兩個月前，英特爾(Intel)高層MarkBohr指“無晶圓廠經(jīng)營模式快不行了”的說法，引發(fā)不少熱烈討論;以下這篇由顧問機(jī)構(gòu)InternationalBusinessStrategies(IBS)執(zhí)行長HandelJones所撰寫的分析文章，或許可以提供一些反駁論點(diǎn)。

　　目前半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)面臨的挑戰(zhàn)究竟有哪些?

　　1.28奈米制程節(jié)點(diǎn)的參數(shù)良率尚未到達(dá)預(yù)期水準(zhǔn)：

　　在28奈米節(jié)點(diǎn)，包括隨機(jī)摻雜擾動(randomdopantfluctuations)、線寬、線間距變動，以及導(dǎo)孔電阻值(viaresistance)等會影響RC相關(guān)時(shí)序的種種問題，為目標(biāo)規(guī)格帶來不可預(yù)知且低落的參數(shù)良率。這種制程變異帶來不斷增加的漏電、功耗與良率等沖擊，而晶圓代工業(yè)者與無晶圓廠晶片供應(yīng)商所面臨的挑戰(zhàn)如下圖所示。

　　為了弭平圖中所示的鴻溝，晶圓代工廠的制程技術(shù)團(tuán)隊(duì)與無晶圓廠晶片供應(yīng)商設(shè)計(jì)團(tuán)隊(duì)之間，需要有一個IDM形式的溝通介面。大型無晶圓廠晶片業(yè)者與晶圓代工廠，具備建立該種介面的財(cái)源，也能合作解決問題;但是較小型的廠商將會面臨財(cái)務(wù)挑戰(zhàn)。不過關(guān)鍵是，誰應(yīng)該負(fù)責(zé)建立那種IDM形式的溝通規(guī)則，并支付所需成本?是無晶圓廠業(yè)者、晶圓代工廠，還是兩邊都要負(fù)擔(dān)?看來其中有很多都是需要雙方共享的。

　　半導(dǎo)體制程演進(jìn)過程中，晶圓代??工廠與無晶圓廠業(yè)者之間的技術(shù)鴻溝越來越深

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　　2.要成為晶圓代工產(chǎn)業(yè)龍頭，所需支出的資本越來越高：

　　臺積電(TSMC)的2012年資本支出為80億美元，也就是每1萬片晶圓需要10億美元成本，以因應(yīng)每月8萬片晶圓的28奈米與20奈米制程額外產(chǎn)能。三星(Samsung)的非記憶體業(yè)務(wù)2012年資本支出金額也在80億美元左右(官方公布為65億美元)，大約也是供應(yīng)每月8萬片的額外產(chǎn)能。

　　Globalfoundries則是正在提升Malta晶圓廠的產(chǎn)出，計(jì)劃在目前Dresden晶圓廠每月8萬片晶圓產(chǎn)能之外，再增加每月3萬片晶圓的額外產(chǎn)能。至于聯(lián)電(UMC)，其2012年資本支出金額為20億美元，并宣布其Fab12廠將籌資80億美元。只有很少數(shù)的半導(dǎo)體廠商有能力在14奈米節(jié)點(diǎn)投資更大產(chǎn)能所需的成本，因此無晶圓廠晶片供應(yīng)商也會去選擇最佳的合作對象。

　　3.隨著晶片微縮，制程技術(shù)復(fù)??雜度也更高：

　　無論是對IDM廠商或是晶圓代工業(yè)者來說一個很大的問題是，隨著晶片微縮，開發(fā)先進(jìn)制程技術(shù)的成本也越來越高，如下方圖所示。在20奈米節(jié)點(diǎn)，主要的成本來自于bulkCMOS技術(shù)，但到了14奈米節(jié)點(diǎn)則是FinFET(已知英特爾在22奈米節(jié)點(diǎn)就使用FinFET)。

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