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盡管 2012年整體電子產(chǎn)業(yè)表現(xiàn)不佳，但仍有許多表現(xiàn)優(yōu)秀的新創(chuàng)公司從各個(gè)技術(shù)領(lǐng)域冒出頭來(lái);以下盤(pán)點(diǎn)值得在 2013年繼續(xù)關(guān)注其動(dòng)態(tài)的十家具潛力新創(chuàng)公司，它們擅長(zhǎng)的領(lǐng)域涵蓋處理器、存儲(chǔ)器、半導(dǎo)體制程、芯片架構(gòu)、EDA、微機(jī)電(MEMS)、RF、觸控屏幕、伺服器以及物聯(lián)網(wǎng)(IoT)。
碳奈米管記憶體專(zhuān)家Nantero
總部位于美國(guó)麻州的 Nantero 成立于2001年，專(zhuān)長(zhǎng)于碳奈米管(carbon nanotubes)非揮發(fā)性記憶體技術(shù);該公司在2006年曾以溝槽式(trench-based)元件架構(gòu)引發(fā)話(huà)題，但之后又歸于沉寂。直到2012年，該公司將元件架構(gòu)改為更具可擴(kuò)展性的通孔(in-via)架構(gòu)，并宣佈從兩家策略伙伴募得1,000萬(wàn)美元額外資金。
Nantero 最近并與比利時(shí)研究機(jī)構(gòu)IMEC宣佈一項(xiàng)20奈米以下節(jié)點(diǎn)的碳奈米管非揮發(fā)性記憶體合作開(kāi)發(fā)計(jì)畫(huà)，IMEC官員期望該種記憶體可取代DRAM。如果該技術(shù)開(kāi)發(fā)進(jìn)度一切順利，可望在2013年發(fā)表更多進(jìn)展，而該公司的策略伙伴也或許會(huì)現(xiàn)身。
Nantero的碳奈米管可變電組記憶體架構(gòu)橫切面，這種架構(gòu)可望微縮至15奈米甚至是5奈米節(jié)點(diǎn)
新一代電晶體專(zhuān)家SuVolta
總部位于美國(guó)加州的SuVolta在2005年成立時(shí)名為DSM Solutions，一開(kāi)始塬本計(jì)畫(huà)進(jìn)軍創(chuàng)新型態(tài)的接面場(chǎng)效電晶體(junction FET)市場(chǎng)，后來(lái)經(jīng)歷了一次重新評(píng)估，并在2011年Scott Thompson任職該公司技術(shù)長(zhǎng)后，以摻雜(doping)技術(shù)推出全耗盡平面電晶體(fully-depleted planar transistor)架構(gòu)，取代過(guò)去其他業(yè)者使用絕緣上覆硅晶圓的方式(即FD-SOI)。
確實(shí)，SuVolta的PowerShrink電晶體所具備的深度耗盡通道可望提供FinFET與FD-SOI之外的n通道FET方案，但看來(lái)目前并沒(méi)有任何一家領(lǐng)先級(jí)IDM廠商或晶圓代工業(yè)者想嘗試。不過(guò)Globalfoundries執(zhí)行長(zhǎng)Ajit Manocha已經(jīng)表示，該公司正在評(píng)估FinFET與FD-SOI之外的第叁種製程──super-steep retrograde well (SSRW)，基本上就是SuVolta所開(kāi)發(fā)的技術(shù)。
SuVolta 的PowerShrink電晶體架構(gòu)
目前尚不清楚Globalfoundries是否與SuVolta合作，或是兩者是各自獨(dú)立開(kāi)發(fā);無(wú)論是哪種情況，SuVolta的未來(lái)發(fā)展都值得繼續(xù)關(guān)注。SuVolta的PowerShrink電晶體製程可提供與FD-SOI類(lèi)似的優(yōu)勢(shì)，但不需要使用SOI晶圓;該種電晶體亦能達(dá)到部分FinFET的優(yōu)勢(shì)。
獲得多家大廠投資的Tela
總部同樣位于美國(guó)加州、在2005年成立的Tela Innovations，成立之初在運(yùn)算微影(computational lithography)領(lǐng)域與高通(Qualcomm)合作，研發(fā)雙重圖形(double patterning)的多光罩技術(shù);該公司為標(biāo)準(zhǔn)單元邏輯、嵌入式SRAM、類(lèi)比與I/O功能區(qū)塊，提供節(jié)省面積與減少漏電流的物理設(shè)計(jì)，并專(zhuān)長(zhǎng)與客戶(hù)的IP開(kāi)發(fā)團(tuán)隊(duì)合作，將技術(shù)導(dǎo)入量產(chǎn)。
在2009年2月，Tela 收購(gòu)了Blaze DFM并將PowerTrim納入技術(shù)陣容，接著與臺(tái)積電(TSMC)建立合作關(guān)係，在2010年發(fā)表成果。Tela一直都很低調(diào)，但在2012年中表示該公司的設(shè)計(jì)庫(kù)已經(jīng)可支援32/28奈米與22/20奈米製程節(jié)點(diǎn)。
Telsa提供為28奈米、20奈米與FinFET製程微影最佳化的標(biāo)準(zhǔn)單元設(shè)計(jì)庫(kù)
Tela的投資者包括Intel Capital、Cadence Design Systems、KT Venture Group (KLA-Tencor的投資伙伴)與高通，該公司并在2012年聘請(qǐng)了一位智財(cái)法律顧問(wèn)(intellectual property legal counsel)，其未來(lái)發(fā)展值得持續(xù)關(guān)注。
新一代觸控技術(shù)開(kāi)發(fā)者Senseg
芬蘭業(yè)者Senseg成立于2006年，專(zhuān)長(zhǎng)開(kāi)發(fā)觸控介面技術(shù)，是以靜電場(chǎng)來(lái)產(chǎn)生表面紋理的幻象，甚至是手指下按鍵的移動(dòng);該技術(shù)具備為觸控螢?zāi)惶峁┯|覺(jué)回饋的潛力，特別是運(yùn)用在智慧型手機(jī)、平板裝置用的螢?zāi)簧湘I盤(pán)。Senseg的幕后金主是Skypet創(chuàng)辦人的投資機(jī)構(gòu)Ambient Sound Investments。
Senseg藉由靜電將觸控螢?zāi)贿M(jìn)化為「有感覺(jué)」的螢?zāi)?/p>
藉由調(diào)節(jié)手指上的靜電吸引力，能產(chǎn)生各種的感覺(jué)，包括表面紋理、邊緣、震動(dòng)等等，該技術(shù)也能在不使用機(jī)械性震動(dòng)的情況下製造觸感。Senseg在2012年6月任命Paul Costigan擔(dān)任執(zhí)行長(zhǎng)，他的領(lǐng)導(dǎo)在2013年將產(chǎn)出那些成果，值得期待。
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