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立年電子科技

射頻微波器件、組件一站式服務(wù) 國(guó)產(chǎn)替代選型

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立年電子科技產(chǎn)品

  • FHX04X 是一種高電子遷移率晶體管 HEMT 2023-12-15 10:01

    產(chǎn)品型號(hào)：FHX04X 廠家：Sumitomo Electric 型號(hào)：FHX04X 名稱： GaAs HEMT芯片 產(chǎn)地：日本 封裝：SMT

  • FHX06LG 是一種高電子遷移率晶體管 HEMT 2023-12-15 09:48

    產(chǎn)品型號(hào)：FHX06LG 廠家：Sumitomo Electric 型號(hào)：FHX06LG 名稱：低噪聲 放大器 產(chǎn)地：日本 封裝：SMT

  • FHX05LG 是一種高電子遷移率晶體管 HEMT2023-12-15 09:43

    產(chǎn)品型號(hào)：FHX05LG 廠家：Sumitomo Electric 型號(hào)：FHX05LG 名稱：低噪聲 放大器 產(chǎn)地：日本 封裝：SMT

  • FHX04LG 是一種高電子遷移率晶體管 HEMT 2023-12-15 09:37

    產(chǎn)品型號(hào)：FHX04LG 廠家：Sumitomo Electric Device Innov 型號(hào)：FHX04LG 名稱：低噪聲 放大器 產(chǎn)地：日本 封裝：SMT

  • TSS-53LNB+高性能的低噪聲寬帶放大器2023-12-14 16:58

    產(chǎn)品型號(hào)：TSS-53LNB+ 頻率范圍MHz：500 - 5000 MHz 頻率范圍GHz：0.5-5 GHz 阻抗：50Ω 封裝：MCLP 尺寸：3x3 mm

  • SLM5868-25F C波段 內(nèi)部匹配 FET2023-12-14 09:49

    產(chǎn)品型號(hào)：SLM5868-25F 廠家：Sumitomo Electric Device Innov 型號(hào)：SLM5868-25F 名稱：MFET GaAs 砷化鎵IMFET 產(chǎn)地：日本 封裝：SMT

  • SGM6906VUT X波段 50W GaN HEMT模塊2023-12-14 09:18

    產(chǎn)品型號(hào)：SGM6906VUT 廠家：Sumitomo Electric Device Innov 型號(hào)：SGM6906VUT 名稱：High Power GaAs FET高功率砷化鎵場(chǎng)效應(yīng)管 產(chǎn)地：日本 封裝：SMT

  • SGM6906VU X波段 50W GaN HEMT模塊2023-12-14 09:11

    產(chǎn)品型號(hào)：SGM6906VU 廠家：Sumitomo Electric Device Innov 型號(hào)：SGM6906VU 名稱：High Power GaAs FET高功率砷化鎵場(chǎng)效應(yīng)管 產(chǎn)地：日本 封裝：SMT

  • SGK5867-100C C波段 內(nèi)部匹配 GaN HEMT2023-12-13 12:13

    產(chǎn)品型號(hào)：SGK5867-100C 廠家：Sumitomo Electric Device Innov 型號(hào)： SGK5867-100C 名稱：High Power GaAs FET高功率砷化鎵場(chǎng)效應(yīng)管 產(chǎn)地：日本 封裝：SMT

  • FLM7179-6F C波段 內(nèi)部匹配 FET2023-12-13 11:58

    產(chǎn)品型號(hào)：FLM7179-6F 廠家：Sumitomo Electric Device Innov 型號(hào)：FLM7179-6F 名稱：High Power GaAs FET高功率砷化鎵場(chǎng)效應(yīng)管 產(chǎn)地：日本 封裝：SMT