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電子發(fā)燒友網(wǎng)>市場(chǎng)分析>行業(yè)觀察:摩爾定律歷經(jīng)40載何時(shí)會(huì)失效?

行業(yè)觀察:摩爾定律歷經(jīng)40載何時(shí)會(huì)失效?

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2025-12-29 11:24:17133

躍昉科技受邀出席第四屆HiPi Chiplet論壇

隨著摩爾定律放緩與AI算力需求的爆發(fā)式增長(zhǎng),傳統(tǒng)芯片設(shè)計(jì)模式正面臨研發(fā)成本高昂、能耗巨大、迭代周期長(zhǎng)的多重壓力。在此背景下,Chiplet(芯粒)技術(shù)成為推動(dòng)集成電路產(chǎn)業(yè)持續(xù)演進(jìn)的關(guān)鍵路徑。2025
2025-12-28 16:36:17461

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2025-12-24 17:05:46929

LED失效分析方法與應(yīng)用實(shí)踐

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2025-12-24 11:59:35170

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2025-12-19 09:12:53343

EDA?新范式能否成為打通“協(xié)同設(shè)計(jì)”的關(guān)鍵樞紐?

進(jìn)制程與 3D 封裝上形成緊密合作,把工藝規(guī)則直接嵌入設(shè)計(jì)工具之中。 這一系列動(dòng)作清晰地揭示了一個(gè)深層趨勢(shì):在摩爾定律逼近極限、先進(jìn)封裝成為算力增長(zhǎng)核心引擎的今天,半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的競(jìng)爭(zhēng)范式正從單一的制程競(jìng)賽,轉(zhuǎn)向系統(tǒng)級(jí)的協(xié)同優(yōu)化。
2025-12-09 10:16:06384

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2025-11-26 10:53:12

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2025-11-04 10:43:012015

國(guó)家信息中心與摩爾線程達(dá)成戰(zhàn)略合作

10月21日上午,國(guó)家信息中心與摩爾線程在北京舉行戰(zhàn)略合作協(xié)議簽約儀式。國(guó)家信息中心主任徐強(qiáng),摩爾線程創(chuàng)始人、董事長(zhǎng)兼首席執(zhí)行官?gòu)埥ㄖ谐鱿灱s儀式。國(guó)家信息中心副主任周民與摩爾線程聯(lián)合創(chuàng)始人兼首席運(yùn)營(yíng)官周苑代表雙方簽署戰(zhàn)略合作協(xié)議。
2025-10-23 15:52:58469

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FJW紅外激光觀察儀IRV84499CFJW的FIND-R-SCOPE?是一個(gè)近紅外手持式紅外觀察儀,由高壓電源,圖像轉(zhuǎn)換顯像管結(jié)合人體化設(shè)計(jì),對(duì)肉眼不可見(jiàn)的近紅外光轉(zhuǎn)換為可見(jiàn)光。產(chǎn)品參數(shù):視場(chǎng)角
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2025-10-23 15:18:26

常見(jiàn)的電子元器件失效分析匯總

電子元器件失效可能導(dǎo)致電路功能異常,甚至整機(jī)損毀,耗費(fèi)大量調(diào)試時(shí)間。部分半導(dǎo)體器件存在外表完好但性能劣化的“軟失效”,進(jìn)一步增加了問(wèn)題定位的難度。電阻器失效1.開(kāi)路失效:最常見(jiàn)故障。由過(guò)電流沖擊導(dǎo)致
2025-10-17 17:38:52900

Chiplet,改變了芯片

1965年,英特爾聯(lián)合創(chuàng)始人戈登·摩爾提出了“摩爾定律”。半個(gè)多世紀(jì)以來(lái),這一定律推動(dòng)了集成電路(IC)性能的提升和成本的降低,并成為現(xiàn)代數(shù)字技術(shù)的基礎(chǔ)。摩爾定律指出,半導(dǎo)體芯片上的晶體管數(shù)量大約每
2025-10-17 08:33:423015

奇異摩爾Networking for AI生態(tài)沙龍成功舉辦

近日,中國(guó)信息通信研究院華東分院與行業(yè)領(lǐng)先的AI網(wǎng)絡(luò)全棧式互聯(lián)產(chǎn)品及解決方案提供商——奇異摩爾聯(lián)合舉辦的“聚力向芯 算涌無(wú)界 Networking for AI”生態(tài)沙龍活動(dòng)在上海浦東成功舉辦。
2025-10-09 12:45:43633

【2025九峰山論壇】破局摩爾定律:異質(zhì)異構(gòu)集成如何撬動(dòng)新賽道?

在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)不斷演進(jìn)的歷程中,異質(zhì)異構(gòu)集成技術(shù)正逐漸成為推動(dòng)行業(yè)突破現(xiàn)有瓶頸、邁向全新發(fā)展階段的關(guān)鍵力量。在這樣的產(chǎn)業(yè)變革背景下,九峰山論壇暨化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)博覽會(huì)于武漢光谷盛大召開(kāi),吸引了來(lái)自美國(guó)
2025-09-30 15:58:071404

摩爾定律時(shí)代,3D-CIM+RISC-V打造國(guó)產(chǎn)存算一體新范式

,算力、能效與帶寬瓶頸成為行業(yè)前行的關(guān)鍵阻礙,而美西方的技術(shù)禁運(yùn)更讓中國(guó)芯片產(chǎn)業(yè)面臨嚴(yán)峻挑戰(zhàn)。 ? 在這一大背景下,存算一體成為國(guó)產(chǎn)算力突破的重要手段。近日,在杭州舉辦的 RISC-V 存算一體產(chǎn)業(yè)論壇暨應(yīng)用組啟動(dòng)大會(huì)上,微納核芯、浙江省北大信
2025-09-17 09:31:215505

LED驅(qū)動(dòng)電路失效分析及解決方案

近年來(lái),隨著LED照明市場(chǎng)的快速擴(kuò)張,越來(lái)越多的企業(yè)加入LED研發(fā)制造行列。然而行業(yè)繁榮的背后,卻隱藏著一個(gè)令人擔(dān)憂的現(xiàn)象:由于從業(yè)企業(yè)技術(shù)實(shí)力參差不齊,LED驅(qū)動(dòng)電路質(zhì)量差異巨大,導(dǎo)致燈具失效事故
2025-09-16 16:14:52829

