06 16:16:151722

索尼4K超高清模組FCB-CR8530:無人機航拍的“分水嶺

索尼FCB-CR8530通過 “超清細(xì)節(jié)捕獲(4K+變焦)→ 環(huán)境征服力(寬動態(tài)+透霧)→ 靈活視頻輸出方案” 三重技術(shù)鏈,不僅解決了傳統(tǒng)航拍的痛點,更推動無人機從“天空之眼”進化為“空中智腦”。
2025-06-06 09:22:54826

上海貝計量芯片產(chǎn)品選型技巧分享 包括RS485接口芯片 運算放大器等

上海貝計量芯片產(chǎn)品選型技巧分享 包括RS485接口芯片 運算放大器等
2025-06-03 17:13:231510

存儲器代理供應(yīng)

………………………………………………………………………………… 上海貝原廠代理,支持終端工廠,為客戶提供樣品以及相關(guān)技術(shù)咨詢 如需更多系列型號,歡迎聯(lián)系咨詢。 深圳市芯天電子有限公司馬先生:17318031970 微信同步
2025-05-28 18:28:59

自對準(zhǔn)硅化物工藝詳解

源漏區(qū)的單晶和柵極上的多晶硅即使在摻雜后仍然具有較高的電阻率,自對準(zhǔn)硅化物(salicide)工藝能夠同時減小源/漏電極和柵電極的薄膜電阻,降低接觸電阻,并縮短與柵相關(guān)的RC延遲。另外,它避免了
2025-05-28 17:30:042349

使用共聚焦拉曼顯微鏡進行多晶硅太陽能電池檢測

圖1.多晶硅太陽能電池的顯微鏡光學(xué)圖像。在此圖像上可以觀察到大塊的熔融和凝固的。 可再生能源,例如太陽能,預(yù)計將在不久的將來發(fā)揮重要作用。為了將太陽光的能量直接轉(zhuǎn)化為電能,太陽能電池(晶體多晶
2025-05-26 08:28:41601

人工合成石墨片與天然石墨片的差別

1500-1800W/m.K,遠(yuǎn)超天然石墨的300-700W/m.K。通過多層堆疊設(shè)計可精準(zhǔn)控制熱流方向,例如在智能手機CPU散熱中實現(xiàn)局部熱點快速擴散。 成本與應(yīng)用場景的分水嶺1、經(jīng)濟性權(quán)衡 天然石墨憑借
2025-05-23 11:22:02

上海貝存儲器代理供應(yīng)

BL25CM1ADIP8 SOP8 WLCSP8 BL25CM2ADIP8 SOP8 WLCSP8 ………………………………………………………………………………… 貝原廠代理,支持終端工廠,為客戶提供樣品以及
2025-05-23 10:21:00

硅單晶片電阻率均勻性的影響因素

直拉硅單晶生長的過程是熔融的多晶硅逐漸結(jié)晶生長為固態(tài)的單晶的過程,沒有雜質(zhì)的本征硅單晶的電阻率很高,幾乎不會導(dǎo)電,沒有市場應(yīng)用價值,因此通過人為的摻雜進行雜質(zhì)引入,我們可以改變、控制硅單晶的電阻率。
2025-05-09 13:58:541253

多晶eSPI_Slave IP介紹

eSPI總線具有低功耗、管腳數(shù)量少、高效的數(shù)據(jù)傳輸?shù)葍?yōu)點,常用于與EC、BMC、SIO等外設(shè)的通信,是PC中CPU與這些外設(shè)通信的主流協(xié)議。智多晶eSPI_Slave IP符合eSPI標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范,支持相關(guān)協(xié)議屬性。
2025-05-08 16:44:561213

從民用級到軍工級:晶振等級劃分的硬核標(biāo)準(zhǔn)

的劃分標(biāo)準(zhǔn)。這些標(biāo)準(zhǔn)涵蓋溫度適應(yīng)范圍、抗振動能力以及認(rèn)證體系等多個維度,深刻影響著晶振在不同行業(yè)的應(yīng)用與選型。 四類晶振核心性能標(biāo)準(zhǔn)對比 溫度范圍:極端環(huán)境下的性能分水嶺 民用級晶振通常適用于室內(nèi)相對穩(wěn)定的環(huán)境
2025-05-08 11:08:40830

多晶FIFO_Generator IP介紹

FIFO_Generator是智多晶設(shè)計的一款通用型FIFO IP。當(dāng)前發(fā)布的FIFO_Generator IP是2.0版本,相比之前的1.1版本主要新增了非等比輸入輸出數(shù)據(jù)位寬支持和異步FIFO跨時鐘級數(shù)配置功能。
2025-04-25 17:24:241568

