原來導(dǎo)通的開關(guān)管關(guān)斷時(shí)，高頻變壓器的漏感產(chǎn)生了反電勢(shì)E＝-Ldi/dt，其值與集電極的電流變化率成正比，與漏感成正比，迭加在關(guān)斷電壓上，形成關(guān)斷電壓尖峰，從而形成傳導(dǎo)干擾。
2022-03-23 11:08:00
3197 概述副邊整流二極管的尖峰開關(guān)電源產(chǎn)生噪聲的主要部位是功率變換和輸出整流濾波電路。包括開關(guān)管，整流管，變壓器，
2017-09-11 16:12:4115222 。推挽方式一般是指兩個(gè)三極管（晶體管）分別受兩互補(bǔ)信號(hào)的控制,總是在一個(gè)三極管導(dǎo)通的時(shí)候另一個(gè)截止。那么推挽電路我們可以理解為推挽電路的輸出級(jí)有兩個(gè)“臂”（兩組放大
2024-04-13 08:03:5722568 
SiC MOSFET的開關(guān)尖峰問題，并介紹使用瞬態(tài)電壓抑制二極管（TVS）進(jìn)行保護(hù)的優(yōu)勢(shì)和上海雷卯電子提供的解決方案。 1. SiC MOSFET開關(guān)過程中的電壓尖峰 SiC MOSFET在快速開關(guān)時(shí)，由于其內(nèi)部寄生電容和電路寄生電感的作用，會(huì)在器件兩端產(chǎn)生電壓尖峰。這些尖峰可能遠(yuǎn)
2024-08-15 17:17:275785 
概述副邊整流二極管的尖峰開關(guān)電源產(chǎn)生噪聲的主要部位是功率變換和輸出整流濾波電路。包括開關(guān)管，整流管，變壓器，還有輸出扼流線圈，等。不采取任何措施時(shí)輸出電壓的峰值可能是輸出基波的好多倍。出現(xiàn)在開關(guān)脈沖
2017-09-12 17:56:16
尖峰電流的形成產(chǎn)生尖峰電流的主要原因尖峰電流的抑制方法
2021-03-16 11:57:18
開關(guān)管的控制變?yōu)楦哳l，最后經(jīng)過整流濾波電路輸出，得到穩(wěn)定的直流電壓，因此，自身含有大量的諧波干擾。同時(shí)，由于變壓器的漏感和輸出二極管的反向恢復(fù)電流造成的尖峰，都會(huì)產(chǎn)生不同程度的電磁干擾。開關(guān)電源中的干擾
2009-08-17 09:11:30
組成.它產(chǎn)生的尖峰電壓是一種有較大幅度的窄脈沖,其頻帶較寬且諧波比較豐富.產(chǎn)生這種脈沖干擾的主要原因是: (1)開關(guān)功率晶體管感性負(fù)載是高頻
2009-10-13 08:37:01
開關(guān)電源產(chǎn)生干擾的原因 開關(guān)電源首先將工頻交流整流為直流，再逆變?yōu)楦哳l，最后經(jīng)過整流濾波電路輸出，得到穩(wěn)定的直流電壓，因此自身含有大量的諧波干擾。同時(shí)，由于變壓器的漏感和輸出二極管的反向恢復(fù)
2020-12-09 15:43:10
，勵(lì)磁電流經(jīng)二極管D流向復(fù)位繞組，最后減小到零，此時(shí)Q兩端電壓下降到Vdc。圖2所示是開關(guān)管集電極電流和電壓波形?？梢姡?b class="flag-6" style="color: red">開關(guān)管不帶緩沖電路時(shí)，在Q關(guān)斷時(shí)，其兩端的漏感電壓尖峰很大，產(chǎn)生的關(guān)斷損耗也很大
2018-11-21 16:22:57
不管三極管（Q2）導(dǎo)通和強(qiáng)制關(guān)閉輸出一致，無法使得三極管起到開關(guān)作用，請(qǐng)問該三極管在此電路中具體產(chǎn)生漏電源的原因及解決方法
2020-02-17 09:48:20
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 09:51 編輯
推挽逆變器的原理分析
2012-08-14 14:44:27
逆變電源工程師設(shè)計(jì)之首選。正是因?yàn)榭此坪唵蔚囊粋€(gè)拓?fù)?，確讓很多設(shè)計(jì)師望而卻步，因?yàn)?b class="flag-6" style="color: red">推挽有一個(gè)最頭疼的問題，電壓尖峰。通常推挽拓?fù)?b class="flag-6" style="color: red">中功率管選用都是MOSFET，而MOSFET失效最多原因往往不是電流而...