【「AI芯片:科技探索與AGI愿景」閱讀體驗(yàn)】+半導(dǎo)體芯片產(chǎn)業(yè)的前沿技術(shù)

為我們重點(diǎn)介紹了AI芯片在封裝、工藝、材料等領(lǐng)域的技術(shù)創(chuàng)新。 一、摩爾定律 摩爾定律是計(jì)算機(jī)科學(xué)和電子工程領(lǐng)域的一條經(jīng)驗(yàn)規(guī)律,指出集成電路上可容納的晶體管數(shù)量每18-24個(gè)月會(huì)增加一倍,同時(shí)芯片大小也
2025-09-15 14:50:58

華大九天Vision平臺(tái)重塑晶圓制造良率優(yōu)化新標(biāo)桿

摩爾定律驅(qū)動(dòng)下,半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)正步入復(fù)雜度空前的新紀(jì)元。先進(jìn)工藝節(jié)點(diǎn)的持續(xù)突破疊加國(guó)產(chǎn)化供應(yīng)鏈的深度整合,不僅推動(dòng)芯片性能實(shí)現(xiàn)跨越式發(fā)展,更使良率管理面臨前所未有的技術(shù)挑戰(zhàn)。納米級(jí)尺度下的設(shè)計(jì)缺陷被放大,工藝窗口收窄,任何偏差都可能引發(fā)良率驟降、產(chǎn)品延期。
2025-09-12 16:31:461999

LED失效原因分析與改進(jìn)建議

LED壽命雖被標(biāo)稱5萬(wàn)小時(shí),但那只是25℃下的理論值。高溫、高濕、粉塵、電流沖擊等現(xiàn)場(chǎng)條件會(huì)迅速放大缺陷,使產(chǎn)品提前失效。統(tǒng)計(jì)表明,現(xiàn)場(chǎng)失效多集中在投運(yùn)前三年,且呈批次性,直接推高售后成本。把常見(jiàn)
2025-09-12 14:36:55641

Samtec應(yīng)用漫談 | 新VITA?93.0 QMC?標(biāo)準(zhǔn)為堅(jiān)固型計(jì)算定義下一代小尺寸夾層卡

摘要/前言 更小、更密、更快。 Samtec希望用這一簡(jiǎn)潔短語(yǔ)描述互連設(shè)計(jì)的實(shí)踐趨勢(shì)。這一趨勢(shì)適用于數(shù)據(jù)中心、醫(yī)療設(shè)備、人工智能/機(jī)器學(xué)習(xí)、高性能計(jì)算、航空航天以及堅(jiān)固型和嵌入式計(jì)算行業(yè)。摩爾定律
2025-09-10 11:36:491998

CMOS 2.0與Chiplet兩種創(chuàng)新技術(shù)的區(qū)別

摩爾定律正在減速。過(guò)去我們靠不斷縮小晶體管尺寸提升芯片性能,但如今物理極限越來(lái)越近。在這樣的背景下,兩種創(chuàng)新技術(shù)站上舞臺(tái):CMOS 2.0 和 Chiplet(芯粒)。它們都在解決 “如何讓芯片更強(qiáng)” 的問(wèn)題,但思路卻大相徑庭。
2025-09-09 15:42:40813

摩爾定律時(shí)代,國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體設(shè)備的前瞻路徑分析

電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文 / 吳子鵬)日前,第十三屆半導(dǎo)體設(shè)備與核心部件及材料展(CSEAC 2025)主論壇暨第十三屆中國(guó)電子專用設(shè)備工業(yè)協(xié)會(huì)半導(dǎo)體設(shè)備年會(huì)在無(wú)錫太湖之濱隆重開(kāi)幕。本次年會(huì)以 “強(qiáng)化戰(zhàn)略引領(lǐng),深化創(chuàng)新驅(qū)動(dòng),共筑半導(dǎo)體裝備產(chǎn)業(yè)新高地” 為主題,匯聚了國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體設(shè)備領(lǐng)域的頂尖專家與企業(yè)領(lǐng)袖。 ? 在大會(huì)的主題演講環(huán)節(jié),中國(guó)電子專用設(shè)備工業(yè)協(xié)會(huì)副秘書(shū)長(zhǎng)、工信部電子科技委專家委員李晉湘,中電科電子裝備集團(tuán)有限公司黨委
2025-09-09 09:23:166566

【「AI芯片:科技探索與AGI愿景」閱讀體驗(yàn)】+工藝創(chuàng)新將繼續(xù)維持著摩爾神話

。那該如何延續(xù)摩爾神話呢? 工藝創(chuàng)新將是其途徑之一,芯片中的晶體管結(jié)構(gòu)正沿著摩爾定律指出的方向一代代演進(jìn),本段加速半導(dǎo)體的微型化和進(jìn)一步集成,以滿足AI技術(shù)及高性能計(jì)算飛速發(fā)展的需求。 CMOS工藝從
2025-09-06 10:37:21

芯片封裝的功能、等級(jí)以及分類

摩爾定律趨近物理極限、功率器件制程仍停留在百納米節(jié)點(diǎn)的背景下,芯片“尺寸縮小”與“性能提升”之間的矛盾愈發(fā)尖銳。
2025-08-28 13:50:221770

風(fēng)華貼片電感的失效模式有哪些?如何預(yù)防?

風(fēng)華高科作為國(guó)內(nèi)電子元器件領(lǐng)域的龍頭企業(yè),其貼片電感產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于消費(fèi)電子、通信設(shè)備及工業(yè)控制領(lǐng)域。然而,在實(shí)際應(yīng)用中,貼片電感可能因設(shè)計(jì)缺陷、材料缺陷或工藝問(wèn)題導(dǎo)致失效。本文結(jié)合行業(yè)實(shí)踐與技術(shù)文獻(xiàn)
2025-08-27 16:38:26658

何時(shí)使用 GPIO 中斷和外部中斷?