多晶LPC_Controller IP介紹

在FPGA設(shè)計領(lǐng)域,西安智多晶微電子有限公司推出的LPC_Controller IP正逐漸嶄露頭角,為工程師們提供了強大的工具,助力他們在數(shù)據(jù)傳輸領(lǐng)域大展身手。今天,就讓我們一同揭開LPC_Controller IP的神秘面紗,探尋其獨特魅力。
2025-04-18 11:52:441667

多晶硅鑄造工藝中碳和氮雜質(zhì)的來源

本文介紹了在多晶硅鑄造工藝中碳和氮雜質(zhì)的來源、分布、存在形式以及降低雜質(zhì)的方法。
2025-04-15 10:27:431311

導(dǎo)熱脂科普指南:原理、應(yīng)用與常見問題解答

一、導(dǎo)熱脂是什么? 導(dǎo)熱脂(Thermal Paste),俗稱散熱膏導(dǎo)熱膏,是一種用于填充電子元件(如CPU、GPU)與散熱器之間微小空隙的高效導(dǎo)熱材料。其主要成分為硅油基材與導(dǎo)熱填料(如金屬
2025-04-14 14:58:20

SMA 插座如何達(dá)成行業(yè)領(lǐng)先的絕緣性能

德索精密工業(yè)的SMA插座通過精心篩選絕緣材料、優(yōu)化結(jié)構(gòu)設(shè)計以及運用先進生產(chǎn)工藝,成功鑄就行業(yè)領(lǐng)先的絕緣性能。這種卓越性能在眾多領(lǐng)域的實際應(yīng)用中,為設(shè)備的穩(wěn)定運行、精準(zhǔn)信號傳輸提供了堅實保障,也為相關(guān)行業(yè)的技術(shù)進步注入強勁動力,成為工程師們信賴的行業(yè)標(biāo)桿產(chǎn)品。
2025-04-14 11:42:21504

LPCVD方法在多晶硅制備中的優(yōu)勢與挑戰(zhàn)

本文圍繞單晶、多晶硅與非晶三種形態(tài)的結(jié)構(gòu)特征、沉積技術(shù)及其工藝參數(shù)展開介紹,重點解析LPCVD方法在多晶硅制備中的優(yōu)勢與挑戰(zhàn),并結(jié)合不同工藝條件對材料性能的影響,幫助讀者深入理解材料在先進微納制造中的應(yīng)用與工藝演進路徑。
2025-04-09 16:19:531994

嵌入式開發(fā):高門檻的系統(tǒng)性工程與 996 的行業(yè)困局

嵌入式開發(fā)的門檻,往往被培訓(xùn)機構(gòu)和表象所掩蓋。許多人誤以為 “用 C 語言寫個跑在 ARM 上的程序” 就是嵌入式,實則連皮毛都未觸及。真正的嵌入式開發(fā)是硬件與軟件深度融合的系統(tǒng)性工程,需跨越三重壁壘
2025-04-09 11:06:40772

芯片制造中的多晶硅介紹

多晶硅(Polycrystalline Silicon,簡稱Poly)是由無數(shù)微小晶粒組成的非單晶材料。與單晶(如襯底)不同,多晶硅的晶粒尺寸通常在幾十到幾百納米之間,晶粒間存在晶界。
2025-04-08 15:53:453607

多晶XSTC_8B10B IP介紹

XSTC_8B10B IP(XSTC:XiST Transmission Channel)是智多晶開發(fā)的一個靈活的,輕量級的高速串行通信的IP。IP在具備SerDes(單通道多通道)高速串行收發(fā)器之間構(gòu)建出接口簡單,低成本,輕量化的高速率數(shù)據(jù)通信通道。
2025-04-03 16:30:011250

晶體管柵極多晶硅摻雜的原理和必要性

本文介紹了多晶硅作為晶體管的柵極摻雜的原理和必要性。
2025-04-02 09:22:242364

AI Agent與Agentic AI的區(qū)別

在人工智能技術(shù)快速演進的浪潮中,AI Agent與Agentic AI的差異認(rèn)知正成為企業(yè)智能化轉(zhuǎn)型的關(guān)鍵分水嶺。盡管二者都承載著自動化與智能化的使命,但其技術(shù)內(nèi)核與應(yīng)用價值存在本質(zhì)區(qū)別。理解這種差異不僅關(guān)乎企業(yè)技術(shù)選型的準(zhǔn)確性,更影響著企業(yè)未來三到五年的競爭力構(gòu)建。
2025-03-21 14:35:322043

天合光能定義水與光伏共生之道

今年,隨著《光伏制造行業(yè)規(guī)范條件(2024年本)》的推行,光伏行業(yè)在水資源管理方面迎來了更加明確且嚴(yán)格的標(biāo)準(zhǔn):多晶硅項目的水重復(fù)利用率需不低于98%,新建和改擴建項目的水耗低于360噸/MWp且再生水使用率高于40%。
2025-03-21 11:08:56840