2021-11-16 07:30:19
MOSFET,以推挽方式存在于電路中,各負(fù)責(zé)正負(fù)半周的波形放大任務(wù),電路工作時(shí)，兩只對(duì)稱的功率開關(guān)管每次只有一個(gè)導(dǎo)通，所以導(dǎo)通損耗小,效率高。輸出既可以向負(fù)載灌電流，也可以從負(fù)載抽取電流。 三極管的開漏
2011-11-18 22:05:24
1.推挽輸出使GPIO口輸出高電平或者低電平主要寄存器為端口配置地寄存器和端口配置高寄存器，每四個(gè)位控制一個(gè)GPIO.2 推挽輸出和開漏輸出推挽輸出結(jié)構(gòu)是由兩個(gè)MOS或者三極管收到互補(bǔ)控制的信號(hào)控制
2022-02-24 07:20:13
看到書上講推完變換器的原理，說道當(dāng)MOS管開通，由于變壓器次級(jí)在整流二極管反向恢復(fù)時(shí)間內(nèi)造成的短路，漏極電流將出現(xiàn)尖峰在MOS管關(guān)斷時(shí)，高頻變壓器的漏磁通下降，漏感依然將釋放儲(chǔ)能，變壓器繞組上，相應(yīng)
2017-07-22 11:57:00
實(shí)際情況調(diào)試確定,死區(qū)時(shí)間與變壓器的漏感，MOS管的結(jié)電容有關(guān)，若死區(qū)時(shí)間設(shè)置不合理會(huì)導(dǎo)致較大的尖峰電壓。特別是在逆變器啟動(dòng)時(shí)尤為明顯，那么接下來就詳細(xì)說明原因。1、為什么啟動(dòng)時(shí)會(huì)有較大的尖峰呢？因?yàn)閯倖?dòng)
2020-06-27 10:23:36
ACDC電源模塊的原邊MOS管漏極尖峰電壓很高，在AC輸入270V下尖峰高達(dá)600多伏。
我調(diào)整了一下RCD電路，比如增大原來的470pf電容到1.88nf，繼續(xù)增大尖峰就不再下降了，電阻從150k
2023-09-22 11:20:23
以STM32參考手冊(cè)中的GPIO輸出配置圖為例：看到輸出驅(qū)動(dòng)器虛線框中的內(nèi)容，輸出驅(qū)動(dòng)器中的P-MOS和N-MOS兩個(gè)MOS管就是實(shí)現(xiàn)推挽輸出和開漏輸出的關(guān)鍵。推挽輸出模式下，P-MOS和N-MOS
2022-02-28 06:48:51
是非常快的，可以達(dá)到幾十ns，一般情況下驅(qū)動(dòng)推挽電路的上管開通速度越快，門極電阻越小，di/dt就會(huì)越大，因此尖峰也會(huì)越高。搞清楚機(jī)理后，大家就應(yīng)該知道這個(gè)尖峰對(duì)IGBT是沒有什么影響的，只是內(nèi)部寄生
2021-04-26 21:33:10
來源 中國電子網(wǎng)開漏輸出:輸出端相當(dāng)于三極管的集電極. 要得到高電平狀態(tài)需要上拉電阻才行. 適合于做電流型的驅(qū)動(dòng),其吸收電流的能力相對(duì)強(qiáng)(一般20ma以內(nèi)).推挽結(jié)構(gòu)一般是指兩個(gè)三極管分別受兩互補(bǔ)
2016-06-29 11:11:00
來源網(wǎng)絡(luò)開漏輸出:輸出端相當(dāng)于三極管的集電極. 要得到高電平狀態(tài)需要上拉電阻才行. 適合于做電流型的驅(qū)動(dòng),其吸收電流的能力相對(duì)強(qiáng)(一般20ma以內(nèi)).推挽結(jié)構(gòu)一般是指兩個(gè)三極管分別受兩互補(bǔ)信號(hào)的控制
2017-03-21 09:20:02
推挽輸出:可以輸出高,低電平,連接數(shù)字器件;開漏輸出:輸出端相當(dāng)于三極管的集電極. 要得到高電平狀態(tài)需要上拉電阻才行. 適合于做電流型的驅(qū)動(dòng),其吸收電流的能力相對(duì)強(qiáng)(一般20ma以內(nèi)).推挽結(jié)構(gòu)一般
2022-02-08 06:50:38