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電子元器件為什么會(huì)失效

電子元器件失效是指其在規(guī)定工作條件下,喪失預(yù)期功能或性能參數(shù)超出允許范圍的現(xiàn)象。失效可能發(fā)生于生命周期中的任一階段,不僅影響設(shè)備正常運(yùn)行,還可能引發(fā)系統(tǒng)級(jí)故障。導(dǎo)致失效的因素復(fù)雜多樣,可系統(tǒng)性地歸納
2025-08-21 14:09:32976

IGBT短路失效分析

短路失效網(wǎng)上已經(jīng)有很多很詳細(xì)的解釋和分類了,但就具體工作中而言,我經(jīng)常遇到的失效情況主要還是發(fā)生在脈沖階段和關(guān)斷階段以及關(guān)斷完畢之后的,失效的模式主要為熱失效和動(dòng)態(tài)雪崩失效以及電場(chǎng)尖峰過(guò)高失效(電流分布不均勻)。理論上還有其他的一些失效情況,但我工作中基本不怎么遇到了。
2025-08-21 11:08:544037

淺談3D封裝與CoWoS封裝

自戈登·摩爾1965年提出晶體管數(shù)量每18-24個(gè)月翻倍的預(yù)言以來(lái),摩爾定律已持續(xù)推動(dòng)半導(dǎo)體技術(shù)跨越半個(gè)世紀(jì),從CPU、GPU到專用加速器均受益于此。
2025-08-21 10:48:321625

淺談常見(jiàn)芯片失效原因

在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域,電氣過(guò)應(yīng)力(EOS)和靜電放電(ESD)是導(dǎo)致芯片失效的兩大主要因素,約占現(xiàn)場(chǎng)失效器件總數(shù)的50%。它們不僅直接造成器件損壞,還會(huì)引發(fā)長(zhǎng)期性能衰退和可靠性問(wèn)題,對(duì)生產(chǎn)效率與產(chǎn)品質(zhì)量構(gòu)成嚴(yán)重威脅。
2025-08-21 09:23:051493

借助AMD無(wú)頂蓋封裝技術(shù)應(yīng)對(duì)散熱挑戰(zhàn)

隨著電子行業(yè)向更小節(jié)點(diǎn)邁進(jìn),現(xiàn)代應(yīng)用要求更高的時(shí)鐘速率和性能。2014 年,斯坦福大學(xué)教授 Mark Horowitz 發(fā)表了一篇開(kāi)創(chuàng)性的論文,描述半導(dǎo)體行業(yè)面臨相關(guān)登納德縮放及摩爾定律失效的挑戰(zhàn)
2025-08-21 09:07:13810

當(dāng)摩爾定律 “踩剎車(chē)” ,三星 、AP、普迪飛共話半導(dǎo)體制造新變革新機(jī)遇

,揭示行業(yè)正處于從“晶體管密度驅(qū)動(dòng)”向“系統(tǒng)級(jí)創(chuàng)新”轉(zhuǎn)型的關(guān)鍵節(jié)點(diǎn)。隨著摩爾定律放緩、供應(yīng)鏈分散化政策推進(jìn),一場(chǎng)融合制造技術(shù)革新與供應(yīng)鏈數(shù)字化的產(chǎn)業(yè)變革正在上演。
2025-08-19 13:48:141163

UCIe協(xié)議的工作原理和數(shù)據(jù)傳輸機(jī)制

過(guò)去幾十年,摩爾定律一直是半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)展的核心驅(qū)動(dòng)力,芯片上晶體管數(shù)量每18-24個(gè)月翻倍,性能隨之大幅提升。但近年來(lái)這一定律明顯放緩,芯片制程向7nm、5nm甚至3nm推進(jìn)時(shí),技術(shù)難度呈指數(shù)級(jí)增長(zhǎng),研發(fā)成本飆升,且物理極限日益逼近,傳統(tǒng)通過(guò)提升制程提高性能的路徑愈發(fā)艱難。
2025-08-16 15:37:383697

如何用FIB截面分析技術(shù)做失效分析?

的高分辨率觀察,尤其擅長(zhǎng)處理微小、復(fù)雜的器件結(jié)構(gòu)。什么是截面分析?截面分析是失效分析中的一種重要方法,而使用雙束聚焦離子束-掃描電鏡(FIB-SEM)則是截面分析
2025-08-15 14:03:37865

怎么找出PCB光電元器件失效問(wèn)題

限制,PCB在生產(chǎn)和應(yīng)用中常出現(xiàn)失效,引發(fā)質(zhì)量糾紛。為查明原因、解決問(wèn)題并明確責(zé)任,失效分析成為必不可少的環(huán)節(jié)。失效分析流程1.失效定位失效分析的首要任務(wù)是基于失效
2025-08-15 13:59:15630

年中觀察:看磁性元件行業(yè)的變革與機(jī)遇

2025 年已然過(guò)半,在這一新能源與高端制造深度融合的關(guān)鍵年份,磁性元件行業(yè)歷經(jīng)深刻變革。站在年中的節(jié)點(diǎn)回顧與展望,磁性元件行業(yè)從“元件供應(yīng)” 邁向 “系統(tǒng)賦能” 的轉(zhuǎn)型浪潮愈發(fā)洶涌。 在近期舉辦
2025-08-13 16:27:51731

AI狂飆, FPGA會(huì)掉隊(duì)嗎? (上)

摩爾定律說(shuō),集成電路上的晶體管數(shù)量大約每?jī)赡攴环kS著晶體管尺寸接近物理極限,摩爾定律的原始含義已不再適用,但計(jì)算能力的提升并沒(méi)有停止。英偉達(dá)的SOC在過(guò)去幾年的發(fā)展中,AI算力大致為每?jī)赡攴环?/div>
2025-08-07 09:03:191061

先進(jìn)封裝轉(zhuǎn)接板的典型結(jié)構(gòu)和分類

摩爾定律精準(zhǔn)預(yù)言了近幾十年集成電路的發(fā)展。然而,逐漸逼近的物理極限、更高的性能需求和不再經(jīng)濟(jì)的工藝制程,已引發(fā)整個(gè)半導(dǎo)體行業(yè)重新考慮集成工藝方法和系統(tǒng)縮放策略,意味著集成電路產(chǎn)業(yè)已經(jīng)步入后摩爾時(shí)代。
2025-08-05 14:59:112514