深入解讀智多晶FIR IP

在數(shù)字信號處理領(lǐng)域,F(xiàn)IR 濾波器憑借其穩(wěn)定性強、線性相位等優(yōu)勢,被廣泛應(yīng)用于各類信號處理場景。今天,就帶大家深入解讀西安智多晶微電子有限公司推出的FIR IP。
2025-03-20 17:08:011010

曙光超智融合解決方案已落地30多個行業(yè)

近日,“超智融合”技術(shù)成行業(yè)新熱點,而曙光超智融合解決方案已在氣象、石油、生物醫(yī)藥等30多個行業(yè)落地,支持前沿AI應(yīng)用創(chuàng)新。
2025-03-18 09:13:001018

2025年分布式光伏大變革:430與531節(jié)點后,行業(yè)如何破局掘金?

蘊藏?zé)o限機遇。 一、430與531節(jié)點:政策分水嶺,行業(yè)轉(zhuǎn)折點 ·?430節(jié)點:最后的政策紅利窗口 2025年4月30日前并網(wǎng)的工商業(yè)分布式項目,仍可享受全額上網(wǎng)補貼;此后新項目只能選擇“自發(fā)自用”部分上網(wǎng),補貼徹底終結(jié)。企業(yè)爭分奪秒搶裝,地
2025-03-18 09:11:253205

多晶硅錠定向凝固生長方法

鑄錠澆注法是較早出現(xiàn)的一種技術(shù),該方法先將料置于熔煉坩堝中加熱熔化,隨后利用翻轉(zhuǎn)機械將其注入模具內(nèi)結(jié)晶凝固,最初主要用于生產(chǎn)等軸多晶硅。近年來,為提升多晶硅電池轉(zhuǎn)換效率,通過控制模具中熔體凝固過程的溫度,創(chuàng)造定向散熱條件,從而獲得定向柱狀晶組織。
2025-03-13 14:41:121126

什么是高選擇性蝕刻

不同材料的刻蝕速率比,達(dá)到?>5:1?甚至更高的選擇比標(biāo)準(zhǔn)?。 一、核心價值與定義 l?精準(zhǔn)材料去除? 高選擇性蝕刻通過調(diào)整反應(yīng)條件,使目標(biāo)材料(如多晶硅、氮化硅)的刻蝕速率遠(yuǎn)高于掩膜底層材料(如氧化硅、光刻膠),實現(xiàn)
2025-03-12 17:02:49809

8層是分水嶺?揭秘高難度PCB的核心標(biāo)準(zhǔn)

”的門檻——這不僅意味著物理層數(shù)的疊加,更是一場對材料、工藝和設(shè)計能力的極限考驗。 為什么8層成為分水嶺? 層間對位精度±25μm的生死線 8層板需7次壓合,每層銅箔偏移超過30μm會導(dǎo)致內(nèi)層短路。而普通FR4板材在高溫壓合時膨脹系數(shù)差異可達(dá)0.8%,相當(dāng)于
2025-03-04 18:03:071154

DLPA2005 適用于DLP2010和DLP2010NIR (0.2 WVGA)的DLP? PMIC/LED驅(qū)動器數(shù)據(jù)手冊

DLPA2005 是一款專用于 DLP2010、DLP2010NIR 和 DLP3010 數(shù)字微鏡器件 (DMD) 的電源管理多通道 IC(PMIC)/RGB LED/燈驅(qū)動器,與 DLPC3430
2025-03-04 17:58:56964

22.0%效率的突破:前多晶硅選擇性發(fā)射極雙面TOPCon電池的制備與優(yōu)化

隨著全球能源需求的增長,開發(fā)高效率太陽能電池變得尤為重要。本文旨在開發(fā)一種成本效益高且可擴展的制備工藝,用于制造具有前側(cè)SiOx/多晶硅選擇性發(fā)射極的雙面TOPCon太陽能電池,并通過優(yōu)化工藝實現(xiàn)
2025-03-03 09:02:291195

晶圓的標(biāo)準(zhǔn)清洗工藝流程

硅片,作為制造半導(dǎo)體電路的基礎(chǔ),源自高純度的材料。這一過程中,多晶硅被熔融并摻入特定的晶體種子,隨后緩緩拉制成圓柱狀的單晶棒。經(jīng)過精細(xì)的研磨、拋光及切片步驟,這些棒被轉(zhuǎn)化為硅片,業(yè)界通常稱之為晶圓,其中8英寸和12英寸規(guī)格在國內(nèi)生產(chǎn)線中占據(jù)主導(dǎo)地位。
2025-03-01 14:34:511239

DLP2010AFQJ和DLP2010LCFQJ區(qū)別是什么?