即可。這樣集電極就變成了漏極，OC就變成了OD，原理分析是一樣的。另一種輸出結(jié)構(gòu)是推挽輸出。推挽輸出的結(jié)構(gòu)就是把上面的上拉電阻也換成一個(gè)開關(guān)，當(dāng)要輸出高電平時(shí)，上面的開關(guān)通，下面的開關(guān)斷;而要輸出
2017-10-12 10:41:10
來源 網(wǎng)絡(luò)開漏輸出:輸出端相當(dāng)于三極管的集電極. 要得到高電平狀態(tài)需要上拉電阻才行. 適合于做電流型的驅(qū)動(dòng),其吸收電流的能力相對(duì)強(qiáng)(一般20ma以內(nèi))。 推挽結(jié)構(gòu)一般是指兩個(gè)三極管分別受兩互補(bǔ)信號(hào)
2018-03-20 16:19:06
MOS管驅(qū)動(dòng)電機(jī)，負(fù)載接在漏極端；MOS+運(yùn)放組成的恒流源，負(fù)載也在漏極端。想問一下，負(fù)載可以放在源極嗎？兩者有什么區(qū)別？
2021-07-08 18:07:57
MOS管在什么情況下流過連續(xù)漏記電流？在什么情況下流過脈沖漏極電流？正常用方波脈沖驅(qū)動(dòng)MOS管通斷的話，流過MOS管的是連續(xù)漏極電流還是脈沖漏極電流？
2018-08-23 15:30:44
另一個(gè)截止。高低電平由輸出電平?jīng)Q定。 推挽電路是兩個(gè)參數(shù)相同的三極管或MOSFET，以推挽方式存在于電路中，各負(fù)責(zé)正負(fù)半周的波形放大任務(wù)。電路工作時(shí)，兩只對(duì)稱的功率開關(guān)管每次只有一個(gè)導(dǎo)通，所以導(dǎo)通損耗
2022-12-22 18:10:27
時(shí)產(chǎn)生的回掃電壓，或者由漏磁電感產(chǎn)生的尖峰電壓超出功率MOS管的漏極額定耐壓并進(jìn)入擊穿區(qū)而導(dǎo)致破壞的模式會(huì)引起雪崩破壞?！ 〉湫碗娐罚骸 《?、器件發(fā)熱損壞 由超出安全區(qū)域引起發(fā)熱而導(dǎo)致的。發(fā)熱的原因
2018-10-29 14:07:49
的反饋量。二極管D3和D4續(xù)流二極管，保護(hù)驅(qū)動(dòng)級(jí)晶體管的開關(guān)變壓器(T2)初選時(shí)產(chǎn)生的電壓尖峰。R14和R15限制基地的第四季度和Q7。R12和R13為第四季度和Q7防止意外的開關(guān)ON下拉電阻。C10
2021-04-29 06:00:00
推挽輸出:可以輸出高,低電平,連接數(shù)字器件;開漏輸出:輸出端相當(dāng)于三極管的集電極. 要得到高電平狀態(tài)需要上拉電阻才行. 適合于做電流型的驅(qū)動(dòng),其吸收電流的能力相對(duì)強(qiáng)(一般20ma以內(nèi)). 推挽結(jié)構(gòu)
2015-03-08 15:32:18
前沿尖峰的一些抑制方法1、選用軟恢復(fù)特性的肖特基二極管，或采用在整流管前串聯(lián)電感的方法比較有效，或在開關(guān)管整流管的磁珠。磁芯材料選用對(duì)高頻振蕩呈高阻抗衰減特性的鐵氧體材料，等。2、在二次側(cè)接入RC
2019-03-10 06:30:00
為什么電流源型逆變器中開關(guān)管要反串二極管呢？
2023-04-24 14:10:19
電壓較高；由于變壓器原邊漏感的存在，功率開關(guān)管關(guān)斷的瞬間，漏源極會(huì)產(chǎn)生較大的電壓尖峰，另外輸入電流的紋波較大，因而輸入濾波器的體積較大。推挽電路圖推挽電路（一）推挽電路（二）推挽電路（三）`
2011-11-02 10:27:38
最近在學(xué)STM32，看正點(diǎn)原子視頻中對(duì)開漏輸出和推挽輸出的講解視頻時(shí)，發(fā)現(xiàn)原子哥對(duì)電路的講解有一些錯(cuò)誤，主要說關(guān)于MOS管的開關(guān)問題，查了一晚上資料，終于想明白了，特意發(fā)個(gè)文章分享一下。這是