Chiplet與3D封裝技術(shù):后摩爾時(shí)代的芯片革命與屹立芯創(chuàng)的良率保障

摩爾定律逐漸放緩的背景下,Chiplet(小芯片)技術(shù)和3D封裝成為半導(dǎo)體行業(yè)突破性能與集成度瓶頸的關(guān)鍵路徑。然而,隨著芯片集成度的提高,氣泡缺陷成為影響封裝良率的核心挑戰(zhàn)之一。
2025-07-29 14:49:39855

晶心科技:摩爾定律放緩,RISC-V在高性能計(jì)算的重要性突顯

運(yùn)算還是快速高頻處理計(jì)算數(shù)據(jù),或是超級(jí)電腦,只要設(shè)計(jì)或計(jì)算系統(tǒng)符合三項(xiàng)之一即可稱之為HPC。 摩爾定律走過(guò)數(shù)十年,從1970年代開(kāi)始,世界領(lǐng)導(dǎo)廠商建立晶圓廠、提供制程工藝,在28nm之前取得非常大的成功。然而28nm之后摩爾定律在接近物理極限之前遇到大量的困
2025-07-18 11:13:324120

芯片失效步驟及其失效難題分析!

芯片失效分析的主要步驟芯片開(kāi)封:去除IC封膠,同時(shí)保持芯片功能的完整無(wú)損,保持die,bondpads,bondwires乃至lead-frame不受損傷,為下一步芯片失效分析實(shí)驗(yàn)做準(zhǔn)備。SEM
2025-07-11 10:01:152704

針對(duì)芯片失效的專利技術(shù)與解決方法

在后摩爾時(shí)代,隨著SOC、SIP等技術(shù)的快速崛起,集成電路向著更小工藝尺寸,更高集成度方向發(fā)展。對(duì)應(yīng)的,在更高集成度、更精工藝尺寸,以及使用更多新材料的情況下,對(duì)應(yīng)的產(chǎn)品新增失效問(wèn)題也會(huì)越來(lái)越多
2025-07-10 11:14:34591

淺談封裝材料失效分析

在電子封裝領(lǐng)域,各類材料因特性與應(yīng)用場(chǎng)景不同,失效模式和分析檢測(cè)方法也各有差異。
2025-07-09 09:40:52998

芯片封裝失效的典型現(xiàn)象

本文介紹了芯片封裝失效的典型現(xiàn)象:金線偏移、芯片開(kāi)裂、界面開(kāi)裂、基板裂紋和再流焊缺陷。
2025-07-09 09:31:361503

奇異摩爾田陌晨榮獲中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)領(lǐng)軍人物獎(jiǎng)

中國(guó) IC 獨(dú)角獸聯(lián)盟近期正式揭曉 "中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)高質(zhì)量發(fā)展創(chuàng)新成果征集" 活動(dòng)獲評(píng)榜單,涵蓋領(lǐng)軍人物、領(lǐng)軍企業(yè)、優(yōu)秀解決方案/產(chǎn)品三大類別,全面展現(xiàn)國(guó)內(nèi)集成電路全產(chǎn)業(yè)鏈的創(chuàng)新
2025-07-08 17:04:441556

LED失效的典型機(jī)理分析

一、芯片缺陷在LED器件的失效案例中,芯片缺陷是一個(gè)不容忽視的因素。失效的LED器件表現(xiàn)出正向壓降(Vf)增大的現(xiàn)象,在電測(cè)過(guò)程中,隨著正向電壓的增加,樣品仍能發(fā)光,這暗示著LED內(nèi)部可能存在電連接
2025-07-08 15:29:13561

LED芯片失效和封裝失效的原因分析

芯片失效和封裝失效的原因,并分析其背后的物理機(jī)制。金鑒實(shí)驗(yàn)室是一家專注于LED產(chǎn)業(yè)的科研檢測(cè)機(jī)構(gòu),致力于改善LED品質(zhì),服務(wù)LED產(chǎn)業(yè)鏈中各個(gè)環(huán)節(jié),使LED產(chǎn)業(yè)健康
2025-07-07 15:53:25765

東京大學(xué)開(kāi)發(fā)氧化銦(InGaOx)新型晶體管,延續(xù)摩爾定律提供新思路

據(jù)報(bào)道,東京大學(xué)的研究團(tuán)隊(duì)近日成功開(kāi)發(fā)出一種基于摻鎵氧化銦(InGaOx)晶體材料的新型晶體管。這一創(chuàng)新在微電子技術(shù)領(lǐng)域引起了廣泛關(guān)注,標(biāo)志著微電子器件性能提升的重要突破。該研究團(tuán)隊(duì)的環(huán)繞式金屬氧化物場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)展現(xiàn)出卓越的性能,遷移率高達(dá)44.5cm2/Vs。在嚴(yán)苛的應(yīng)力測(cè)試中,這款晶體管連續(xù)穩(wěn)定工作近三小時(shí),顯示出其在高壓和高溫等極端條件
2025-07-02 09:52:45827

連接器會(huì)失效情況分析?

連接器失效可能由電氣、機(jī)械、環(huán)境、材料、設(shè)計(jì)、使用不當(dāng)或壽命到期等多種原因引起。通過(guò)電氣、機(jī)械、外觀和功能測(cè)試,可以判斷連接器是否失效。如遇到失效的情況需要及時(shí)更新,保證工序的正常進(jìn)行。
2025-06-27 17:00:56654

行芯科技亮相2025世界半導(dǎo)體博覽會(huì)

此前,2025年6月20日-22日,全球半導(dǎo)體行業(yè)盛會(huì)——世界半導(dǎo)體博覽會(huì)在南京國(guó)際博覽中心盛大開(kāi)幕。行芯科技受邀參與EDA/IP核產(chǎn)業(yè)發(fā)展高峰論壇,面對(duì)摩爾定律破局關(guān)鍵的3DIC技術(shù),作為“守門(mén)員
2025-06-26 15:05:241076

格羅方德鍺硅技術(shù)的發(fā)展歷史和應(yīng)用

20世紀(jì)80年代末至90年代初,在紐約和佛蒙特州這些看似與半導(dǎo)體革命毫無(wú)關(guān)聯(lián)的地方,一場(chǎng)悄無(wú)聲息的半導(dǎo)體變革正悄然興起。即便是最癡迷于半導(dǎo)體的發(fā)燒友,也可能未曾留意到這場(chǎng)變革,畢竟當(dāng)時(shí)摩爾定律以及硅(Si)CMOS晶體管的尺寸縮小占據(jù)了所有新聞?lì)^條。
2025-06-24 14:00:441147

