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立年電子科技

射頻微波器件、組件一站式服務 國產(chǎn)替代選型

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立年電子科技產(chǎn)品

  • FLM3135-8F C波段 內(nèi)部匹配 FET2023-12-08 20:37

    產(chǎn)品型號：FLM3135-8F 廠家：Sumitomo Electric Device Innov 型號： FLM3135-8F 名稱：High Power GaAs FET高功率砷化鎵場效應管 產(chǎn)地：日本 封裝：lB

  • FLM5972-12F C波段 內(nèi)部匹配 FET2023-12-08 20:31

    產(chǎn)品型號：FLM5972-12F 廠家：Sumitomo Electric Device Innov 型號：FLM5972-12F 名稱：High Power GaAs FET高功率砷化鎵場效應管 產(chǎn)地：日本 封裝：lK

  • FLM5972-4F C波段 內(nèi)部匹配 FET2023-12-08 20:25

    產(chǎn)品型號：FLM5972-4F 廠家：Sumitomo Electric Device Innov 型號：FLM5972-4F 名稱：High Power GaAs FET高功率砷化鎵場效應管 產(chǎn)地：日本 封裝：IB

  • FLM5053-4F C波段 內(nèi)部匹配 FET2023-12-08 20:19

    產(chǎn)品型號：FLM5053-4F 廠家：Sumitomo Electric Device Innov 型號： FLM5053-4F 名稱：High Power GaAs FET高功率砷化鎵場效應管 產(chǎn)地：日本 封裝：IB

  • FLM5053-8F C波段 內(nèi)部匹配 FET2023-12-08 20:09

    產(chǎn)品型號：FLM5053-8F 廠家：Sumitomo Electric Device Innov 型號：FLM5053-8F 名稱：High Power GaAs FET高功率砷化鎵場效應管 產(chǎn)地：日本 封裝：IK

  • SGNL015Z2K-RT1 DC–3.8GHz 高功率 GaN HEMT2023-12-08 20:03

    產(chǎn)品型號：SGNL015Z2K-RT1 廠家：Sumitomo Electric Device Innov 型號：SGNL015Z2K-RT1 名稱：GaN HEMT 氮化鎵高電子遷移率晶體管 產(chǎn)地：日本 封裝： DFN

  • FLM5053-18F C波段 內(nèi)部匹配 FET2023-12-08 19:55

    產(chǎn)品型號：FLM5053-18F 廠家：Sumitomo Electric Device Innov 型號：FLM5053-18F 名稱：High Power GaAs FET高功率砷化鎵場效應管 產(chǎn)地：日本 封裝：lK

  • FLM5053-25F C波段 內(nèi)部匹配 FET2023-12-08 19:44

    產(chǎn)品型號：FLM5053-25F 廠家：Sumitomo Electric Device Innov 型號：FLM5053-25F 名稱：High Power GaAs FET高功率砷化鎵場效應管 產(chǎn)地：日本 封裝：lK

  • FLM4450-45F C波段 內(nèi)部匹配 FET2023-12-08 18:47

    產(chǎn)品型號：FLM4450-45F 廠家：Sumitomo Electric Device Innov 型號：FLM4450-45F 名稱：High Power GaAs FET高功率砷化鎵場效應管 產(chǎn)地：日本 封裝：lK

  • FLM7785-45F C波段 內(nèi)部匹配 FET2023-12-08 18:39

    產(chǎn)品型號：FLM7785-45F 廠家：Sumitomo Electric Device Innov 型號：FLM7785-45F 名稱：High Power GaAs FET高功率砷化鎵場效應管 產(chǎn)地：日本 封裝：lK