2022-02-17 07:15:10
壓之和約為2UI.在實(shí)際中，變壓器的漏感會(huì)產(chǎn)生很大的尖峰電壓加在S2 兩端，從而引起大的關(guān)斷損耗，變換器的效率因受變壓器漏感的限制，不是很高。在S1和S2 的漏極之間接上RC緩沖電路，也稱為吸收電路
2018-09-29 16:43:21
1.單片機(jī)IO口開漏輸出和推挽輸出有什么區(qū)別？開漏輸出：開漏輸出只能輸出低電平，如果要輸出高電平必須通過上拉電阻才能實(shí)現(xiàn)。就類似于三極管的集電極輸出。推挽輸出：推挽輸出既可以輸出低電平，也可以輸出
2021-12-07 06:13:45
可以輸出高電平，可以直接驅(qū)動(dòng)功耗不大的數(shù)字器件。推挽電路是由兩個(gè)三極管或MOSFET，以推挽方式存在于電路中，電路工作時(shí)，兩只對(duì)稱的開關(guān)管每次只有一個(gè)導(dǎo)通，所以導(dǎo)通損耗小、效率高、既提高電路的負(fù)載能力，又提高開關(guān)速度。其原理圖如下：當(dāng)內(nèi)部輸出1電平時(shí)，上邊的MOS管導(dǎo)通同時(shí)下邊的MOS管截
2021-12-13 07:10:15
單片機(jī)端口的推挽方式和漏極方式的區(qū)別
2014-06-04 08:11:04
電容，Cj為輸出二極管的結(jié)電容。圖5為反激變換器工作在DCM工作模式時(shí)，開關(guān)管分別工作在(a)開通瞬間、 (b)開通階段、 (c)關(guān)斷瞬間和(d)關(guān)斷階段時(shí)，所對(duì)應(yīng)的等效分析電路，Rds為開關(guān)管的漏源極
2018-10-10 20:44:59
2、試著將MOS管源極的電流采樣電阻調(diào)大一點(diǎn)，也會(huì)使得漏極開機(jī)瞬間尖峰稍微減小，但也會(huì)導(dǎo)致低壓無法啟動(dòng)。
請(qǐng)問是什么原因導(dǎo)致MOS管漏極開機(jī)瞬間電壓很大？如何解決？
2023-10-09 23:06:47
流過電阻，并且沒有電壓。通過以1 kHz的頻率向MOSFET施加脈動(dòng)信號(hào)，漏極輸出遵循與柵極相同的波形，但具有反相。對(duì)于許多類型的開關(guān)設(shè)備，即使連接到電阻性負(fù)載，也會(huì)產(chǎn)生輸出峰值，其特點(diǎn)是持續(xù)時(shí)間非常短
2020-09-09 16:04:44
在開關(guān)電源中如何消除開關(guān)mos管漏極產(chǎn)生的振蕩成份呢？
2023-05-09 14:56:25
，也稱為吸收電路，用來抑制尖峰電壓的產(chǎn)生。并且為了給能量回饋提供反饋回路，在S1和S2 兩端都反并聯(lián)上續(xù)流二極管FWD. 2開關(guān)變壓器的設(shè)計(jì) 采用面積乘積（AP）法進(jìn)行設(shè)計(jì)。對(duì)于推挽逆變工作開關(guān)
2018-09-29 16:55:57
開關(guān)電源設(shè)計(jì)中，我們常常使用到一個(gè)電阻串聯(lián)一個(gè)電容構(gòu)成的RC電路， RC電路性能會(huì)直接影響到產(chǎn)品性能和穩(wěn)定性。如何設(shè)計(jì)既能降低開關(guān)管損耗，且可降低變壓器的漏感和尖峰電壓的RC電路？
2019-01-10 14:07:18
甚至繼電器，但電阻的驅(qū)動(dòng)是有限的，最大高電平輸出電流=(vcc-Vh)/r; 另一種是互補(bǔ)推挽輸出，采用2只晶體管，一只在上一只在下，上面的一只是n型，下面為p型(以三極管為例)，兩只管子的連接為
2019-05-24 09:07:33
高頻逆變器推挽方式前級(jí)升壓mos尖峰問題怎么解決驅(qū)動(dòng)是sg3525，開環(huán)的時(shí)候波形很好， 當(dāng)變壓器副邊升壓到420V開始穩(wěn)壓的時(shí)候，sg3525就開始調(diào)整占空比這時(shí)候就有尖峰