ASML杯光刻「芯 」勢(shì)力知識(shí)挑戰(zhàn)賽正式啟動(dòng)

ASML光刻「芯」勢(shì)力知識(shí)挑戰(zhàn)賽由全球半導(dǎo)體行業(yè)領(lǐng)先供應(yīng)商ASML發(fā)起,是一項(xiàng)面向中國(guó)半導(dǎo)體人才與科技愛(ài)好者的科普賽事。依托ASML在光刻領(lǐng)域的技術(shù)積累與行業(yè)洞察,賽事致力于為參賽者打造一個(gè)深度探索光刻技術(shù)的知識(shí)競(jìng)技窗口,同時(shí)培養(yǎng)優(yōu)秀科技「芯」勢(shì)力,共同推動(dòng)摩爾定律演進(jìn)。
2025-06-23 17:04:561158

突破!華為先進(jìn)封裝技術(shù)揭開(kāi)神秘面紗

在半導(dǎo)體行業(yè),芯片制造工藝的發(fā)展逐漸逼近物理極限,摩爾定律的推進(jìn)愈發(fā)艱難。在此背景下,先進(jìn)封裝技術(shù)成為提升芯片性能、實(shí)現(xiàn)系統(tǒng)集成的關(guān)鍵路徑,成為全球科技企業(yè)角逐的新戰(zhàn)場(chǎng)。近期,華為的先進(jìn)封裝技術(shù)突破
2025-06-19 11:28:071256

SEM掃描電鏡斷裂失效分析

中圖儀器SEM掃描電鏡斷裂失效分析采用鎢燈絲電子槍,其電子槍發(fā)射電流大、穩(wěn)定性好,以及對(duì)真空度要求不高,使得鎢燈絲臺(tái)式掃描電鏡能夠在較短的時(shí)間內(nèi)達(dá)到穩(wěn)定的工作狀態(tài)并獲得清晰的圖像,從而提高了檢測(cè)效率
2025-06-17 15:02:09

新能源汽車(chē)焊接材料五大失效風(fēng)險(xiǎn)與應(yīng)對(duì)指南——從焊點(diǎn)看整車(chē)可靠性

本文從廠家視角解析新能源汽車(chē)焊接封裝材料四大失效模式:機(jī)械失效(熱循環(huán)與振動(dòng)導(dǎo)致焊點(diǎn)疲勞)、熱失效(高溫下焊點(diǎn)軟化與散熱不足)、電氣失效(電遷移與接觸電阻增大)、環(huán)境失效(腐蝕與吸濕膨脹)。結(jié)合行業(yè)
2025-06-09 10:36:492097

鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管的原理和優(yōu)勢(shì)

自半導(dǎo)體晶體管問(wèn)世以來(lái),集成電路技術(shù)便在摩爾定律的指引下迅猛發(fā)展。摩爾定律預(yù)言,單位面積上的晶體管數(shù)量每?jī)赡攴环?,而這一進(jìn)步在過(guò)去幾十年里得到了充分驗(yàn)證。
2025-06-03 18:24:131494

wafer晶圓厚度(THK)翹曲度(Warp)彎曲度(Bow)等數(shù)據(jù)測(cè)量的設(shè)備

晶圓是半導(dǎo)體制造的核心基材,所有集成電路(IC)均構(gòu)建于晶圓之上,其質(zhì)量直接決定芯片性能、功耗和可靠性,是摩爾定律持續(xù)推進(jìn)的物質(zhì)基礎(chǔ)。其中晶圓的厚度(THK)、翹曲度(Warp) 和彎曲度(Bow
2025-05-28 16:12:46

低功耗熱發(fā)射極晶體管的工作原理與制備方法

集成電路是現(xiàn)代信息技術(shù)的基石,而晶體管則是集成電路的基本單元。沿著摩爾定律發(fā)展,現(xiàn)代集成電路的集成度不斷提升,目前單個(gè)芯片上已經(jīng)可以集成數(shù)百億個(gè)晶體管。
2025-05-22 16:06:191145

電力電子中的“摩爾定律”(2)

04平面磁集成技術(shù)的發(fā)展在此基礎(chǔ)上,平面磁集成技術(shù)開(kāi)始廣泛應(yīng)用于高功率密度場(chǎng)景,通過(guò)將變壓器的繞組(winding)設(shè)計(jì)在pcb電路板上從而代替利茲線,從而極大降低了變壓器的高度。然而pcb的銅帶厚度并不大,一般不會(huì)超過(guò)4oz(140μm),因此想要通過(guò)pcb傳輸大電流會(huì)有極大的損耗。為
2025-05-17 08:33:28572

跨越摩爾定律,新思科技掩膜方案憑何改寫(xiě)3nm以下芯片游戲規(guī)則

。 然而,隨著摩爾定律逼近物理極限,傳統(tǒng)掩模設(shè)計(jì)方法面臨巨大挑戰(zhàn),以2nm制程為例,掩膜版上的每個(gè)圖形特征尺寸僅為頭發(fā)絲直徑的五萬(wàn)分之一,任何微小誤差都可能導(dǎo)致芯片失效。對(duì)此,新思科技(Synopsys)推出制造解決方案,尤其是
2025-05-16 09:36:475598

離子研磨在芯片失效分析中的應(yīng)用

芯片失效分析中對(duì)芯片的截面進(jìn)行觀察,需要對(duì)樣品進(jìn)行截面研磨達(dá)到要觀察的位置,而后再采用光學(xué)顯微鏡(OM Optical Microscopy)或者掃描電子顯微(SEM Scanning Electron Microscopy)進(jìn)行形貌觀察。
2025-05-15 13:59:001657

電力電子中的“摩爾定律”(1)

本文是第二屆電力電子科普征文大賽的獲獎(jiǎng)作品,來(lái)自上??萍即髮W(xué)劉賾源的投稿。著名的摩爾定律中指出,集成電路每過(guò)一定時(shí)間就會(huì)性能翻倍,成本減半。那么電力電子當(dāng)中是否也存在著摩爾定律呢?1965年,英特爾
2025-05-10 08:32:01752

元器件失效分析有哪些方法?