請教下DLP2010AFQJ 和 DLP2010LCFQJ 具體有什么區(qū)別嗎?
2025-02-26 08:23:26

新加坡云服務(wù)器適合哪些行業(yè)場景使用?

新加坡云服務(wù)器因其優(yōu)越的地理位置、穩(wěn)定的網(wǎng)絡(luò)環(huán)境、高性能和可擴展性、高安全性等優(yōu)勢,適用于多個行業(yè)和場景。以下是一些主要的應(yīng)用行業(yè)和場景,主機推薦小編為您整理發(fā)布新加坡云服務(wù)器適合哪些行業(yè)場景使用?
2025-02-19 10:10:57504

安科瑞分布式光伏系統(tǒng):以高效穩(wěn)定,驅(qū)動光伏行業(yè)前行

的重要性日益凸顯,它不僅改變了傳統(tǒng)能源的生產(chǎn)和消費方式,更為應(yīng)對氣候變化提供了切實可行的技術(shù)路徑。 一、技術(shù)突破 光伏發(fā)電技術(shù)的核心在于光電轉(zhuǎn)換效率的提升。近年來,單晶、多晶硅電池效率持續(xù)突破,PERC、TOPCon等新
2025-02-13 10:50:15670

單晶圓系統(tǒng):多晶硅與氮化硅的沉積

本文介紹了單晶圓系統(tǒng):多晶硅與氮化硅的沉積。 在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域,單晶圓系統(tǒng)展現(xiàn)出獨特的工藝優(yōu)勢,它具備進行多晶硅沉積的能力。這種沉積方式所帶來的顯著益處之一,便是能夠?qū)崿F(xiàn)臨場的多晶硅和鎢硅化物沉積
2025-02-11 09:19:051132

為什么采用多晶硅作為柵極材料

本文解釋了為什么采用多晶硅作為柵極材料 ? 柵極材料的變化 ? 如上圖,gate就是柵極,柵極由最開始的鋁柵,到多晶硅柵,再到HKMG工藝中的金屬柵極。 ? 柵極的作用 ? 柵極的主要作用是控制
2025-02-08 11:22:461299

礦業(yè)攜手中設(shè)智控共建綜合能源管理系統(tǒng)

近日,赤峰山金紅有色礦業(yè)有限責(zé)任公司與廣東中設(shè)智控科技股份有限公司,共同打造的綜合能源管理系統(tǒng)正式通過驗收。該系統(tǒng)為紅礦業(yè)的能源管理注入強大科技動力,在智慧能源領(lǐng)域樹立新標(biāo)桿。
2025-02-08 10:54:36578

革新突破:高性能多晶金剛石散熱片引領(lǐng)科技新潮流

,如何實現(xiàn)高效又經(jīng)濟的生產(chǎn)? 多晶金剛石散熱片的制備工藝 哈爾濱工業(yè)大學(xué)團隊采用 MPCVD技術(shù),在真空環(huán)境中通過微波激發(fā)氣體(氫氣、甲烷、氮氣),讓碳原子在襯底上“生長”成金剛石。 關(guān)鍵突破: 甲烷濃度:降低甲烷比例(從
2025-02-07 10:47:441892

Poly-SE選擇性多晶硅鈍化觸點在n-TOPCon電池中的應(yīng)用

Poly-SEs技術(shù)通過在電池的正面和背面形成具有選擇性的多晶硅層,有效降低了電池的寄生吸收和接觸電阻,同時提供了優(yōu)異的電流收集能力。在n型TOPCon太陽能電池中,Poly-SEs的應(yīng)用尤為重要
2025-02-06 13:59:421200

多晶DDR Controller使用注意事項

最后一期我們主要介紹智多晶DDR Controller使用時的注意事項。
2025-01-24 11:14:141479

光伏技術(shù):開啟清潔能源新時代

上時,光子與半導(dǎo)體材料中的電子相互作用,產(chǎn)生電子-空穴對,這些電子和空穴在電場的作用下定向移動,從而形成電流。 ? ?光伏電池的主要材料是,根據(jù)材料的不同,可分為單晶、多晶硅和非晶光伏電池。單晶光伏電池具有
2025-01-23 14:22:001141

多晶DDR Controller介紹

本期主要介紹智多晶DDR Controller的常見應(yīng)用領(lǐng)域、內(nèi)部結(jié)構(gòu)、各模塊功能、配置界面、配置參數(shù)等內(nèi)容。
2025-01-23 10:29:541268

多晶2024年度大事記回顧

過去一年中,智多晶人攜手拼搏、攻堅克難,共同促進產(chǎn)品升級推廣。在合作伙伴和業(yè)界同仁們的關(guān)注與支持中,我們在更廣闊的舞臺上展示智多晶的FPGA技術(shù)。這一年,智多晶的業(yè)務(wù)實現(xiàn)了良好增長,
2025-01-21 17:15:431152

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