2023-10-08 10:59:26
上的漏感尖峰電壓應(yīng)力及EMI輻射問題。圖2常見的RCD吸收電路結(jié)構(gòu)如圖2(D1一般用快恢復(fù)二極管)。如果變壓器設(shè)計(jì)不合理，漏感大的話，開關(guān)管管斷時(shí)，漏感電壓較大，振蕩時(shí)間較長，導(dǎo)致MOS電壓應(yīng)力比較
2021-06-09 06:00:00
剛接觸ATX電源部分，這個(gè)推挽電路是放大主開關(guān)管的，不明白為什么有方波發(fā)生時(shí)，三極管就會(huì)截止呢？
2023-04-28 14:50:37
概述副邊整流二極管的尖峰開關(guān)電源產(chǎn)生噪聲的主要部位是功率變換和輸出整流濾波電路。包括開關(guān)管，整流管，變壓器，還有輸出扼流線圈，等。不采取任何措施時(shí)輸出電壓的峰值可能是輸出基波的好多倍。出現(xiàn)在開關(guān)脈沖
2019-05-13 05:57:38
概述副邊整流二極管的尖峰開關(guān)電源產(chǎn)生噪聲的主要部位是功率變換和輸出整流濾波電路。包括開關(guān)管，整流管，變壓器，還有輸出扼流線圈，等。不采取任何措施時(shí)輸出電壓的峰值可能是輸出基波的好多倍。出現(xiàn)在開關(guān)脈沖
2019-04-08 08:30:00
現(xiàn)有的自激推挽式變換器由輸入濾波電路、雙極性推挽式電路和耦合變壓器組成，由于輸入端的電壓通過電阻R、電容C′直接加在兩個(gè)晶體管上。當(dāng)電壓較低時(shí)，晶體管能正常運(yùn)行；而當(dāng)輸入電壓較高時(shí)，因?yàn)榕c電阻R并聯(lián)
2020-10-26 14:32:24
的回掃電壓，或者由漏磁電感產(chǎn)生的尖峰電壓超出功率MOSFET的漏極額定耐壓并進(jìn)入擊穿區(qū)而導(dǎo)致破壞的模式會(huì)引起雪崩破壞。典型電路：第二種：器件發(fā)熱損壞由超出安全區(qū)域引起發(fā)熱而導(dǎo)致的。發(fā)熱的原因分為直流功率
2021-11-10 07:00:00
以是另一個(gè)開關(guān)三極管）總是交替地導(dǎo)通或者截止，圖1中KQ和KD并非是理想器件，兩種狀態(tài)的轉(zhuǎn)換需要一定的時(shí)間，這就產(chǎn)生了尖峰干擾。在狀態(tài)轉(zhuǎn)變過程中，該導(dǎo)通的開關(guān)沒有完全導(dǎo)通，而該截止的開關(guān)卻又沒有截止的瞬間
2011-09-02 11:26:54
推挽輸出:可以輸出高,低電平,連接數(shù)字器件; 開漏輸出:輸出端相當(dāng)于三極管的集電極. 要得到高電平狀態(tài)需要上拉電阻才行. 適合于做電流型的驅(qū)動(dòng),其吸收電流的能力相對(duì)強(qiáng)(一般20ma以內(nèi)). 推挽
2018-06-28 10:32:42
網(wǎng)上基本都是說，當(dāng)MOS關(guān)斷時(shí)，漏感會(huì)產(chǎn)生尖峰電壓。那我想問下，當(dāng)MOS管開通時(shí)，這個(gè)漏感就不會(huì)對(duì)MOS管產(chǎn)生影響嗎？
2018-12-20 14:12:20
使S2在關(guān)斷時(shí)承受的電壓是輸入電壓與感應(yīng)電壓之和約為2UI.在實(shí)際中，變壓器的漏感會(huì)產(chǎn)生很大的尖峰電壓加在S2兩端，從而引起大的關(guān)斷損耗，變換器的效率因受變壓器漏感的限制，不是很高。在S1和S2的漏極
2018-10-10 17:00:06
推挽開漏
推挽電路（互補(bǔ)型電路），用兩個(gè)參數(shù)相同的三極管或MOSFET,以推挽方式存在於電路中,各負(fù)責(zé)正負(fù)半周的波形放
2008-06-30 16:30:132806 什么是漏極,場效應(yīng)管的結(jié)構(gòu)原理是什么?