失效分析的定義與目標(biāo)失效分析是對(duì)失效電子元器件進(jìn)行診斷的過(guò)程。其核心目標(biāo)是確定失效模式和失效機(jī)理。失效模式指的是我們觀察到的失效現(xiàn)象和形式,例如開(kāi)路、短路、參數(shù)漂移、功能失效等;而失效機(jī)理則是指導(dǎo)
2025-05-08 14:30:23910

向電源行業(yè)的功率器件專家致敬:拆穿海外IGBT模塊廠商失效報(bào)告造假!

模塊失效分析中的不當(dāng)行為,維護(hù)了行業(yè)信譽(yù)與國(guó)家尊嚴(yán),這一過(guò)程不僅涉及精密的技術(shù)驗(yàn)證,更體現(xiàn)了國(guó)產(chǎn)供應(yīng)鏈從被動(dòng)依賴到主動(dòng)主導(dǎo)的轉(zhuǎn)變。以下從技術(shù)對(duì)抗、商業(yè)博弈、產(chǎn)業(yè)升級(jí)角度展開(kāi)分析: 一、事件本質(zhì):中國(guó)電力電子行業(yè)功率器
2025-04-27 16:21:50564

從 Arm 行業(yè)報(bào)告看芯片產(chǎn)業(yè)應(yīng)如何構(gòu)建面向未來(lái)十年的技術(shù)基石

半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)正經(jīng)歷一場(chǎng)由人工智能 (AI) 崛起以及傳統(tǒng)摩爾定律放緩所驅(qū)動(dòng)的關(guān)鍵轉(zhuǎn)型。在此背景下,Arm于近日發(fā)布了《芯片新思維:人工智能時(shí)代的新根基》行業(yè)報(bào)告。在報(bào)告中,來(lái)自 Arm 與業(yè)界的專家
2025-04-25 14:40:041770

玻璃基板在芯片封裝中的應(yīng)用

自集成電路誕生以來(lái),摩爾定律一直是其發(fā)展的核心驅(qū)動(dòng)力。根據(jù)摩爾定律,集成電路單位面積上的晶體管數(shù)量每18到24個(gè)月翻一番,性能也隨之提升。然而,隨著晶體管尺寸的不斷縮小,制造工藝的復(fù)雜度和成本急劇
2025-04-23 11:53:452727

淺談Chiplet與先進(jìn)封裝

隨著半導(dǎo)體行業(yè)的技術(shù)進(jìn)步,尤其是摩爾定律的放緩,芯片設(shè)計(jì)和制造商們逐漸轉(zhuǎn)向了更為靈活的解決方案,其中“Chiplet”和“先進(jìn)封裝”成為了熱門(mén)的概念。
2025-04-14 11:35:181169

電子元器件失效分析與典型案例(全彩版)

本資料共分兩篇,第一篇為基礎(chǔ)篇,主要介紹了電子元器件失效分析基本概念、程序、技術(shù)及儀器設(shè)備;第二篇為案例篇,主要介紹了九類元器件的失效特點(diǎn)、失效模式和失效機(jī)理以及有效的預(yù)防和控制措施,并給出九類
2025-04-10 17:43:54

從焊錫膏到3D堆疊:材料創(chuàng)新如何重塑芯片性能規(guī)則?

摩爾定律逼近物理極限的當(dāng)下,先進(jìn)封裝技術(shù)正成為半導(dǎo)體行業(yè)突破性能瓶頸的關(guān)鍵路徑。以系統(tǒng)級(jí)封裝(SiP)、晶圓級(jí)封裝(WLP)、3D堆疊、Chiplet異構(gòu)集成為代表的顛覆性方案,正重新定義芯片性能
2025-04-10 14:36:311188

先進(jìn)封裝工藝面臨的挑戰(zhàn)

在先進(jìn)制程遭遇微縮瓶頸的背景下,先進(jìn)封裝朝著 3D 異質(zhì)整合方向發(fā)展,成為延續(xù)摩爾定律的關(guān)鍵路徑。3D 先進(jìn)封裝技術(shù)作為未來(lái)的發(fā)展趨勢(shì),使芯片串聯(lián)數(shù)量大幅增加。
2025-04-09 15:29:021021

淺談MOS管封裝技術(shù)的演變

隨著智能設(shè)備的普及,電子設(shè)備也朝著小型化、高性能和可靠性方向發(fā)展。摩爾定律趨緩背景下,封裝技術(shù)成為提升性能的關(guān)鍵路徑。從傳統(tǒng)的TO封裝到先進(jìn)封裝,MOS管的封裝技術(shù)經(jīng)歷了許多變革,從而間接地影響到了智能應(yīng)用的表現(xiàn)。合科泰將帶您深入探討MOS管封裝技術(shù)的演變。
2025-04-08 11:29:531217

AI驅(qū)動(dòng)半導(dǎo)體與系統(tǒng)設(shè)計(jì) Cadence開(kāi)啟設(shè)計(jì)智能化新時(shí)代

催生變革 在 AI 驅(qū)動(dòng)的時(shí)代浪潮下,各行業(yè)積極探索如何借助 AI 釋放創(chuàng)造力、提升生產(chǎn)力。得益于摩爾定律,
2025-03-31 18:26:071577

漢高亮相SEMICON China 2025 助力半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)在AI時(shí)代打造新質(zhì)生產(chǎn)力

可持續(xù)發(fā)展領(lǐng)域,從而助力半導(dǎo)體行業(yè)在AI時(shí)代更好地打造新質(zhì)生產(chǎn)力。 ? 當(dāng)前,以DeepSeek為代表的低成本、高效率開(kāi)放式人工智能大模型的快速發(fā)展,在全球半導(dǎo)體行業(yè)掀起了一場(chǎng)技術(shù)變革。行業(yè)對(duì)更強(qiáng)大、更高效、更緊湊芯片的需求呈爆發(fā)式增長(zhǎng),與此同時(shí),摩爾定律逐漸
2025-03-27 11:28:48536

