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      HMC349AMS8G 高隔離度、非反射、GaAs、SPDT開(kāi)關(guān)，100 MHz至4 GHz

      數(shù)據(jù)：

      優(yōu)勢(shì)和特點(diǎn)

      • 非反射式50 ?設(shè)計(jì)
      • 高隔離度：57 dB至2 GHz
      • 低插入損耗：0.9 dB至2 GHz
      • 高輸入線性度
        • 1 dB功率壓縮(P1dB)：34 dBm（典型值）
        • 三階交調(diào)截點(diǎn)(IP3)：52 dBm（典型值）
      • 高功率處理
        • 33.5 dBm（通過(guò)路徑）
        • 26.5 dBm端接路徑 單正電源：3 V至5 V
      • CMOS/TTL兼容控制
      • 全部關(guān)斷狀態(tài)控制
      • 帶exposed pad的8引腳超小型封裝(MINI_SO_EP)

      產(chǎn)品詳情

      HMC349AMS8G是一款砷化鎵(GaAs)、假晶高電子遷移率晶體管(PHEMT)、單刀雙擲(SPDT)開(kāi)關(guān)，額定頻率范圍為100 MHz至 4 GHz。

      HMC349AMS8G非常適合蜂窩基礎(chǔ)設(shè)施應(yīng)用，可實(shí)現(xiàn)57 dB高隔離、0.9 dB低插入損耗、52 dBm高輸入IP3和34 dBm高輸入P1dB。

      HMC349AMS8G采用3 V至5 V單正電源供電，提供CMOS/TTL兼容控制接口。HMC349AMS8G采用帶exposed pad的8引腳超小型封裝。

      應(yīng)用

      • 蜂窩/4G基礎(chǔ)設(shè)施
      • 無(wú)線基礎(chǔ)設(shè)施
      • 移動(dòng)無(wú)線電
      • 測(cè)試設(shè)備

      方框圖





      技術(shù)文檔

      數(shù)據(jù)手冊(cè)（1）
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