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立年電子科技

射頻微波器件、組件一站式服務(wù) 國產(chǎn)替代選型

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立年電子科技產(chǎn)品

  • ELM6472-4PST C波段 內(nèi)部匹配 FET2023-12-12 11:01

    產(chǎn)品型號：ELM6472-4PST 廠家： Sumitomo Electric Device Inno 型號：ELM6472-4PST 名稱：IMFET GaN 氮化鎵場效應(yīng)晶體管 產(chǎn)地：日本 封裝：SMT

  • ELM6472-4PS C波段 內(nèi)部匹配 FET2023-12-12 10:55

    產(chǎn)品型號：ELM6472-4PS 廠家：Sumitomo Electric Device Innov 型號：ELM6472-4PS 名稱：IMFET GaN 氮化鎵場效應(yīng)晶體管 產(chǎn)地：日本 封裝：SMT

  • ELM5964-7PST C波段 內(nèi)部匹配 FET2023-12-12 10:46

    產(chǎn)品型號：ELM5964-7PST 廠家：Sumitomo Electric Device Innov 型號：ELM5964-7PST 名稱：IMFET GaN 氮化鎵場效應(yīng)晶體管 產(chǎn)地：日本 封裝：SMT

  • ELM5964-7PS C波段 內(nèi)部匹配 FET2023-12-12 10:37

    產(chǎn)品型號：ELM5964-7PS 廠家：Sumitomo Electric Device Innov 型號：ELM5964-7PS 名稱：IMFET GaN 氮化鎵場效應(yīng)晶體管 產(chǎn)地：日本 封裝：SMT

  • ELM5964-4PS C波段 內(nèi)部匹配 FET2023-12-12 10:25

    產(chǎn)品型號：ELM5964-4PS 廠家：Sumitomo Electric Device Innov 型號：ELM5964-4PS 名稱：IMFET GaN 氮化鎵場效應(yīng)晶體管 產(chǎn)地：日本 封裝：SMT

  • ELM5964-4PST C波段 內(nèi)部匹配 FET2023-12-12 10:19

    產(chǎn)品型號：ELM5964-4PST 廠家：Sumitomo Electric Device Innov 型號：ELM5964-4PST 名稱：IMFET GaN 氮化鎵場效應(yīng)晶體管 產(chǎn)地：日本 封裝：SMT

  • SGN2933-600D-R 雷達(dá)用高壓大功率GaN HEMT2023-12-11 13:25

    產(chǎn)品型號：SGN2933-600D-R 廠家：Sumitomo Electric Device Innov 型號：SGN2933-600D-R 名稱：IMFET GaN 氮化鎵場效應(yīng)晶體管 產(chǎn)地：日本 封裝：M1B

  • SGK1314-30A Ku帶 內(nèi)部匹配 GaN HEMT2023-12-11 13:18

    產(chǎn)品型號：SGK1314-30A 廠家：Sumitomo Electric Device Innov 型號：SGK1314-30A 名稱：IMFET GaN 氮化鎵場效應(yīng)晶體管 產(chǎn)地：日本 封裝：IBK

  • SGM6901VU X波段 24W GaN HEMT模塊2023-12-11 13:11

    產(chǎn)品型號：SGM6901VU 廠家：Sumitomo Electric Device Innov 型號：SGM6901VU 名稱：IMFET GaN 氮化鎵場效應(yīng)晶體管 產(chǎn)地：日本 封裝：VU

  • SGK1314-60B ku帶 內(nèi)部匹配 GaN HEMT2023-12-11 13:04

    產(chǎn)品型號：SGK1314-60B 廠家：Sumitomo Electric Device Innov 型號：SGK1314-60B 名稱： IMFET GaN 氮化鎵場效應(yīng)晶體管 產(chǎn)地：日本 封裝：IBK