深入解讀新思科技UALink和超以太網(wǎng)IP解決方案

AI工作負(fù)載正顯著推動(dòng)接口IP市場(chǎng)的創(chuàng)新。AI模型參數(shù)量呈指數(shù)級(jí)增長(zhǎng),大約每4至6個(gè)月翻一番,這與摩爾定律所描繪的硬件發(fā)展速度(周期長(zhǎng)達(dá)18個(gè)月)形成了鮮明對(duì)比。此差距要求硬件創(chuàng)新來(lái)支持人工智能(AI)工作負(fù)載,并且需要更強(qiáng)的計(jì)算能力、更豐富的資源和更高帶寬的互連技術(shù)。
2025-03-26 10:08:181916

詳解半導(dǎo)體集成電路的失效機(jī)理

半導(dǎo)體集成電路失效機(jī)理中除了與封裝有關(guān)的失效機(jī)理以外,還有與應(yīng)用有關(guān)的失效機(jī)理。
2025-03-25 15:41:371790

震驚!半導(dǎo)體玻璃芯片基板實(shí)現(xiàn)自動(dòng)激光植球突破

在半導(dǎo)體行業(yè)“超越摩爾定律”的探索中,玻璃基板與激光植球技術(shù)的結(jié)合,不僅是材料與工藝的創(chuàng)新,更是整個(gè)產(chǎn)業(yè)鏈協(xié)同突破的縮影。未來(lái),隨著5G、AI、汽車(chē)電子等需求的爆發(fā),激光錫球焊接機(jī)這一技術(shù)組合或?qū)⒊蔀橹袊?guó)半導(dǎo)體高端制造的重要競(jìng)爭(zhēng)力。?
2025-03-21 16:50:041547

詳細(xì)解決方案搶先下載!電子行業(yè)“精密之眼”,條紋投影掃描技術(shù)護(hù)衛(wèi)產(chǎn)品質(zhì)量

的基礎(chǔ)。 盡管對(duì)于摩爾定律是否已終結(jié)尚有不同聲音,但電子行業(yè)技術(shù)迭代速度快、產(chǎn)品頻繁推陳出新依然是不變的共識(shí)。為快速響應(yīng)市場(chǎng)需求,并且保證產(chǎn)品競(jìng)爭(zhēng)力,在電子產(chǎn)品的設(shè)計(jì)、制造中,質(zhì)量要求日益嚴(yán)苛。條紋投影掃描技
2025-03-17 17:10:51331

瑞沃微先進(jìn)封裝:突破摩爾定律枷鎖,助力半導(dǎo)體新飛躍

在半導(dǎo)體行業(yè)的發(fā)展歷程中,技術(shù)創(chuàng)新始終是推動(dòng)行業(yè)前進(jìn)的核心動(dòng)力。深圳瑞沃微半導(dǎo)體憑借其先進(jìn)封裝技術(shù),用強(qiáng)大的實(shí)力和創(chuàng)新理念,立志將半導(dǎo)體行業(yè)邁向新的高度。 回溯半導(dǎo)體行業(yè)的發(fā)展軌跡,摩爾定律無(wú)疑是一個(gè)重要的里程碑
2025-03-17 11:33:30779

封裝失效分析的流程、方法及設(shè)備

本文首先介紹了器件失效的定義、分類和失效機(jī)理的統(tǒng)計(jì),然后詳細(xì)介紹了封裝失效分析的流程、方法及設(shè)備。
2025-03-13 14:45:411817

Chiplet:芯片良率與可靠性的新保障!

Chiplet技術(shù),也被稱為小芯片或芯粒技術(shù),是一種創(chuàng)新的芯片設(shè)計(jì)理念。它將傳統(tǒng)的大型系統(tǒng)級(jí)芯片(SoC)分解成多個(gè)小型、功能化的芯片模塊(Chiplet),然后通過(guò)先進(jìn)的封裝技術(shù)將這些模塊連接在一起,形成一個(gè)完整的系統(tǒng)。這一技術(shù)的出現(xiàn),源于對(duì)摩爾定律放緩的應(yīng)對(duì)以及對(duì)芯片設(shè)計(jì)復(fù)雜性和成本控制的追求。
2025-03-12 12:47:462296

全球首臺(tái),獨(dú)立研發(fā)!新一代C2W&W2W混合鍵合設(shè)備即將震撼發(fā)布!

制程工藝逼近1nm物理極限,摩爾定律的延續(xù)面臨巨大挑戰(zhàn)。行業(yè)亟需通過(guò)“延續(xù)摩爾”(More Moore)與“超越摩爾”(More than Moore)兩條路徑尋找新突破。無(wú)論是3D堆疊技術(shù)提升集成密度,還是異質(zhì)芯片集成拓展功能邊界,混合鍵合技術(shù)已成為不可替代的核心技術(shù)。然而
2025-03-06 14:42:58509

AI正在對(duì)硬件互連提出“過(guò)分”要求 | Samtec于Keysight開(kāi)放日深度分享

?在Keysight實(shí)驗(yàn)室開(kāi)放日上海站做深度分享時(shí),提出了以上這樣的問(wèn)題。 本次活動(dòng)由Keysight主辦,在上海、北京舉辦開(kāi)放實(shí)驗(yàn)室主題日活動(dòng),攜手Samtec的技術(shù)專家,共同探討確保 AI 互連穩(wěn)健性的趨勢(shì)、挑戰(zhàn)和解決方案。 從摩爾定律看AI發(fā)展 回顧半導(dǎo)體行業(yè),英特爾創(chuàng)始人戈登?摩爾提出
2025-02-26 11:09:101013

芯片失效分析的方法和流程

? 本文介紹了芯片失效分析的方法和流程,舉例了典型失效案例流程,總結(jié)了芯片失效分析關(guān)鍵技術(shù)面臨的挑戰(zhàn)和對(duì)策,并總結(jié)了芯片失效分析的注意事項(xiàng)。 ? ? 芯片失效分析是一個(gè)系統(tǒng)性工程,需要結(jié)合電學(xué)測(cè)試
2025-02-19 09:44:162907

新思科技全新40G UCIe IP解決方案助力Multi-Die設(shè)計(jì)