漏極
場效應(yīng)晶體管（Field Effect
2010-03-04 15:35:315868 先請(qǐng)大家看兩個(gè)波形：第一個(gè)是MOS管漏極的波形(帶載500W),可以看出此時(shí)漏感引起的尖峰已經(jīng)蕩然無存(無任何的吸收或鉗位)
2011-03-31 11:44:338949 
電池供電的逆變器,為了減少回路中串聯(lián)的功率管數(shù)量,多采用推挽電路,其中的MOSFET多工作在硬開關(guān)狀態(tài),硬開關(guān)狀態(tài)存在弊端。
2011-09-13 15:29:575741 
上面我們已經(jīng)分析了Q1，Q2兩管漏極產(chǎn)生尖峰的原因，下面我們就來想辦法消除這個(gè)尖峰了。我想到的辦法就是Q1，Q2的漏極到電池的正極加一個(gè)開關(guān)，當(dāng)然這個(gè)開關(guān)也由MOS管來充當(dāng)，當(dāng)然其它功率管也行。這個(gè)開關(guān)只在Q1，Q2都截止時(shí)才導(dǎo)通，用電路實(shí)現(xiàn)如圖7所示：
2017-06-29 15:13:422710 BUCK 變換器在開關(guān)轉(zhuǎn)換瞬間 由于線路上存在感抗 會(huì)在主功率管和二極管上產(chǎn)生電
壓尖峰 使之承受較大的電壓應(yīng)力和電流沖擊 從而導(dǎo)致器件熱損壞及電擊穿。因此 為避免此現(xiàn)象 有必要對(duì)電壓尖峰的原因進(jìn)行分析研究 找出有效的解決辦法。
2017-09-28 11:32:32
38 在大功率 Buck變換器中電路工作于高頻開關(guān)狀態(tài)由于實(shí)際線路的寄生參數(shù)和器件的非理 想特性的影響 開關(guān)器件兩端會(huì)出現(xiàn)過高的 電壓和電流尖峰嚴(yán)重地降低了電路的可靠性。本文詳細(xì)分析了兩種尖峰產(chǎn)生的原因
2017-09-28 11:29:3832 線圈所產(chǎn)生的磁力線不能都通過次級(jí)線圈，因此產(chǎn)生漏磁的電感稱為漏感。指變壓器初次級(jí)在耦合的過程中漏掉的那一部份磁通。 漏感產(chǎn)生的原因 漏感的產(chǎn)生是由于某些初級(jí)（次級(jí)）磁通沒有通過磁芯耦合到次級(jí)（初級(jí)
2017-10-30 15:21:1337562 
漏極開路（OD）輸出，跟集電極開路輸出是十分類似的。將上面的三極管換成場效應(yīng)管即可。這樣集電極就變成了漏極，OC就變成了OD，原理分析是一樣的。對(duì)于漏極開路（OD）來說，輸出端相當(dāng)于三極管的集電極。 要得到高電平狀態(tài)需要上拉電阻才行。 適合于做電流型的驅(qū)動(dòng)，其吸收電流的能力相對(duì)強(qiáng)（一般20ma以內(nèi)）。
2017-11-09 14:17:0119382 
推挽輸出可以輸出高，低電平，連接數(shù)字器件;推挽結(jié)構(gòu)一般是指兩個(gè)三極管分別受兩互補(bǔ)信號(hào)的控制，總是在一個(gè)三極管導(dǎo)通的時(shí)候另一個(gè)截止。開漏輸出輸出端相當(dāng)于三極管的集電極。 要得到高電平狀態(tài)需要上拉電阻才行。 適合于做電流型的驅(qū)動(dòng)，其吸收電流的能力相對(duì)強(qiáng)（一般20ma以內(nèi)）。
2017-11-14 12:13:4113642 
的死區(qū)處都長了一個(gè)長長的尖峰，這個(gè)尖峰對(duì)逆變器/UPS性能的影響和開關(guān)管Q1，Q2的威脅是不言而喻的，這里就不多說了。 二 Q1，Q2兩管漏極產(chǎn)生尖峰的成因分析 從圖1中可以看出，主電路功率元件是開關(guān)管Q1，Q2和變壓器T1。 Q1，Q2的漏極引腳到TI初級(jí)兩邊走線存在分布電感，
2017-12-11 10:50:2310 概述副邊整流二極管的尖峰 開關(guān)電源產(chǎn)生噪聲的主要部位是功率變換和輸出整流濾波電路。包括開關(guān)管，整流管，變壓器，還有輸出扼流線圈，等。 不采取任何措施時(shí)輸出電壓的峰值可能是輸出基波的好多倍。出現(xiàn)在開關(guān)
2018-01-09 15:30:4911491 開關(guān)電源產(chǎn)生的電磁干擾（EMI），按耦合通道來分，可分為傳導(dǎo)干擾和輻射干擾;按噪聲干擾源種類來分可分為尖峰干擾和諧波干擾。開關(guān)電源在工作過程中所產(chǎn)生的浪涌電流和尖峰電壓就形成了干擾源，工頻整流濾波使用的大電容充電放電、開關(guān)管高頻工作時(shí)的電壓切換以及輸出整流二極管的反向恢復(fù)電流都是這類干擾源。
2019-09-10 15:25:057194 
上上期我們提到了buck電路的開關(guān)的振鈴波形，本質(zhì)原因是LC的阻尼振蕩。文章偏理論，那BUCK到底是怎么產(chǎn)生尖峰振蕩呢？ 問題 本期主要分析以下這兩個(gè)問題： 1、死區(qū)時(shí)間是什么？這里有個(gè)小臺(tái)階
2021-07-06 08:56:3325645 
逆變電源工程師設(shè)計(jì)之首選。正是因?yàn)榭此坪唵蔚囊粋€(gè)拓?fù)?，確讓很多設(shè)計(jì)師望而卻步，因?yàn)?b class="flag-6" style="color: red">推挽有一個(gè)最頭疼的問題，電壓尖峰。通常推挽拓?fù)?b class="flag-6" style="color: red">中功率管選用都是MOSFET，而MOSFET失效最多原因往往不是電流而...
