立年電子科技產(chǎn)品

• FLM6472-6F C波段 內(nèi)部匹配 FET2023-12-13 11:50

  

  產(chǎn)品型號(hào)：FLM6472-6F 廠家：Sumitomo Electric Device Innov 型號(hào)： FLM6472-6F 名稱：High Power GaAs FET高功率砷化鎵場(chǎng)效應(yīng)管 產(chǎn)地：日本 封裝：SMT

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• FLM3135-12F C波段 內(nèi)部匹配 FET2023-12-13 11:43

  

  產(chǎn)品型號(hào)：FLM3135-12F 廠家：Sumitomo Electric Device Innov 型號(hào)：FLM3135-12F 名稱：High Power GaAs FET高功率砷化鎵場(chǎng)效應(yīng)管 產(chǎn)地：日本 封裝：SMT

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• FLM1415-4F Ku波段 內(nèi)部匹配 FET2023-12-13 11:35

  

  產(chǎn)品型號(hào)：FLM1415-4F 廠家：Sumitomo Electric Device Innov 型號(hào)：FLM1415-4F 名稱：High Power GaAs FET高功率砷化鎵場(chǎng)效應(yīng)管 產(chǎn)地：日本 封裝：SMT

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• FLM1314-12F X、Ku波段 內(nèi)部匹配 FET2023-12-13 11:26

  

  產(chǎn)品型號(hào)：FLM1314-12F 廠家：Sumitomo Electric Device Innov 型號(hào)：FLM1314-12F 名稱：High Power GaAs FET高功率砷化鎵場(chǎng)效應(yīng)管 產(chǎn)地：日本 封裝：SMT

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• FHX35X/002 低噪聲 HEMT2023-12-13 11:17

  

  產(chǎn)品型號(hào)：FHX35X/002 廠家：Sumitomo Electric Device Innov 型號(hào)：FHX35X/002 名稱：砷化鎵HEMT 名稱：日本 封裝：SMT

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• FHX35LPT 超低噪聲 HEMT2023-12-13 11:05

  

  產(chǎn)品型號(hào)：FHX35LPT 廠家：Sumitomo Electric Device Innov 型號(hào)： FHX35LPT 名稱：砷化鎵HEMT 產(chǎn)地：日本 封裝：SMT

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• FHX35LP 超低噪聲 HEMT2023-12-13 10:58

  

  產(chǎn)品型號(hào)：FHX35LP 廠家：Sumitomo Electric Device Innov 型號(hào)：FHX35LP 名稱：砷化鎵HEMT 產(chǎn)地：日本 封裝：SMT

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• FHX35LGT/002 超低噪聲 HEMT2023-12-12 20:03

  

  產(chǎn)品型號(hào)：FHX35LGT/002 廠家：Sumitomo Electric Device Innov 型號(hào)：FHX35LGT/002 名稱：砷化鎵HEMT 產(chǎn)地：日本 封裝：SMT

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• FHX35LG/002 超低噪聲 HEMT2023-12-12 19:56

  

  產(chǎn)品型號(hào)：FHX35LG/002 廠家：Sumitomo Electric Device Innov 型號(hào)：FHX35LG/002 名稱：IMFET GaN 氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管 產(chǎn)地：日本 封裝：SMT

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• ELM7785-7PST C波段 內(nèi)部匹配 FET2023-12-12 19:34

  

  產(chǎn)品型號(hào)：ELM7785-7PST 廠家：Sumitomo Electric Device Innov 型號(hào)：ELM7785-7PST 名稱：IMFET GaN 氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管 產(chǎn)地：日本 封裝：SMT

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