隨著物理極限開(kāi)始制約摩爾定律的發(fā)展,加之人工智能不斷突破技術(shù)邊界,計(jì)算需求和處理能力要求呈現(xiàn)爆發(fā)式增長(zhǎng)。為了賦能生成式人工智能應(yīng)用,現(xiàn)代數(shù)據(jù)中心不得不采用Multi-Die設(shè)計(jì),而這又帶來(lái)了許多技術(shù)要求,包括高帶寬和低功耗Die-to-Die連接。
2025-02-18 09:40:02937

納米壓印技術(shù):開(kāi)創(chuàng)下一代光刻的新篇章

光刻技術(shù)對(duì)芯片制造至關(guān)重要,但傳統(tǒng)紫外光刻受衍射限制,摩爾定律面臨挑戰(zhàn)。為突破瓶頸,下一代光刻(NGL)技術(shù)應(yīng)運(yùn)而生。本文將介紹納米壓印技術(shù)(NIL)的原理、發(fā)展、應(yīng)用及設(shè)備,并探討其在半導(dǎo)體制造中
2025-02-13 10:03:503708

2.5D集成電路的Chiplet布局設(shè)計(jì)

隨著摩爾定律接近物理極限,半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)正在向2.5D和3D集成電路等新型技術(shù)方向發(fā)展。在2.5D集成技術(shù)中,多個(gè)Chiplet通過(guò)微凸點(diǎn)、硅通孔和重布線層放置在中介層上。這種架構(gòu)在異構(gòu)集成方面具有優(yōu)勢(shì),但同時(shí)在Chiplet布局優(yōu)化和溫度管理方面帶來(lái)了挑戰(zhàn)[1]。
2025-02-12 16:00:062195

混合鍵合中的銅連接:或成摩爾定律救星

混合鍵合3D芯片技術(shù)將拯救摩爾定律。 為了繼續(xù)縮小電路尺寸,芯片制造商正在爭(zhēng)奪每一納米的空間。但在未來(lái)5年里,一項(xiàng)涉及幾百乃至幾千納米的更大尺度的技術(shù)可能同樣重要。 這項(xiàng)技術(shù)被稱為“混合鍵合”,可以
2025-02-09 09:21:431230

AEC Q104標(biāo)準(zhǔn)的適用范圍和測(cè)試要求

在科技日新月異的今天,集成電路行業(yè)正不斷尋求創(chuàng)新與突破,以應(yīng)對(duì)摩爾定律逼近極限的挑戰(zhàn)。其中,多芯片模組(MCM)技術(shù)作為一項(xiàng)將多個(gè)獨(dú)立的集成電路芯片集成到單一封裝體內(nèi)的革命性技術(shù),正逐漸成為推動(dòng)行業(yè)
2025-02-08 09:07:333649

使用安森美圖像傳感器優(yōu)化視覺(jué)系統(tǒng)設(shè)計(jì)

現(xiàn)代圖像傳感器在工廠自動(dòng)化、視頻會(huì)議、監(jiān)控、智能門(mén)鈴和增強(qiáng)現(xiàn)實(shí)等眾多應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)了越來(lái)越多的強(qiáng)大視覺(jué)系統(tǒng)功能。摩爾定律及其推論推動(dòng)了更節(jié)省空間、性能更好的 CMOS 圖像傳感器和處理器的發(fā)展?,F(xiàn)在
2025-02-07 10:06:041015

摩爾線程宣布成功部署DeepSeek蒸餾模型推理服務(wù)

近日,摩爾線程智能科技(北京)有限責(zé)任公司在其官方渠道發(fā)布了一則重要消息,宣布公司已經(jīng)成功實(shí)現(xiàn)了對(duì)DeepSeek蒸餾模型推理服務(wù)的部署。這一技術(shù)突破,標(biāo)志著摩爾線程在人工智能領(lǐng)域邁出了堅(jiān)實(shí)的一步
2025-02-06 13:49:421230

石墨烯互連技術(shù):延續(xù)摩爾定律的新希望

半導(dǎo)體行業(yè)長(zhǎng)期秉持的摩爾定律(該定律規(guī)定芯片上的晶體管密度大約每?jī)赡陸?yīng)翻一番)越來(lái)越難以維持??s小晶體管及其間互連的能力正遭遇一些基本的物理限制。特別是,當(dāng)銅互連按比例縮小時(shí),其電阻率急劇上升,這會(huì)
2025-01-09 11:34:38958

如何有效地開(kāi)展EBSD失效分析

失效分析的重要性失效分析其核心任務(wù)是探究產(chǎn)品或構(gòu)件在服役過(guò)程中出現(xiàn)的各種失效形式。這些失效形式涵蓋了疲勞斷裂、應(yīng)力腐蝕開(kāi)裂、環(huán)境應(yīng)力開(kāi)裂引發(fā)的脆性斷裂等諸多類型。深入剖析失效機(jī)理,有助于工程師
2025-01-09 11:01:46995

數(shù)據(jù)中心蓄電池失效會(huì)造成哪些危害及相關(guān)解決方案

應(yīng)急電力,會(huì)導(dǎo)致數(shù)據(jù)中心供電中斷。 2. 業(yè)務(wù)中斷: 供電中斷會(huì)直接導(dǎo)致數(shù)據(jù)中心的業(yè)務(wù)系統(tǒng)停止運(yùn)行,如服務(wù)器、交換機(jī)等設(shè)備關(guān)機(jī),造成關(guān)鍵業(yè)務(wù)中斷。這對(duì)于金融、通訊等行業(yè)的數(shù)據(jù)中心來(lái)說(shuō),每宕機(jī)一小時(shí)會(huì)產(chǎn)生巨大的經(jīng)濟(jì)損失,例如金融行
2025-01-08 16:49:511379

摩爾定律是什么 影響了我們哪些方面

摩爾定律是由英特爾公司創(chuàng)始人戈登·摩爾提出的,它揭示了集成電路上可容納的晶體管數(shù)量大約每18-24個(gè)月增加一倍的趨勢(shì)。該定律不僅推動(dòng)了計(jì)算機(jī)硬件的快速發(fā)展,也對(duì)多個(gè)領(lǐng)域產(chǎn)生了深遠(yuǎn)影響。
2025-01-07 18:31:103464

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