2021-11-09 12:51:0029 最近在學(xué)STM32，看正點(diǎn)原子視頻中對(duì)開漏輸出和推挽輸出的講解視頻時(shí)，發(fā)現(xiàn)原子哥對(duì)電路的講解有一些錯(cuò)誤，主要說關(guān)于MOS管的開關(guān)問題，查了一晚上資料，終于想明白了，特意發(fā)個(gè)文章分享一下。這是
2021-12-22 19:04:1510 以STM32參考手冊(cè)中的GPIO輸出配置圖為例：看到輸出驅(qū)動(dòng)器虛線框中的內(nèi)容，輸出驅(qū)動(dòng)器中的P-MOS和N-MOS兩個(gè)MOS管就是實(shí)現(xiàn)推挽輸出和開漏輸出的關(guān)鍵。推挽輸出模式下，P-MOS和N-MOS
2022-01-13 16:24:1019 在介質(zhì)負(fù)載的開關(guān)運(yùn)行斷開時(shí)產(chǎn)生的回掃電壓，或者由漏磁電感產(chǎn)生的尖峰電壓超出功率MOSFET的漏極額定耐壓并進(jìn)入擊穿區(qū)而導(dǎo)致破壞的模式會(huì)引起雪崩破壞。
2022-06-17 10:30:036261 上節(jié)我們講了開關(guān)管的電壓尖峰的產(chǎn)生原理，有的人會(huì)問我：為什么我們要關(guān)注電壓尖峰呢?我們不用電感不就行了?
2023-03-10 16:59:5613150 
上節(jié)我們認(rèn)識(shí)了開關(guān)管的第一種電壓尖峰的抑制手段，就是利用TVS或者穩(wěn)壓管工作時(shí)的電流再次對(duì)開關(guān)管的門極進(jìn)行充電，讓開關(guān)管的門極的變化不在劇烈，因此能讓開關(guān)管的電壓尖峰抑制到合理的范圍。開關(guān)管還有其他的電壓尖峰抑制方式嗎?
2023-03-10 17:00:385815 
產(chǎn)生尖峰電流的另一個(gè)原因是負(fù)載電容的影響。與非門輸出端實(shí)際上存在負(fù)載電容 CL，當(dāng)門的輸出由低轉(zhuǎn)換到高時(shí)，電源電壓由 T4 對(duì)電容 CL 充電，因此形成尖峰電流。
2023-04-21 14:53:413721 本文的關(guān)鍵要點(diǎn) ?漏極和源極間的浪涌是由各種電感分量和 MOSFET 寄生電容的諧振引起的。 ?在實(shí)際的版圖設(shè)計(jì)中，很多情況下無法設(shè)計(jì)出可將線路電感降至最低的布局，此時(shí)，盡可能在開關(guān)器件的附近配備
2023-06-21 08:35:021466 
開關(guān)導(dǎo)通時(shí)，線路和電路板版圖的電感之中會(huì)直接積蓄電能（電流能量）。當(dāng)該能量與開關(guān)器件的寄生電容發(fā)生諧振時(shí)，就會(huì)在漏極和源極之間產(chǎn)生浪涌。下面將利用圖1來說明發(fā)生浪涌時(shí)的振鈴電流的路徑。這是一個(gè)橋式
2023-06-29 15:22:022215 
什么是推挽輸出 開漏輸出和推挽輸出的區(qū)別? 推挽輸出、開漏輸出和推挽輸出是數(shù)字電子電路中的三種常見輸出方式。它們的區(qū)別在于輸出電路中的硬件電路結(jié)構(gòu)和工作方式，對(duì)于電路設(shè)計(jì)和應(yīng)用，了解這些特性是非
2023-08-31 10:21:4425383 什么是漏極？什么是源極？什么是柵極？柵極源極漏極怎么區(qū)分？漏極 源極 柵極相當(dāng)于三極管的哪極？ 漏極、源極和柵極都是指晶體管（如三極管）的不同極性。 首先，我們需要了解晶體管的基本結(jié)構(gòu)，它由兩個(gè)PN
2023-11-21 16:00:4525005 功率管的開關(guān)波形對(duì)尖峰干擾的影響與抑制 在工業(yè)和電子領(lǐng)域廣泛應(yīng)用的功率管，在各個(gè)系統(tǒng)中起到了至關(guān)重要的作用。然而，功率管在開關(guān)過程中往往會(huì)引起尖峰干擾，對(duì)系統(tǒng)的穩(wěn)定性和工作效果產(chǎn)生一定的負(fù)面影響
2023-11-29 10:55:561631 源極和漏極的區(qū)別? 源極和漏極是晶體管中的兩個(gè)重要極，它們?cè)诰w管的工作過程中起著關(guān)鍵作用。源極與漏極之間的區(qū)別主要體現(xiàn)在以下幾個(gè)方面：電流流向、電位關(guān)系、電壓控制、功率損耗和應(yīng)用場景。 首先，源極
2023-12-07 15:48:198948 逆變器的場效應(yīng)管發(fā)熱原因? 逆變器是一種將直流電轉(zhuǎn)換為交流電的裝置，常用于太陽能發(fā)電、風(fēng)能發(fā)電等可再生能源系統(tǒng)中。其中，場效應(yīng)管（MOSFET）是逆變器中的關(guān)鍵元件，負(fù)責(zé)開關(guān)直流電，實(shí)現(xiàn)直流電的變換
2024-01-31 17:17:015039 ，由于有導(dǎo)體存在，產(chǎn)生的電阻將會(huì)轉(zhuǎn)化為熱量。所以，導(dǎo)通電阻是場效應(yīng)管發(fā)熱的主要原因之一。 2. 開關(guān)頻率發(fā)熱：逆變器是通過高頻開關(guān)來控制電路的，為了控制高頻開關(guān)的開關(guān)速度，場效應(yīng)管必須具備快速開關(guān)速度的特點(diǎn)。在頻繁開
2024-03-06 15:17:205094 ，深入了解MOS管尖峰產(chǎn)生的原因對(duì)于電路設(shè)計(jì)和維護(hù)具有重要意義。本文將從多個(gè)方面詳細(xì)分析MOS管尖峰產(chǎn)生的原因，并給出相應(yīng)的解決方案。
2024-05-30 16:32:255529 開關(guān)MOSFET中產(chǎn)生振鈴和電壓尖峰的現(xiàn)象是電力電子轉(zhuǎn)換過程中常見的問題，尤其是在高頻開關(guān)應(yīng)用中更是如此。這接下來，我們將詳細(xì)探討這些現(xiàn)象的起因。 振鈴的成因 寄生電感：在MOSFET的漏極、源極
2024-06-09 11:29:006624 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《可抑制漏極尖峰電壓的電路及設(shè)計(jì).docx》資料免費(fèi)下載
2024-06-17 14:08:339 （Source, S）和漏極（Drain, D）是兩個(gè)關(guān)鍵的電極，它們與柵極（Gate, G）共同構(gòu)成了MOS管的基本結(jié)構(gòu)。以下是對(duì)MOS管源極和漏極的詳細(xì)解釋，包括它們的定義、功能、以及在電路中的作用。
2024-07-23 14:21:2113874 開關(guān)電源的尖峰干擾是一個(gè)復(fù)雜而重要的問題，它主要源于開關(guān)電源內(nèi)部高頻開關(guān)器件的快速通斷過程。這種干擾不僅影響開關(guān)電源本身的性能，還可能對(duì)周圍的其他電子設(shè)備造成不利影響。以下將詳細(xì)闡述開關(guān)電源尖峰干擾的定義、產(chǎn)生原因、抑制方法。
2024-08-19 18:30:327447 MOS管的工作原理是通過改變柵極電壓來控制源極和漏極之間的通道電阻，從而實(shí)現(xiàn)對(duì)電流的控制。當(dāng)柵極電壓達(dá)到一定閾值時(shí)，通道電阻迅速減小，形成導(dǎo)電通道，使得源極和漏極之間的電流迅速增加。在MOS管的開關(guān)過程中，柵極電壓的變化決定了通道電阻的變化，進(jìn)而決定了電流的通斷。
2024-10-09 16:12:177173 MOS管（金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管）的泄漏電流是指在MOS管關(guān)斷狀態(tài)下，從源極或漏極到襯底之間仍然存在的微弱電流。這些泄漏電流可能對(duì)電路的性能和穩(wěn)定性產(chǎn)生不利影響，因此需要深入了解其類型和產(chǎn)生原因。
2024-10-10 15:11:126944
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